JP2000353690A - プラズマリアクタ装置 - Google Patents
プラズマリアクタ装置Info
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- JP2000353690A JP2000353690A JP11164688A JP16468899A JP2000353690A JP 2000353690 A JP2000353690 A JP 2000353690A JP 11164688 A JP11164688 A JP 11164688A JP 16468899 A JP16468899 A JP 16468899A JP 2000353690 A JP2000353690 A JP 2000353690A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 加工精度及び加工レートを劣化させることな
く処理能力を向上することのできるコストパフォーマン
スに優れたプラズマリアクタ装置を提供する。 【解決手段】 基板Ｗを設置するためにチャンバー１内
に配される基板電極５と、高周波電圧を発生する高周波
電源４と、高周波電源４による高周波電圧の誘導結合に
より反応性ガスをプラズマ化するプラズマ生成部１ａと
を備え、生成されたプラズマにより基板Ｗに表面加工を
施すプラズマリアクタ装置において、プラズマ生成部１
ａに面するように基板電極５を複数設けた。
く処理能力を向上することのできるコストパフォーマン
スに優れたプラズマリアクタ装置を提供する。 【解決手段】 基板Ｗを設置するためにチャンバー１内
に配される基板電極５と、高周波電圧を発生する高周波
電源４と、高周波電源４による高周波電圧の誘導結合に
より反応性ガスをプラズマ化するプラズマ生成部１ａと
を備え、生成されたプラズマにより基板Ｗに表面加工を
施すプラズマリアクタ装置において、プラズマ生成部１
ａに面するように基板電極５を複数設けた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマにより半
導体素子等の基板表面の成膜やエッチング等を行うプラ
ズマリアクタ装置に関し、特に、誘導結合によりプラズ
マを生成するプラズマリアクタ装置に関する。
導体素子等の基板表面の成膜やエッチング等を行うプラ
ズマリアクタ装置に関し、特に、誘導結合によりプラズ
マを生成するプラズマリアクタ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】基板上に所定形状の薄膜が積層される半
導体素子や液晶パネル等の製造工程では、薄膜の成膜、
薄膜のエッチング、レジストのアッシング或は基板の表
面処理等の表面加工が繰り返し行われる。これらの表面
加工は真空のチャンバー内に供給された反応性ガスを、
高周波電源若しくは直流電源によりプラズマ化して基板
に照射することで反応を進行させるプラズマリアクタ装
置が一般に用いられる。
導体素子や液晶パネル等の製造工程では、薄膜の成膜、
薄膜のエッチング、レジストのアッシング或は基板の表
面処理等の表面加工が繰り返し行われる。これらの表面
加工は真空のチャンバー内に供給された反応性ガスを、
高周波電源若しくは直流電源によりプラズマ化して基板
に照射することで反応を進行させるプラズマリアクタ装
置が一般に用いられる。
【０００３】プラズマリアクタ装置には、薄膜の成膜用
としてスパッタリングを行うスパッタ装置や化学蒸着を
行うＣＶＤ（Chemical Vaper Deposition ）装置、薄膜
のエッチング用としてドライエッチング装置が市販され
ている。図４はドライエッチング装置の一つであるＲＩ
Ｅ（Reactive Ion Etching）装置の概略構成図を示して
いる。
としてスパッタリングを行うスパッタ装置や化学蒸着を
行うＣＶＤ（Chemical Vaper Deposition ）装置、薄膜
のエッチング用としてドライエッチング装置が市販され
ている。図４はドライエッチング装置の一つであるＲＩ
Ｅ（Reactive Ion Etching）装置の概略構成図を示して
いる。
【０００４】密閉されるチャンバー１内には高周波電源
４が接続された基板電極５が配され、接地された上部電
極１１が基板電極５に対向配置されている。薄膜が形成
された基板Ｗが基板電極５上に設置され、排気装置（不
図示）によりチャンバー１内が真空状態になると反応性
ガスが供給される。そして、高周波電源４により基板電
極５と上部電極１１間に高周波電圧が印加されると、反
応性ガスがプラズマ化されて基板Ｗに照射され、薄膜の
エッチングが行われるようになっている。
４が接続された基板電極５が配され、接地された上部電
極１１が基板電極５に対向配置されている。薄膜が形成
された基板Ｗが基板電極５上に設置され、排気装置（不
図示）によりチャンバー１内が真空状態になると反応性
ガスが供給される。そして、高周波電源４により基板電
極５と上部電極１１間に高周波電圧が印加されると、反
応性ガスがプラズマ化されて基板Ｗに照射され、薄膜の
エッチングが行われるようになっている。
【０００５】上記構成のＲＩＥ装置はプラズマの密度が
低いため、エッチングレート及びプラズマ内の反応性イ
オンの直進性が低い。このため、加工時間が長くかかる
問題があるとともに、基板に反応性イオンが斜めに入射
