JP2005174931A - 有機el素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 E-ビーム加熱方式でカソードを形成する際、有機EL層及びTFTの性能低下を防止できるようにした有機EL素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】有機EL素子は、ガラス基板51、アノード電極52、有機EL層55、カソード電極56、前記カソード電極56と接続され、カソード電極56を外部に引き出すための透明電極52−1を含んでおり、前記透明電極52−1に接続され、前記カソード電極に56に蓄積された電荷を素子の外部に放出させるための配線52−2を含む。配線52−2を通して、カソード電極56に発生する電荷を除去できるため、下部の有機EL層及びTFTが損傷される現象を防止し、素子の信頼性を向上させる。
【選択図】 図5B
Description
このような有機EL素子は、プラズマディスプレイパネル(PDP)や無機EL素子ディスプレイに比べて低い電圧(5〜10V)で駆動できるという長所があり、研究が活発にされている。
また、既によく知られた液晶表示装置(LCD)に比べて、バックライトが不要で電力消費が少なく、色感が優れているという長所もある。
一般的に、有機EL素子は、その構造及び駆動方法において、パッシブタイプとアクティブタイプとで区分される。
図1a及び図1bは、従来技術に係るパッシブタイプ有機EL素子の製造工程を示す平面図である。パッシブタイプ有機EL素子の製造方法は、まず図1Aに示すように、ガラス基板1上にアノードとして用いるためのITOストリップ2を形成する。
この後、形成するカソードと接続して、後で金属ラインを取り出すことが容易なようにカソードの先端が形成される部分に、長さの短いITOストリップ2-1を同時に形成する。
この時、前記有機EL層5を前記ITOストリップ2-1上に形成せず、カソード6はITOストリップ2-1上に形成して、ITOストリップ2-1にコンタクトできるようにする。
図2A乃び図2Bは、アクティブタイプ有機EL素子の製造工程を示した平面図である。
図には示されないが、前記アクティブ領域12は、駆動トランジスター(TFT)と駆動トランジスター(TFT)のドレイン電極に接続されるアノード電極からなる各単位セルが、マトリックス状に配列された構造を有する。
次に、前記有機EL層15上にカソード16を形成する。この時、カソード16がメタル配線14にコンタクトすることができるように、カソード16をメタル配線14の上部まで形成する。続いて、酸素吸着層、水分吸収層、防湿層などの保護膜層(図示せず)を形成し、封止材17を用いて封止板18を接着させ、アクティブタイプの有機ELディスプレイパネルを完成する。
この中、真空蒸着法が、上記カソード形成時に広く使用されている。
カソードを形成するために、上述した方法のうち抵抗加熱蒸着方式が最も多く用いられている。
抵抗加熱蒸着方式でカソードメタル薄膜を形成するためには、まずチャンバーの下部に熱蒸着する試料、例えばアルミニウム(Al)が満たされたボート31を設ける。続いてチャンバーの上部にあるサンプルホルダーに基板32を配置し、基板の下部には基板32に望む形態の薄膜が蒸着できるようにマスク33を配置する。そして、チャンバーを真空状態にして、ボート31に一定の電流を流して温度を上げると、ボート31上のアルミニウムが蒸発する。この蒸発したアルミニウム分子が、基板32に蒸着されて基板32上にカソード34が形成される。
したがって抵抗加熱方式より予熱時間が速く、ボートの代わりにるつぼ(crucible)を用いるE-ビーム加熱方式の方が量産に適している。
E-ビーム加熱方式を用いてカソードメタル薄膜を形成するためには、まずチャンバーの下部に熱蒸着する試料、例えばアルミニウムが満たされたるつぼ41を装着する。続いてチャンバーの上部にあるサンプルホルダーに基板42を配置し、基板の下部には、基板に望む形態の薄膜が蒸着することができるようにマスク43を配置する。そして、前記るつぼ41の側面には、電子を放出するフィラメント44を設け、前記フィラメント44から放出された電子が、るつぼ41に移動できるように磁力を発生する磁石45をるつぼ41の周囲に配置する。次に、前記フィラメント44を加熱すると、電子が放出され、放出された電子は前記磁石45の磁力により円を描きながら、るつぼ41内のアルミニウム試料の中心に衝撃を加える。
フィラメント44から放出される電子により成膜されたカソード46上に電荷が蓄積され、これにより有機EL層及びTFTの性能が低下し、結局、素子の信頼性が大きく低下する。
カソード形成のためのE-ビーム蒸着工程により、蓄積された電荷を基板の外部に取り出すことができる。したがって、カソード電極に生じた電荷により、下部の有機EL層及びTFTが損傷される現象を防止し、結局、素子の信頼性を向上させることができる。
図5A及び図5Bは、本発明に係るパッシブタイプの有機EL素子の製造工程を示す平面図である。
この時、金属ラインをカソードに接続することを容易にするために、前もってカソードの一端が位置する部分に、長さが短いITOストリップ52-1を同時に形成する。続いて前記ITOストリップ52-1を短絡させ、カソード電極の形成時にカソード電極上に蓄積される電荷を、ガラス基板51の外部に放出するための配線52-2も共に形成する。
