JP2006004930A - 有機電界発光表示素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】有機EL表示素子は、基板102上に、有機発光層110を挟んで互いに交差するように形成されたアノード電極104及びカソード電極112と、アノード電極104と交差するように形成され、カソード電極112と並設される隔壁と、アノード電極104上において発光領域を画定し、外部光を遮断する導電性遮光膜106と、導電性遮光膜106を覆うように形成され、発光領域を画定する絶縁膜107とを備える。導電性遮光膜106は、不透明導電性物質で形成されることにより、透明基板102及びアノード電極104を通して入射される外部光を遮断又は吸収する。
【選択図】図4
Description
図4に示す有機EL表示素子は、基板102上に、有機発光層110を挟んで互いに交差するように形成されたアノード電極104及びカソード電極112と、アノード電極104と交差するように形成され、カソード電極112と並設される隔壁(図示せず)と、アノード電極104上において発光領域を定義し、外部光を遮断する導電性遮光膜106と、導電性遮光膜106を覆うように形成され、発光領域を画定する絶縁膜107とを備える。
導電性遮光膜106は、図5に示すように、アノード電極104よりも広い幅でアノード電極104を覆うように形成されると共に、アノード電極104を部分的に露出させる開口部106aを持つ。また、それぞれの導電性遮光膜106は、互いに電気的に分離されているため、アノード電極104間に導通されない。
4、104 アノード電極
8 隔壁
10、110 有機発光層
12、112 カソード電極
106 導電性遮光膜
Claims (9)
- 多数のアノード電極と、
導電性を有し、前記アノード電極が互いに絶縁されるように、前記アノード電極上に分離パターンで形成される導電性遮光膜と、
を備えることを特徴とする有機電界発光表示素子。 - 前記導電性遮光膜は、前記アノード電極を部分的に露出させて発光領域を画定することを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示素子。
- 前記アノード電極上に形成された有機発光層と、
前記アノード電極と交差するように形成された隔壁と、
前記有機発光層を挟んで前記アノード電極と交差するように形成されたカソード電極と、
をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示素子。 - 前記導電性遮光膜は、不透明物質を含むことを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示素子。
- 前記導電性遮光膜の抵抗率は、20〜200[μΩ.cm]程度であることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示素子。
- 基板上に多数のアノード電極を形成する段階と、
前記アノード電極の形成された基板上に、導電性を有し、前記アノード電極間が絶縁されるように、前記アノード電極上に分離パターンで導電性遮光膜を形成する段階と、
を含むことを特徴とする有機電界発光表示素子の製造方法。 - 前記導電性遮光膜は、前記アノード電極を部分的に露出させて発光領域を画定することを特徴とする請求項6に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
- 前記アノード電極上に形成された有機発光層を形成する段階と、
前記アノード電極と交差するように隔壁を形成する段階と、
前記有機発光層を挟んで前記アノード電極と交差するようにカソード電極を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項6に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。 - 前記導電性遮光膜は、不透明物質を含むことを特徴とする請求項6に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
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