することにより、細い線幅が要求された際に対応するこ
とができなかった。
低いため、エッチングレート及びプラズマ内の反応性イ
オンの直進性が低い。このため、加工時間が長くかかる
問題があるとともに、基板に反応性イオンが斜めに入射
することにより、細い線幅が要求された際に対応するこ
とができなかった。
【０００６】上記問題を解決するため、誘導結合により
反応性ガスをプラズマ化する誘導結合型プラズマ源（以
下「ＩＣＰ」（Inductively Coupled Plasma）という）
が実用化されている。図５はＩＣＰドライエッチング装
置の概略構成図を示している。密閉されるチャンバー１
内には高周波のバイアス電源６が接続された基板電極５
が配され、誘電体２が基板電極５に対向配置されてい
る。誘電体２の背面に面して高周波電源４が接続された
誘導結合アンテナ３が設置されている。
反応性ガスをプラズマ化する誘導結合型プラズマ源（以
下「ＩＣＰ」（Inductively Coupled Plasma）という）
が実用化されている。図５はＩＣＰドライエッチング装
置の概略構成図を示している。密閉されるチャンバー１
内には高周波のバイアス電源６が接続された基板電極５
が配され、誘電体２が基板電極５に対向配置されてい
る。誘電体２の背面に面して高周波電源４が接続された
誘導結合アンテナ３が設置されている。
【０００７】薄膜が形成された基板Ｗが基板電極５上に
設置され、排気装置（不図示）によりチャンバー１内が
真空状態になると反応性ガスが供給される。そして、高
周波電源４により誘導結合アンテナ３に高周波電圧が印
加されると、誘導結合によって反応性ガスがプラズマ化
されて基板Ｗに照射され、薄膜のエッチングが行われる
ようになっている。プラズマの密度は高周波電源４によ
り調整することができ、プラズマの照射のエネルギーは
バイアス電源６より調整することができる。
設置され、排気装置（不図示）によりチャンバー１内が
真空状態になると反応性ガスが供給される。そして、高
周波電源４により誘導結合アンテナ３に高周波電圧が印
加されると、誘導結合によって反応性ガスがプラズマ化
されて基板Ｗに照射され、薄膜のエッチングが行われる
ようになっている。プラズマの密度は高周波電源４によ
り調整することができ、プラズマの照射のエネルギーは
バイアス電源６より調整することができる。
【０００８】また、図６は従来の他のＩＣＰドライエッ
チング装置を示す概略構成図である。チャンバー１の上
部に設けられた石英等の誘電体から成る円筒管８には、
高周波電源４が接続されたヘリカル型の誘導結合アンテ
ナ１１が巻設されている。そして、円筒管８の内部で誘
導結合によりプラズマが生成されて基板Ｗに照射される
ようになっている。
チング装置を示す概略構成図である。チャンバー１の上
部に設けられた石英等の誘電体から成る円筒管８には、
高周波電源４が接続されたヘリカル型の誘導結合アンテ
ナ１１が巻設されている。そして、円筒管８の内部で誘
導結合によりプラズマが生成されて基板Ｗに照射される
ようになっている。
【０００９】これらのＩＣＰドライエッチング装置にお
いて、プラズマは誘導結合により高密度にすることがで
きるので、エッチングレートが向上するとともにより微
細な加工が行うことができるようになる。また、ＩＣＰ
を用いたＣＶＤ装置ではデポレート（成膜速度）を向上
させることができるようになっている。
いて、プラズマは誘導結合により高密度にすることがで
きるので、エッチングレートが向上するとともにより微
細な加工が行うことができるようになる。また、ＩＣＰ
を用いたＣＶＤ装置ではデポレート（成膜速度）を向上
させることができるようになっている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来のＩＣＰドライエッチング装置によると、基板電極
５に１枚の基板Ｗを設置するので１回の加工で基板Ｗは
１枚づつ処理される。このため処理能力の向上が困難で
あり、製造コストが高くなる問題がある。
従来のＩＣＰドライエッチング装置によると、基板電極
５に１枚の基板Ｗを設置するので１回の加工で基板Ｗは
１枚づつ処理される。このため処理能力の向上が困難で
あり、製造コストが高くなる問題がある。
【００１１】処理能力の向上ため、同時に複数の基板Ｗ
を処理できるように複数のチャンバー１を設けた装置に
すると、電源供給系、反応性ガス供給系及び排気系を複
数必要とする。このため、装置価格が大幅に上昇すると
ともに、占有面積が大きくなって該装置が設置される無
塵室の設備費が上昇し、製造コスト削減の効果が低い。
を処理できるように複数のチャンバー１を設けた装置に
すると、電源供給系、反応性ガス供給系及び排気系を複
数必要とする。このため、装置価格が大幅に上昇すると
ともに、占有面積が大きくなって該装置が設置される無
塵室の設備費が上昇し、製造コスト削減の効果が低い。
【００１２】また、処理能力向上のため図７の上面断面
図及び図８の側面断面図に示すように複数の基板Ｗを並
設し、円筒形のチャンバー１の全体に巻設される誘導結
合アンテナ９によりプラズマを生成するＩＣＰドライエ
ッチング装置が考えられる。
図及び図８の側面断面図に示すように複数の基板Ｗを並
設し、円筒形のチャンバー１の全体に巻設される誘導結
合アンテナ９によりプラズマを生成するＩＣＰドライエ
ッチング装置が考えられる。
【００１３】しかし、このような装置によると、バイア
