JP5424972B2 - 真空蒸着装置 - Google Patents
真空蒸着装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5424972B2 JP5424972B2 JP2010099609A JP2010099609A JP5424972B2 JP 5424972 B2 JP5424972 B2 JP 5424972B2 JP 2010099609 A JP2010099609 A JP 2010099609A JP 2010099609 A JP2010099609 A JP 2010099609A JP 5424972 B2 JP5424972 B2 JP 5424972B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- discharge
- vacuum
- vacuum chamber
- film formation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 title claims description 36
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 153
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 130
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 68
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 66
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 66
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 52
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 52
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 43
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 29
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 27
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 18
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 18
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 14
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 claims description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 3
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 123
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 48
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 35
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 description 24
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 22
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 19
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000002459 sustained effect Effects 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
従来の真空蒸着装置100は真空槽111と蒸着材料容器141とマスク保持部124とを有している。蒸着材料容器141とマスク保持部124は真空槽111内に配置されている。
成膜を終えた基板122を真空槽111から搬出し、成膜を終えた基板122とは別の基板122を真空槽111内に搬入して上述の成膜工程を繰り返す。
従来クリーニングを行うには、成膜工程を停止して、使用済みの成膜マスク121を真空槽111から搬出し、交換用の成膜マスクを真空槽111に搬入して、成膜工程を再開し、使用済みの成膜マスクが複数枚溜まった後、複数枚の成膜マスクをまとめてクリーニング工場に運んで、複雑なプロセスでウェットクリーニングをして、成膜マスクから付着物を除去していた。
そのため、使用済みの成膜マスクを、複数枚溜めてからクリーニング工場に運ぶ方法ではなく、その都度その場で成膜マスクをクリーニングする技術が望まれていた。
本発明は、前記マスク保持部に成膜マスクを保持させると、前記マスク保持部に保持された前記成膜マスクは前記マスク保持部と電気的に接続される真空蒸着装置であって、前記放出容器と前記マスク保持部との間に電圧を印加して、前記ガス供給装置から前記放出容器内に導入され、前記放出孔から放出される前記反応ガスを、前記放出容器と前記マスク保持部に保持された前記成膜マスクとの間の放電空間でプラズマ化する電源装置を有する真空蒸着装置である。
