JP2004071460A

JP2004071460A - 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器

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Publication number: JP2004071460A
Application number: JP2002231507A
Authority: JP
Inventors: Shuichi Takei; 武井　周一
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2002-08-08
Filing date: 2002-08-08
Publication date: 2004-03-04

Abstract

【課題】効率的な電子注入によって発光物質の輝度及び発光効率を向上させ、斑のない一様な発光光が得られ、また、プラズマから発光層を保護し、また、陰極を透過して発光層へ侵入する水分や酸素を遮蔽することにより、高輝度及び長寿命を達成できる電気光学装置及びその製造方法、並びにそのような電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】対向する電極間２３、５０に、発光層６０と、電子注入層５２と、還元保護層５４とが順に形成された電気光学装置１であって、電子注入層５２は、金属弗化物、金属塩化物、金属酸化物及び金属他錯体化合物等の金属化合物によって形成されており、還元保護層５４は、金属化合物に対する還元性及び発光層６０に対する保護性を有した導電性金属であることを特徴とする。
【選択図】　図５

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬと略記する）表示装置などの電気光学装置においては、基板上に複数の回路素子、陽極、正孔注入層、ＥＬ物質などの電気光学物質で形成される発光層、電子注入層及び陰極等が積層され、それらを封止基板によって基板との間に挟んで封止した構成を具備しているものがある。具体的には、ガラス基板等の透明基板上に、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）、酸化スズ（ＳｎＯ_２）、等の透明導電材料からなる陽極と、ポリチオフェン誘導体（以下、ＰＥＤＯＴと略記する）のドーピング体からなる正孔注入層と、ＬＥＰ等の発光物質からなる発光層と、Ａｌ等の高融点金属材料や金属化合物からなる陰極とを順次積層したものである。
このような電気光学装置においては、陽極側から注入された正孔と、陰極側から注入された電子とが、蛍光能を有する発光層内で再結合し、励起状態から失活する際に発光する現象を利用している。
【０００３】
このようなＥＬ表示装置においては、回路素子が設けられた基板側から発光光を取り出すバックエミッション型と呼ばれるものと、封止基板側から発光光を取り出すトップエミッション型と呼ばれるものがあり、最近では、発光面積が大きく、効率的に発光光を取り出すことができるトップエミッション型のＥＬ表示装置が注目されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、このようなトップエミッション型ＥＬ表示装置においては、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明金属を用いて形成された陰極によって発光光を遮蔽しないようになっており、また、ＩＴＯは仕事関数が高く電子注入性が得られにくいことから、発光層と陰極との間に電子注入層を形成する必要があった。しかしながら、電子注入層は、効率的に発光層に電子を注入するだけでなく、透明性を有する必要があり、好適な材料がないという問題があった。また、電子注入層においては、ＥＬ表示装置の発光面内に一様な導電性を有していなければ、導電性のバラツキに起因する電圧降下により発光の斑が生じてしまうという問題があった。
更に、陰極は、一般にプラズマを用いたスパッタリング法によって形成されるが、プラズマが発光層にダメージを与えてしまうという問題があり、また、ＩＴＯを透過する水分や酸素によって発光物質の輝度の低下、発光寿命の低下及びダークスポットの生成を招いてしまうという問題もあった。
【０００５】
また、陰極から発光光を取り出すトップエミッション型に対して、陽極と陰極を反対に構成し発光光を陽極側から取り出す構成、具体的には、基板上に陰極、電子注入層、発光層、正孔注入層及び陽極を順に積層したトップエミッション型ＥＬ表示装置を形成した場合では、インクジェット法で形成した正孔注入層の材料インク溶媒を除去する加熱工程によって、発光層のＬＥＰがダメージを受けてしまうという問題もあり、陽極及び陰極は従来の位置関係を維持する必要があった。
【０００６】
本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであって、効率的な電子注入によって発光物質の輝度及び発光効率を向上させ、斑のない一様な発光光が得られ、また、プラズマから発光層を保護し、また、陰極を透過して発光層へ侵入する水分や酸素を遮蔽することにより、高輝度及び長寿命を達成できる電気光学装置及びその製造方法、並びにそのような電気光学装置を備えた電子機器を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明は以下の手段を採用した。
即ち、対向する電極間に、発光層と、電子注入層と、還元保護層とが形成された電気光学装置であって、電子注入層は、金属化合物によって形成されており、還元保護層は、金属化合物に対する還元性及び発光層に対する保護性を有した金属であることを特徴とするものである。
従って、本発明によれば、発光層の表面に電子注入層及び還元保護層が形成されており、電子注入層の金属化合物は還元保護層によって還元され、金属化合物のうち金属原子が遊離して発光層にドーピングされ、発光層内に拡散し、金属原子と発光層の高分子は渾然一体となり、電子注入層と発光層は互いに絡み合い、電子注入性が高い状態となる。
ここで、陽極に電流が流れた際には、陽極の正孔が発光層に注入され、また、陰極の電子は還元保護層と電子注入層を経て発光層に注入され、正孔と電子が結合することにより発光層が発光する。
従って、還元保護層が電子注入層の金属化合物を還元することによって、発光物質の輝度及び発光効率を向上させることができる。
また、還元保護層は金属であり、陰極と発光層との間において好適な導電性が得られることから、電気光学装置の表示画面内の陰極と発光層との間の導電性が一様になり、電気光学装置の表示画面に発光の斑が生じることがない一様に発光光を得ることができる。
【０００８】
また、陰極がスパッタリング法によって形成される場合、このスパッタリング法はターゲット材の金属分子をプラズマによって基板上に物理的に衝突させるために陰極の下層にダメージを与えてしまうという欠点があるが、本発明によれば、還元保護層が発光層と陰極との間に形成されることにより発光層は保護され、プラズマによる発光層へのダメージを抑制することができる。
また、発光物質は、水分や酸素との接触によって発光寿命が低下してしまうだけでなく、ダークスポットと呼ばれる欠陥が発生しやすくなるという特性があるが、本発明によれば、還元保護層を形成することによって陰極を透過して発光層に侵入する水分や酸素を遮蔽し、発光層を保護することができる。