ス電源６（図６参照）によるプラズマの照射のエネルギ
ーの調整ができないため照射されるプラズマの入射角の
制御ができない。また、チャンバー１内の全体でプラズ
マが生成されるため、チャンバー１内のプラズマ密度に
ばらつきが生じ、各基板間や基板内のエッチングレート
や入射の直進性のばらつきが大きくなって加工精度が劣
化する。
ス電源６（図６参照）によるプラズマの照射のエネルギ
ーの調整ができないため照射されるプラズマの入射角の
制御ができない。また、チャンバー１内の全体でプラズ
マが生成されるため、チャンバー１内のプラズマ密度に
ばらつきが生じ、各基板間や基板内のエッチングレート
や入射の直進性のばらつきが大きくなって加工精度が劣
化する。
【００１４】本発明は、加工精度及び加工レートを劣化
させることなく処理能力を向上することのできるコスト
パフォーマンスに優れたプラズマリアクタ装置を提供す
ることを目的とする。
させることなく処理能力を向上することのできるコスト
パフォーマンスに優れたプラズマリアクタ装置を提供す
ることを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、基板を設置するためにチャンバー内に配さ
れる基板電極と、高周波電圧を発生する高周波電源と、
前記高周波電源による高周波電圧の誘導結合により反応
性ガスをプラズマ化するプラズマ生成部とを備え、生成
されたプラズマにより該基板に表面加工を施すプラズマ
リアクタ装置において、前記基板電極を前記プラズマ生
成部に面して複数設けたことを特徴としている。
に本発明は、基板を設置するためにチャンバー内に配さ
れる基板電極と、高周波電圧を発生する高周波電源と、
前記高周波電源による高周波電圧の誘導結合により反応
性ガスをプラズマ化するプラズマ生成部とを備え、生成
されたプラズマにより該基板に表面加工を施すプラズマ
リアクタ装置において、前記基板電極を前記プラズマ生
成部に面して複数設けたことを特徴としている。
【００１６】この構成によると、複数の基板は複数の基
板電極に設置され、１つの高周波電源により高周波電圧
がプラズマ生成部に印加されると誘導結合によってプラ
ズマが生成される。そして、該プラズマは各基板を照射
し、エッチングや成膜等の基板の表面加工が行われる。
板電極に設置され、１つの高周波電源により高周波電圧
がプラズマ生成部に印加されると誘導結合によってプラ
ズマが生成される。そして、該プラズマは各基板を照射
し、エッチングや成膜等の基板の表面加工が行われる。
【００１７】また本発明は、基板を設置するためにチャ
ンバー内に配される基板電極と、高周波電圧を発生する
高周波電源と、前記高周波電源による高周波電圧の誘導
結合により反応性ガスをプラズマ化するプラズマ生成部
とを備え、生成されたプラズマにより該基板に表面加工
を施すプラズマリアクタ装置において、前記基板電極は
夫々に基板を設置できる複数の電極面を有するととも
に、前記プラズマ生成部を前記電極面の夫々に面して複
数設けたことを特徴としている。
ンバー内に配される基板電極と、高周波電圧を発生する
高周波電源と、前記高周波電源による高周波電圧の誘導
結合により反応性ガスをプラズマ化するプラズマ生成部
とを備え、生成されたプラズマにより該基板に表面加工
を施すプラズマリアクタ装置において、前記基板電極は
夫々に基板を設置できる複数の電極面を有するととも
に、前記プラズマ生成部を前記電極面の夫々に面して複
数設けたことを特徴としている。
【００１８】この構成によると、複数の基板は基板電極
の複数の電極面に設置され、１つの高周波電源により高
周波電圧が各電極面に面した複数のプラズマ生成部に印
加されると誘導結合によってプラズマが生成される。そ
して、該プラズマは各基板を照射し、エッチングや成膜
等の基板の表面加工が行われる。
の複数の電極面に設置され、１つの高周波電源により高
周波電圧が各電極面に面した複数のプラズマ生成部に印
加されると誘導結合によってプラズマが生成される。そ
して、該プラズマは各基板を照射し、エッチングや成膜
等の基板の表面加工が行われる。
【００１９】また本発明は、上記構成のプラズマリアク
タ装置において、前記表面加工をエッチング、スパッタ
リングまたは化学蒸着にしたことを特徴としている。
タ装置において、前記表面加工をエッチング、スパッタ
リングまたは化学蒸着にしたことを特徴としている。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態を図を参照して
説明する。説明の便宜上、従来例の図４乃至図８と同一
の部分については同一の符号を付している。図１は第１
実施形態のプラズマリアクタ装置を示す概略構成図であ
る。本実施形態のプラズマリアクタ装置はＩＣＰを有し
たＩＣＰドライエッチング装置を構成している。
説明する。説明の便宜上、従来例の図４乃至図８と同一
の部分については同一の符号を付している。図１は第１
実施形態のプラズマリアクタ装置を示す概略構成図であ
る。本実施形態のプラズマリアクタ装置はＩＣＰを有し
たＩＣＰドライエッチング装置を構成している。
【００２１】密閉されるチャンバー１内には高周波のバ
イアス電源６が接続された２つの基板電極５が配され、
誘電体２が夫々の基板電極５に対向配置されている。２
つの誘電体２の間には高周波電源４が接続された誘導結
合アンテナ３が設置されている。
イアス電源６が接続された２つの基板電極５が配され、
