JP2006089850A - 対向ターゲット式スパッタリング装置及びこれを用いた有機電界発光表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 本発明は、円板型の対向ターゲットを使用することにより、薄膜形成時に発生する高いエネルギーを有する粒子の基板衝突による膜の損傷を防止し、前記円板型の対向ターゲットの周りに複数の基板を回転させて薄膜を形成することにより、大量生産に適合したスパッタリング装置及びこれを用いた有機電界発光表示装置の製造方法を提供するためのものである。
【解決手段】 本発明は、胴体をなすチャンバーと、前記チャンバーの内壁に沿って複数の基板を装着できる基板装着部と、を備えるチャンバー部と、所定の距離を置いて対向配置されて拘束空間を形成する一対の対向スパッタリングターゲットと、前記一対のターゲットの各々の背面に設けられて前記拘束空間に磁界を発生させる磁界発生手段と、を備えてなされる。
【選択図】 図２ａ

Description

本発明は、スパッタリング装置及びこれを用いた有機電界発光表示装置の製造方法に関し、より詳細には、円板型の対向ターゲットを使用することによって、薄膜形成時に発生する高いエネルギーを有する粒子の基板衝突による膜の損傷を防止し、前記円板型の対向ターゲットの周りに複数の基板を回転させて薄膜を形成することによって、大量生産に適合できる対向ターゲット式スパッタリング装置及びこれを用いた有機電界発光表示装置の製造方法に関する。

一般に、有機電界発光表示装置は、電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）注入電極（ｃａｔｈｏｄｅ）と正孔（ｈｏｌｅ）注入電極（ａｎｏｄｅ）から電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）と正孔（ｈｏｌｅ）を各々発光層（ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）の内部に注入して、注入された電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）と正孔（ｈｏｌｅ）が結合したエキシトン（ｅｘｃｉｔｏｎ）が励起状態から基底状態に落ちる時に発光する発光表示装置である。

このような原理により、従来の薄膜液晶表示素子とは異なり、別途の光源を必要としないので素子の体積と重さを減らすことができる長所がある。

前記有機電界発光表示装置を駆動する方式はパッシブマトリックス型（ｐａｓｓｉｖｅ ｍａｔｒｉｘ ｔｙｐｅ）とアクティブマトリックス型（ａｃｔｉｖｅ ｍａｔｒｉｘ ｔｙｐｅ）とに分けられる。

前記パッシブマトリックス型有機電界発光表示装置は、その構成が単純であり、製造方法も単純であるが、高い消費電力と表示素子の大面積化に困難があり、配線の数が増加すればするほど開口率が低下する短所がある。

従って、小型の表示素子に適用する場合には前記パッシブマトリックス型有機電界発光表示装置を使用する反面、大面積の表示素子に適用する場合には前記アクティブマトリックス型有機電界発光表示装置を使用する。

また、前記有機電界発光表示装置は、上部電極及び下部電極間に一般的にＡｌｑ３からなる発光層を含む有機膜が介された構造からなる。この際、前記上部電極及び下部電極のうちの１つ、例えば、下部電極がアノード電極として、上・下部電極のうちの他の１つ、例えば、上部電極がカソード電極として作用して発光することになる。

このような前記有機電界発光表示装置は、前記有機電界発光表示装置の発光形態によって差があるが、一般に、前記上部電極及び下部電極に一般的に金属膜または透明導電膜などをスパッタリング法により蒸着して形成する。

このようなスパッタリング法は、有機電界発光表示装置などの電子デバイス製作工程に代表される成膜工程技術にはなくてはならないものであって、広範囲な応用範囲を有する乾式プロセス技術に広く知られており、真空容器内にＡｒガスのような稀ガスを導入し、ターゲットにカソード直流（ＤＣ）電力または高周波（ＲＦ）電力を１５０Ｖ以上の高圧で供給して、グロー（ｇｌｏｗ）放電により成膜する方法である。

前記のようなスパッタリング法において、印加電圧はプラズマ形成時にターゲットから飛び出す粒子が有するエネルギーと密接な関係を有することになるが、前記のスパッタリング法は１５０Ｖ以上に電源を供給することにより、１００ｅＶ以上の高いエネルギーを有する粒子の生成が増加する。

前記スパッタリング工程中に発生する高いエネルギーを有する粒子が基板と衝突して前記基板に損傷を与える問題がある。また、前記基板上にその他の薄膜が形成されている場合は、前記薄膜に損傷を与えることになる。

