JP2007039712A - スパッタリング装置、成膜方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第一、第二のターゲット21a、21bの表面を対向させ、裏面に第一、第二の磁石部材15a、15bを配置し、第一、第二のターゲット21a、21bをマグネトロンスパッタしながら成膜対象物5を第一、第二のターゲット21a、21bの側方を通過させ、少ないダメージで成膜した後、第三のターゲット21cと正対する位置を通過させ、大きな堆積速度で薄膜を積層する。第一、第二の磁石部材15a、15bを第一、第二のターゲット21a、21bの裏面で動かし、エロージョン領域を広くする。
【選択図】 図1
Description
この有機EL素子201は、基板211上に、下部電極214と、有機層217、218と上部電極219とがこの順序で積層されており、下部電極214と上部電極219の間に電圧を印加すると、有機層217、218の内部又は界面で発光する。上部電極219をITO膜(インジウム錫酸化物膜)等の透明導電膜で構成させると、発光光は上部電極219を透過し、外部に放出される。
蒸着法では、蒸着源から昇華または蒸発によって放出される粒子は、中性の低エネルギー(数eV程度)粒子であるので、有機EL素子の陰極や保護膜を形成する場合は、有機膜にダメージを与えず、良好な界面を形成できるといったメリットがある。
また、生産性の観点からは、点蒸発源のため大面積では膜厚分布がとりづらいといった問題や、蒸発ボートの劣化や蒸発材料の連続供給が困難なため、メンテナンスサイクルが短いなどの問題がある。
このスパッタリングリング装置110は、真空槽111を有しており、該真空槽111内には、ITOから成る二台のターゲット121a、121bが裏面をバッキングプレート122a、122bに取りつけられ、表面は互いに一定距離だけ離間して平行に対向配置されている。
磁石部材115a、115bは、ヨーク129a、129bにリング状の磁石123a、123bが取りつけられている。
また、ターゲットのエロージョン領域が狭くターゲットの使用効率が低いという問題もある。
また、本発明は、前記真空槽には反応性ガスを導入するガス導入系が接続され、前記成膜対象物の表面には、前記第一、第二のターゲットの成分と前記反応性ガスの反応生成物の薄膜が形成されるように構成されたスパッタリング装置である。
また、本発明は、前記導入孔は、前記第一、第二のターゲットの、前記成膜対象物とは反対側の位置に設けられたスパッタリング装置である。
また、本発明は、前記第一、第二の磁石部材は前記第一、第二のターゲットに対してそれぞれ相対的に移動しながらスパッタされるように構成されたスパッタリング装置である。
また、本発明は、前記第一の磁石部材の前記第一のターゲットに対する相対的な移動と、前記第二の磁石部材の前記第二のターゲットに対する相対的な移動とは、所定範囲内を同一周期で行われ、前記第一の磁石部材と前記第二の磁石部材の位置は、半周期ずらされたスパッタリング装置である。
また、本発明は、前記真空槽には、前記成膜対象物を移動させる移動機構が設けられ、前記成膜対象物を前記第一、第二のターゲットの側方位置を通過させながら前記薄膜を形成するスパッタリング装置である。
また、本発明は、前記第一、第二の中心磁石は細長に形成され、前記第一、第二の中心磁石は前記成膜対象物の移動方向とは垂直な平面内に配置され、前記第一、第二の磁石部材の移動は、それぞれ前記第一、第二の中心磁石の長手方向と垂直な方向の成分を含むスパッタリング装置である。
また、本発明は、前記真空槽内には第三のターゲットが、その表面を前記成膜対象物に向けて配置され、前記成膜対象物は、前記第一、第二のターゲットの側方位置を通過した後、前記第三のターゲットに面する位置を通過するように構成されたスパッタリング装置である。