誘電体２が夫々の基板電極５に対向配置されている。２
つの誘電体２の間には高周波電源４が接続された誘導結
合アンテナ３が設置されている。
【００２２】薄膜が形成された基板Ｗが基板電極５上に
設置され、排気装置（不図示）によりチャンバー１内が
真空状態になると反応性ガスが供給される。そして、高
周波電源４により誘導結合アンテナ３に高周波電圧が印
加されると、誘導結合によって反応性ガスがプラズマ化
される。
設置され、排気装置（不図示）によりチャンバー１内が
真空状態になると反応性ガスが供給される。そして、高
周波電源４により誘導結合アンテナ３に高周波電圧が印
加されると、誘導結合によって反応性ガスがプラズマ化
される。
【００２３】従って、誘電体２の基板Ｗ側の表面にはプ
ラズマが生成されるプラズマ生成部１ａ、１ｂが形成さ
れる。生成されたプラズマは基板Ｗに照射され、薄膜の
エッチングが行われるようになっている。プラズマの密
度は高周波電源４により調整することができ、プラズマ
の照射のエネルギーはバイアス電源６より調整すること
ができる。
ラズマが生成されるプラズマ生成部１ａ、１ｂが形成さ
れる。生成されたプラズマは基板Ｗに照射され、薄膜の
エッチングが行われるようになっている。プラズマの密
度は高周波電源４により調整することができ、プラズマ
の照射のエネルギーはバイアス電源６より調整すること
ができる。
【００２４】本実施形態によると、ＩＣＰを有している
ので高密度のプラズマを生成することができエッチング
レート及びプラズマ内の反応性イオンの直進性が高い。
また、基板の表面加工の処理能力が従来に比して２倍に
なるとともに、チャンバー１を大きくして基板電極５及
びバイアス電源６を２式設けるのみで排気装置や高周波
電源等が１つでよいので装置価格及び占有面積の増加を
抑制できる。
ので高密度のプラズマを生成することができエッチング
レート及びプラズマ内の反応性イオンの直進性が高い。
また、基板の表面加工の処理能力が従来に比して２倍に
なるとともに、チャンバー１を大きくして基板電極５及
びバイアス電源６を２式設けるのみで排気装置や高周波
電源等が１つでよいので装置価格及び占有面積の増加を
抑制できる。
【００２５】従って、コストパフォーマンスに優れたＩ
ＣＰドライエッチング装置を得ることができる。基板電
極５は３つ以上設けるようにしてもよい。また、同様の
構成によりＣＶＤ装置やスパッタ装置を構成することが
可能であり、高いデポレートを有するとともにコストパ
フォーマンスに優れたプラズマリアクタ装置を得ること
ができる。
ＣＰドライエッチング装置を得ることができる。基板電
極５は３つ以上設けるようにしてもよい。また、同様の
構成によりＣＶＤ装置やスパッタ装置を構成することが
可能であり、高いデポレートを有するとともにコストパ
フォーマンスに優れたプラズマリアクタ装置を得ること
ができる。
【００２６】図２は第２実施形態のプラズマリアクタ装
置を示す概略構成図である。本実施形態のプラズマリア
クタ装置は第１実施形態と同様にＩＣＰを有したＩＣＰ
ドライエッチング装置を構成している。
置を示す概略構成図である。本実施形態のプラズマリア
クタ装置は第１実施形態と同様にＩＣＰを有したＩＣＰ
ドライエッチング装置を構成している。
【００２７】密閉されるチャンバー１内には高周波のバ
イアス電源６が接続された２つの基板電極５が対向配置
配されている。チャンバー１の中央部に設けられた石英
等の誘電体から成る円筒管８には、高周波電源４が接続
されたヘリカル型の誘導結合アンテナ１１が巻設されて
いる。
イアス電源６が接続された２つの基板電極５が対向配置
配されている。チャンバー１の中央部に設けられた石英
等の誘電体から成る円筒管８には、高周波電源４が接続
されたヘリカル型の誘導結合アンテナ１１が巻設されて
いる。
【００２８】薄膜が形成された基板Ｗが基板電極５上に
設置され、排気装置（不図示）によりチャンバー１内が
真空状態になると反応性ガスが供給される。そして、高
周波電源４により誘導結合アンテナ３に高周波電圧が印
加されると、誘導結合によって反応性ガスが円筒管８の
内部でプラズマ化される。
設置され、排気装置（不図示）によりチャンバー１内が
真空状態になると反応性ガスが供給される。そして、高
周波電源４により誘導結合アンテナ３に高周波電圧が印
加されると、誘導結合によって反応性ガスが円筒管８の
内部でプラズマ化される。
【００２９】従って、円筒管８の内部にはプラズマ生成
部１ａが形成される。生成されたプラズマは基板Ｗに照
射され、薄膜のエッチングが行われるようになってい
る。以上のような構成によっても第１実施形態と同様の
効果を得ることができる。
部１ａが形成される。生成されたプラズマは基板Ｗに照
射され、薄膜のエッチングが行われるようになってい
る。以上のような構成によっても第１実施形態と同様の
効果を得ることができる。
【００３０】図３は第３実施形態のプラズマリアクタ装
置を示す概略構成図である。本実施形態のプラズマリア
クタ装置は第１実施形態と同様にＩＣＰを有したＩＣＰ
ドライエッチング装置を構成している。
置を示す概略構成図である。本実施形態のプラズマリア
クタ装置は第１実施形態と同様にＩＣＰを有したＩＣＰ
ドライエッチング装置を構成している。
【００３１】密閉されるチャンバー１の中央には高周波
のバイアス電源６が接続された基板電極５が配され、２