特に、前記有機電界発光表示装置の前記発光層を備える有機膜上に上部電極をスパッタリング法により形成する場合、前記スパッタリング工程中に発生する１００ｅＶ以上の高いエネルギーを有する粒子が前記有機膜と衝突して前記有機膜に損傷を与えることになり、このような有機膜の損傷により、図１のように、有機発光表示装置の逆バイアス（ｒｅｖｅｒｓｅ ｂｉａｓ）領域で漏洩電流が大きく増加する問題がある。

一方、前記のような問題を解決するために、特許文献１では、スパッタリング装備において２枚のターゲットを互いに対向するようにする対向ターゲット式スパッタリング装備を開示している。

しかしながら、前記対向ターゲット式スパッタリング装備は一枚の基板のみを装着してスパッタリングし薄膜を形成するので、大量生産への適用には限界がある。
大韓民国特許出願公開２００２-００８７８３９号明細書

本発明は、前記従来の技術の問題を解決するためのものであって、円板型の対向ターゲットを使用することにより、薄膜形成時に発生する高いエネルギーを有する粒子の基板衝突による膜の損傷を防止する対向ターゲット式スパッタリング装置及びこれを用いた有機電界発光表示装置の製造方法を提供することをその目的とする。

また、本発明は、前記円板型の対向ターゲットの周りに複数の基板を回転させて薄膜を形成することにより、大量生産に適合した対向ターゲット式スパッタリング装置及びこれを用いた有機電界発光表示装置の製造方法を提供することに又別の目的がある。

前記の目的の達成のための本発明の対向ターゲット式スパッタリング装置は、胴体をなすチャンバーと、前記チャンバーの内壁に沿って複数の基板を装着できる基板装着部と、を備えるチャンバー部と、所定の距離を置いて対向配置されて拘束空間を形成する一対の対向スパッタリングターゲットと、前記一対のターゲットの各々の後面に設けられて前記拘束空間に磁界を発生させる磁界発生手段と、を備える少なくとも１つのスパッタリングターゲット部と、を備えてなされる。

前記基板装着部は、前記チャンバーの内部に沿って回転するようになされて、前記基板装着部の回転軌道と前記一対の対向スパッタリングターゲットは同心円をなす。

前記一対の対向スパッタリングターゲットは円板型であり、前記一対の対向スパッタリングターゲットは互いに同一な物質、または、互いに異なる物質からなることができる。

前記チャンバーは内圧が０．１ｍＴｏｒｒないし１００ｍＴｏｒｒに維持される。

前記スパッタリングターゲット部の磁界発生手段を冷却させるための冷却装置を更に備えることもできる。

前記基板は１００℃以下に維持されることが好ましい。

また、本発明の有機電界発光表示装置の製造方法は、基板上に下部電極を形成するステップと、前記下部電極の一部分を露出させる開口部を備える画素定義膜を形成するステップと、前記画素定義膜上に少なくとも発光層を備える有機膜を形成するステップと、前記した対向ターゲット式スパッタリング装置を用いて前記有機膜上に上部電極を形成するステップとを含んでなされる。

前記上部電極上に前記上部電極及び前記有機膜を保護するための保護膜を形成するステップを更に含むこともできる。

前記のように、本発明によれば、円板型の対向ターゲットを使用することにより、薄膜形成時に発生する高いエネルギーを有する粒子の基板衝突による膜の損傷を防止する対向ターゲット式スパッタリング装置及びこれを用いた有機電界発光表示装置の製造方法を提供することができる。

また、本発明は、前記円板型の対向ターゲットの周りで複数の基板を回転させて薄膜を形成することにより、大量生産に適合した対向ターゲット式スパッタリング装置及びこれを用いた有機電界発光表示装置の製造方法を提供することができる。

以下、添付の図面を参照しながら本発明の実施の形態を説明する。

図２ａは本発明の一実施の形態に係る対向ターゲット式スパッタリング装置を説明するための縦断面図であり、図２ｂは本発明の一実施の形態に係る対向ターゲット式スパッタリング装置を説明するための平面図であり、図２ｃは本発明の一実施の形態に係る対向ターゲット式スパッタリング装置を説明するための概略図である。

図２ａないし図２ｃを参照すれば、本発明の実施の形態に係る対向ターゲット式スパッタリング装置１００は、前記対向ターゲット式スパッタリング装置１００の胴体をなすチャンバー部２００と、前記チャンバー内に設けられたスパッタリングターゲット部３００と、電源供給装置４００とを備える構造からなる。

