KR20080012657A

KR20080012657A - 대향 타깃형 스퍼터링 장치

Info

Publication number: KR20080012657A
Application number: KR1020060073826A
Authority: KR
Inventors: 이상현
Original assignee: 주식회사 탑 엔지니어링
Priority date: 2006-08-04
Filing date: 2006-08-04
Publication date: 2008-02-12

Abstract

본 발명은 대향 타깃형 스퍼터링 장치를 개시한다. 본 발명에 따르면, 스퍼터링 가스가 주입되고, 진공 분위기로 이루어진 챔버; 타깃 면이 중앙을 향해 배치된 제1 타깃과, 제1 타깃의 타깃 면과 반대되는 쪽에 배치된 제1 자계 발생부를 구비한 제1 타깃 유닛; 제1 타깃의 타깃 면과 대향되게 타깃 면이 배치된 제2 타깃과, 제2 타깃의 타깃 면과 반대되는 쪽에 배치되되 제1 자계 발생부의 극성과 반대되는 극성으로 대향되게 배치된 제2 자계 발생부를 구비한 제2 타깃 유닛; 및 제1,2 타깃 유닛을 사이에 두고 양측에서 기판을 하나씩 지지하는 제1,2 기판 지지부;를 구비한다.

Description

대향 타깃형 스퍼터링 장치{Facing target type sputtering apparatus}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 대향 타깃형 스퍼터링 장치에 대한 개략적인 구성도.

도 2는 도 1에 있어서, 제1,2 타깃 유닛에 대한 개략적인 구성도.

도 3은 도 1에 있어서, 제1,2 타깃 유닛에 대해 기판들이 이동하는 상태를 설명하기 위한 도면.

〈도면의 주요 부호에 대한 간단한 설명〉

10..기판 110..챔버

120..제1 타깃 유닛 121..제1 타깃

122..제1 자계 발생부 130..제2 타깃 유닛

131..제2 타깃 132..제2 자계 발생부

140..제1 기판 지지부 150..제2 기판 지지부

160..전원 공급부 170..이송 수단

본 발명은 스퍼터링 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 균일한 박막 형 성이 가능할 뿐 아니라, 생산성이 증대될 수 있는 대향 타깃형 스퍼터링 장치에 관한 것이다.

화상을 표시하는 각종 평면 디스플레이 장치 중에서, 근래에는 전계 발광 디스플레이 장치에 대한 연구가 대두하고 있다. 그 중에서도, 유기 전계 발광 디스플레이 장치는 백라이트와 같은 별도의 발광 장치를 필요로 하지 않는 자발광형 장치로서, 저전력 및 고효율 작동이 가능하다는 점에서 특히 각광을 받고 있는 평면 디스플레이 장치이다.

유기 전계 발광 디스플레이 장치에 채용되는 유기 전계 발광 소자는, 기판 상에 제1 전극층에 해당하는 양극층, 유기 발광부, 및 제2 전극층에 해당하는 음극층이 적층되어 구성된다. 유기 발광부는 유기 발광층(EML; emitting layer)을 구비하는데, 이 유기 발광층에서 정공과 전자가 재결합하여 여기자를 형성하고 빛이 발생한다.

이러한 유기 발광층에서의 발광 효율을 보다 높이기 위해서는 정공과 전자를 유기 발광층으로 보다 원활하게 수송하여야 한다. 이를 위해, 음극층과 유기 발광층 사이에는 전자 수송층(ETL; electron transport layer)이 배치될 수 있고, 양극층과 유기 발광층 사이에는 정공 수송층(HTL; hole transport layer)이 배치될 수 있다. 또한, 음극층과 전자 수송층 사이에 전자 주입층(EIL; electron injection layer)이 배치될 수 있고, 양극층과 정공 수송층 사이에 정공 주입층(HIL; hole injection layer)이 배치될 수 있다.

전술한 유기 전계 발광 소자를 구성하는 다양한 층들 중 전극층을 박막으로 증착하는 통상적인 기술로는 스퍼터링(sputtering)법이 있다. 스퍼터링법은 진공분위기로 이루어진 챔버 내로 스퍼터링 가스를 주입하고 방전을 일으켜 플라스마를 형성하고, 플라스마 내의 이온화된 양이온을 증착하고자 하는 물질에 해당하는 타깃(target)과 충돌시킴에 따라 타깃으로부터 방출되는 물질을 기판에 박막으로 증착시키는 방법이다.