つの誘電体２が基板電極５の電極面５ａ、５ｂに対向配
置されている。２つの誘電体２の外側には１つの高周波
電源４が接続された誘導結合アンテナ３が設置されてい
る。
のバイアス電源６が接続された基板電極５が配され、２
つの誘電体２が基板電極５の電極面５ａ、５ｂに対向配
置されている。２つの誘電体２の外側には１つの高周波
電源４が接続された誘導結合アンテナ３が設置されてい
る。
【００３２】薄膜が形成された基板Ｗが基板電極５の電
極面５ａ、５ｂ上に設置され、排気装置（不図示）によ
りチャンバー１内が真空状態になると反応性ガスが供給
される。そして、高周波電源４により誘導結合アンテナ
３に高周波電圧が印加されると、誘導結合によって反応
性ガスがプラズマ化される。
極面５ａ、５ｂ上に設置され、排気装置（不図示）によ
りチャンバー１内が真空状態になると反応性ガスが供給
される。そして、高周波電源４により誘導結合アンテナ
３に高周波電圧が印加されると、誘導結合によって反応
性ガスがプラズマ化される。
【００３３】従って、誘電体２の基板Ｗ側の表面にはプ
ラズマが生成されるプラズマ生成部１ａ、１ｂが形成さ
れる。生成されたプラズマは基板Ｗに照射され、薄膜の
エッチングが行われるようになっている。
ラズマが生成されるプラズマ生成部１ａ、１ｂが形成さ
れる。生成されたプラズマは基板Ｗに照射され、薄膜の
エッチングが行われるようになっている。
【００３４】以上のような構成によっても第１実施形態
と同様に基板の表面加工の処理能力が従来に比して２倍
になるとともに、チャンバー１を大きくして誘電体２及
びアンテナ３を２式設けるのみで排気装置や高周波電源
等が１つでよいので装置価格及び占有面積の増加を抑制
できる。従って、コストパフォーマンスに優れたＩＣＰ
エッチング装置を得ることができる。
と同様に基板の表面加工の処理能力が従来に比して２倍
になるとともに、チャンバー１を大きくして誘電体２及
びアンテナ３を２式設けるのみで排気装置や高周波電源
等が１つでよいので装置価格及び占有面積の増加を抑制
できる。従って、コストパフォーマンスに優れたＩＣＰ
エッチング装置を得ることができる。
【００３５】
【発明の効果】本発明によると、基板の表面加工の精度
及び加工レートを劣化させることなく従来に比して２倍
以上の処理能力を得ることができるとともに、チャンバ
ー等を大きくするのみで排気装置や高周波電源等が１つ
でよいので装置価格及び占有面積の増加を抑えてコスト
パフォーマンスに優れたプラズマリアクタ装置を得るこ
とができる。
及び加工レートを劣化させることなく従来に比して２倍
以上の処理能力を得ることができるとともに、チャンバ
ー等を大きくするのみで排気装置や高周波電源等が１つ
でよいので装置価格及び占有面積の増加を抑えてコスト
パフォーマンスに優れたプラズマリアクタ装置を得るこ
とができる。
【図１】 本発明の第１実施形態のプラズマリアクタ
装置を示す概略構成図である。
装置を示す概略構成図である。
【図２】 本発明の第２実施形態のプラズマリアクタ
装置を示す概略構成図である。
装置を示す概略構成図である。
【図３】 本発明の第３実施形態のプラズマリアクタ
装置を示す概略構成図である。
装置を示す概略構成図である。
【図４】 従来のＲＩＥ装置を示す概略構成図であ
る。
る。
【図５】 従来のＩＣＰイオンエッチング装置を示す
概略構成図である。
概略構成図である。
【図６】 従来の他のＩＣＰイオンエッチング装置を
示す概略構成図である。
示す概略構成図である。
【図７】 従来の更に他のＩＣＰイオンエッチング装
置を示す概略上面断面図である。
置を示す概略上面断面図である。
【図８】 図７に示すＩＣＰイオンエッチング装置の
概略側面断面図である。
概略側面断面図である。
１ チャンバー １ａ プラズマ生成部 ２ 誘電体 ３、９ 誘導結合アンテナ ４ 高周波電源 ５ 基板電極 ５ａ、５ｂ 電極面 ６ バイアス電極 ８ 円筒管 Ｗ 基板
Claims (3)
- 【請求項１】 基板を設置するためにチャンバー内に配
される基板電極と、高周波電圧を発生する高周波電源
と、前記高周波電源による高周波電圧の誘導結合により
反応性ガスをプラズマ化するプラズマ生成部とを備え、
生成されたプラズマにより該基板に表面加工を施すプラ
ズマリアクタ装置において、前記基板電極を前記プラズ
マ生成部に面して複数設けたことを特徴とするプラズマ
リアクタ装置。 - 【請求項２】 基板を設置するためにチャンバー内に配
される基板電極と、高周波電圧を発生する高周波電源
と、前記高周波電源による高周波電圧の誘導結合により
反応性ガスをプラズマ化するプラズマ生成部とを備え、
生成されたプラズマにより該基板に表面加工を施すプラ
ズマリアクタ装置において、前記基板電極は夫々に基板
を設置できる複数の電極面を有するとともに、前記プラ
ズマ生成部を前記電極面の夫々に面して複数設けたこと
を特徴とするプラズマリアクタ装置。 - 【請求項３】 前記表面加工をエッチング、スパッタリ
ングまたは化学蒸着にしたことを特徴とする請求項１ま
たは請求項２に記載のプラズマリアクタ装置。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP11164688A JP2000353690A (ja) | 1999-06-11 | 1999-06-11 | プラズマリアクタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11164688A JP2000353690A (ja) | 1999-06-11 | 1999-06-11 | プラズマリアクタ装置 |