前記チャンバー部２００は、前記対向ターゲット式スパッタリング装置１００の胴体をなすチャンバー２１０と、複数の基板を装着する基板装着部２２０とを備える。前記チャンバー２１０は略円筒形の真空チャンバーであり、チャンバー２１０の内部は０．１ｍＴｏｒｒないし１００ｍＴｏｒｒ間の真空を維持する。前記基板装着部２２０は前記チャンバー２１０の内壁に沿って複数の基板Ｓを装着する。また、前記基板装着部２２０は前記チャンバー２１０の内壁に沿って３６０°回転できるように構成される。

前記スパッタリングターゲット部３００は基板Ｓ上にスパッタリングしようとする物質からなる一対の対向スパッタリングターゲット３１１、３１５と、前記一対の対向スパッタリングターゲット３１１、３１５間の空間に磁界を発生させるための磁界発生手段３２０と、前記磁界発生手段３２０を冷却させるための冷却装置３３０とを備える。

前記一対の対向スパッタリングターゲット３１１、３１５は、前記チャンバー２１０の内壁と所定の距離を置いてその間に拘束空間を形成するように配置され、各々のスパッタリングターゲット３１１、３１５は、前記チャンバー２１０が略円筒形であるので、前記チャンバー２１０と略同心円をなす円板型である。また、前記一対の対向スパッタリングターゲット３１１、３１５は、前記基板Ｓ上に形成しようとする物質からなり、前記基板Ｓ上に形成しようとする物質の種類によって前記一対の対向スパッタリングターゲット３１１、３１５は同一な物質、または、互いに異なる物質からなることができる。

例えば、前記一対の対向スパッタリングターゲット３１１、３１５は、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金（Ａｌ ａｌｌｏｙ）及びこれらの等価物からなることができる。

または、前記一対の対向スパッタリングターゲット３１１、３１５は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ、ＴＺＯ（Ｔｉｎ−Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ、ＧＺＯ、または、これらの等価物からなることができる。

また、前記一対の対向スパッタリングターゲット３１１、３１５が互いに異なる物質からなるようにして、前記基板Ｓ上に２種類以上の物質からなる化合物からなる薄膜を形成することができる。または、例えば、前記一対の対向スパッタリングターゲット３１１、３１５のうち、いずれか１つをＩＴＯから構成し、他の１つをＩＺＯから構成し、前記基板Ｓ上にＩＴＺＯから構成される薄膜を形成することができる。即ち、前記一対の対向スパッタリングターゲット３１１、３１５に互いに異なる物質を用いることにより、前記基板Ｓ上に形成される物質を多様に調節できるものである。

前記磁界発生手段３２０は永久磁石であって、前記一対の対向スパッタリングターゲット３１１、３１５に磁界を垂直方向に発生させ、前記拘束空間を磁束が均一に囲まれるように、前記一対の対向スパッタリングターゲット３１１、３１５の各々の背面に設けられる。

前記冷却装置３３０は、冷却水の流れを通じて、前記スパッタリングターゲット部３００の磁界発生手段３２０を熱伝導方式により冷却させる。

前記電源供給装置４００は、前記一対の対向スパッタリングターゲット３１１、３１５がカソード電極として作動するように前記一対の対向スパッタリングターゲット３１１、３１５に（−）電源を供給し、前記チャンバー２１０がアノード電極として作動するようにする役割を遂行する。

前記のような対向ターゲット式スパッタリング装置１００の動作は下記の通りである。

前記チャンバー部２００の基板装着部２２０に複数の基板Ｓを装着し、前記チャンバー２１０内にアルゴン（Ａｒ）ガスなどのスパッタリングガスを注入した後、前記基板装着部２２０を回転させる。この際、前記対向ターゲット式スパッタリング装置１００により前記基板Ｓ上に形成される物質が酸素を含む物質、即ち、酸化物である場合に、前記アルゴン（Ａｒ）ガスの他に酸素（Ｏ）を前記チャンバー２１０の内部に注入することができる。この際、前記チャンバー２１０の内部の圧力、即ち、スパッタリングガスの圧力は０．１ｍＴｏｒｒないし１００ｍＴｏｒｒであることが好ましい。これは、前記スパッタリングガスの圧力が１００ｍＴｏｒｒより高い場合、スパッタリング法により前記基板Ｓ上に形成される薄膜内にアルゴン（Ａｒ）のようなスパッタリングガスの成分の含量が増加して前記薄膜の特性劣化をもたらすためである。また、前記スパッタリングガスの圧力が０．１ｍＴｏｒｒより低い場合、前記一対の対向スパッタリングターゲット３１１、３１５間の拘束空間へのプラズマの形成が困難で、スパッタリング効率が落ちるためである。

