JP2007150012A5 - - Google Patents
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Claims (10)
- 真空容器内にガスを導入しつつ排気しながら任意の圧力に制御し、真空容器内に配置された複数の基板をそれぞれ載置する電極に高周波電力を印加することによって、真空容器内にプラズマを発生させ基板を処理するプラズマ処理方法において、複数の基板は対向して配置され、かつ、複数の基板間にプラズマを発生させることで複数の基板を同時に処理することを特徴とするプラズマ処理方法。
- 複数の電極の電位と夫々の電極からマッチング回路に流れる電流をモニタリングし、電流値から高周波電力の出力を変化すると共に、電圧値から電極に印加する高周波電力の出力を変化させることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理方法。
- 基板に含まれる材料或いは基板上に形成された材料は、白金，インジウム，鉄，銅，銀，ストロンチウム，ビスマス，レニウム，カルシウム，マンガン，ルテニウムの少なくとも１つの材料を含むことを特徴とする請求項１または２記載のプラズマ処理方法。
- 基板を静電吸着力によってそれぞれの電極に固定したことを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載のプラズマ処理方法。
- 電極間の距離が１０ｍｍ以上１５０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載のプラズマ処理方法。
- ガスは塩素原子，フッ素原子の少なくとも一方を含むものであることを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載のプラズマ処理方法。
- 真空維持することが可能な真空容器と、真空容器内に設けられかつ基板を載置する複数の電極と、複数の電極に高周波電力を印加する電源と、真空容器内にガスを供給しつつ排気するガス供排気手段とを有するプラズマ処理装置において、複数の電極は対向して設けられ、かつ、複数の電極はそれぞれ異なる電源に接続されたことを特徴とするプラズマ処理装置。
- 複数の電極の電位と夫々の電極からマッチング回路に流れる電流をモニタリングし、電流値から高周波電力の出力を変化すると共に、電圧値から電極に印加する高周波電力の出力を変化させることを特徴とする請求項７記載のプラズマ処理装置。
- 電極間の距離が１０ｍｍ以上１５０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項７または８に記載のプラズマ処理装置。
- 真空維持することが可能な単一の真空容器と、前記真空容器内に設けられかつ各々の基板を載置する複数の電極と、前記複数の電極に高周波電力を印加する第１電源と、前記真空容器内にガスを供給しつつ排気するガス供排気手段と、前記真空容器の外側に配置された誘導結合コイルと、前記コイルの高周波電力を印加する第２電源とを有するプラズマ処理装置において、前記複数の電極は相対向して設けられ、かつ、前記複数の電極はそれぞれ異なる電源に接続されたことを特徴とするプラズマ処理装置。
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