勿論、カソード形成後に前記配線52-2を形成して蓄積された電荷が外部に放出されるようにすることができる。ただし、カソードの形成時にE-ビーム工程によりカソード上に形成される電荷が速かに外部に排出することができるように、可能であればカソードの形成前に前記配線52-2を形成することが望ましい。
そして、必要に応じて、前記ITOストリップ52、52-1上に補助電極を形成してから、その上に絶縁膜53を形成し、カソード間の絶縁のために電気的絶縁隔壁54を形成する。
そして、カソード56は、E-ビーム蒸着工程によって、Mg-Ag合金、アルミニウムのような導電性物質から形成される。この時、前記カソード56をITOストリップ52-1上にまで形成し、ITOストリップ52-1とカソードをコンタクトさせる。
最後に、封止材57を用いて封止板58を接着させ、パッシブタイプ有機ELディスプレイパネルを完成する。
図6A乃び図6Bは、本発明に係るアクティブタイプの有機EL素子の製造工程を示す平面図である。
続いて、カソードの他方の先端が位置する部分には、カソード形成時に蓄積された電荷を、ガラス基板61の外部に取り出すための第2配線65を形成する。
そして、その材料としては導電性を有する物質(例えば、Cr、Cu、Mo、W、Au、Ni、Ag、Ti、Ta、Al、AlNd等)を用いる。
この時、前記第1、第2配線64、65上には、有機EL層66が形成されないようにし、この後、形成するカソードと第1、第2配線64、65がコンタクトできるようにする。
前記E-ビーム蒸着工程中に前記カソード67上に電荷が蓄積されるが、この電荷はカソード67にコンタクトした第2配線65を通してガラス基板61の外部に放出される。
すなわち、図7は各有機EL素子から電荷を取り出すための配線65を全て接続し、接続された部分をガラス基板の端部まで形成し、外部でのコンタクトが容易なように製造した場合を示したものである。
したがって、本発明の技術的範囲は実施例に記載された内容で限定されることではなく、特許請求範囲により定められなければならない。
52、52-1 ITOストリップ
52-2 配線
53 絶縁膜
54 隔壁
55 有機EL層
56 カソード
57 封止材
58 封止
Claims (16)
- アノード電極とカソード電極間の有機EL層による発光により駆動される有機EL素子であって、
前記カソード電極に接続され、前記カソード電極に蓄積された電荷を素子の外部に放出させるための配線を含んでいることを特徴とする有機EL素子。 - 基板、アノード電極、有機EL層、カソード電極、前記カソード電極と接続されてカソード電極を外部に引き出すための透明電極を含む有機EL素子であって、
前記透明電極に接続され、前記カソード電極に蓄積された電荷を素子の外部に放出させるための配線を含んでいることを特徴とする有機EL素子。 - 前記配線は、導電性物質からなることを特徴とする請求項2に記載の有機EL素子。
- 前記導電性物質は、Cr、Cu、Mo、W、Au、Ni、Ag、Ti、Ta、Al、AlNdを含んでいることを特徴とする請求項3に記載の有機EL素子。
- TFT及びTFTのドレインに接続するアノード電極を単位ピクセルとし、単位ピクセルがマトリックス状に配列されているアクティブ領域、パッド、有機EL層、カソード電極、前記カソード電極を前記パッドに接続するための第1配線を含んでいる有機EL素子であって、
前記カソード電極と接続され、カソード電極に蓄積される電荷を素子の外部に放出させるための第2配線を含んでいることを特徴とする有機EL素子。 - 前記第2配線は、導電性物質からなることを特徴とする請求項5に記載の有機EL素子。
- 前記導電性物質は、Cr、Cu、Mo、W、Au、Ni、Ag、Ti、Ta、Al、AlNdを含んでいることを特徴とする請求項6に記載の有機EL素子。
- 基板、アノード電極、有機EL層、カソード電極、前記カソード電極と接続されてカソード電極を外部に引き出すための透明電極を含んでいる有機EL素子の製造方法であって、
前記カソード電極に蓄積される電荷が、素子の外部に放出されるように前記透明電極と接続され、外部に引き出し可能な形態の配線を形成する段階を含んでいる有機EL素子の製造方法。 - 前記配線を形成する段階は、前記カソード電極形成前であることを特徴とする請求項8に記載の有機EL素子の製造方法。
- 前記配線を形成する段階は、前記アノード電極形成時であることを特徴とする請求項8に記載の有機EL素子の製造方法。
- 基板、TFT及びTFTのドレインに接続するアノード電極を単位ピクセルとし、単位ピクセルがマトリックス状に配列されているアクティブ領域、パッド、有機EL層、カソード電極、前記カソード電極をパッドに接続するための第1配線を含んでいる有機EL素子の製造方法であって、
前記カソード電極に蓄積される電荷が、素子の外部に放出されるように、前記基板上のアクティブ領域の一側に、外部に引き出し可能な形態の第2配線を形成する段階を含んでいる有機EL素子の製造方法。 - 前記第2配線を形成する段階は、前記カソード電極形成前であることを特徴とする請求項11に記載の有機EL素子の製造方法。
- 前記第2配線を形成する段階は、前記第1配線形成時であることを特徴とする請求項11に記載の有機EL素子の製造方法。
- 前記第2配線を形成する段階は、前記アノード電極形成時であることを特徴とする請求項11に記載の有機EL素子の製造方法。
- 前記第2配線を形成する段階は、前記TFTのソース/ドレイン電極形成時であることを特徴とする請求項11に記載の有機EL素子の製造方法。
- 前記第2配線を形成する段階は、前記TFTのゲート電極形成時であることを特徴とする請求項11に記載の有機EL素子の製造方法。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007329448A (ja) * | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機発光ディスプレイ装置 |
JP2009016231A (ja) * | 2007-07-06 | 2009-01-22 | Sony Corp | 有機el表示装置の製造方法および有機el表示装置 |
US8405584B2 (en) | 2005-09-05 | 2013-03-26 | Au Optronics Corp. | Display and thin-film-transistor discharge method therefor |
TWI514050B (zh) * | 2010-12-06 | 2015-12-21 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 背光膜片及其製造方法與成型設備 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100696519B1 (ko) * | 2005-05-10 | 2007-03-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 소자용 기판 및 유기 발광 소자 |
CN109147584B (zh) * | 2018-08-10 | 2024-02-09 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 一种led显示单元组及显示面板 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1126966A (en) * | 1965-12-10 | 1968-09-11 | Gen Electric Co Ltd | Improvements in or relating to superconducting magnets |
KR100409057B1 (ko) * | 1997-12-10 | 2003-12-11 | 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 | 산화물초전도선, 솔레노이드코일, 자장발생장치 및산화물초전도선의 제조방법 |
GB9813326D0 (en) * | 1998-06-19 | 1998-08-19 | Cambridge Display Tech Ltd | Backlit displays |
JP4279391B2 (ja) | 1999-02-16 | 2009-06-17 | 東北パイオニア株式会社 | 発光ディスプレイパネル及びその製造方法 |
JP3568189B2 (ja) | 1999-04-21 | 2004-09-22 | 東北パイオニア株式会社 | 有機elディスプレイの製造方法および装置 |
JP2001109395A (ja) | 1999-10-01 | 2001-04-20 | Sanyo Electric Co Ltd | El表示装置 |
TW521303B (en) * | 2000-02-28 | 2003-02-21 | Semiconductor Energy Lab | Electronic device |
US6687975B2 (en) * | 2001-03-09 | 2004-02-10 | Hyper Tech Research Inc. | Method for manufacturing MgB2 intermetallic superconductor wires |
JP4058920B2 (ja) * | 2001-07-10 | 2008-03-12 | 株式会社日立製作所 | 超電導接続構造 |
DE10133684A1 (de) | 2001-07-11 | 2003-02-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Organisches, farbiges, elektrolumineszierendes Display und dessen Herstellung |
US6569697B2 (en) | 2001-08-20 | 2003-05-27 | Universal Display Corporation | Method of fabricating electrodes |
KR100413455B1 (ko) * | 2001-09-10 | 2003-12-31 | 엘지전자 주식회사 | 정전기 제거용 유기 el 소자 |
JP2003142258A (ja) | 2001-10-31 | 2003-05-16 | Nippon Seiki Co Ltd | 有機elパネル |
KR100462046B1 (ko) | 2001-11-05 | 2004-12-16 | 네오뷰코오롱 주식회사 | 유기물 디스플레이의 무기물막 증착 장치 |
TWI285515B (en) * | 2002-02-22 | 2007-08-11 | Semiconductor Energy Lab | Light-emitting device and method of manufacturing the same, and method of operating manufacturing apparatus |
CN100517422C (zh) * | 2002-03-07 | 2009-07-22 | 三洋电机株式会社 | 配线结构、其制造方法、以及光学设备 |
ITMI20021004A1 (it) * | 2002-05-10 | 2003-11-10 | Edison Spa | Metodo per la realizzazione di fili superconduttori a base di filamenti cavi di mgb2 |
TW581991B (en) * | 2002-10-25 | 2004-04-01 | Ritdisplay Corp | OLED device and packaging method thereof |
US7250930B2 (en) * | 2003-02-07 | 2007-07-31 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transparent active-matrix display |
US6995035B2 (en) * | 2003-06-16 | 2006-02-07 | Eastman Kodak Company | Method of making a top-emitting OLED device having improved power distribution |
-
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8405584B2 (en) | 2005-09-05 | 2013-03-26 | Au Optronics Corp. | Display and thin-film-transistor discharge method therefor |
JP2007329448A (ja) * | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機発光ディスプレイ装置 |
JP4615529B2 (ja) * | 2006-06-07 | 2011-01-19 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 有機発光ディスプレイ装置 |
US7969086B2 (en) | 2006-06-07 | 2011-06-28 | Samsung Mobile Display, Co., Ltd. | Organic light emitting display apparatus |
JP2009016231A (ja) * | 2007-07-06 | 2009-01-22 | Sony Corp | 有機el表示装置の製造方法および有機el表示装置 |
US8901813B2 (en) | 2007-07-06 | 2014-12-02 | Sony Corporation | Method for manufacturing organic EL display and organic EL display |
US8926390B2 (en) | 2007-07-06 | 2015-01-06 | Sony Corporation | Method for manufacturing organic EL display and organic EL display |
US9136314B2 (en) | 2007-07-06 | 2015-09-15 | Joled Inc. | Method for manufacturing organic EL display and organic EL display |
US9508781B2 (en) | 2007-07-06 | 2016-11-29 | Joled Inc. | Method for manufacturing organic EL display and organic EL display |
TWI514050B (zh) * | 2010-12-06 | 2015-12-21 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 背光膜片及其製造方法與成型設備 |
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