【０００９】
また、本発明の電気光学装置は、先に記載の電気光学装置であり、金属化合物は、アルカリ金属、アルカリ土類金属及び希土類金属のうちいずれか一つを主成分として有することを特徴とするものである。
一般に、アルカリ金属、アルカリ土類金属及び希土類金属の一部は、高融点金属のＡｌ等と比較して飽和蒸気圧が高く、酸化又は還元反応が生じるような反応温度及び圧力において、高融点金属のＡｌ（アルミニウム）等でその化合物を還元できることが知られている。例えば、ＣａＯ（酸化カルシウム）はＡｌによって還元され、金属のＣａ（カルシウム）が遊離し、また、その他にＲｂ_２Ｏ（酸化ルビジウム）やＳｒ（酸化ストロンチウム）もＡｌによって還元され、金属のＲｂ（ルビジウム）やＳｒ（ストロンチウム）が遊離する。
従って、本発明によれば、先に記載の電気光学装置と同様の効果を奏すると共に、電子注入層の金属化合物として種種の材料が好適に採用され、例えばＮａＦ（弗化ナトリウム）、ＬｉＦ（弗化リチウム）、ＣｓＦ（弗化セシウム）、ＲｂＦ（弗化ルビジウム）、Ｎａ_２Ｏ（酸化ナトリウム）、Ｌｉ_２Ｏ（酸化リチウム）、ＣａＦ_２（弗化カルシウム）、ＭｇＦ_２（弗化マグネシウム）、ＢａＦ_２（弗化バリウム）、ＳｒＦ_２（弗化ストロンチウム）、ＹｂＦ_３（弗化イッテルビウム）、ＥｒＦ_３（弗化エルビウム）、ＴｂＦ_３（弗化テルビウム）、ＳｍＦ_３（弗化サマリウム）等が好ましく、また、この金属化合物を還元する還元保護層の金属としては、Ａｌが好適に採用され、それ以外には種種の金属が採用され、例えば、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ｃｒ（クロム）、Ｃｕ（銅）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃａ、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｓｒ、Ｙｂ（イッテルビウム）、Ｅｒ（エルビウム）、Ｔｂ（テルビウム）、Ｓｍ（サマリウム）等が好ましい。
即ち、好適に還元保護層が電子注入層の金属化合物を還元することによって、発光物質の輝度及び発光効率を向上させることができる。
【００１０】
また、本発明の電気光学装置は、先に記載の電気光学装置であり、電子注入層及び還元保護層は、透明性を有する膜厚に形成されていることを特徴とするものである。
従って、本発明によれば、先に記載の電気光学装置と同様の効果を奏すると共に、電子注入層及び還元保護層によって発光光が遮光されることがなく、高輝度かつ発光効率が高い電気光学装置を提供することが可能となり、特にトップエミッション型のＥＬ表示装置を提供することが可能となる。
【００１１】
また、本発明の電気光学装置は、先に記載の電気光学装置であり、電子注入層の膜厚は１０ｎｍ以下に形成されていることが好ましく、また、還元保護層の膜厚は、５０ｎｍ以下に形成されていることが好ましい。
従って、本発明によれば、先に記載の電気光学装置と同様の効果を奏すると共に、電子注入層及び還元保護層は好適な透明性が得られる。
【００１２】
また、本発明の電気光学装置は、先に記載の電気光学装置であり、対向する電極のうち少なくとも一方は、透明性を有していること特徴とするものである。
従って、本発明によれば、先に記載の電気光学装置と同様の効果を奏する。
また、陰極が透明性を有している場合には、発光光は陰極及び封止基板を通じて発光し、いわゆるトップエミッション型電気光学装置を提供することができる。また、陽極が透明性を有している場合には、発光光は陽極及び回路素子が設けられた基板を通じて発光し、いわゆるバックエミッション型電気光学装置を提供することができる。また、陽極及び陰極が透明性を有している場合には、両面から発光する電気光学装置を提供することもできる。
なお、透明電極の金属としては、ＩＴＯが好適に採用され、また、発光効率を向上させるために、発光光を反射する反射膜を好適に設けてもよい。
【００１３】
また、更に本発明の電気光学装置の製造方法は、先に記載の電気光学装置の製造方法であり、発光層を形成する工程と、発光層の上に金属化合物を用いて電子注入層を形成する工程と、金属化合物に対する還元性及び発光層に対する保護性を有した金属を用いて電子注入層の上に還元保護層を形成する工程と、を有することを特徴とするものである。
従って、本発明よれば、先に記載の電気光学装置を製造することができるので、先に記載の電気光学装置と同様の効果を奏する。
【００１４】
また、本発明の電気光学装置の製造方法は、先に記載の電気光学装置の製造方法であり、電子注入層を形成する工程及び還元保護層を形成する工程のうち少なくとも一方は、蒸着法を用いることを特徴とするものである。
ここで、蒸着法とは、所定の温度及び圧力に保たれた真空容器内で金属を蒸発させ、金属分子を所望の基板に堆積させて薄膜を形成する方法であり、高品質の薄膜を形成するだけでなく、ナノメートルオーダーの薄膜を容易に形成する方法として知られている。
従って、本発明によれば、先に記載の電気光学装置を製造することができるので、先に記載の電気光学装置と同様の効果を奏すると共に、電子注入層又は還元保護層は高品質の薄膜となり、また、所望の膜厚に形成することができる。
【００１５】
また、本発明の電気光学装置の製造方法は、先に記載の電気光学装置の製造方法であり、還元保護層を形成する工程は、イオンプレーティング法又はイオンビーム法を用いることを特徴とするものである。
ここで、イオンプレーティング法又はイオンビーム法とは、先に記載の蒸着法に対して、蒸着法によって真空中に蒸発した金属分子をイオン化させて活性化し、薄膜を形成する方法であり、また、そのイオンの量とエネルギーを自由にコントロールすることによって、活性化した薄膜を形成する方法として知られている。
従って、本発明では、先に記載の電気光学装置を製造することができるので、先に記載の電気光学装置と同様の効果を奏する。
また、イオンプレーティング法又はイオンビーム法によって電子が注入され活性化された還元保護層が形成されるので、電子注入層の金属化合物の還元をより促進させて、還元によって遊離した金属原子を好適に発光層に拡散させることができる。
【００１６】
次に、本発明の電子機器は、本発明の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
このような電子機器としては、例えば、携帯電話機、移動体情報端末、時計、ワープロ、パソコンなどの情報処理装置などを例示することができる。このように電子機器の表示部に、本発明の表示装置を採用することによって、好適な電子機器を提供することが可能となる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下では、本発明に係る電気光学装置およびその製造方法、並びに電子機器の実施の形態について、図面を参照して説明する。なお、係る実施の形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。なお、以下に示す各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を異ならせてある。
【００１８】
〔第１の実施形態〕