Publications (1)
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Family
ID=15797975
Family Applications (1)
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| Country | Link |
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Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003011696A1 (fr) * | 2001-07-31 | 2003-02-13 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Dispositif permettant de former un film carbone sur une surface interieure d'un recipient en plastique, et procede de production d'un recipient en plastique recouvert d'un film carbone sur sa surface interieure |
| JP2007150012A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置および方法 |
| KR100898975B1 (ko) * | 2005-08-01 | 2009-05-25 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | 플라즈마 처리방법 |
| JP2010532565A (ja) * | 2007-06-29 | 2010-10-07 | ラム リサーチ コーポレーション | 単一の平面アンテナを備えた誘導結合二重ゾーン処理チャンバ |
| WO2012119700A1 (de) * | 2011-03-09 | 2012-09-13 | Manz Ag | Vorrichtung und verfahren zum plasmaunterstützten behandeln zumindest zweier substrate |
| US20130272930A1 (en) * | 2009-02-17 | 2013-10-17 | Mcalister Technologies, Llc | Induction for thermochemical processes, and associated systems and methods |
| US8771636B2 (en) | 2008-01-07 | 2014-07-08 | Mcalister Technologies, Llc | Chemical processes and reactors for efficiently producing hydrogen fuels and structural materials, and associated systems and methods |
| US8821602B2 (en) | 2011-08-12 | 2014-09-02 | Mcalister Technologies, Llc | Systems and methods for providing supplemental aqueous thermal energy |
| US8911703B2 (en) | 2011-08-12 | 2014-12-16 | Mcalister Technologies, Llc | Reducing and/or harvesting drag energy from transport vehicles, including for chemical reactors, and associated systems and methods |
| US8926908B2 (en) | 2010-02-13 | 2015-01-06 | Mcalister Technologies, Llc | Reactor vessels with pressure and heat transfer features for producing hydrogen-based fuels and structural elements, and associated systems and methods |
| US8926719B2 (en) | 2013-03-14 | 2015-01-06 | Mcalister Technologies, Llc | Method and apparatus for generating hydrogen from metal |
| US9188086B2 (en) | 2008-01-07 | 2015-11-17 | Mcalister Technologies, Llc | Coupled thermochemical reactors and engines, and associated systems and methods |
