JP2013189707A5 - 成膜装置 - Google Patents
成膜装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013189707A5 JP2013189707A5 JP2013024025A JP2013024025A JP2013189707A5 JP 2013189707 A5 JP2013189707 A5 JP 2013189707A5 JP 2013024025 A JP2013024025 A JP 2013024025A JP 2013024025 A JP2013024025 A JP 2013024025A JP 2013189707 A5 JP2013189707 A5 JP 2013189707A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shadow mask
- deposition
- source
- chamber
- plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 210000002381 Plasma Anatomy 0.000 claims 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 5
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 claims 5
- 230000032258 transport Effects 0.000 claims 5
- 230000001105 regulatory Effects 0.000 claims 2
- 230000001678 irradiating Effects 0.000 claims 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims 1
Claims (5)
- 成膜室内に設けられた蒸着源と、
前記成膜室内で前記蒸着源と離れて設けられたプラズマ源と、
前記蒸着源を前記プラズマ源から隔離する仕切り弁と、
被成膜体及びシャドーマスク、又は前記シャドーマスクのみを、前記蒸着源から成膜材料が噴出する領域と、前記プラズマ源からプラズマが照射される領域とに搬送することができる機能を有するシャドーマスク搬送機構と、を有し、
前記シャドーマスク搬送機構が前記被成膜体と前記シャドーマスクを重ね合わせた状態で搬送しながら、前記蒸着源から噴出する前記成膜材料を前記被成膜体に成膜する第1のモードと、
前記蒸着源を前記仕切り弁によって前記プラズマ源から隔離し、前記シャドーマスク搬送機構が前記シャドーマスクを保持した状態で搬送しながら、前記プラズマ源がプラズマを前記シャドーマスクに照射する第2のモードと、を有する成膜装置。 - 成膜室内に設けられた蒸着源と、
除去室内に設けられたプラズマ源と、
前記成膜室と前記除去室の間に互いに離れて設けられた第1の仕切り弁と第2の仕切り弁と、
被成膜体及びシャドーマスクを、前記蒸着源から成膜材料が噴出する領域に搬送することができ、前記シャドーマスクを、前記プラズマ源からプラズマが照射される領域に搬送することができる機能を有するシャドーマスク搬送機構と、を有し、
前記シャドーマスク搬送機構が前記被成膜体と前記シャドーマスクを重ね合わせた状態で搬送しながら、前記蒸着源から噴出する前記成膜材料を前記被成膜体に成膜する第1のモードと、
前記蒸着源を前記第1の仕切り弁と前記第2の仕切り弁によって前記プラズマ源から隔離し、前記シャドーマスク搬送機構が前記シャドーマスクを保持した状態で搬送しながら、前記プラズマ源がプラズマを前記シャドーマスクに照射する第2のモードと、を有する成膜装置。 - 前記第1の仕切り弁と前記除去室の間に、第3の仕切り弁で前記除去室と仕切られる第1の圧力調整室と、
前記第2の仕切り弁と前記除去室の間に、第4の仕切り弁で前記除去室と仕切られる第2の圧力調整室と、を有する請求項2記載の成膜装置。 - 前記シャドーマスクに電気的に接続する電源と、
前記プラズマ源が発するプラズマの一部を前記シャドーマスクに引き寄せるように前記シャドーマスクの電位を制御する前記第2のモードと、を有する請求項1乃至請求項3のいずれか一に記載の成膜装置。 - 前記仕切り弁を介して前記成膜室と接続される格納室と、を有し、
前記成膜室と前記格納室の間を、前記シャドーマスク搬送機構の動作と交差する方向に互いに平行して移動する蒸着源群の蒸着源と、を有する請求項1に記載の成膜装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013024025A JP6025591B2 (ja) | 2012-02-17 | 2013-02-12 | 成膜装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012032933 | 2012-02-17 | ||
JP2012032933 | 2012-02-17 | ||
JP2013024025A JP6025591B2 (ja) | 2012-02-17 | 2013-02-12 | 成膜装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013189707A JP2013189707A (ja) | 2013-09-26 |
JP2013189707A5 true JP2013189707A5 (ja) | 2016-02-04 |
JP6025591B2 JP6025591B2 (ja) | 2016-11-16 |
Family
ID=48982466
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013024025A Expired - Fee Related JP6025591B2 (ja) | 2012-02-17 | 2013-02-12 | 成膜装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20130216709A1 (ja) |
JP (1) | JP6025591B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104516576B (zh) * | 2013-09-29 | 2016-04-13 | 宸鸿科技(厦门)有限公司 | 触控面板的制作方法 |
JP2015081365A (ja) * | 2013-10-22 | 2015-04-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 成膜装置、成膜方法、成膜材料の除去方法 |