本発明の電気光学装置の第１の実施形態として、電気光学物質の一例である電界発光型物質、中でも有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）材料を用いたＥＬ表示装置について説明する。図１は本実施形態に係るＥＬ表示装置の配線構造を示す模式図である。
【００１９】
図１に示すＥＬ表示装置（電気光学装置）１は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、以下では、ＴＦＴと略記する）を用いたアクティブマトリクス方式のＥＬ表示装置である。
【００２０】
このＥＬ表示装置１は、図１に示すように、複数の走査線１０１…と、各走査線１０１に対して直角に交差する方向に延びる複数の信号線１０２…と、各信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３…とがそれぞれ配線された構成を有するとともに、走査線１０１…と信号線１０２…の各交点付近に、画素領域Ｘ…が設けられている。
【００２１】
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ線駆動回路１００が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路８０が接続されている。
【００２２】
さらに、画素領域Ｘ各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ１１２と、このスイッチング用ＴＦＴ１１２を介して信号線１０２から共有される画素信号を保持する保持容量１１３と、該保持容量１１３によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ１２３と、この駆動用ＴＦＴ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに当該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（電極）２３と、この画素電極２３と陰極（電極）５０との間に挟み込まれた機能層１１０とが設けられている。画素電極２３と陰極５０と機能層１１０により、発光素子が構成されている。
【００２３】
このＥＬ表示装置１によれば、走査線１０１が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ１１２がオン状態になると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量１１３に保持され、該保持容量１１３の状態に応じて、駆動用ＴＦＴ１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１２３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極２３に電流が流れ、さらに機能層１１０を介して陰極５０に電流が流れる。機能層１１０は、これを流れる電流量に応じて発光する。
【００２４】
次に、本実施形態のＥＬ表示装置１の具体的な態様を図２〜５を参照して説明する。図２はＥＬ表示装置１の構成を模式的に示す平面図である。図３は図２のＡ−Ｂ線に沿う断面図、図４は図２のＣ−Ｄ線に沿う断面図である。図５は図３の要部拡大断面図である。
【００２５】
図２に示す本実施形態のＥＬ表示装置１は、光透過性と電気絶縁性を備える基板２０と、図示略のスイッチング用ＴＦＴに接続された画素電極が基板２０上にマトリックス状に配置されてなる図示略の画素電極域と、画素電極域の周囲に配置されるとともに各画素電極に接続される電源線１０３…と、少なくとも画素電極域上に位置する平面視ほぼ矩形の画素部３（図中一点鎖線枠内）とを具備して構成されている。また画素部３は、中央部分の実表示領域４（図中二点鎖線枠内）と、実表示領域４の周囲に配置されたダミー領域５（一点鎖線および二点鎖線の間の領域）とに区画されている。
【００２６】
実表示領域４には、それぞれ画素電極を有する表示領域Ｒ、Ｇ、ＢがＡ−Ｂ方向およびＣ−Ｄ方向に離間して配置されている。
また、実表示領域４の図中両側には、走査線駆動回路８０、８０が配置されている。この走査線駆動回路８０、８０はダミー領域５の下側に位置して設けられている。
【００２７】
更に、実表示領域４の図中上側には、検査回路９０が配置されている。この検査回路９０はダミー領域５の下側に位置して設けられている。この検査回路９０は、ＥＬ表示装置１の作動状況を検査するための回路であって、例えば検査結果を外部に出力する不図示の検査情報出力手段を備え、製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥の検査を行うことができるように構成されている。
【００２８】
走査線駆動回路８０および検査回路９０の駆動電圧は、所定の電源部から駆動電圧導通部３１０（図３参照）および駆動電圧導通部３４０（図４参照）を介して印加されている。また、これら走査線駆動回路８０および検査回路９０への駆動制御信号および駆動電圧は、このＥＬ表示装置１の作動制御を司る所定のメインドライバなどから駆動制御信号導通部３２０（図３参照）および駆動電圧導通部３５０（図４参照）を介して送信および印加されるようになっている。なお、この場合の駆動制御信号とは、走査線駆動回路８０および検査回路９０が信号を出力する際の制御に関連するメインドライバなどからの指令信号である。
【００２９】
ＥＬ表示装置１は、図３及び図４に示すように、基板２０と封止基板３０とが封止樹脂４０を介して貼り合わされている。基板２０、封止基板３０および封止樹脂４０とで囲まれた領域には、乾燥剤４５が挿入されるとともに、窒素ガスが充填された窒素ガス充填層４６が形成されており、水分及び酸素のＥＬ表示装置１内部への浸入を抑制し、ＥＬ表示装置の長寿命化を図った構成となっている。
なお乾燥剤４５に代えてゲッター剤を用いてもよい。
【００３０】
基板２０は、いわゆるトップエミッション型のＥＬ表示装置の場合には、この基板２０の対向側である封止基板３０側から発光光を取り出す構成であるので、透明基板及び不透明基板のいずれも用いることができる。不透明基板としては、例えば、アルミナ等のセラミック、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したものの他に、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などが挙げられる。
また、いわゆるバックエミッション型のＥＬ表示装置の場合には、基板２０側から発光光を取り出す構成であるので、基板２０は、透明あるいは半透明のものが採用される。例えば、ガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）等が挙げられ、特に、安価なソーダガラス基板が好適に用いられる。
【００３１】
封止基板３０は、例えば、電気絶縁性を有する板状部材を採用することができる。また、封止樹脂４０は、例えば、熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂からなるものであり、特に熱硬化樹脂の一種であるエポキシ樹脂よりなることが好ましい。
【００３２】
また、基板２０上には、画素電極２３を駆動するための駆動用ＴＦＴ１２３などを含む回路部１１が形成され、その上に機能層１１０が設けられている。機能層１１０は、図５に示すように、画素電極２３と、この画素電極２３から正孔を注入／輸送可能な正孔注入／輸送層７０と、電気光学物質の一つである有機ＥＬ物質を備える有機ＥＬ層（発光層）６０と、有機ＥＬ層６０に対して電子を注入する電子注入層５２と、電子注入層５２の金属化合物を還元させ、かつ、発光層２３を保護する還元保護層５４と、陰極５０とが順に形成されている。
このように機能層１１０が構成されることにより、有機ＥＬ層６０においては、正孔注入／輸送層７０から注入された正孔と、陰極５０からの電子とが結合して発光光が発生するようになっている。
【００３３】
正孔注入／輸送層７０を形成するための材料としては、例えばポリチオフェン誘導体、ポリピロール誘導体など、または、それらのドーピング体などが採用できる。より具体的には、例えば、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの一種であるバイトロン−ｐ（Ｂｙｔｒｏｎ−ｐ：バイエル社製）などを好適に用いることができる。
【００３４】
有機ＥＬ層６０を形成するための材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料を用いることができる。具体的には、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系などが好適に用いられる。
また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料、例えば、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることができる。
【００３５】
電子注入層５２は、陰極５０の電子を有機ＥＬ層６０に注入するものであり、その膜厚は１０ｎｍ以下に形成され、透明性を有している。
この電子注入層５２を構成する金属化合物は、金属弗化物、金属塩化物、金属酸化物及び金属他錯体化合物等の少なくとも１つが採用され、還元保護層５４によって還元されやすい金属化合物が好ましい。電子注入層５２の表面に還元保護層５４を形成することで、電子注入層５２の金属化合物は、還元保護層５４によって還元され、金属原子が遊離して有機ＥＬ層６０にドーピングされ、有機ＥＬ層６０内に拡散し、この金属原子と有機ＥＬ層の高分子は渾然一体となり、電子注入層５２と有機ＥＬ層６０は互いに絡み合い、電子注入性が高い状態となる。電子注入層５２を形成するための材料としては、ＬｉＦが好適に採用され、それ以外には種種の金属が採用され、例えばＮａＦ、ＣｓＦ、ＲｂＦ、Ｎａ_２Ｏ、Ｌｉ_２Ｏ、ＣａＦ_２、ＭｇＦ_２、ＢａＦ_２、ＳｒＦ_２、ＹｂＦ_３、ＥｒＦ_３、ＴｂＦ_３、ＳｍＦ_３等を用いることができる。
また、電子注入層５２は、上記金属化合物を蒸発源とする蒸着法、又は上記金属化合物のターゲット材を用いたスパッタリング法、或いは上記金属化合物を含有する反応性ガスを用いるＣＶＤ法などにより形成される。
【００３６】
還元保護層５４は、上記の電子注入層５２の金属化合物に対する還元性を有するだけでなく、陰極５０を形成する際のプラズマダメージ及び陰極５０を透過して侵入する水分や酸素から有機ＥＬ層６０を保護し、また、導電性を有していることから、ＥＬ表示装置１の表示画面内の陰極５０と有機ＥＬ層６０との間の導電性が一様になり、ＥＬ表示装置１の表示画面に発光の斑が生じることなく、一様に発光させるようになっている。
また、この還元保護層５４は、その膜厚は５０ｎｍ以下に形成され、透明性を有している。
還元保護層５４を形成するための材料としては、Ａｌが好適に採用され、それ以外には種種の金属が採用され、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｔｂ、Ｓｍ等が好ましい。
また、還元保護層５４は、上記金属を蒸発源とする蒸着法、上記金属のターゲット材を用いたスパッタリング法、上記金属を含有する反応性ガスを用いるＣＶＤ法、或いは還元保護層５４の活性化を図ったイオンプレーティング法やイオンビーム法などにより形成される。
【００３７】
陰極５０は、図３〜５に示すように、実表示領域４およびダミー領域５の総面積より広い面積を備え、それぞれを覆うように形成されている。
陰極５０を形成するための材料としては、いわゆるトップエミッション型のＥＬ表示装置の場合には、透明性を備えた公知の材料として、ＩＴＯが好適に採用される。その他の透明性を備えた金属として、金属酸化物に亜鉛（Ｚｎ）を含有した材料、例えば、酸化インジウム・酸化亜鉛系アモルファス透明導電膜（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ：ＩＺＯ／アイ・ゼット・オー）（登録商標））（出光興産社製）等を採用することができる。
また、いわゆるバックエミッション型のＥＬ表示装置の場合には、特に光透過性を備えた材料を採用する必要はなく、好適な材料であればよい。
このような陰極５０は、上記の材料のターゲット材を用いたスパッタリング法、或いは上記材料を含有する反応性ガスを用いるＣＶＤ法などにより形成される。
【００３８】
次に、実表示領域４に設けられた駆動用ＴＦＴ１２３の近傍の構成について、図５を参照して説明する。図５は画素領域Ｘを図２のＡ−Ｂ方向に沿った断面を示している。
図５に示すように、基板２０の表面には、ＳｉＯ_２を主体とする下地保護層２８１を下地として、その上層にはシリコン層２４１が形成されている。このシリコン層２４１の表面は、ＳｉＯ_２および／またはＳｉＮを主体とするゲート絶縁層２８２によって覆われている。なお、本明細書において、「主体」とする成分とは、構成成分のうち最も含有率の高い成分を指すこととする。
【００３９】
そして、このシリコン層２４１のうち、ゲート絶縁層２８２を挟んでゲート電極２４２と重なる領域がチャネル領域２４１ａとされている。なお、このゲート電極２４２は図示略の走査線１０１の一部である。一方、シリコン層２４１を覆い、ゲート電極２４２が形成されたゲート絶縁層２８２の表面は、ＳｉＯ_２を主体とする第１層間絶縁層２８３によって覆われている。
【００４０】
また、シリコン層２４１のうち、チャネル領域２４１ａのソース側には低濃度ソース領域２４１ｂおよび高濃度ソース領域２４１Ｓが設けられる一方、チャネル領域２４１ａのドレイン側には低濃度ドレイン領域２４１ｃおよび高濃度ドレイン領域２４１Ｄが設けられて、いわゆるＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔ　Ｄｏｐｅｄ　Ｄｒａｉｎ）構造となっている。これらのうち、高濃度ソース領域２４１Ｓは、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とにわたって開孔するコンタクトホール２４３ａを介して、ソース電極２４３に接続されている。このソース電極２４３は、上述した電源線１０３（図１参照、図５においてはソース電極２４３の位置に紙面垂直方向に延在する）の一部として構成される。一方、高濃度ドレイン領域２４１Ｄは、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とにわたって開孔するコンタクトホール２４４ａを介して、ソース電極２４３と同一層からなるドレイン電極２４４に接続されている。
【００４１】
ソース電極２４３およびドレイン電極２４４が形成された第１層間絶縁層２８３の上層は、例えばアクリル系の樹脂成分を主体とする第２層間絶縁層２８４によって覆われている。この第２層間絶縁層２８４は、アクリル系の絶縁膜以外の材料、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ_２などを用いることもできる。そして、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）からなる画素電極２３が、この第２層間絶縁層２８４の面上に形成されるとともに、当該第２層間絶縁層２８４に設けられたコンタクトホール２３ａを介してドレイン電極２４４に接続されている。すなわち、画素電極２３は、ドレイン電極２４４を介して、シリコン層２４１の高濃度ドレイン領域２４１Ｄに接続されている。
【００４２】
なお、走査線駆動回路８０および検査回路９０に含まれるＴＦＴ（駆動回路用ＴＦＴ）、すなわち、例えばこれらの駆動回路のうち、シフトレジスタに含まれるインバータを構成するＮチャネル型又はＰチャネル型のＴＦＴは、画素電極２３と接続されていない点を除いて上記駆動用ＴＦＴ１２３と同様の構造とされている。
【００４３】
画素電極２３が形成された第２層間絶縁層２８４の表面は、画素電極２３と、例えばＳｉＯ_２などの親液性材料を主体とする親液性制御層２５と、アクリルやポリイミドなどからなる有機バンク層２２１とによって覆われている。そして、画素電極２３には親液性制御層２５に設けられた開口部２５ａ、および有機バンク２２１に設けられた開口部２２１ａの開口内部に、正孔注入／輸送層７０と、有機ＥＬ層６０とが画素電極２３側からこの順で積層されている。なお、本実施形態における親液性制御層２５の「親液性」とは、少なくとも有機バンク層２２１を構成するアクリル、ポリイミドなどの材料と比べて親液性が高いことを意味するものとする。
以上に説明した基板２０から第２層間絶縁層２８４までの層は回路部１１を構成している。
【００４４】
また、本実施形態のＥＬ表示装置１は、カラー表示を行うべく、各有機ＥＬ層６０が、その発光波長帯域が光の三原色にそれぞれ対応して形成されている。例えば、有機ＥＬ層６０として、発光波長帯域が赤色に対応した赤色用有機ＥＬ層６０Ｒ、緑色に対応した緑色用有機ＥＬ層６０Ｇ、青色に対応した青色用有機ＥＬ層６０Ｂとをそれぞれに対応する表示領域Ｒ、Ｇ、Ｂに設け、これら表示領域Ｒ、Ｇ、Ｂをもってカラー表示を行う１画素が構成されている。また、各色表示領域の境界には、金属クロムをスパッタリングなどにて成膜した図示略のＢＭ（ブラックマトリクス）が、有機バンク層２２１と親液性化制御層２５との間に位置して形成されている。
【００４５】
次に、本実施形態に係るＥＬ表示装置１の製造方法の一例として、トップエミッション型ＥＬ表示装置の製造方法について、図６〜１０を参照して説明する。なお、図６〜１０に示す各断面図は、図２中のＡ−Ｂ線の断面図に対応しており、各製造工程順に示している。
【００４６】
まず、図６（ａ）に示すように、基板２０の表面に、下地保護層２８１を形成する。次に、下地保護層２８１上に、ＩＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法などを用いてアモルファスシリコン層５０１を形成した後、レーザアニール法又は急速加熱法により結晶粒を成長させてポリシリコン層とする。
【００４７】
次いで、図６（ｂ）に示すように、ポリシリコン層をフォトリソグラフィ法によりパターニングし、島状のシリコン層２４１、２５１および２６１を形成する。これらのうちシリコン層２４１は、表示領域内に形成され、画素電極２３に接続される駆動用ＴＦＴ１２３を構成するものであり、シリコン層２５１、２６１は、走査線駆動回路８０に含まれるＰチャネル型およびＮチャネル型のＴＦＴ（駆動回路用ＴＦＴ）をそれぞれ構成するものである。
【００４８】
次に、プラズマＣＶＤ法、熱酸化法などにより、シリコン層２４１、２５１および２６１、下地保護層２８１の全面に厚さが約３０ｎｍ〜２００ｎｍのシリコン酸化膜によって、ゲート絶縁層２８２を形成する。ここで、熱酸化法を利用してゲート絶縁層２８２を形成する際には、シリコン層２４１、２５１および２６１の結晶化も行い、これらのシリコン層をポリシリコン層とすることができる。
【００４９】
また、シリコン層２４１、２５１および２６１にチャネルドープを行う場合には、例えば、このタイミングで約１×１０^１２ｃｍ^−２のドーズ量でボロンイオンを打ち込む。その結果、シリコン層２４１、２５１および２６１は、不純物濃度（活性化アニール後の不純物にて算出）が約１×１０^１７ｃｍ^−３の低濃度Ｐ型のシリコン層となる。
【００５０】
次に、Ｐチャネル型ＴＦＴ、Ｎチャネル型ＴＦＴのチャネル層の一部にイオン注入選択マスクを形成し、この状態でリンイオンを約１×１０^１５ｃｍ^−２のドーズ量でイオン注入する。その結果、パターニング用マスクに対してセルフアライン的に高濃度不純物が導入されて、図７（ｃ）に示すように、シリコン層２４１及び２６１中に高濃度ソース領域２４１Ｓおよび２６１Ｓ並びに高濃度ドレイン領域２４１Ｄおよび２６１Ｄが形成される。
【００５１】
次に、図６（ｃ）に示すように、ゲート絶縁層２８２の表面全体に、ドープドシリコンやシリサイド膜、或いはアルミニウム膜やクロム膜、タンタル膜という金属膜からなるゲート電極形成用導電層５０２を形成する。この導電層５０２の厚さは概ね５００ｎｍ程度である。その後、パターニング法により、図６（ｄ）に示すように、Ｐチャネル型の駆動回路用ＴＦＴを形成するゲート電極２５２、画素用ＴＦＴを形成するゲート電極２４２、Ｎチャネル型の駆動回路用ＴＦＴを形成するゲート電極２６２を形成する。また、駆動制御信号導通部３２０（３５０）、陰極電源配線の第１層１２１も同時に形成する。なお、この場合、駆動制御信号導通部３２０（３５０）はダミー領域５に配設するものとされている。
【００５２】
続いて、図６（ｄ）に示すように、ゲート電極２４２，２５２および２６２をマスクとして用い、シリコン層２４１，２５１および２６１に対してリンイオンを約４×１０^１３ｃｍ^−２のドーズ量でイオン注入する。その結果、ゲート電極２４２，２５２および２６２に対してセルフアライン的に低濃度不純物が導入され、図７（ｃ）および（ｄ）に示すように、シリコン層２４１および２６１中に低濃度ソース領域２４１ｂおよび２６１ｂ、並びに低濃度ドレイン領域２４１ｃおよび２６１ｃが形成される。また、シリコン層２５１中に低濃度不純物領域２５１Ｓおよび２５１Ｄが形成される。
【００５３】
次に、図７（ｅ）に示すように、Ｐチャネル型の駆動回路用ＴＦＴ２５２以外の部分を覆うイオン注入選択マスク５０３を形成する。このイオン注入選択マスク５０３を用いて、シリコン層２５１に対してボロンイオンを約１．５×１０^１５ｃｍ^−２のドーズ量でイオン注入する。結果として、Ｐチャネル型駆動回路用ＴＦＴを構成するゲート電極２５２もマスクとして機能するため、シリコン層２５２中にセルフアライン的に高濃度不純物がドープされる。従って、低濃度不純物領域２５１Ｓおよび２５１Ｄはカウンタードープされ、Ｐ型チャネル型の駆動回路用ＴＦＴのソース領域およびドレイン領域となる。
【００５４】
次いで、図７（ｆ）に示すように、基板２０の全面にわたって第１層間絶縁層２８３を形成するとともに、フォトリソグラフィ法を用いて当該第１層間絶縁層２８３をパターニングすることによって、各ＴＦＴのソース電極およびドレイン電極に対応する位置にコンタクトホールＣを形成する。
【００５５】
次に、図７（ｇ）に示すように、第１層間絶縁層２８３を覆うように、アルミニウム、クロム、タンタルなどの金属からなる導電層５０４を形成する。この導電層５０４の厚さは概ね２００ｎｍないし８００ｎｍ程度である。この後、導電層５０４のうち、各ＴＦＴのソース電極およびドレイン電極が形成されるべき領域２４０ａ、駆動電圧導通部３１０（３４０）が形成されるべき領域３１０ａ、陰極電源配線の第２層が形成されるべき領域１２２ａを覆うようにパターニング用マスク５０５を形成するとともに、当該導電層５０４をパターニングして、図８（ｈ）に示すソース電極２４３、２５３、２６３、ドレイン電極２４４、２５４、２６４を形成する。
【００５６】
次いで、図８（ｉ）に示すように、これらが形成された第１層間絶縁層２８３を覆う第２層間絶縁層２８４を、例えばアクリル系樹脂などの高分子材料によって形成する。この第２層間絶縁層２８４は、約１〜２μｍ程度の厚さに形成されることが望ましい。なお、ＳｉＮ、ＳｉＯ_２により第２層間絶縁膜を形成する事も可能であり、ＳｉＮの膜厚としては２００ｎｍ、ＳｉＯ_２の膜厚としては８００ｎｍに形成することが望ましい。
【００５７】
次いで、図８（ｊ）に示すように、第２層間絶縁層２８４のうち、駆動用ＴＦＴのドレイン電極２４４に対応する部分をエッチングにより除去してコンタクトホール２３ａを形成する。
その後、基板２０の全面を覆うように画素電極２３となる導電膜を形成する。そして、この透明導電膜をパターニングすることにより、図９（ｋ）に示すように、第２層間絶縁層２８４のコンタクトホール２３ａを介してドレイン電極２４４と導通する画素電極２３を形成すると同時に、ダミー領域のダミーパターン２６も形成する、なお、図３、４では、これら画素電極２３、ダミーパターン２６を総称して画素電極２３としている。
なお、画素電極２３をＩＴＯなどの透明電極材料で形成し、画素電極２３の下面に発光光を反射する反射膜を形成して、有機ＥＬ層６０の発光光を効率的に陰極５０側に取り出せるようにしてもよい。
【００５８】
ダミーパターン２６は、第２層間絶縁層２８４を介して下層のメタル配線へ接続しない構成とされている。すなわち、ダミーパターン２６は、島状に配置され、実表示領域に形成されている画素電極２３の形状とほぼ同一の形状を有している。もちろん、表示領域に形成されている画素電極２３の形状と異なる構造であってもよい。なお、この場合、ダミーパターン２６は少なくとも上記駆動電圧導通部３１０（３４０）の上方に位置するものも含むものとする。
【００５９】
次いで、図９（ｌ）に示すように、画素電極２３、ダミーパターン２６上、および第２層間絶縁膜上に絶縁層である親液性制御層２５を形成する。なお、画素電極２３においては一部が開口する態様にて親液性制御層２５を形成し、開口部２５ａ（図３も参照）において画素電極２３からの正孔移動が可能とされている。逆に、開口部２５ａを設けないダミーパターン２６においては、絶縁層（親液性制御層）２５が正孔移動遮蔽層となって正孔移動が生じないものとされている。
【００６０】
次いで、図９（ｌ）に示すように、親液性制御層２５において、異なる２つの画素電極２３の間に位置して形成された凹状部にＢＭを形成する。具体的には、親液性制御層２５の上記凹状部に対して、金属クロムを用いスパッタリング法にて成膜する。
【００６１】
次いで、図９（ｍ）に示すように、親液性制御層２５の所定位置、詳しくは上記ＢＭを覆うように有機バンク層２２１を形成する。具体的な有機バンク層の形成方法としては、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂などのレジストを溶媒に溶かしたものを、スピンコート法、ディップコート法などの各種塗布法により塗布して有機質層を形成する。なお、有機質層の構成材料は、後述するインクの溶媒に溶解せず、しかもエッチングなどによってパターニングし易いものであればどのようなものでもよい。
【００６２】
次いで、有機質層をフォトリソグラフィ技術などにより同時にエッチングして、有機質物のバンク開口部２２１ａを形成し、開口部２２１ａに壁面を備えた有機バンク層２２１を形成する。なお、この場合、有機バンク層２２１は少なくとも上記駆動制御信号導通部３２０の上方に位置するものを含むものとされる。
【００６３】
次いで、有機バンク層２２１の表面に、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域とを形成する。本実施形態においてはプラズマ処理工程により、各領域を形成するものとしている。具体的には、該プラズマ処理工程は、予備加熱工程と、有機バンク層２２１の上面および開口部２２１ａの壁面ならびに画素電極２３の電極面２３ｃ、親液性制御層２５の上面を親液性にする親インク化工程と、有機バンク層の上面および開口部の壁面を撥液性にする撥インク化工程と、冷却工程とを具備している。
【００６４】
すなわち、基材（バンクなどを含む基板２０）を所定温度、例えば７０〜８０℃程度に加熱し、次いで親インク化工程として大気雰囲気中で酸素を反応ガスとするプラズマ処理（Ｏ_２プラズマ処理）を行う。次いで、撥インク化工程として大気雰囲気中で４フッ化メタンを反応ガスとするプラズマ処理（ＣＦ_４プラズマ処理）を行い、その後、プラズマ処理のために加熱された基材を室温まで冷却することで、親液性および撥液性が所定箇所に付与されることとなる。
【００６５】
なお、このＣＦ_４プラズマ処理においては、画素電極２３の電極面２３ｃおよび親液性制御層２５についても多少の影響を受けるが、画素電極２３の材料であるＩＴＯおよび親液性制御層２５の構成材料であるＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２などはフッ素に対する親和性に乏しいため、親インク化工程で付与された水酸基がフッ素基で置換されることがなく、親液性が保たれる。
【００６６】
次いで、図１０（ｎ）に示す正孔注入／輸送層７０を形成するべく正孔注入／輸送層形成工程が行われる。正孔注入／輸送層形成工程では、インクジェット法により、正孔注入／輸送層材料を含む材料インクを電極面２３ｃ上に吐出した後に、乾燥処理および熱処理を行い、電極２３上に正孔注入／輸送層７０を形成する。なお、この正孔注入／輸送層形成工程以降は、正孔注入／輸送層７０および有機ＥＬ層６０の酸化を防止すべく、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気などの不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。
このようなインクジェット法によれば、インクジェットヘッド（図示略）に正孔注入／輸送層材料を含む材料インクを充填し、インクジェットヘッドの吐出ノズルを親液性制御層２５に形成された上記開口部２５ａ内に位置する電極面２３ｃに対向させ、インクジェットヘッドと基材（基板２０）とを相対移動させながら、吐出ノズルから１滴当たりの液量が制御された液滴を電極面２３ｃに吐出する。次に、吐出後の液滴を乾燥処理して材料インクに含まれる極性溶媒を蒸発させることにより、正孔注入／輸送層７０が形成される。
材料インクとしては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェンなどのポリチオフェン誘導体と、ポリスチレンスルホン酸などの混合物を、イソプロピルアルコールなどの極性溶媒に溶解させたものを用いることができる。ここで、吐出された液滴は、親インク処理された電極面２３ｃ上に広がり、親液性制御層２５の開口部２５ａ内に満たされる。その一方で、撥インク処理された有機バンク層２２１の上面では、液滴がはじかれて付着しない。従って、液滴が所定の吐出位置からはずれて有機バンク層２２１の上面に吐出されたとしても、該上面が液滴で濡れることがなく、弾かれた液滴が親液性制御層２５の開口部２５ａ内に転がり込む。
【００６７】
次いで、図１０（ｎ）に示すように、有機ＥＬ層６０を形成すべく発光層形成工程が行われる。発光層形成工程では、上記と同様のインクジェット法により、発光層用材料を含む材料インクを正孔注入／輸送層７０上に吐出した後に乾燥処理および熱処理して、有機バンク層２２１に形成された開口部２２１ａ内に有機ＥＬ層６０を形成する。
【００６８】
発光層形成工程では、正孔注入／輸送層７０の再溶解を防止するために、発光層形成の際に用いる材料インクの溶媒として、正孔注入／輸送層７０に対して不溶な無極性溶媒を用いる。
この発光層形成工程としては、例えばインクジェットヘッド（図示略）に、青色（Ｂ）発光層の材料を含有する材料インクを充填し、インクジェットヘッドの吐出ノズルを絶縁層（親液性制御層）２５の開口部２５ａ内に位置する正孔注入／輸送層７０に対向させ、インクジェットヘッドと基材とを相対移動させながら、吐出ノズルから１滴当たりの液量が制御された液滴として吐出し、この液滴を正孔注入／輸送層７０上に吐出する。
【００６９】
吐出された液滴は、正孔注入／輸送層７０上に広がって親液性制御層２５の開口部２５ａ内に満たされる。その一方で、撥インク処理された有機バンク層２２１上面では、液滴が弾かれて付着しない。これにより、液滴が所定の吐出位置からはずれて有機バンク層２２１上面に吐出されたとしても、該上面が液滴で濡れることがなく、液滴が上記親液性制御層２５の開口部２５ａ内に転がり込み、さらに有機バンク層２２１の開口部２２１ａ内に吐出・充填される。次いで、吐出後の液滴を乾燥処理することにより材料インクに含まれる無極性溶媒を蒸発させ、有機ＥＬ層６０が形成される。なお、各色の有機ＥＬ層６０は、それぞれ各色表示領域Ｒ、Ｇ、Ｂ（図５参照）に対応して液滴が滴下される。
【００７０】
ここで、正孔注入／輸送層７０、有機ＥＬ層６０をそれぞれインクジェットプロセスにより形成するが、この際、インクジェットヘッドは発光ドット間のピッチにより傾き方向を制御している。
【００７１】
次いで、図１０（ｎ）に示すように、有機ＥＬ層６０上に電子注入層５２と還元保護層５４を形成すべく電子注入層形成工程と還元保護膜形成工程が行われ、この工程においては蒸着法が用いられる。
ここで、蒸着法とは、所定の温度及び圧力に保たれた真空容器内で金属を蒸発させ、金属分子を所望の基板に堆積させて薄膜を形成する方法であり、高品質の薄膜を形成するだけでなく、ナノメートルオーダーの薄膜を容易に形成する方法である。
この蒸着法により、電子注入層５２は、膜厚が１０ｎｍ以下となるように形成され、また、還元保護層５４は、膜厚が５０ｎｍ以下となるように形成され、いずれも透明性を有した薄膜となる。
【００７２】
ここで、電子注入層５２としてＬｉＦが採用され、還元保護層５４としてＡｌが採用された場合について説明する。
所定の温度及び圧力に維持された真空雰囲気となっている蒸着容器（図示略）において、電子注入層５２のＬｉＦの表面に還元保護層５４のＡｌが形成され、ＬｉＦとＡｌが接触することにより、Ａｌによって還元反応が生じ、ＬｉＦからＬｉ原子が遊離する。更にＬｉ原子は、有機ＥＬ層６０にドーピングされて拡散し、Ｌｉ原子と有機ＥＬ層６０の高分子は渾然一体となり、電子注入層５２と有機ＥＬ層６０は互いに絡み合い、電子注入性が高い状態になる。
【００７３】
また、還元保護層５４のＡｌは導電性金属であるので、ＥＬ表示装置１の表示画面内における陰極５０と有機ＥＬ層６０との間の電圧降下のバラツキが小さくなる。更に、還元保護層５４によって有機ＥＬ層６０に侵入する水分や酸素を遮蔽し、有機ＥＬ層６０を保護する。
【００７４】
続いて、図１０（ｏ）に示すように、陰極５０を形成すべく陰極層形成工程が行われ、この陰極層形成工程はスパッタリング法が用いられ、陰極５０の材料としては透明導電膜となるＩＴＯが用いられ、膜厚が１００ｎｍとなるように形成される。
このスパッタリング法においては、ＩＴＯのターゲット材の金属分子をプラズマによって有機ＥＬ層６０の上層に対して物理的に衝突させるため、陰極５０の下層にダメージを与えてしまうという恐れがあるが、陰極５０の下層には有機ＥＬ層６０を保護する還元保護層５４が形成されているので、上記スパッタリング法による有機ＥＬ層６０へのダメージは抑制される。
【００７５】
最後に、図１０（ｏ）に示すように、封止基板３０を形成すべく封止工程を行う。この封止工程では、封止基板３０の内側に乾燥剤４５を挿入しつつ、該封止基板３０と基板２０とを接着剤４０にて封止する。なお、この封止工程は、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行うことが好ましい。
【００７６】
本実施形態のＥＬ表示装置１によれば、電子注入層５２のＬｉＦ及び還元保護層５４のＡｌを形成したことにより、還元したＬｉ原子が有機ＥＬ層６０にドーピングされるので、電子注入層５２の電子注入性を向上させて、有機ＥＬ層６０のＥＬ物質の輝度及び発光効率を向上させることができるという利点がある。
また、還元保護層５４によって陰極５０と有機ＥＬ層６０との間において好適な導電性が得られることから、ＥＬ表示装置１の表示画面内の陰極５０と有機ＥＬ層６０との間の導電性が一様になり、ＥＬ表示装置１の表示画面に発光の斑が生じることなく、一様に発光させることができるという利点がある。
また、有機ＥＬ層６０に侵入する水分や酸素を遮蔽し、有機ＥＬ層６０を保護するので、有機ＥＬ層６０の発光寿命の低下及びダークスポットの発生を抑制することができ、更に、陰極５０をスパッタリング法で形成する際のプラズマによる有機ＥＬ層６０へのダメージを抑制することができるので、高輝度及び長寿命
のＥＬ表示装置を提供することができるという利点がある。
また、電子注入層５２及び還元保護層５４は、透明性を有する膜厚に好適に形成されるので、有機ＥＬ層６０の発光光を陰極５０側から取り出すことができるという利点がある。
また、電子注入層５２及び還元保護層５４は、蒸着法によって形成されるので、高品質の薄膜を形成することができ、また、所望の膜厚に形成することができるという利点がある。
【００７７】
なお、本実施形態においては、陰極５０から発光光を取り出すトップエミッション型のＥＬ表示装置について説明したが、本発明は、トップエミッション型ＥＬ表示装置に限ることはなく、画素電極２３をＩＴＯ等の透明電極材料で形成することによって基板２０側から発光光を取り出す、いわゆるバックエミッション型のＥＬ表示装置を好適に作ることができる。
【００７８】
次に本実施形態の変形例を説明する。
本変形例では、以上に説明したＥＬ表示装置１の製造方法において、還元保護層５４をイオンプレーティング法又はイオンビーム法によって形成したものであり、それ以外は上記に説明した製造方法と同様である。
【００７９】
このイオンプレーティング法又はイオンビーム法は、先に記載の蒸着法のように真空中で蒸発させたＬｉＦやＡｌ等の金属分子を堆積させる方法に対して、蒸着法によって真空中に蒸発したこれらの金属分子をイオン化させて活性化し、これを堆積させるものである。また、そのイオンの量とエネルギーを自由にコントロールすることによって、所望の薄膜を形成することができるものである。
【００８０】
このようなイオンプレーティング法又はイオンビーム法によって還元保護膜５４に電子を過剰に注入して形成することにより、還元保護膜５４はより活性化し、電子注入層５２のＬｉＦの還元が促進されるので、電子注入層５２の電子注入性が更に向上する。
従って、先に記載の効果を奏すると共に、電子注入性が更に向上した高輝度なＥＬ表示装置を提供することができるという利点がある。
【００８１】
〔第２の実施形態〕
以下、第１の実施形態のＥＬ表示装置を備えた電子機器の具体例について図１１に基づき説明する。
図１１（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１１（ａ）において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は前記のＥＬ表示装置を用いた表示部を示している。
図１１（ｂ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１１（ｂ）において、符号１１００は時計本体を示し、符号１１０１は前記のＥＬ表示装置を用いた表示部を示している。
図１１（ｃ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１１（ｃ）において、符号１２００は情報処理装置、符号１２０１はキーボードなどの入力部、符号１２０２は前記のＥＬ表示装置を用いた表示部、符号１２０３は情報処理装置本体を示している。
【００８２】
図１１（ａ）〜（ｃ）に示すそれぞれの電子機器は、前記の第１の実施形態のＥＬ表示装置を用いた表示部を備えたものであり、先の第１の実施形態のＥＬ表示装置の特徴を有するので、好適な電子機器となる。
これらの電子機器を製造するには、第１、２または３の実施形態のＥＬ表示装置１を、携帯電話、携帯型情報処理装置、腕時計型電子機器などの各種電子機器の表示部に組み込むことにより製造される。
【００８３】
【発明の効果】
以上に述べたように、本発明に係る電気光学装置によれば、電子注入層の電子注入性が向上し、発光層の輝度及び発光効率を向上させることができるという効果を奏する。
また、電気光学装置の表示画面内においては、表示画面を一様に発光させることができるという効果を奏する。
また、発光層を水分や酸素の侵入から保護し、発光層の発光寿命の低下及びダークスポットの発生を抑制することができるという効果を奏する。
また、陰極を形成する際のプラズマによる発光層へのダメージを抑制することができるという効果を奏する。
電子注入層及び還元保護層は、透明性を有する膜厚に形成されるのでトップエミッション型の電気光学装置を提供することができるという効果を奏する。
【００８４】
また、本発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、蒸着法によって好適な電子注入層又は還元保護層を形成することができるという効果を奏する。
また、電子注入層を活性化させて、電子注入性を向上させることができるという効果を奏する。
【００８５】
本発明に係る電子機器によれば、本発明に係る電気光学装置を備えるので本発明に係る電気光学装置と同様の効果を備えた電子機器となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態の、ＥＬ表示装置の配線構造を示す模式図である。
【図２】本発明の第１の実施形態の、ＥＬ表示装置の構成を模式的に示す平面図である。
【図３】図２のＡ−Ｂ線に沿う断面図である。
【図４】図２のＣ−Ｄ線に沿う断面図である。
【図５】図３の要部拡大断面図である。
【図６】本発明の第１の実施形態の、ＥＬ表示装置の製造方法を説明する工程図である。
【図７】図６に続く本発明にの第１の実施形態の、ＥＬ表示装置の製造方法を説明する工程図である。
【図８】図７に続く本発明の第１の実施形態の、ＥＬ表示装置の製造方法を説明する工程図である。
【図９】図８に続く本発明の第１の実施形態の、ＥＬ表示装置の製造方法を説明する工程図である。
【図１０】図９に続く本発明の第１の実施形態の、ＥＬ表示装置の製造方法を説明する工程図である。
【図１１】本発明の第２の実施形態の電子装置を示す斜視図である。
【符号の説明】
１　ＥＬ表示装置（電気光学装置）
２３　画素電極（電極）
５０　陰極（電極）
５２　電子注入層
５４　還元保護層
６０　有機ＥＬ層（発光層）
１０００、１１００、１２００　電子機器

Claims

対向する電極間に、発光層と、電子注入層と、還元保護層とが形成された電気光学装置であって、
前記電子注入層は、金属化合物によって形成されており、前記還元保護層は、前記金属化合物に対する還元性及び前記発光層に対する保護性を有した金属であることを特徴とする電気光学装置。
請求項１記載の電気光学装置において、
前記金属化合物は、アルカリ金属、アルカリ土類金属及び希土類金属のうちいずれか一つを主成分として有することを特徴とする電気光学装置。
請求項１又は請求項２記載の電気光学装置において、
前記電子注入層及び前記還元保護層は、透明性を有する膜厚に形成されていることを特徴とする電気光学装置。
請求項３記載の電気光学装置において、
前記電子注入層の膜厚は、１０ｎｍ以下に形成されていることを特徴とする電気光学装置。
請求項３記載の電気光学装置において、
前記還元保護層の膜厚は、５０ｎｍ以下に形成されていることを特徴とする電気光学装置。
請求項１から請求項３のうちいずれかに記載の電気光学装置において、
前記対向する電極のうち少なくとも一方は、透明性を有していること特徴とする電気光学装置。
対向する電極間に、発光層と、電子注入層と、還元保護層とが形成された電気光学装置の製造方法であって、
前記発光層を形成する工程と、
前記発光層の上に、金属化合物を用いて前記電子注入層を形成する工程と、
前記金属化合物に対する還元性及び前記発光層に対する保護性を有した金属を用いて前記電子注入層の上に前記還元保護層を形成する工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
請求項７記載の電気光学装置の製造方法において、
前記電子注入層を形成する工程及び前記還元保護層を形成する工程のうち少なくとも一方は、蒸着法を用いることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
請求項７記載の電気光学装置の製造方法において、
前記還元保護層を形成する工程は、イオンプレーティング法又はイオンビーム法を用いることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
請求項１から請求項６のうちいずれかに記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。