| US9206045B2 (en) | 2010-02-13 | 2015-12-08 | Mcalister Technologies, Llc | Reactor vessels with transmissive surfaces for producing hydrogen-based fuels and structural elements, and associated systems and methods |
| DE102014011933A1 (de) * | 2014-08-14 | 2016-02-18 | Manz Ag | Plasmabehandlungsvorrichtung und Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Substraten |
| US9302681B2 (en) | 2011-08-12 | 2016-04-05 | Mcalister Technologies, Llc | Mobile transport platforms for producing hydrogen and structural materials, and associated systems and methods |
| US9309473B2 (en) | 2011-08-12 | 2016-04-12 | Mcalister Technologies, Llc | Systems and methods for extracting and processing gases from submerged sources |
| US9522379B2 (en) | 2011-08-12 | 2016-12-20 | Mcalister Technologies, Llc | Reducing and/or harvesting drag energy from transport vehicles, including for chemical reactors, and associated systems and methods |
-
1999
- 1999-06-11 JP JP11164688A patent/JP2000353690A/ja active Pending
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003011696A1 (fr) * | 2001-07-31 | 2003-02-13 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Dispositif permettant de former un film carbone sur une surface interieure d'un recipient en plastique, et procede de production d'un recipient en plastique recouvert d'un film carbone sur sa surface interieure |
| KR100898975B1 (ko) * | 2005-08-01 | 2009-05-25 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | 플라즈마 처리방법 |
| JP2007150012A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置および方法 |
| JP2010532565A (ja) * | 2007-06-29 | 2010-10-07 | ラム リサーチ コーポレーション | 単一の平面アンテナを備えた誘導結合二重ゾーン処理チャンバ |
| KR101495940B1 (ko) * | 2007-06-29 | 2015-02-25 | 램 리써치 코포레이션 | 단일 평면 안테나를 갖는 유도성 커플링된 듀얼 구역 프로세싱 챔버 |
| US8771636B2 (en) | 2008-01-07 | 2014-07-08 | Mcalister Technologies, Llc | Chemical processes and reactors for efficiently producing hydrogen fuels and structural materials, and associated systems and methods |
| US9188086B2 (en) | 2008-01-07 | 2015-11-17 | Mcalister Technologies, Llc | Coupled thermochemical reactors and engines, and associated systems and methods |
| US20130272930A1 (en) * | 2009-02-17 | 2013-10-17 | Mcalister Technologies, Llc | Induction for thermochemical processes, and associated systems and methods |