また、本発明は、真空槽内に透明導電材料から成る第一、第二のターゲットを離間して配置し、前記第一、第二のターゲットの裏面に配置した第一、第二の磁石部材によって前記第一、第二のターゲット表面に磁場を形成し、前記真空槽内にスパッタリングガスと酸素ガスとを導入し、前記第一、第二のターゲットで挟まれた空間内にプラズマを形成し、有機薄膜が表面に露出する成膜対象物を、前記第一、第二のターゲットの側方を通過させ、前記有機薄膜表面に透明導電性薄膜を形成する透明導電性薄膜の成膜方法であって、N極とS極のいずれか一方の磁極を第一の磁極、他方を第二の磁極とすると、前記第一、第二の磁石部材にはリング形状に形成された第一、第二のリング磁石と、第一、第二の内側に配置された中心磁石を配置し、前記第一の磁石部材の前記第一の磁極と、前記第二の磁石部材の前記第二の磁極とをリング状にしてそれぞれ前記第一、第二のターゲットの裏面に向け、前記第一の中心磁石の前記第二の磁極と、前記第二の中心磁石の第一の磁極をそれぞれ前記第一、第二のターゲットの裏面に向け、前記第一、第二の磁石部材を前記第一、第二のターゲットに対して相対的に移動させながらスパッタリングを行う成膜方法である。
また、本発明は、前記第一の磁石部材の前記第一のターゲットに対する相対的な移動と、前記第二の磁石部材の前記第二のターゲットに対する相対的な移動とは、所定範囲内を同一周期で行わせ、前記第一の磁石部材と前記第二の磁石部材の位置を半周期ずらす成膜方法である。
また、本発明は、前記成膜対象物が前記第一、第二のターゲットの間を通過する間に、前記第一、第二の磁石部材は2周期以上移動させる成膜方法である。
また、本発明は、前記真空槽内に透明導電材料から成る第三のターゲットを配置し、前記成膜対象物を前記第一、第二のターゲット側方を通過させた後、前記第三のターゲットと面する位置を通過させ、前記第一、第二のターゲットによって形成した透明導電性薄膜の表面に、前記第三のターゲットによって形成した透明導電性薄膜を積層させる成膜方法である。
第一、第二のターゲットには、直流電圧を印加しても交流電圧を印加しても、それらを重畳した電圧を印加してもよい。
下層へのダメージの少ない薄膜の上に、高成膜レートで薄膜を積層させることができる。特に、有機薄膜上に電極膜を積層する場合に有機薄膜のダメージが少なく、発光量が多く、長寿命の有機EL素子が得られる。
このスパッタリング装置10は、縦型のインターバック式の装置であり、真空槽11を有している。真空槽11は、不図示のL/UL室とゲートバルブ41を介して接続されている。L/UL室は、成膜対象物を保持するキャリアの仕込み、取り出しを行うように構成されており、L/UL室内のキャリアに成膜対象物を保持させ、ゲートバルブ41を開け、真空槽11の内部に搬入する。
第一のスパッタ室16内には、透明導電材料から成る第一、第二のターゲット21a、21bが配置されている。
第一、第二のターゲット21a、21b表面に平行な部分の磁力線は電子をトラップし、第一、第二のターゲット21a、21bのスパッタ効率を向上させる。
また、第一、第二のリング磁石23a、23bは、異なる磁極が向き合っているので、第一、第二のリング磁石23a、23bの間に磁力線32が発生される。この磁力線32は、第一、第二のリング磁石23a、23bの間に筒状に形成される。この磁力線32は、荷電粒子が第一、第二のターゲット21a、21b間から外に飛び出すのを抑止する。
その結果、第一、第二のターゲット21a、21bの表面を、磁力線31a、31bが移動することでプラズマが移動するので、第一、第二のターゲット21a、21b表面のエロージョン領域が拡大する。
先ず、真空槽11に接続された真空排気系19を動作させ、真空槽11内部を所定圧力まで真空排気しておく。