CN105525257B (zh) * | 2015-12-31 | 2018-04-27 | 蚌埠雷诺真空技术有限公司 | 连续掩膜挡板传动装置 |
CN109722624B (zh) * | 2017-10-31 | 2021-03-02 | 昆山国显光电有限公司 | 掩模组件 |
CN109628886B (zh) * | 2019-01-10 | 2021-01-19 | 云谷(固安)科技有限公司 | 一种蒸镀装置、蒸镀方法、混合层和显示面板 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4312289B2 (ja) * | 1999-01-28 | 2009-08-12 | キヤノンアネルバ株式会社 | 有機薄膜形成装置 |
JP4294305B2 (ja) * | 2001-12-12 | 2009-07-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 成膜装置および成膜方法 |
US7531470B2 (en) * | 2005-09-27 | 2009-05-12 | Advantech Global, Ltd | Method and apparatus for electronic device manufacture using shadow masks |
WO2007099929A1 (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-07 | Ulvac, Inc. | 有機薄膜蒸着方法及び有機薄膜蒸着装置 |
JP2010225353A (ja) * | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Seiko Epson Corp | 電子デバイス製造装置および電子デバイスの製造方法 |
KR101084234B1 (ko) * | 2009-11-30 | 2011-11-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 증착원, 이를 구비하는 증착 장치 및 박막 형성 방법 |
JP5424972B2 (ja) * | 2010-04-23 | 2014-02-26 | 株式会社アルバック | 真空蒸着装置 |
-
2013
- 2013-02-12 JP JP2013024025A patent/JP6025591B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2013-02-15 US US13/768,150 patent/US20130216709A1/en not_active Abandoned
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2013189707A5 (ja) | 成膜装置 | |
JP2014007387A5 (ja) | 成膜装置 | |
JP2013147754A5 (ja) | 成膜方法および発光装置の作製方法 | |
SG10201908096UA (en) | Ultrathin atomic layer deposition film accuracy thickness control | |
MY185883A (en) | Perovskite material layer processing | |
MY198714A (en) | Photovoltaic devices and method of manufacturing | |
GB2563349A (en) | Fabrication of correlated electron material devices method to control carbon | |
JP2017025407A5 (ja) | ||
JP2012227503A5 (ja) | ||
TW201612346A (en) | Film-forming device and manufacturing method for a film-forming substrate | |
WO2012136876A8 (en) | Atomic layer deposition with plasma source | |
SG10201808248RA (en) | Deposition system with multi-cathode and method of manufacture thereof | |
TW201612352A (en) | Method for hydrophobization of surface of silicon-containing film by ALD | |
WO2013036667A3 (en) | Flowable silicon-carbon-nitrogen layers for semiconductor processing | |
JP2014183311A5 (ja) | デバイス | |
JP2017125837A5 (ja) | ||
JP2017515301A5 (ja) | ||
MX2016012398A (es) | Modificacion de las propiedades opticas de un elemento informatico integrado mediante implantacion de iones. | |
JP2015046595A5 (ja) | ||
JP2015181161A5 (ja) | 酸化物半導体膜の作製方法 | |
TW201612345A (en) | Methods and apparatus for maintaining low non-uniformity over target life | |
MX2015015875A (es) | Procedimiento y dispositivo para el traslado rapido de chapas gruesas desde un laminador. | |
WO2015145136A3 (en) | Controlled atom source | |
WO2016072850A3 (en) | Atomic layer deposition apparatus and method for processing substrates using an apparatus | |
ES2542252A2 (es) | Procedimiento para la preparación de una capa o multicapa barrera y/o dieléctrica sobre un sustrato y dispositivo para su realización |