| US9103548B2 (en) | 2010-02-13 | 2015-08-11 | Mcalister Technologies, Llc | Reactors for conducting thermochemical processes with solar heat input, and associated systems and methods |
| US9541284B2 (en) | 2010-02-13 | 2017-01-10 | Mcalister Technologies, Llc | Chemical reactors with annularly positioned delivery and removal devices, and associated systems and methods |
| US9206045B2 (en) | 2010-02-13 | 2015-12-08 | Mcalister Technologies, Llc | Reactor vessels with transmissive surfaces for producing hydrogen-based fuels and structural elements, and associated systems and methods |
| US8926908B2 (en) | 2010-02-13 | 2015-01-06 | Mcalister Technologies, Llc | Reactor vessels with pressure and heat transfer features for producing hydrogen-based fuels and structural elements, and associated systems and methods |
| WO2012119700A1 (de) * | 2011-03-09 | 2012-09-13 | Manz Ag | Vorrichtung und verfahren zum plasmaunterstützten behandeln zumindest zweier substrate |
| US8911703B2 (en) | 2011-08-12 | 2014-12-16 | Mcalister Technologies, Llc | Reducing and/or harvesting drag energy from transport vehicles, including for chemical reactors, and associated systems and methods |
| US8821602B2 (en) | 2011-08-12 | 2014-09-02 | Mcalister Technologies, Llc | Systems and methods for providing supplemental aqueous thermal energy |
| US9617983B2 (en) | 2011-08-12 | 2017-04-11 | Mcalister Technologies, Llc | Systems and methods for providing supplemental aqueous thermal energy |
| US9302681B2 (en) | 2011-08-12 | 2016-04-05 | Mcalister Technologies, Llc | Mobile transport platforms for producing hydrogen and structural materials, and associated systems and methods |
| US9309473B2 (en) | 2011-08-12 | 2016-04-12 | Mcalister Technologies, Llc | Systems and methods for extracting and processing gases from submerged sources |
| US9522379B2 (en) | 2011-08-12 | 2016-12-20 | Mcalister Technologies, Llc | Reducing and/or harvesting drag energy from transport vehicles, including for chemical reactors, and associated systems and methods |
| US8926719B2 (en) | 2013-03-14 | 2015-01-06 | Mcalister Technologies, Llc | Method and apparatus for generating hydrogen from metal |
| DE102014011933A1 (de) * | 2014-08-14 | 2016-02-18 | Manz Ag | Plasmabehandlungsvorrichtung und Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Substraten |
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