成膜対象物5の移動経路14の第一のスパッタ室16に面する位置よりも下流側には第二のスパッタ室17が配置されている。
例えば、図6の磁石部材15dに示すように、第一、第二の中心磁石24dはリング状であってもよい。この場合、第一、第二の中心磁石24dのリングを長方形にし、長手方向を第一、第二のリング磁石23dの長手方向に合致させ、その中央に配置するとよい。図6の符号29d、及び下記の図7の符号29eはヨークである。
有機EL製造装置(アルバック(株)製SATELLA)にて、Ag/ITO電極がパターニングされたガラス基板の表面をO2プラズマ洗浄し、有機ELの各層を順次蒸着法で形成した。
さらに、その基板上にITO薄膜を電極として形成するためのマスクを装着して成膜対象物5を構成させた後、L/UL室内を真空排気した。
搬送速度は0.1m/minである。また、第一、第二の磁石部材15a、15bは、20mm幅、30回/min周期で往復運動させた。
透明導電性薄膜の成膜が完了したのち、キャリア13をL/UL室に戻して、基板を取り出した。
実施例1記載の有機EL素子作製工程においてITOから成る第一、第二のターゲット21a、21bに、AC電源の代わりにDC電源を用い、それぞれDCパワー450W(1W/cm2)で透明導電性薄膜の成膜を行った。ダイナミックレートは2nm・m/minであった。それ以外はすべて実施例1と同様なプロセスとした。
実施例1記載のEL素子基板作製工程においてITOから成る第一、第二のターゲット21a、21bで形成した薄膜の膜厚と、ITOから成る第三のターゲット21cで形成した薄膜の膜厚を変化させた。第一、第二/第三を、10nm/90nm、30nm/70nm、50nm/50nmとした。それぞれの膜厚はキャリア13の搬送速度を調節することにより変えた。
実施例1記載のEL素子基板作製工程においてITO成膜部分で第一、第二のターゲット21a、21bを使用せず、第三ターゲット21cだけで透明導電性薄膜を形成した。膜厚は100nmである。それ以外は実施例1と同様のプロセスとした。
更に、SiOx、SiNx等の保護膜やアルミニウムなどの金属薄膜の形成にも用いることができる。
10……スパッタリング装置
11……真空槽
15a……第一の磁石部材
15b……第二の磁石部材
21a……第一のターゲット
21b……第二のターゲット
21c……第三のターゲット
23a……第一のリング磁石
23b……第二のリング磁石
23d、23e……第一、第二のリング磁石
24a……第一の中心磁石
24b……第二の中心磁石
24d、24e……第一、第二の中心磁石
Claims (12)
- 真空槽と、
前記真空槽内に所定間隔を開けて配置された第一、第二のターゲットとを有し、
前記第一、第二のターゲットの間にプラズマを発生させ、前記第一、第二のターゲットをスパッタリングして、前記第一、第二のターゲットの側方の成膜対象物に薄膜が形成されるように構成されたスパッタリング装置であって、
前記第一、第二のターゲットの裏面には、第一、第二の磁石部材がそれぞれ配置され、
前記第一の磁石部材は、リング形状の第一のリング磁石と、前記第一のリング磁石の内側に配置された第一の中心磁石とを有し、前記第一のリング磁石と前記第一の中心磁石は前記第一のターゲットの裏面に異なる極性の磁極を向けて配置され、
前記第二の磁石部材は、リング形状の第二のリング磁石と、前記第二のリング磁石の内側に配置された第二の中心磁石とを有し、前記第二のリング磁石と前記第二の中心磁石は前記第二のターゲットの裏面に異なる極性の磁極を向けて配置され、
前記第一のリング磁石と前記第二のリング磁石は異なる極性の磁極が対向するように配置され、
前記第一の中心磁石と前記第二の中心磁石も異なる極性の磁極が対向するように配置されたスパッタリング装置。 - 前記真空槽には反応性ガスを導入するガス導入系が接続され、