次に、図２ｃのように、前記一対の対向スパッタリングターゲット３１１、３１５に前記電源供給装置４００を通じて同時に（−）電源を印加すれば、前記磁界発生手段３２０により発生した磁界によって拘束空間内にスパッタリングプラズマが発生して拘束される。この際、前記プラズマはｇａｍｍａ−電子、陰イオン、陽イオン等からなっている。

このようなプラズマは、図２ｃに示すように、前記拘束空間内で均一なプラズマ電圧を示す。この際、前記プラズマ内の電子は前記一対の対向スパッタリングターゲット３１１、３１５を連結した磁気力線に沿って回転運動しながら高密度プラズマを形成させると共に、前記一対のスパッタリングターゲット３１１、３１５に掛かった（−）電源によって往復動しながら高密度プラズマを維持させる。即ち、プラズマ内で形成または印加された電源により形成された全ての電子やイオンは磁気力線に沿って回動することになり、同様に、ｇａｍｍａ−電子、負イオン、陽イオンなどの電荷を帯びたイオン粒子も前記磁気力線に沿って往復動するので、１００ｅＶ以上の高いエネルギーを有する荷電された粒子は反対側ターゲットに加速されることになって、前記拘束空間内に形成されたプラズマ内に拘束される。この際、いずれかのターゲットでスパッタリングされた粒子も１００ｅＶ以上の高いエネルギーを有する粒子は反対側ターゲットに加速されることになって、前記拘束空間内に形成されたプラズマに垂直に置かれている基板Ｓ上に何らの影響を与えないことになり、比較的低いエネルギーを有する中性粒子の拡散によって前記基板Ｓ上に薄膜形成がなされる。

従って、従来のスパッタリング装置を用いる場合に比べてプラズマによる損傷、即ち、高いエネルギーを有する粒子の衝突による基板Ｓの損傷を防止し、基板Ｓ上に薄膜を形成することができる。また、高いエネルギーを有する粒子の衝突がないので、別途の基板Ｓ冷却システムを設置しなくても１００℃以下の基板Ｓ温度が維持できるので、有機膜の損傷を最小化することができる。

一方、図３は、本発明の他の実施の形態に係る対向ターゲット式スパッタリング装置を説明するための縦断面図である。

図３に図示された本発明の他の実施の形態に係る対向ターゲット式スパッタリング装置は、図２ａないし図２ｃに図示されたような対向ターゲット式スパッタリング装置と構造的に類似している。但し、１つのチャンバー部２００内にスパッタリングターゲット部５００、６００が複数個備えられる構造が異なるだけである。即ち、前記１つのチャンバー部２００内に複数のスパッタリングターゲット部５００、６００を設けることにより、複数の基板Ｓを同時にスパッタリングすることができる。この際、前記チャンバー部２００の前記チャンバー２１０の半径及び前記基板装着部２２０の回転半径は、前記図２ａないし図２ｃに図示された対向ターゲット式スパッタリング装置のチャンバーの半径及び基板装着部の回転半径より大きい。

図４ａ及び図４ｂは、本発明の対向ターゲット式スパッタリング装置を用いた有機電界発光表示装置の製造方法を説明するための工程断面図である。

図４ａを参照すれば、絶縁基板７００上に下部電極７１０を形成する。この際、有機電界発光表示装置がアクティブマトリックス有機電界発光表示装置（Ａｃｔｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ、ＡＭＯＬＥＤ）の場合、前記絶縁基板７００上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が予め形成される。

前記下部電極７１０を形成した後、前記絶縁基板７００の前面に画素定義膜７２０を形成して、前記画素定義膜７２０を写真エッチングして、前記下部電極７１０の一部分を露出させる開口部７２５を形成する。前記画素定義膜７２０はフェノール（ｐｈｅｎｏｌ）系列の有機絶縁物質またはＰＩ（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）などの感光性有機絶縁物質からなる。