이러한 스퍼터링법은 양산성 및 우수한 박막을 확보할 수 있는 것으로 알려져 있다. 그리고, 스퍼터링법은 기판에 증착되는 증착 물질의 운동 에너지가 높기 때문에, 기판에 먼저 형성된 유기층 계면과의 밀착성을 향상시킬 수 있다는 장점을 갖는 반면, 증착 물질의 운동 에너지가 과도하게 높아질 수 있다는 단점을 갖기도 한다.

즉, 스퍼터링법은 증착 물질과 유기층과의 밀착성을 증대시키는 정도를 넘어 유기층을 손상시킴으로써, 휘도 저하 등과 같은 유기 전계 발광 소자의 특성을 열화시킬 가능성이 있다. 게다가, 스퍼터링법은 기판에 손상을 가할 수도 있는바, 증착하고자 하는 기판이 플렉시블(flexible) 기판인 경우 적용이 어려운 문제가 있을 수 있다.

이러한 문제를 해결하기 위한 일 방안으로, 증착하고자 하는 물질에 해당하는 타깃과 기판을 직접 대면시키지 않는 구조를 갖는 대향 타깃형 스퍼터링 장치가 제안되고 있다. 즉, 대향 타깃형 스퍼터링 장치는 챔버 내에 한 쌍의 타깃들을 대향되게 배치하고, 이러한 타깃들의 각 타깃 면과 수직인 방향으로 자계를 발생시키는 영구 자석을 배치한 구조를 갖는다. 이러한 대향 타깃형 스퍼터링 장치는 영구 자석에 의한 자계에 의해 플라스마를 타깃들 사이에 가둠으로써, 스퍼터링 과정에서 기판의 손상이나 기판에 먼저 형성된 유기층 등의 손상을 최대한 방지할 수 있게 한다.

그런데, 종래에 따른 대향 타깃형 스퍼터링 장치는, 챔버 내에 기판이 하나씩 공급되며, 이렇게 공급된 기판에 박막을 증착하도록 된 것이 일반적이다. 이에 따라, 대량 생산시 공정 시간이 많이 소요될 수 있는바, 생산성을 높이는데 한계 요인이 될 수 있다. 특히, 최근에 디스플레이의 대형화 추세에 따라 기판의 증착 면적이 커지는 경우에는 더 그러할 수 있다.

본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 두 개의 타깃들을 대향 배치하여 기판에 균일한 박막 형성을 가능하게 함과 아울러, 두 장의 기판들에 박막을 동시에 증착할 수 있게 하여 생산성을 증대시킬 수 있는 대향 타깃형 스퍼터링 장치를 제공함에 그 목적이 있다.

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 대향 타깃형 스퍼터링 장치는, 스퍼터링 가스가 주입되고, 진공 분위기로 이루어진 챔버; 타깃 면이 중앙을 향해 배치된 제1 타깃과, 상기 제1 타깃의 타깃 면과 반대되는 쪽에 배치된 제1 자계 발생부를 구비한 제1 타깃 유닛; 상기 제1 타깃의 타깃 면과 대향되게 타깃 면이 배치된 제2 타깃과, 상기 제2 타깃의 타깃 면과 반대되는 쪽에 배치되되 상기 제1 자계 발생부의 극성과 반대되는 극성으로 대향되게 배치된 제2 자계 발생부를 구비한 제2 타깃 유닛; 및 상기 제1,2 타깃 유닛을 사이에 두고 양측에서 기판을 하나씩 지지하는 제1,2 기판 지지부;를 구비한다.

여기서, 상기 제1,2 기판 지지부에 의해 지지가 된 기판들은 이송 수단에 의해 상기 제1,2 타깃 유닛에 대해 일정한 간격을 유지하면서 상대 이동하게 된 것이 바람직하다.

이하 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 대향 타깃형 스퍼터링 장치를 상세히 설명하기로 한다. 여기서, 설명되는 대향 타깃형 스퍼터링 장치는 각종 평면 디스플레이 제조 등에 있어서, 기판에 박막을 형성하는데 이용될 수 있는 것이다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 대향 타깃형 스퍼터링 장치에 대한 개략적인 구성도이다.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 대향 타깃형 스퍼터링 장치(100)는, 챔버(110)와, 제1,2 타깃 유닛(120)(130), 및 제1,2 기판 지지부(140)(150)를 포함하여 구성된다.