本発明は、前記放電空間を環状に取り囲んで配置され、前記蒸気の粒子を遮蔽する防着壁を有する真空蒸着装置であって、前記防着壁は前記真空槽と同電位にされた真空蒸着装置である。
本発明は真空蒸着装置であって、前記電源装置は、前記真空槽の電位に対して負の電位を、前記マスク保持部に周期的に印加するように構成された真空蒸着装置である。
本発明は真空蒸着装置であって、前記電源装置は、前記マスク保持部に前記負の電位を印加した後で、かつ次に前記マスク保持部に前記負の電位を印加する前に、前記放出容器に前記負の電位を印加するように構成された真空蒸着装置である。
本発明は真空蒸着装置であって、前記電源装置は、前記マスク保持部に前記負の電位を印加すると同時に、前記放出容器に前記真空槽の電位に対して正の電位を印加し、前記放出容器に前記負の電位を印加すると同時に、前記マスク保持部に前記正の電位を印加するように構成された真空蒸着装置である。
本発明は真空蒸着装置であって、前記マスク保持部を前記放出孔と離間して対面する位置を通過するように移動させる移動装置を有する真空蒸着装置である。
本発明は真空蒸着装置であって、前記マスク保持部に成膜マスクを保持させたときに、前記マスク保持部に保持された前記成膜マスクから見て前記放出容器とは逆側に配置され、前記成膜マスクより低温にされた冷却プレートと、前記成膜マスクに磁力を印加して、前記成膜マスクを前記冷却プレートに密着させる磁気装置とを有する真空蒸着装置である。
本発明は真空蒸着装置であって、前記真空排気装置はそれぞれ前記真空槽内を真空排気する第一、第二の真空排気部を有し、前記第一の真空排気部によって前記真空槽内を真空排気すると、前記真空槽内の圧力は、前記第二の真空排気部によって前記真空槽内を真空排気したときの前記真空槽内の圧力よりも低くされる真空蒸着装置である。
放出容器と蒸発源との間はバルブで分けられているため、クリーニングの際のプラズマが蒸発源内の蒸発材料に影響することはない。
成膜マスクと共に、放出容器及び防着壁もクリーニングすることができる。
インライン式の蒸着装置でも本発明により成膜マスクのクリーニングを行うことができる。
本発明である真空蒸着装置の第一例の構造を説明する。図1は真空蒸着装置10の第一例の内部構成図を示している。
真空蒸着装置10は真空槽11と放出容器31とを有している。
放出容器31の放出面の外側の壁面には導入口37が設けられ、導入口37には絶縁性の絶縁管38が気密に接続され、絶縁管38には接続管36が気密に接続されている。接続管36の他端は真空槽11の壁面を気密に貫通して、真空槽11の外側まで延ばされている。
真空槽11の外側には蒸発源40とガス供給装置50とが配置されている。
薄膜材料容器41は第一の接続バルブ48を介して接続管36に接続されている。反応ガス流量制御部53と放電補助ガス流量制御部54はそれぞれ第二の接続バルブ58を介して接続管36に接続されている。
真空槽11の壁面には、真空槽11から電気的に絶縁された第一、第二の端子18a、18bが、壁面を気密に貫通して設けられ、マスク保持部24は第一の端子18aに電気的に接続され、放出容器31は第二の端子18bに電気的に接続されている。
マスク保持部24に成膜マスク21を保持させたときに、マスク保持部24に保持された成膜マスク21と放出容器31の放出面との間に形成される空間を放電空間と呼ぶと、マスク保持部24と放出容器31との間には、放電空間を環状に取り囲んで筒状の防着壁35が配置されている。防着壁35は薄膜材料の蒸気を遮蔽する材質で形成されている。防着壁35は真空槽11に電気的に接続され、真空槽11と同電位にされている。
放出容器31と接続管36にはそれぞれ加熱装置32が取り付けられている。加熱装置32によって放出容器31と接続管36とをそれぞれ加熱すると、蒸発源40から接続管36を通って放出容器31内に導入される薄膜材料の蒸気は接続管36の内部や放出容器31の内部で凝縮しないようになっている。
放出容器31の放出面にはピン部39が突設され、ピン部39には放出面を覆うように熱輻射防止板33が固定されている。ピン部39は熱伝導しにくい導電性材料で形成され、熱輻射防止板33は放出面からの熱輻射を遮断する材質で形成されている。熱輻射防止板33によって放出容器31の放出面からの熱輻射が遮断されているので、図1を参照し、加熱装置32によって放出容器31を加熱しても、放出容器31の放出面からの熱輻射により、マスク保持部24に保持された成膜マスク21が加熱されて膨張し、成膜マスク21の開口パターンが変形することが防止されている。
冷却プレート26の成膜マスク21と対面可能な面を表面、その逆を裏面と呼ぶと、冷却プレート26の裏面には板状の磁気装置27が取り付けられている。
磁気装置27は成膜マスク21に磁力を印加できるならば冷却プレート26の裏面に取り付けられている構成に限定されず、冷却プレート26の内部に埋め込まれていてもよい。
ここでは真空槽11の壁面には第一、第二の排気口141、142が設けられ、第一、第二の真空排気部121、122はそれぞれ第一、第二の排気バルブ131、132を介して第一、第二の排気口141、142に接続されている。
第一、第二の接続バルブ48、58と第一、第二の排気バルブ131、132をいずれも閉じておく。
不図示の搬送装置によって成膜マスク21を真空槽11内に搬入し、マスク保持部24に保持させる。このとき成膜マスク21とマスク保持部24とは電気的に接続される。
不図示の搬送装置によって成膜対象物である基板22を真空槽11内に搬入し、成膜マスク21上に配置する。