前記成膜対象物の表面には、前記第一、第二のターゲットの成分と前記反応性ガスの反応生成物の薄膜が形成されるように構成された請求項1記載のスパッタリング装置。 - 前記導入孔は、前記第一、第二のターゲットの、前記成膜対象物とは反対側の位置に設けられた請求項2記載のスパッタリング装置。
- 前記第一、第二の磁石部材は前記第一、第二のターゲットに対してそれぞれ相対的に移動しながらスパッタされるように構成された請求項1乃至請求項3のいずれか1項記載のスパッタリング装置。
- 前記第一の磁石部材の前記第一のターゲットに対する相対的な移動と、前記第二の磁石部材の前記第二のターゲットに対する相対的な移動とは、所定範囲内を同一周期で行われ、
前記第一の磁石部材と前記第二の磁石部材の位置は、半周期ずらされた請求項1乃至請求項4のいずれか1項記載のスパッタリング装置。 - 前記真空槽には、前記成膜対象物を移動させる移動機構が設けられ、前記成膜対象物を前記第一、第二のターゲットの側方位置を通過させながら前記薄膜を形成する請求項1乃至請求項5のいずれか1項記載のスパッタリング装置。
- 前記第一、第二の中心磁石は細長に形成され、前記第一、第二の中心磁石は前記成膜対象物の移動方向とは垂直な平面内に配置され、
前記第一、第二の磁石部材の移動は、それぞれ前記第一、第二の中心磁石の長手方向と垂直な方向の成分を含む請求項6記載のスパッタリング装置。 - 前記真空槽内には第三のターゲットが、その表面を前記成膜対象物に向けて配置され、
前記成膜対象物は、前記第一、第二のターゲットの側方位置を通過した後、前記第三のターゲットに面する位置を通過するように構成された請求項1乃至請求項7のいずれか1項記載のスパッタリング装置。 - 真空槽内に透明導電材料から成る第一、第二のターゲットを離間して配置し、
前記第一、第二のターゲットの裏面に配置した第一、第二の磁石部材によって前記第一、第二のターゲット表面に磁場を形成し、
前記真空槽内にスパッタリングガスと酸素ガスとを導入し、前記第一、第二のターゲットで挟まれた空間内にプラズマを形成し、
有機薄膜が表面に露出する成膜対象物を、前記第一、第二のターゲットの側方を通過させ、前記有機薄膜表面に透明導電性薄膜を形成する透明導電材料膜の成膜方法であって、
N極とS極のいずれか一方の磁極を第一の磁極、他方を第二の磁極とすると、
前記第一、第二の磁石部材にはリング形状に形成された第一、第二のリング磁石と、第一、第二の内側に配置された中心磁石を配置し、
前記第一の磁石部材の前記第一の磁極と、前記第二の磁石部材の前記第二の磁極とをリング状にしてそれぞれ前記第一、第二のターゲットの裏面に向け、
前記第一の中心磁石の前記第二の磁極と、前記第二の中心磁石の第一の磁極をそれぞれ前記第一、第二のターゲットの裏面に向け、前記第一、第二の磁石部材を前記第一、第二のターゲットに対して相対的に移動させながらスパッタリングを行う成膜方法。 - 前記第一の磁石部材の前記第一のターゲットに対する相対的な移動と、前記第二の磁石部材の前記第二のターゲットに対する相対的な移動とは、所定範囲内を同一周期で行わせ、
前記第一の磁石部材と前記第二の磁石部材の位置を半周期ずらす請求項9記載の成膜方法。 - 前記成膜対象物が前記第一、第二のターゲットの間を通過する間に、前記第一、第二の磁石部材は2周期以上移動させる請求項10記載の成膜方法。
- 前記真空槽内に透明導電材料から成る第三のターゲットを配置し、
前記成膜対象物を前記第一、第二のターゲット側方を通過させた後、前記第三のターゲットと面する位置を通過させ、
前記第一、第二のターゲットによって形成した透明導電性薄膜の表面に、前記第三のターゲットによって形成した透明導電性薄膜を積層させる請求項9又は請求項11のいずれか1項記載の成膜方法。
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