챔버(110)는 그 내부가 진공 펌프에 의해 진공 분위기로 이루어진다. 그리고, 상기 챔버(110) 내로 가스 주입수단에 의해 스퍼터링 가스가 주입된다. 여기서, 스퍼터링 가스는 스퍼터링 공정시 반응을 일으켜 플라즈마를 형성할 수 있게 하는 반응성 가스로서, 아르곤(Ar) 가스 등이 이용될 수 있다.

제1,2 타깃 유닛(120)(130)은 일 예로서, 도 2에 도시된 바와 같이 구성될 수 있다. 즉, 제1 타깃 유닛(120)은 제1 타깃(121)과 제1 자계 발생부(122)를 구비하며, 제2 타깃 유닛(130)은 제2 타깃(131)과 제2 자계 발생부(132)를 구비한다.

제1,2 타깃(121)(131)은 챔버(110) 내에서 상호 간에 타깃 면이 대향되게 배치된다. 즉, 제1 타깃(121)은 타깃 면이 중앙을 향하게 배치되며, 제2 타깃(131)은 타깃 면이 제1 타깃(121)의 타깃 면과 대향되게 배치된다. 상기 제1 타깃(121)의 타깃 면과 제2 타깃(131)의 타깃 면은 소정 간격으로 이격 배치된다. 여기서, 제1,2 타깃(121)(131)의 각 타깃 면이 수직으로 세워지게 제1,2 타깃 유닛(120)(130)이 배치되는 것이 바람직하나, 제1,2 타깃(121)(131)의 각 타깃 면이 수평으로 뉘어지게 제1,2 타깃 유닛(120)(130)이 배치되는 것도 가능하므로, 이에 반드시 한정되지는 않는다.

제1,2 타깃(121)(131)은 기판(10)에 증착하고자 하는 물질로 형성된다. 즉, 제1,2 타깃(121)(131)은 스퍼터링 가스가 플라스마 상태로 변화됨에 따라 이온화된 양이온이 각 타깃 면과 충돌하게 되면 기판(10)에 증착하고자 하는 증착 물질을 방출하게 된다.

이러한 제1,2 타깃(121)(131)은 본 실시예의 대향 타깃형 스퍼터링 장치(100)가 유기 전계 발광 소자의 전극층을 박막으로 증착하는데 적용되는 경우, 알루미늄 등과 같이 일함수가 낮고 화학적으로 안정한 물질로 형성될 수 있다. 또한, 제1,2 타깃(121)(131)은 전극층을 투명 전극층으로 구성하는 경우 ITO(Indium Tin Oxide) 등의 물질로 형성되는 것도 가능하다. 상기 제1,2 타깃(121)(131)은 사각 플레이트, 원형 플레이트 등과 같이 다양한 형태로 이루어질 수 있다.

이러한 제1 타깃(121)은 제1 타깃 지지부(123)에 의해 지지가 되며, 제2 타깃(131)은 제2 타깃 지지부(133)에 의해 지지가 된다. 여기서, 제1,2 타깃 지지부(123)(133)는 제1,2 타깃(121)(131)의 각 타깃 면을 제외한 부위를 감쌀 수 있는 구조로 각각 이루어질 수 있다. 상기 제1,2 타깃 지지부(123)(133)에는, 스퍼터링 과정 동안 제1,2 타깃(121)(131)의 열 변형에 의해 스퍼터링 과정에 악영향을 미치는 것을 방지할 수 있도록, 제1,2 타깃(121)(131)으로부터 발생한 열을 냉각시키는 냉각 수단이 더 설치될 수도 있다.

상기 제1,2 타깃(121)(131)의 주위에는 제1,2 차폐 부재(124)(134)가 각각 마련될 수 있다. 제1,2 차폐 부재(124)(134)는 제1,2 타깃(121)(131)의 각 타깃 면을 제외한 부위에서 스퍼터링이 발생하는 것을 방지할 수 있는 구조로 이루어진다. 즉, 제1,2 차폐 부재(124)(134)는 제1,2 타깃(121)(131)의 각 타깃 면을 제외한 제1,2 타깃 지지부(123)(133)를 감싸는 구조로 이루어진다.

상기 제1,2 타깃(121)(131)은 방전을 일으켜 챔버(110) 내의 스퍼터링 가스로부터 플라스마를 형성한다. 즉, 제1,2 타깃(121)(131)은 전원 공급부(160)로부터 음의 전압을 인가받아서 캐소드(cathode) 전극으로 작용함과 아울러, 기판(10)은 접지되어 애노드(anode) 전극으로 작용한다. 한편, 도시된 바에 한정되지 않고, 기판(10) 이외에 챔버(110)나 제1,2 차폐 부재(124)(134)가 접지되어 애노드 전극으로 작용할 수 있음은 물론이다.

이처럼, 제1,2 타깃(121)(131)이 캐소드 전극으로 작용하고, 기판(10)이 애노드 전극으로 작용하게 되면, 제1,2 타깃(121)(131)과 기판(10) 사이에는 방전이 일어나게 된다. 이에 따라, 제1,2 타깃(121)(131)으로부터 전자가 방출되며, 방출된 전자가 챔버(110) 내의 스퍼터링 가스 입자와 충돌하여 양이온을 생성하게 되어 플라스마가 형성된다. 이렇게 형성된 플라스마는 후술할 제1,2 자계 발생부(122)(132)에 의해 제1,2 타깃(121)(131)의 주위에 머물게 되고, 이 상태에서 제1,2 타깃(121)(131)은 음의 전압이 인가된 상태이므로 양이온이 제1,2 타깃(121)(131)으로 이동하여 제1,2 타깃(121)(131)과 충돌하게 된다. 그러면, 제1,2 타깃(121)(131)으로부터 타깃 입자와 함께 새로운 전자가 튀어나와서 스퍼터링 가스 입자를 전리시켜 전자의 증식 작용을 함으로써 플라스마 상태가 유지되는 것이다.

제1,2 자계 발생부(122)(132)는 전술한 바와 같이 제1,2 타깃(121)(131)에 의해 형성된 플라스마를 고밀도 상태로 제1,2 타깃(121)(131)과 함께 제1 타깃(121)과 제2 타깃(131) 사이에 가둘 수 있게 자계를 발생시킨다. 이를 위해, 제1 자계 발생부(122)는 제1 타깃 지지부(123) 내에서 제1 타깃(121)의 가장자리를 따라 마련된다. 그리고, 제2 자계 발생부(132)는 제2 타깃 지지부(133) 내에서 제2 타깃(131)의 가장자리를 따라 마련된다. 여기서, 제1,2 자계 발생부(122)(132)로는 영구 자석이 이용될 수 있다.

그리고, 제1,2 자계 발생부(122)(132)는 상호 간에 다른 극성을 띠도록 대향 배치된다. 즉, 도시된 예와 같이, 제1 자계 발생부(122)의 N극이 제1 타깃(121)의 타깃 면을 향하게 배치되면 제2 자계 발생부(132)의 S극은 제1 자계 발생부(122)의 N극과 대향되게 배치된다. 이는 제1,2 자계 발생부(122)(132)에 의해 제1,2 타 깃(121)(131)의 각 타깃 면에 수직인 방향으로 자계를 발생시킬 수 있도록 하기 위함이다.

이러한 제1,2 자계 발생부(122)(132)는 제1,2 타깃(121)(131)과 함께 제1 타깃(121)과 제2 타깃(131) 사이에 플라스마를 가두는 역할을 한다. 이에 대해 상술하면, 제1,2 자계 발생부(122)(132)는 플라스마 내의 전자에 로렌츠의 힘을 가하여 자계 방향을 따라 전자가 나선 운동을 하게 한다.

예컨대, 자계의 방향이 제1 타깃(121)으로부터 제2 타깃(131)을 향한다면, 전자는 로렌츠의 힘을 받아서 자계 방향으로 나선 운동을 하면서 제2 타깃(131)으로 이동하게 된다. 아울러, 제1 타깃(121)에는 음의 전압이 인가된 상태이므로, 전자는 제1 타깃(121)으로부터 척력을 받아서 제2 타깃(131)으로 이동하게 된다. 이렇게 제2 타깃(131)으로 이동한 전자는 제2 타깃(131)의 근처에 도달하게 되면 제2 타깃(131)에는 음의 전압이 인가된 상태이므로, 전자는 제2 타깃(131)으로부터 척력을 받아서 다시 제1 타깃(121)으로 이동하게 된다. 이러한 과정을 반복하게 되면, 전자는 제1 타깃(121)과 제2 타깃(131) 사이에 왕복 운동을 하게 되므로, 제1 타깃(121)과 제2 타깃(131) 사이에 플라스마가 가두어질 수 있게 되는 것이다.

이처럼, 플라스마가 제1 타깃(121)과 제2 타깃(131) 사이에 가두어지게 되면, 스퍼터링 과정에서 기판(10)의 손상, 또는 기판(10)에 유기층이 형성된 경우 유기층 등의 손상이 최대한 방지될 수 있을 뿐 아니라, 기판(10)에 균일한 박막 형성이 가능해질 수 있다.

제1,2 기판 지지부(140)(150)는 챔버(110) 내에서 박막을 증착하고자 하는 두 장의 기판(10)들을 하나씩 지지한다. 즉, 본 실시예에 따르면, 제1 기판 지지부(140)가 하나의 기판(10)을 지지하고, 제2 기판 지지부(150)가 다른 하나의 기판(10)을 지지함으로써, 두 장의 기판(10)들에 박막을 동시에 증착할 수 있는 것이다.

상기 제1,2 기판 지지부(140)(150)는 도 1에 도시된 바와 같이, 전술한 제1,2 타깃 유닛(120)(130)을 사이에 두고 양측에서 기판(10)을 하나씩 지지하도록 배치되는 것이 바람직하다. 아울러, 제1,2 기판 지지부(140)(150)는 제1,2 타깃 유닛(120)(130)으로부터 각 기판(10)까지의 간격이 동일하도록 배치되는 것이 바람직하다. 이는 제1 타깃 유닛(120)과 제2 타깃 유닛(130) 사이로부터 방출되는 타깃 입자들이 제1,2 타깃 유닛(120)(130)의 양측을 통해 두 장의 기판들로 고르게 제공될 수 있도록 하기 위함이다.

이렇게 본 실시예에 따르면, 챔버(110) 내에 두 장의 기판(10)들이 동시에 공급되고 공급된 기판(10)들에 박막을 동시에 증착할 수 있게 되므로, 대량 생산시 공정 시간을 단축시켜 생산성 향상에 유리할 수 있다.

한편, 디스플레이의 대형화 추세에 따라 기판(10)의 증착 면적이 커지는 경우에는, 제1,2 기판 지지부(140)(150)에 의해 지지가 된 기판(10)들은 제1,2 타깃 유닛(120)(130)에 대해 상대 이동하게 된 것이 바람직하다. 아울러, 기판(10)들은 제1,2 타깃 유닛(120)(130)에 대해 일정한 간격을 유지하면서 상대 이동하게 된 것이 바람직하다. 이와 같이, 기판(10)들과 제1,2 타깃 유닛(120)(130) 사이가 상대 이동을 하게 되면, 각 기판(10)의 증착 면적이 크게 되더라도, 기판(10)들에 균일 한 박막 증착이 유도될 수 있는 것이다.

기판(10)들과 제1,2 타깃 유닛(120)(130) 사이를 상대 이동시키는 이송 수단(170)은, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1,2 타깃 유닛(120)(130)이 위치 고정된 상태에서 기판(10)들을 동시에 이동시키고자 한다면, 제1,2 기판 지지부(120)(130)에 각각 마련될 수 있다. 한편, 이송 수단(170)은 전술한 것과는 반대로, 기판(10)들이 위치 고정된 상태에서 제1,2 타깃 유닛(120)(130)을 이송시킬 수 있도록, 제1,2 타깃 유닛(120)(130)에 마련되는 것도 가능함은 물론이다.

이러한 이송 수단(170)은 기판(10) 또는 제1,2 타깃 유닛(120)(130)을 직선 이동시킬 수 있는 액추에이터라면 어느 것이나 가능하다. 상기 이송 수단(170)은 제1 기판 지지부(120)에 장착된 기판의 이송 속도와 제2 기판 지지부(130)에 장착된 기판의 이송 속도가 동일하게 제어되는 것도 가능하나, 각기 다르게 제어되는 것도 가능하다.

그리고, 상기 제1,2 기판 지지부(140)(150)는 챔버(110) 내에서 기판(10)들이 수평으로 뉘어지게 배치되는 것도 가능하나, 도 3에 도시된 바와 같이, 기판(10)들이 수직으로 세워지게 배치되는 것이 바람직하다. 이는 스퍼터링 동안 발생할 수 있는 이물질이 기판(10)으로 유입되는 것을 최대한 방지될 수 있기 때문이다.

상기한 바와 같은 본 발명의 일 실시예에 따른 대향 타깃형 스퍼터링 장치(100)에 의해 기판(10)들에 박막을 동시에 증착하는 과정을 개략적으로 설명하면 다음과 같다.

먼저, 증착하고자 하는 물질로 형성된 제1,2 타깃(121)(131)을 제1,2 타깃 지지부(123)(133)에 장착하는 한편, 제1,2 기판 지지부(140)(150)에 박막을 증착하고자 하는 기판(10)을 각각 장착한다. 이 상태에서, 챔버(110) 내로 아르곤 가스 등의 스퍼터링 가스를 주입하면서, 제1 타깃(121)과 제2 타깃(131)에 음의 전압을 인가하게 되면, 챔버(100) 내에 방전이 일어나면서 플라스마가 형성되기 시작한다.

이렇게 형성된 플라스마는 제1,2 자계 발생부(122)(132)와 제1,2 타깃(121)(131)에 의해 제1 타깃(121)과 제2 타깃(131) 사이에 가두어진다. 이 상태에서, 플라스마 내의 양이온은 제1,2 타깃(121)(131)에 의해 인력을 받게 되므로, 제1,2 타깃(121)(131)에 충돌하여 타깃 입자와 함께 새로운 전자가 튀어나오게 된다. 이렇게 튀어나온 새로운 전자는 스퍼터링 가스 입자를 전리시켜 전자의 증식 작용을 함으로써 플라스마가 유지되어 안정화된다. 이 상태에서, 제1,2 타깃(121)(131)을 사이에 두고 기판(10)들을 점차 이송시키게 되면, 제1,2 타깃(121)(131)의 양측을 통해 타깃 입자가 기판(10)들로 각각 나뉘어 공급되며, 그에 따라 기판(10)들에 박막이 동시에 증착될 수 있는 것이다.

상술한 바와 같은 본 발명에 따르면, 두 개의 타깃들을 대향 배치함으로써, 스퍼터링 과정에서 기판의 손상, 또는 기판에 유기층이 형성된 경우 유기층 등의 손상이 최대한 방지될 수 있으며, 종래와 같이 별도로 유기층을 보호하는 보호층을 형성하는 공정이 요구되지 않으므로 공정수가 줄어들 수 있다.

그리고, 챔버 내에 두 장의 기판들에 박막을 동시에 증착할 수 있게 되므로, 대량 생산시 공정 시간을 단축할 수 있어 생산성 향상을 도모할 수 있다.

또한, 각 기판의 증착 면적이 크게 되더라도, 두 장의 기판들과 제1,2 타깃 유닛 사이가 상대 이동할 수 있게 되므로, 기판들에 균일한 박막 증착이 가능할 수 있는 효과가 있다.

본 발명은 첨부된 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 청구 범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.

Claims

스퍼터링 가스가 주입되고, 진공 분위기로 이루어진 챔버;

타깃 면이 중앙을 향해 배치된 제1 타깃과, 상기 제1 타깃의 타깃 면과 반대되는 쪽에 배치된 제1 자계 발생부를 구비한 제1 타깃 유닛;

상기 제1 타깃의 타깃 면과 대향되게 타깃 면이 배치된 제2 타깃과, 상기 제2 타깃의 타깃 면과 반대되는 쪽에 배치되되 상기 제1 자계 발생부의 극성과 반대되는 극성으로 대향되게 배치된 제2 자계 발생부를 구비한 제2 타깃 유닛; 및

상기 제1,2 타깃 유닛을 사이에 두고 양측에서 기판을 하나씩 지지하는 제1,2 기판 지지부;

를 구비하는 대향 타깃형 스퍼터링 장치.
제 1항에 있어서,

상기 제1,2 기판 지지부에 의해 지지가 된 기판들은 이송 수단에 의해 상기 제1,2 타깃 유닛에 대해 일정한 간격을 유지하면서 상대 이동하게 된 것을 특징으로 하는 대향 타깃형 스퍼터링 장치.
제 2항에 있어서,

상기 이송 수단은 상기 제1,2 기판 지지부에 각각 마련된 것을 특징으로 하는 대향 타깃형 스퍼터링 장치.
제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 제1,2 기판 지지부는 상기 챔버 내에서 기판을 각각 세워진 상태로 지지하도록 된 것을 특징으로 하는 대향 타깃형 스퍼터링 장치.
제 4항에 있어서,

상기 제1,2 타깃 유닛은 상기 제1,2 타깃의 각 타깃 면이 수직으로 세워지게 배치된 것을 특징으로 하는 대향 타깃형 스퍼터링 장치.