薄膜材料加熱装置42によって薄膜材料容器41内の薄膜材料45を加熱し、薄膜材料容器41内で薄膜材料45の蒸気を発生させる。
放出容器31内に導入された薄膜材料の蒸気は、放出面に均等に設けられた放出孔34から、放出面の中心から外周まで均等な流量で、放電空間に放出される。
基板22の表面に所定の厚みの薄膜を成膜した後、第一の接続バルブ48を閉じて、放出容器31への蒸気の供給を停止し、不図示の搬送装置によって基板22を真空槽11から搬出し、後工程に流す。
複数枚の基板22を成膜すると、成膜マスク21や防着壁35や熱輻射防止板33には薄膜材料からなる付着物が堆積する。
まず真空槽11内への基板22の搬入を停止し、真空槽11内に基板22が配置されている場合には、基板22を真空槽11から搬出しておく。
放出容器31内に導入された反応ガスと放電補助ガスは、放出面に均等に設けられた放出孔34から、放出面の中心から外周まで均等な流量で、放電空間に放出される。
真空槽11の電位を接地電位にしておく。
放電空間に導入された反応ガスは放電により電離されてプラズマ化し、プラズマ中の反応ガスのイオンやラジカルは成膜マスク21の表面に付着していた付着物と反応して反応生成物ガスを形成する。
プラズマ中のイオンやラジカルは熱輻射防止板33に付着した付着物や、防着壁35に付着した付着物とも反応して反応生成物ガスを形成する。
電源装置19からの電圧印加を所定の時間継続して、少なくとも成膜マスク21から付着物を除去した後、電圧印加を停止する。第二の接続バルブ58を閉じて、放出容器31への反応ガスと放電補助ガスの導入を停止する。
第二の排気バルブ132を閉じて、第一の排気バルブ131を開き、第一の真空排気部121によって真空槽11内を真空排気したのち、真空槽11内への基板22の搬入を再開する。
少なくとも成膜マスク21から付着物を除去したいので、電源装置19はマスク保持部24に真空槽11に対して負の電位を周期的に印加するように構成されていればよい。プラズマ中のイオンが負電位を印加された成膜マスク21に衝突して成膜マスク21から効率的に付着物が除去される。
真空蒸着装置の第二例の構造を説明する。図3は真空蒸着装置210の第二例の内部構成図を示している。この真空蒸着装置210はいわゆるインライン式の真空蒸着装置である。
各蒸発源240a〜240dの構造は第一例の真空蒸着装置10の蒸発源40と同じ構造であり、各蒸発源240a〜240dの薄膜材料容器内にはそれぞれ異なる薄膜材料が配置されている。ガス供給装置250の構造は第一例の真空蒸着装置10のガス供給装置50と同じ構造である。
各放出容器231a〜231dはそれぞれ放出孔234a〜234dが設けられた放出面を、真空槽211の長手方向に対して垂直な同一の方向に向けられている。
ベルトコンベア290にマスク保持部224、224’を載せると、マスク保持部224、224’とベルトコンベア290とは電気的に接続されるようになっている。
各第一の接続バルブ248a〜248dと第二の接続バルブ258と第一、第二の排気バルブ2131、2132をいずれも閉じておく。
第二の接続バルブ258は閉じたまま、各第一の接続バルブ248a〜248dを開いて、薄膜材料の蒸気を蒸発源240a〜240dの薄膜材料容器から接続管236a〜236dを通して放出容器231a〜231d内にそれぞれ導入する。
成膜マスク221を保持するマスク保持部224を、成膜マスク221の裏面に固定された基板222と共に、各放出容器231a〜231dの放出孔234a〜234dと対面する位置を通過するように移動させる。
分離された成膜マスク221をマスク保持部224に保持させたまま、ベルトコンベア290の始点に戻し、分離された基板222とは別の基板222を当該成膜マスク221の裏面に固定して、上述の成膜工程を繰り返す。
マスク保持部224’に保持された成膜マスク221’の裏面に、冷却プレート226を配置する。
マスク保持部224’に保持された成膜マスク221’を符号231aの放出容器の放出孔234aと対面する位置に移動させる。
真空槽211内の圧力を真空計217で計測し、計測結果から、放出容器231内に導入する反応ガスと放電補助ガスのそれぞれの流量を決定する。
真空槽211の電位を接地電位にしておく。
第二の排気バルブ2132を閉じて、第一の排気バルブ2131を開き、第一の真空排気部2121によって真空槽211内を真空排気したのち、上述の成膜工程を再開する。
11、211……真空槽
121、2121……第一の真空排気部
122、2122……第二の真空排気部
21、221、221’……成膜マスク
24、224、224’……マスク保持部
26、226……冷却プレート
27、227、227’……磁気装置
31、231a〜231d……放出容器
34、234a〜234d……放出孔
35、235……防着壁
40、240a〜240d……蒸発源
50、250……ガス供給装置
Claims (9)
- 真空槽と、
前記真空槽に接続され、前記真空槽内を真空排気する真空排気装置と、
前記真空槽内に配置され、壁面に放出孔が設けられた放出容器と、
前記放出容器に接続され、前記放出容器内に薄膜材料の蒸気を導入可能に構成された蒸発源と、
前記放出容器の前記放出孔と離間して対面する位置に成膜マスクを保持するように構成されたマスク保持部と、
を有する真空蒸着装置であって、
前記放出容器に接続され、前記成膜マスクの付着物と反応して反応生成物ガスを形成する反応ガスを前記放出容器内に導入可能に構成されたガス供給装置を有する真空蒸着装置。 - 前記マスク保持部に成膜マスクを保持させると、前記マスク保持部に保持された前記成膜マスクは前記マスク保持部と電気的に接続される請求項1記載の真空蒸着装置であって、