前記画素定義膜７２０を形成した後、前記開口部７２５の上部に少なくとも発光層を備える有機膜７３０を形成する。この際、前記有機膜７３０はその機能によって、多くの層から構成されることができるが、一般に、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔伝達層（ＨＴＬ）、発光層（Ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）、正孔阻止層（ＨＢＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）、電子注入層（ＥＩＬ）のうち、少なくとも前記発光層（ＥＭＬ）を含む構造からなる。

前記有機膜７３０を形成した後、前記有機膜７３０が形成された絶縁基板７００に図２ａないし図２ｃ及び図３に示すような対向ターゲット式スパッタリング装置を用いて、前記有機膜７３０上に上部電極７４０を形成する。この際、前記対向ターゲット式スパッタリング装置を用いて前記上部電極７４０を形成する場合には、プラズマから発生する高いエネルギーを有する粒子による有機膜７３０の損傷を防止することができる。

前記上部電極７４０を形成した後、前記上部電極７４０及び前記発光層を備える有機膜７３０が外部の酸素及び水分による劣化を防止するための保護膜７５０を、前記上部電極７４０上に形成する。前記保護膜７５０は、一般に、ＳｉＮｘ、ＳｉＯ２などの無機物質またはアクリル、ＰＩ、ＰＡ、ＢＣＢなどの有機物質からなる。

以後、図示してはいないが、封止基板を使用して、下部電極７１０、前記発光層を備える有機膜７３０と上部電極７４０を備える絶縁基板７００を封止する。

一方、前記下部電極７１０及び上部電極７４０は、前記有機電界発光表示装置の発光形態によって多様な構造からなることができる。前記のような有機電界発光表示装置が背面発光型である場合は、一般に、前記下部電極７１０は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ、ＴＺＯ（Ｔｉｎ−Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ、ＧＺＯ、または、これらの等価物からなる透明導電膜からなり、前記上部電極７４０は、Ａｌ、Ａｌ合金またはこれらの等価物からなる反射度の優れる金属膜からなることができる。また、前記有機電界発光表示装置が前面発光型である場合には、一般に、前記下部電極７１０は反射度の優れる金属膜を備える構造、例えば、金属膜と透明導電膜からなる二重膜構造からなり、前記上部電極７４０は前記下部電極７１０との仕事関数関係を合わせるための半透明金属膜と透明導電膜の二重膜構造からなることができる。また、前記有機電界発光表示装置が両面発光型である場合には、一般に、前記下部電極７１０及び上部電極７４０両方とも、前記発光層を備える有機膜７３０から発光する光が透過できる構造、例えば、前記下部電極７１０は透明導電膜からなり、前記上部電極７４０は半透明金属膜と透明導電膜の二重膜構造からなることができるが、本発明においては、前記下部電極７１０及び上部電極７４０の構造を限らない。

一方、図５は、本発明の対向ターゲット式スパッタリング装置を用いて製造した有機電界発光表示装置の漏洩電流を説明するための図面である。

図５を参照すれば、図２ａないし図２ｃに図示されたような対向ターゲット式スパッタリング装置１００のチャンバー２１０の内部の圧力を５ｍＴｏｒｒ、アルゴンガスと酸素ガスの比を９/１に維持し、前記一対の対向スパッタリングターゲット３１１、３１５をＩＴＯにして、１００Ｗないし３００Ｗ間の電源を供給して１０００ÅのＩＴＯからなる上部電極を形成した場合の有機電界発光表示装置は、逆バイアス（ｒｅｖｅｒｓｅｂｉａｓ）領域で漏洩電流（ｌｅａｋａｇｅ ｃｕｒｒｅｎｔ）がほとんどないことが分る。

即ち、図２ａないし図２ｃに図示されたような対向ターゲット式スパッタリング装置１００を用いてスパッタリングする場合、前記基板Ｓ上に形成されている薄膜、特に、発光層を備える有機膜７３０の損傷が少ないことが分る。

前記のように、本発明の実施の形態に係る対向ターゲット式スパッタリング装置１００は、一対の対向スパッタリングターゲット３１１、３１５を用いて、前記一対の対向スパッタリングターゲット３１１、３１５と略垂直を維持する基板Ｓ上に薄膜を形成することにより、前記基板Ｓへの損傷を防止することができる。特に、有機電界発光表示装置において、発光層を備える有機膜７３０上に形成される上部電極７４０の形成の際、前記有機膜７３０の損傷なしに上部電極７４０を形成することができる。

また、前記基板装着部２２０に前記チャンバー２１０の内壁に沿って複数の基板Ｓを装着し回転してスパッタリングすることにより、大量成膜が可能である。

前記では、本発明の好ましい実施の形態を参照して説明したが、該技術分野の熟練した当業者は特許請求範囲に記載された本発明の事象及び領域から外れない範囲内で本発明を多様に修正及び変更させることができることが理解できるはずである。

従来のスパッタリング装置を用いて形成された有機電界発光表示装置の漏洩電流を説明するための図面である。 本発明の一実施の形態に係る対向ターゲット式スパッタリング装置を説明するための縦断面図である。 本発明の一実施の形態に係る対向ターゲット式スパッタリング装置を説明するための平面図である。 本発明の一実施の形態に係る対向ターゲット式スパッタリング装置を説明するための概略図である。 本発明の他の実施の形態に係る対向ターゲット式スパッタリング装置を説明するための縦断面図である。 本発明の対向ターゲット式スパッタリング装置を用いた有機電界発光表示装置の製造方法を説明するための工程断面図である。 本発明の対向ターゲット式スパッタリング装置を用いた有機電界発光表示装置の製造方法を説明するための工程断面図である。 本発明の対向ターゲット式スパッタリング装置を用いた有機電界発光表示装置の漏洩電流を説明するための図面である。

符号の説明

１００ 対向スパッタリング装置
２００ チャンバー部
２１０ チャンバー
２２０ 基板装着部
３００、５００、６００ スパッタリングターゲット部
３１１、３１５ スパッタリングターゲット
３２０ 磁界発生手段
３３０ 冷却装置
４００ 電源供給装置
７００ 絶縁基板
７１０ 下部電極
７２０ 画素定義膜
７２５ 開口部
７３０ 有機膜
７４０ 上部電極
７５０ 保護膜

Claims (12)

1. 胴体をなすチャンバーと、前記チャンバーの内壁に沿って複数の基板を装着できる基板装着部と、を備えるチャンバー部と、
   所定の距離を置いて対向配置されて拘束空間を形成する一対の対向スパッタリングターゲットと、前記一対のターゲットの各々の後面に設けられて前記拘束空間に磁界を発生させる磁界発生手段と、を備える少なくとも１つのスパッタリングターゲット部と、
   を備えることを特徴とする対向ターゲット式スパッタリング装置。
2. 前記基板装着部は、前記チャンバーの内壁に沿って回転することを特徴とする請求項１記載の対向ターゲット式スパッタリング装置。
3. 前記一対の対向スパッタリングターゲットは円板型であることを特徴とする請求項１記載の対向ターゲット式スパッタリング装置。
4. 前記基板装着部の回転軌道と前記一対の対向スパッタリングターゲットとは同心円をなすことを特徴とする請求項２記載の対向ターゲット式スパッタリング装置。
5. 前記一対の対向スパッタリングターゲットは、互いに同一な物質からなることを特徴とする請求項１記載の対向ターゲット式スパッタリング装置。
6. 前記一対の対向スパッタリングターゲットは、互いに異なる物質からなることを特徴とする請求項１記載の対向ターゲット式スパッタリング装置。
7. 前記チャンバーは内圧が０．１ｍＴｏｒｒないし１００ｍＴｏｒｒであることを特徴とする請求項１記載の対向ターゲット式スパッタリング装置。
8. 前記スパッタリングターゲット部の磁界発生手段を冷却させるための冷却装置を更に備えることを特徴とする請求項１記載の対向ターゲット式スパッタリング装置。
9. 前記基板は１００℃以下に維持されることを特徴とする請求項１記載の対向ターゲット式スパッタリング装置。
10. 基板上に下部電極を形成するステップと、
    前記下部電極の一部分を露出させる開口部を備える画素定義膜を形成するステップと、
    前記画素定義膜上に少なくとも発光層を備える有機膜を形成するステップと、
    請求項１ないし請求項９のうちいずれかの１項に記載の対向ターゲット式スパッタリング装置を用いて前記有機膜上に上部電極を形成するステップと、
    を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法。
11. 前記スパッタリング装置の前記チャンバー内の圧力は０．１ｍＴｏｒｒないし１００ｍＴｏｒｒであることを特徴とする請求項１０記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
12. 前記上部電極上に前記上部電極及び前記有機膜を保護するための保護膜を形成するステップを更に含むことを特徴とする請求項１０記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
    

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