前記放出容器と前記マスク保持部との間に電圧を印加して、前記ガス供給装置から前記放出容器内に導入され、前記放出孔から放出される前記反応ガスを、前記放出容器と前記マスク保持部に保持された前記成膜マスクとの間の放電空間でプラズマ化する電源装置を有する真空蒸着装置。 - 前記放電空間を環状に取り囲んで配置され、前記蒸気の粒子を遮蔽する防着壁を有する請求項2記載の真空蒸着装置であって、
前記防着壁は前記真空槽と同電位にされた真空蒸着装置。 - 前記電源装置は、前記真空槽の電位に対して負の電位を、前記マスク保持部に周期的に印加するように構成された請求項2又は請求項3のいずれか1項記載の真空蒸着装置。
- 前記電源装置は、前記マスク保持部に前記負の電位を印加した後で、かつ次に前記マスク保持部に前記負の電位を印加する前に、前記放出容器に前記負の電位を印加するように構成された請求項4記載の真空蒸着装置。
- 前記電源装置は、前記マスク保持部に前記負の電位を印加すると同時に、前記放出容器に前記真空槽の電位に対して正の電位を印加し、前記放出容器に前記負の電位を印加すると同時に、前記マスク保持部に前記正の電位を印加するように構成された請求項4又は請求項5のいずれか1項記載の真空蒸着装置。
- 前記マスク保持部を前記放出孔と離間して対面する位置を通過するように移動させる移動装置を有する請求項1乃至請求項6のいずれか1項記載の真空蒸着装置。
- 前記マスク保持部に成膜マスクを保持させたときに、前記マスク保持部に保持された前記成膜マスクから見て前記放出容器とは逆側に配置され、前記成膜マスクより低温にされた冷却プレートと、
前記成膜マスクに磁力を印加して、前記成膜マスクを前記冷却プレートに密着させる磁気装置とを有する請求項1乃至請求項7のいずれか1項記載の真空蒸着装置。 - 前記真空排気装置はそれぞれ前記真空槽内を真空排気する第一、第二の真空排気部を有し、
前記第一の真空排気部によって前記真空槽内を真空排気すると、前記真空槽内の圧力は、前記第二の真空排気部によって前記真空槽内を真空排気したときの前記真空槽内の圧力よりも低くされる請求項1乃至請求項8のいずれか1項記載の真空蒸着装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010099609A JP5424972B2 (ja) | 2010-04-23 | 2010-04-23 | 真空蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010099609A JP5424972B2 (ja) | 2010-04-23 | 2010-04-23 | 真空蒸着装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011231343A JP2011231343A (ja) | 2011-11-17 |
JP5424972B2 true JP5424972B2 (ja) | 2014-02-26 |
Family
ID=45320966
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010099609A Active JP5424972B2 (ja) | 2010-04-23 | 2010-04-23 | 真空蒸着装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5424972B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6025591B2 (ja) * | 2012-02-17 | 2016-11-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 成膜装置 |
JP5990439B2 (ja) * | 2012-09-14 | 2016-09-14 | 株式会社アルバック | 薄膜形成方法、薄膜形成装置 |
JP2015040330A (ja) * | 2013-08-22 | 2015-03-02 | 株式会社ブイ・テクノロジー | スパッタリング成膜装置及びスパッタリング成膜方法 |
US10410855B2 (en) * | 2015-03-19 | 2019-09-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Cleaning method, method for manufacturing semiconductor device, and plasma treatment device |
US10886468B2 (en) | 2017-04-14 | 2021-01-05 | Sakai Display Products Corporation | Manufacturing method and manufacturing apparatus for organic EL display device |
JP6588128B2 (ja) * | 2018-05-24 | 2019-10-09 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 有機el表示装置の製造方法及び製造装置 |
KR20210081700A (ko) * | 2019-12-24 | 2021-07-02 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | 성막장치 및 이를 사용하여 전자 디바이스를 제조하는 방법 |
CN111009621B (zh) * | 2019-12-24 | 2021-11-19 | 云谷(固安)科技有限公司 | 张网装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09272979A (ja) * | 1996-04-09 | 1997-10-21 | Citizen Watch Co Ltd | プラズマ成膜装置およびそのクリーニング方法 |
JP3161392B2 (ja) * | 1997-11-28 | 2001-04-25 | 日本電気株式会社 | プラズマcvd装置とそのドライクリーニング方法 |
JP2000328229A (ja) * | 1999-05-19 | 2000-11-28 | Canon Inc | 真空蒸着装置 |
JP2002008859A (ja) * | 2000-06-16 | 2002-01-11 | Sony Corp | パターン形成装置、パターン形成方法、有機電界発光素子ディスプレイの製造装置及び製造方法 |
JP2004288463A (ja) * | 2003-03-20 | 2004-10-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 製造装置 |
JP5043394B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2012-10-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 蒸着装置およびその運転方法 |
-
2010
- 2010-04-23 JP JP2010099609A patent/JP5424972B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011231343A (ja) | 2011-11-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5424972B2 (ja) | 真空蒸着装置 | |
TWI640646B (zh) | 蒸發源陣列 | |
JP5026087B2 (ja) | スパッタリング装置、透明導電膜の製造方法 | |
US20150136585A1 (en) | Method for sputtering for processes with a pre-stabilized plasma | |
JP2009087910A (ja) | 蒸着装置、成膜方法 | |
JP2018532890A (ja) | 基板上での真空堆積のための装置及び真空堆積中に基板をマスキングするための方法 | |
TWI362426B (en) | Sputtering device and method for manufacturing film | |
JP2011105962A (ja) | 真空蒸着装置、真空蒸着方法、および、有機el表示装置の製造方法 | |
JP2008526026A (ja) | プラズマ処理システムにおける副生成物堆積減少方法並びに構造 | |
WO2011158828A1 (ja) | スパッタ成膜装置及び防着部材 | |
JP7358301B2 (ja) | ウエハガス放出のためのプラズマエンハンストアニールチャンバ | |
TW201001530A (en) | Electrode structure and substrate processing apparatus | |
JP4698454B2 (ja) | 誘導結合型プラズマ処理装置 | |
TW202113911A (zh) | 用於電漿腔室內部的部件及其製作方法 | |
EP1939321B1 (en) | Sputtering apparatus and film forming method | |
JP2007039712A (ja) | スパッタリング装置、成膜方法 | |
JP5718767B2 (ja) | スパッタリング装置 | |
JP4717887B2 (ja) | スパッタリング装置 | |
JP4948088B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
JP2004079528A5 (ja) | ||
JP5478324B2 (ja) | クリーニング装置、成膜装置、成膜方法 | |
TWI632246B (zh) | 用於反應性再濺射介電材料的pvd腔室中之腔室糊貼方法 | |
JP2005340225A (ja) | 有機el素子 | |
JP2006291308A (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
JP3865841B2 (ja) | 電子ビーム蒸着装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130214 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131018 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131112 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131126 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5424972 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |