CN101638773A - 溅射装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种溅射装置，其若干磁性体包括位于靶材支承体的中心部的第1磁性体、以及与第1磁性体相比位于靶材支承体的外周侧的第2磁性体，第2磁性体在靶材支承体的与基板支承体相反侧的面内可以在第1位置和第2位置之间自由移动，上述第1位置是不对基板实施成膜处理时的位置，上述第2位置与所述第1位置相比位于上述靶材支承体的中心侧，是对基板实施成膜处理时的位置。根据本发明的溅射装置，与预溅射时相比，能够缩小主溅射时的侵蚀区域，并且在主溅射时难以剥离在预溅射时堆积在非侵蚀区域中的靶材粒子，这样就能抑制该粒子堆积在基板上。

Description

溅射装置

技术领域

本发明涉及一种溅射装置。更详细地来讲，本发明的溅射装置涉及一种能够适合形成透明导电膜的溅射装置。

背景技术

作为被应用在显示装置中的发光元件的一个例子，有以有机化合物为主体的薄膜层积结构的有机电致发光元件(以下，有时称作“有机EL元件”)。

在非专利文献1中，公开了一种有机层积型的高亮度发光元件，其原理是，从氧化铟锡(ITO)构成的透明电极被注入空穴注入层中的空穴与从低功函数电极被注入电子注入层中的电子在发光层中发生复合，从而产生发光。

自上述高亮度发光元件发表以来，对于有机EL元件的实用化进行着各种各样的研究。

例如，最近几年，在有机EL显示器领域中，有源矩阵驱动方式的有机EL元件的开发正在如火如荼地进行。在有源矩阵驱动方式中，在设置薄膜晶体管(TFT)作为开关元件的基板上，形成若干个有机EL元件，将这些有机EL元件作为光源，从而构成显示器。在现有的有源矩阵驱动方式的显示器中，TFT以及有机EL元件的特性差异大，为了补正该差异，需要各种各样的驱动电路。此外，如果驱动电路复杂，那么，为了驱动一个像素所需的TFT的数量就会很庞大。

但是，一般情况下，被应用在显示器中的有机EL元件，多构成为从玻璃基板表面提取光的底部发光方式的元件(以下，有时称作“Bottom-Em元件”)。

图5是Bottom-Em型元件的截面示意图。该图所示的Bottom-Em型元件100在玻璃基板102上依次具备由氧化铟锌(IZO)构成的下部电极104、有机EL层106以及由LiF/Al构成的上部电极108。在将这种Bottom-Em型元件100应用在有源矩阵驱动方式的显示器中的情况下，随着TFT的数量增加，下部电极102中的光L的提取面积变小。

因此，设想应用在有源矩阵驱动方式的显示器中，正在开发一种从上部电极侧提取光L的顶部发光方式的元件(以下，有时称作“Top-Em型元件”)，以取代图5所示的Bottom-Em型元件，

图6是Top-Em型有机EL元件的截面示意图。该图所示的Top-Em型有机EL元件200在玻璃基板202上依次具备反射膜204、由IZO构成的下部电极206、有机EL层208以及由IZO构成的上部电极210。

此处，在图6所示的Top-Em型有机EL元件200中，上部电极210发挥充分的透光性，这一点非常重要。因此，作为上部电极210，一般使用由可视光的透过率高且导电性高的物质构成的透明导电膜。

作为这种透明导电膜，可以列举Au、Ag、Cu、Pt等金属薄膜(例如，膜厚5nm以下)、以及SnO₂、TiO₂、CdO、In₂O₃、以及ZnO等氧化物半导体薄膜、以及作为它们的复合材料的ITO以及IZO等氧化物半导体薄膜。由ITO、IZO等构成的透明导电膜通过溅射形成，作为电极被广泛应用在电视、透明加热器、以及液晶显示元件等中。

传统的制膜用的溅射装置是在靶材的背面配置磁铁的普通平板磁控管式装置。在这种装置中，在电场与磁场正交的方向上，电子一边描画摆线一边漂移运动。因此，与未附设磁铁的方式相比，电子的射程长。这样，就能实现良好的电离碰撞概率、以及良好的溅射气体的离子密度，能够加快溅射速度。

在该溅射装置中，分别具有对置面的相对极分别使用被磁化的磁铁。因此，根据磁铁的形状，靶材的离子化密度高的区域形成环状。这样，靶材的离子化密度高的区域很多地被用于溅射，因此，形成与其它的区域相比被高度侵蚀的区域，即侵蚀区域。

另一方面，在形成这种侵蚀区域的溅射装置中，电子的漂移运动被封闭在上述环状区域中。因此，无法在该区域以外的区域中获得良好的离子化密度。这样，在该环状区域以外的区域中，靶材不怎么用于溅射，形成侵蚀程度低的区域，即非侵蚀区域。

从邻近的环状区域被溅射的粒子堆积在该非侵蚀区域中。该堆积的粒子非常容易剥离，所剥离的粒子有可能堆积在基板上。在该粒子堆积在基板上的情况下，有可能引起有机EL元件漏电或者短路等，无法实现该元件的良好的合格率。

作为应对在溅射装置内产生的这种粒子的方法，有以下的几种技术。

在专利文献1中公开了一种溅射成膜方法，当通过使用磁场的溅射，将靶材的成分在被处理体上成膜时，在规定枚数的上述被处理体上实施成膜后，与成膜时相比，使磁场沿着靶材表面方向扩大，然后清洗上述靶材表面。

在专利文献2中公开了一种溅射装置，使处理基板的成膜侧的面与靶材板平行相对，采用磁控管溅射方式形成ITO膜，在靶材板的非处理基板面侧的背面配置一个以上的磁铁，摇动该一个以上的磁铁，将靶材板的整个上述处理基板侧的面作为侵蚀区域，或者，将该靶材板的处理基板面侧的垂直方向或者水平方向中的一个方向上的相对的周边部作为非侵蚀区域留下，其余作为侵蚀区域，上述靶材板的处理基板面侧的周边部与成为侵蚀区域的外周接近，在外侧附设作为ITO的辅助部件，使处理基板面侧形成沿着靶材板表面的平面，至少煅烧上述处理基板面侧的表面部。

在专利文献3中公开了一种磁控管用阴极电极，它具备通过在靶材的背后按照各个长边平行的方式配置若干平面形状为长方形的磁铁单元而构成的磁铁装置，上述磁铁单元在上述靶材上形成隧道状磁力线，上述磁铁装置往复运动，在上述若干磁铁单元中，与两端的各个磁铁单元相邻的磁铁单元的T/M距离比其它的磁铁单元的T/M距离大，并且，上述相邻的磁铁单元的长边方向的长度比上述其它磁铁单元的长度长。

在专利文献4中公开了一种清洗方法，在至少配备了一个电磁铁的平面磁控管溅射电极中，不在靶材上产生磁场，进行靶材的溅射清洗。

在专利文献5中公开了一种靶材的溅射方法，使在溅射装置的靶材(1)的背面设置的至少安装了一个以上的磁场发生用磁铁(2)的磁铁旋转板(3)的中心轴(4)面对该靶材(1)的中心(5)，一边不停地在周围摇动或者转动，一边使其旋转，然后溅射该靶材(1)。

专利文献1日本特开2002-38264号公报

专利文献2日本特开2007-238978号公报

专利文献3日本特开平9-125242号公报

专利文献4日本特开平4-193949号公报

专利文献5日本特开平7-226398号公报

非专利文献1

C.W.Tang，S.A.Vanslyke，Appl.Phys.Lett.，51913(1987)，Vol.51，No.12，P.913

但是，在上述专利文献1～5中，存在以下问题。

在专利文献1中所公开的技术中，在溅射过程中随时产生粒子，因此，在规定枚数的被处理体上实施成膜后进行清洗，无法足够地降低非侵蚀区域的粒子级别。

在专利文献2所公开的技术中，例如，即使将侵蚀区域扩散至靶材板的上述处理基板面侧整体，附着力较弱的粒子一定会堆积在其外周部分。因此，在从预溅射至主溅射的过程中，如果不缩小侵蚀区域，那么，在主溅射时，从非侵蚀区域中剥离的粒子就有可能堆积在基板上。

在专利文献3所公开的技术中，使磁铁装置往复运动，消除局部的非侵蚀区域，增加靶材的侵蚀面积，因此，与专利文献2同样，堆积在侵蚀区域外侧的粒子有可能堆积在基板上。

在专利文献4中，在实施例2中公开了一种溅射电极，以中央的环口2为中心，按照同心圆形状卷绕两个线圈5’、5”，在外周环口3”与中央环口2之间配置内周环口3’。在该溅射电极中，在靶材的溅射清洗时，如果仅在外侧的线圈5’中通电，那么，整个靶材表面就会产生等离子体。但是，虽然在靶材的外周部磁力较强的部分清洗效果明显，由于靶材中央部磁力较弱，因此，在成膜时被溅射的区域的清洗可能不彻底。此外，在专利文献4中公开了一种溅射电极，在靶材1的背面设置永磁15，该永磁可利用圆头螺栓16与齿轮17改变它与靶材1的距离。在该溅射电极中，在靶材的溅射清洗时，使永磁15远离靶材，实施非磁控管方式的溅射。但是，由于无法捕捉作为该磁控管方式特征之一的增大电离效果的靶材附近的电子，因此，效率大幅下降，有可能无法实现实用的溅射。

在专利文献5所公开的技术中，在实施例中，使数枚旋转板前后左右移动，并且，一边不停地摇动一边使其偏心旋转、行星运动，获得均一的侵蚀区域。但是，在此方法中，随时都需要更换旋转板，维护相当花费时间。而且，使用一枚旋转板的时间越长，在被溅射的侵蚀区域与未被溅射的非侵蚀区域间，靶材的削减程度变得越不均一，这样就容易产生粒子。

在以上所示的专利文献1～5中所公开的技术中，由于存在上述各种情况，因此，为了控制从非侵蚀区域中剥离的粒子的数量，制造优质的有机EL元件，有待进一步改善这些技术。

发明内容

因此，本发明的目的在于，鉴于上述各种问题，提供一种能够按照高标准控制从非侵蚀区域中剥离的粒子堆积在基板上，并且用于形成透明导电性膜的溅射装置。

本发明涉及一种溅射装置，它具备基板支承体、与上述基板支承体离开地平行配置的靶材支承体、以及在上述靶材支承体的与上述基板支承体相反侧配置的若干磁性体，它包括以下两个磁场变位手段1)～2)中的一个。

1)上述若干磁性体包括位于上述靶材支承体的中心部的第1磁性体、以及与上述第1磁性体相比位于上述靶材支承体的外周侧的第2磁性体，上述第2磁性体在上述靶材支承体的与上述基板支承体相反侧的面内可以在第1位置和第2位置之间自由移动，上述第1位置是不对基板实施成膜处理时的位置，上述第2位置与上述第1位置相比是上述靶材支承体的中心侧，是对基板实施成膜处理时的位置。

2)上述若干磁性体包括位于上述靶材支承体的中心部的第1磁性体、以及与上述第1磁性体相比位于上述靶材支承体的外周侧的第2磁性体，上述第2磁性体包括第1磁性体群、以及与上述第1磁性体群相比位于上述靶材支承体的外周侧的第2磁性体群，上述第1以及第2磁性体群沿着上述靶材支承体的与上述基板支承体相反侧的面的法线方向可以在第1位置和第2位置之间自由移动，上述第1磁性体群以及上述第2磁性体群两者中的一个被配置在上述第1位置，上述第2磁性体群以及上述第1磁性体群两者中的一个被配置在上述第2位置，上述第1位置是不对基板实施成膜处理时的位置，上述第2位置与上述第1位置相比是靠近上述靶材支承体的位置，是对基板实施成膜处理时的位置。

本发明涉及一种溅射装置，它具备基板支承体、与上述基板支承体离开地垂直配置的一对靶材支承体、以及在上述各个靶材支承体中在与其它的靶材支承体相反侧配置的若干磁性体，它包括以下两个磁场变位手段3)～4)中的一个。

3)上述若干磁性体包括位于上述靶材支承体的中心部的第1磁性体、以及与上述第1磁性体相比位于上述靶材支承体的外周侧的第2磁性体，上述第2磁性体在上述靶材支承体的与上述基板支承体相反侧的面内可以在第1位置和第2位置之间自由移动，上述第1位置是不对基板实施成膜处理时的位置，上述第2位置与上述第1位置相比是上述靶材支承体的中心侧，是对基板实施成膜处理时的位置。

4)上述若干磁性体包括位于上述靶材支承体的中心部的第1磁性体、以及与上述第1磁性体相比位于上述靶材支承体的外周侧的第2磁性体，上述第2磁性体包括第1磁性体群、以及与上述第1磁性体群相比位于上述靶材支承体的外周侧的第2磁性体群，上述第1以及第2磁性体群沿着上述靶材支承体的与上述基板支承体相反侧的面的法线方向可以在第1位置和第2位置之间自由移动，上述第1磁性体群以及上述第2磁性体群两者中的一个被配置在上述第1位置，上述第2磁性体群以及上述第1磁性体群两者中的一个被配置在上述第2位置，上述第1位置是不对基板实施成膜处理时的位置，上述第2位置与上述第1位置相比是靠近上述靶材支承体的位置，是对基板实施成膜处理时的位置。

在这些溅射装置中，均使用上述规定的磁场变位手段1)～4)，这样，与预溅射时相比就能缩小主溅射时的侵蚀区域。

因此，根据本发明的溅射装置，因在主溅射时缩小上述侵蚀区域，难以剥离在预溅射时堆积在非侵蚀区域中的靶材粒子，这样就能抑制该粒子堆积在基板上。

因此，在使用本发明的溅射装置的情况下，不仅能够在基板上形成透明导电性膜，而且能够制造高品质的有机EL元件。

附图说明

图1是表示使用一枚垫板的本发明的溅射装置(平板式)的一个例子的侧面示意图，(a)表示预溅射时，(b)表示主溅射时。

图2是表示作为图1所示的磁性体16的构成要素的中央磁铁16a以及外周磁铁16b的配置关系的底面示意图，(a)表示预溅射时，(b)表示主溅射时。

图3是表示使用一枚垫板的本发明的溅射装置(平板式)的一个例子的侧面示意图，(a)表示预溅射时，(b)表示主溅射时。

图4表示使用一对垫板的本发明的溅射装置(相对式)的一个例子的侧面示意图，(a)表示预溅射时，(b)表示主溅射时。

图5是Bottom-Em式元件的剖面示意图。

图6是Top-Em式有机El元件的剖面示意图。

符号说明

10溅射装置

12基板支承体

14垫板

16磁性体

16a中央磁铁

16b外周磁铁

18接地屏蔽

P高密度等离子体发生区域

T靶材

φ，φ’磁通

具体实施方式

下面，根据附图详细地说明本发明的溅射装置。一般情况下，在有机EL元件的形成中，溅射工序是在预溅射工序(未在基板上进行成膜的情况)与主溅射工序(在基板上进行成膜的情况)这两个工序中进行的。因此，在以下说明中，图中表示这两个工序时的该装置的状态，依次说明这些各个状态。

(实施方式1：使用一枚垫板的情况(平板式))

(实施方式1-1：包括根据磁铁在水平面内的移动的磁场变位手段的例子)

图1是表示本发明的溅射装置(实施方式1-1)的侧面示意图，(a)表示预溅射时，(b)表示主溅射时。

如图1(a)所示，溅射装置10具备基板支承体12、作为与基板支承体12离开地平行地被配置的靶材支承体的垫板14、在垫板14的与基板支承体12的相反侧配置的磁性体16、以及按照在该图中主要从左右覆盖垫板14的方式配置的接地屏蔽18。在本例中，磁性体16由被配置成两个同心圆形状的圆柱体的内侧磁铁16a与圆筒状的外侧磁铁16b构成。

(基板支承体12)

基板支承体12是在其下侧支承作为被制膜体的基板(图中未示)的夹具的构成要素。

基板支承体12可以使用不锈钢以及铜等材料。基板支承体12可以采用通过螺纹固定等方法固定在溅射装置的图中未示的外壳上等方式形成。

(垫板14)

垫板14是在其一个面支承图1(a)的靶材T，在另一个面支承磁性体16的构成要素。

垫板14可以使用铜。

(磁性体16)

磁性体16是磁场变位手段的构成要素，如上所述，它由圆柱状的中央磁铁16a与圆筒状的外周磁铁16b构成。

图2(a)、(b)是图1所示的磁性体16(磁铁16a、16b)的底面示意图，(a)表示预溅射时，(b)表示主溅射时。图2(a)的虚线部分表示外周磁铁16b的主溅射时的位置，图2(b)的虚线部分表示外周磁铁16b的预溅射时的位置。

中央磁铁16a可以使用由SmCo等构成的硬磁铁，在靶材的直径尺寸为6英寸的情况下，其形状可以是直径30mm、高20mm的圆柱体。相对于此，外周磁铁16b可以使用由SmCo等构成的硬磁铁，在靶材的直径尺寸为6英寸的情况下，其形状可以是将长15mm、宽15mm、高20mm的四棱体q排列成同心圆状，整体形成圆筒状。

(接地屏蔽18)

接地屏蔽18是配置在外加高频电力的部位的附近，并且将基板支承体12及垫板14、与接地电位的接地屏蔽18之间的各个距离设定成难以放电的距离，以此来控制放电的构成要素。

接地屏蔽18一般可以使用不锈钢等。

(使用构成要素12～18的溅射装置10的形成)

如图1(a)所示，垫板14按照与基板支承体12保持例如400mm的规定距离的方式配置。

下面，如该图所示，在垫板14的与基板支承体12相反侧配置磁性体16(中央磁铁16a、外周磁铁16b)。磁性体16的基本配置方式如上所述。在将磁性体16配置成图2(a)所示的预溅射时的形状的情况下，将中央磁铁16a与外周磁铁16b配置成同心圆形状，并且，将中央磁铁16a的外周端至外周磁铁16b的内周端的距离设定成如45mm。此外，如图1所示，中央磁铁16a与外周磁铁16b的S极、N极方向相反。

如该图所示，按照与基板支承体12的垂直方向的距离为300mm，与垫板14的水平方向的距离为10mm的方式配置一对接地屏蔽18。

(溅射装置10的动作)

以此形成的溅射装置10按照如下方式操作。以下的例子是靶材T的中心与中央磁铁16a的中心一致的例子。

图1所示的溅射装置利用根据在外周磁铁16b的水平面内的移动(图1)的磁场变位手段、具体来讲，利用根据外周磁铁16b的整体形状的缩小、扩大(图2)的磁场变位手段，实现预溅射时与主溅射时的各个状态。

即，在预溅射时，如图2(a)所示，两个磁铁16a、16b按照形成同心圆状，并且中央磁铁16a的外周端至外周磁铁16b的内周端的距离为45mm的方式配置。在此状态下，如图1(a)所示，由于磁通φ存在于靶材T的较大范围之内，因此，靶材T的侵蚀区域(侵蚀区域)存在于较大的范围。图1(a)中的符号P是高密度等离子体的发生区域。对于使图2(a)中的两个磁铁16a、16b的中央区域中的磁通φ与图1(a)中靶材T的表面平行，根据弗来明左手法则，能够使电流向与磁场方向正交的方向流过，这样，在靶材T的表面容易产生等离子体，在这一点上这种方法尤为理想。

从此状态下，在本例中，使用图中未示的步进电动机，使外侧磁铁16b的整体形状缩小而实现主溅射时。例如，使用在形成了左右螺纹的转轴上附设作为转子的磁铁的步进电动机，通过该转子的旋转，能够使外侧磁铁16b扩大、缩小。

因使用这种步进电动机而引起的外周磁铁16b的整体形状的缩小，如图2(b)所示，两个磁铁16a、16b形成同心圆状，并且中央磁铁16a的外周端至外周磁铁16b的内周端的距离变为30mm。在此状态下，如图1(b)所示，由于磁通φ’存在于靶材T的较窄范围，因此，靶材T的侵蚀区域(侵蚀区域)存在于较窄的范围。图1(b)中的符号P是高密度等离子体的发生区域。对于使图2(b)中的两个磁铁16a、16b的中央区域中的磁通φ’与图1(b)中的靶材T’的表面平行的方法，根据弗莱明左手法则，能够使电流向与磁通方向正交的方向流过，这样，在靶材T的表面容易产生等离子体，在这一点上这种方法尤为理想。

在图1所示的溅射装置中，根据相对于预溅射时的主溅射时的侵蚀区域的缩小，在主溅射时，难以剥离在预溅射时堆积在非侵蚀区域中的靶材粒子，能够抑制该粒子堆积在基板上。

在本例中，通过连续操作图中未示的步进电动机，这样就能交互式重复上述预溅射时(图1(a)、图2(a))与主溅射时(图1(b)、图2(b))，例如，能够连续多次地实施有机EL元件的规定构成要素的制膜。

(实施方式1-2：包含根据磁铁在垂直方向的移动的磁场变位手段)

图3是表示本发明的预溅射装置(实施方式1-2)的侧面示意图，(a)表示预溅射，(b)表示主溅射时。由于实施方式1-2是实施方式1-1的设计变更例子，因此，在以下说明中，仅对与实施方式1-1的不同点进行阐述。

根据图3(a)所示，溅射装置20在垫板14与基板支承体12相反一侧具备磁性体22。磁性体22由圆柱状的中央磁铁22a、位于中央磁铁22a外周的圆筒状的第1外周磁铁22b、位于第1外周磁铁22b更外周的圆筒状的第2外周磁铁22c构成。

中央磁铁22a可以使用由SmCo等构成的硬磁铁，其形状可以是直径30mm、高20mm的圆柱状。第1外周磁铁22b可以使用由SmCo等构成的硬磁铁，其形状可以是内径45mm、外径60mm、高20mm的圆筒状。第2外周磁铁22c可以使用由SmCo等构成的硬磁铁，其形状可以是内径60mm、外径75mm、高20mm的圆筒状。根据图3(a)所示，磁性体22的构成要素22a、22b、22c被配置成同心圆形状。

(溅射装置20的动作)

溅射装置20按照以下方式动作。以下的例子是靶材T的中心按照与中央磁铁22a的中心致的方式被配置的例子。

图3所示的溅射装置20利用根据第1外周磁铁22b以及第2外周磁铁22c的垂直方向的移动的磁场变位手段，实现预溅射时与主溅射时的各个状态。

即，在预溅射时，如图3(a)所示，三个磁铁22a、22b、22c形成同心圆状，并且，与中央磁铁22a与第2外周磁铁22c相比，第1外周磁铁22b位于下方。在此状态下，如图3(a)所示，由于磁通φ存在于靶材T的较大范围，因此，靶材T的侵蚀区域(侵蚀区域)存在于较大的范围。图3(a)中的符号P是高密度等离子体的发生区域。对于使在图3(a)中有助于磁场产生的磁铁22a、22c间的中央区域中的磁通φ与靶材T的表面平行的这种方法，根据弗来明左手法则，能够使电流向与磁场方向正交的方向流去，这样，在靶材T的表面容易产生等离子体，在这一点上，这种方法尤为理想。

在此状态下，在本例中，使用图中未示的缸体，切换第1外侧磁铁22b与第2外周磁铁22c的垂直方向位置，实现主溅射时。具体来讲，在该缸体上连结磁铁22b、22c，利用缸体的直线运动，使磁铁22b、22c上下移动。

利用使用上述这种缸体而引起的第1外侧磁铁22b与第2外周磁铁22c的垂直方向位置的切换，如图3(b)所示，三个磁铁22a、22b、22c形成同心圆状，并且，与中央磁铁22a和第1外周磁铁22b相比，第2外周磁铁22c位于下方。在此状态下，如图3(b)所示，由于磁通φ’存在于靶材T的较窄范围之内，因此，靶材T的侵蚀区域(侵蚀区域)存在于较窄范围。图3(b)中的符号P是高密度等离子体的发生区域。对于使在图3(b)中有助于磁场产生的磁铁22a、22b间的中央区域中的磁通φ’与靶材T的表面平行的这种方法，根据弗来明左手法则，能够使电流向与磁场方向正交的方向流去，这样，在靶材T的表面容易产生等离子体，在这一点上，这种方法尤为理想。

在图3所示的溅射装置中，根据相对于预溅射时的主溅射时的侵蚀区域的缩小，在主溅射时难以剥离在预溅射时堆积在非侵蚀区域中的靶材粒子，能够抑制该粒子堆积在基板上。

在本例中，通过连续操作图中未示的缸体，这样就能交互式重复上述预溅射时(图3(a))与主溅射时(图3(b))，例如，能够连续多次地实施有机EL元件的规定构成要素的制膜。

(实施方式2：使用两枚垫板的情况(相对式))

图4是表示本发明的溅射装置(实施方式2)的侧面示意图，(a)表示预溅射时，(b)表示主溅射时。实施方式2是实施方式1-1或者1-2的设计变更例子，因此，在以下说明中，仅对与实施方式1的不同点进行阐述。

根据图4(a)所示，溅射装置40具备基板支承体12、作为与基板支承体12离开地垂直配置的一对靶材支承体的垫板14、14’、在各个垫板14、14’中，在与另一个垫板14’、14相反一侧配置的若干磁性体16、16’、以及按照主要从该图的左右覆盖垫板14、14’的方式配置的接地屏蔽18、18’。

此处，在本例中，磁性体16、16’的结构也可以采用图1、图3分别表示的实施方式1-1、1-2的任意一种方式。图4(a)、(b)所示的例子是其中使用与实施方式1-1相同方式的磁性体16(16a、16b)的例子。图4(a)、(b)中的符号P、P’是高密度等离子体的发生区域。对于使图4(a)、(b)中的两个磁铁16a(16a’)、16b(16b’)之间的中央区域中的磁通φ、φ’与靶材T(T’)的表面平行的方法，根据弗来明的左手法则，可以使电流向与磁通的方向正交的方向流去，这样，在靶材T的表面容易产生等离子体，在这一点上，这种方法尤为理想。

图4所示的溅射装置40与图1、3所示的溅射装置10、20(实施方式1-1、1-2)同样，根据与预溅射时相比的主溅射时的侵蚀区域的缩小，在主溅射时难以剥离在预溅射时堆积在非侵蚀区域中的靶材粒子，能够抑制该粒子堆积在基板上。

图4所示的例子与溅射装置10、20相比，特别是垫板、磁性体以及接地屏蔽的数量是其两倍，而且，使各个靶材T、T’相对。因此，从相对的靶材T、T’中飞散的溅射粒子的大部分并非堆积在非侵蚀区域中，而是堆积在相反一侧的靶材T、T’上。因此，本例与实施方式1-1、1-2中的任意一个实施方式相比，能够在主溅射时抑制多余的粒子堆积在基板上。结果，与实施方式1-1、1-2中的任意一个实施方式相比，从预溅射时至主溅射时的侵蚀区域的缩小的效果增大，而且能够用极高的等级抑制该粒子堆积在基板上。

(实施例)

下面，说明本发明的实施例，验证本发明的效果。

(有机EL元件的形成)

(实施例1)

使用图1所示的溅射装置10，形成有机EL元件。

首先，在玻璃基板上作为反射电极形成CrB。反射电极通过在室温条件下使用氩气作为溅射气体实施DC溅射而形成。具体来讲，在300W的溅射功率下进行30分钟的预溅射，在300W的溅射功率下进行5分钟的主溅射。反射电极材料的CrB并不是反应性高的化合物，而且也并非是透明导电膜这样的氧化物。因此，主溅射时的侵蚀区域与预溅射时的侵蚀区域相比并未缩小。最后，依次实施形成图形、150℃下的干燥处理、以及室温及150℃下的UV处理，从而获得由CrB构成的膜厚100nm的反射电极。

然后，将在玻璃基板上形成反射电极的层积体移动至蒸镀装置中，真空槽内的压力为1×10^-5Pa，形成有机EL层。

作为有机EL层，依次形成电子注入层、电子输送层、发光层、空穴输送层以及空穴注入层。在电子注入层上形成膜厚10nm的羟基喹啉铝(Alq3)与50摩尔％锂的混合物。在电子输送层上形成膜厚10nm的羟基喹啉铝(Alq3)。在发光层上形成膜厚35nm的4，4’-双(2，2’-二苯基乙烯)联苯(DPVBi)。在空穴输送层上形成膜厚10nm的过氧化苯甲酸叔丁酯(TBPB)。在空穴注入层上形成膜厚75nm的酞菁铜(CuPc)。

使用图1所示的溅射装置10、以及金属掩膜，在有机EL层上形成由氧化铟锌(IZO)构成的上部电极。

首先，如图1(a)所示，在靶材T的外周附近设置外周磁铁16b，作为溅射气体使用氩气，在DC200瓦的溅射功率下进行30分钟的溅射。

然后，使用图1中并未表示的主轴马达，使外周磁铁16b的位置向内周一侧移动2厘米，同时，作为溅射气体使用包含1％氧气的氩气，在DC200瓦的溅射功率下进行10分钟的溅射，得到膜厚200nm的IZO。

对采用以上方法获得的有机EL元件实施UV密封。该UV密封通过以下方法进行，不将有机EL元件暴露在大气中，将其移动至手套箱(氧浓度、水分浓度均为数pp以下)中，然后在密封内部涂敷吸气材料。

虽然使用了图1所示的溅射装置10，但是在形成上部电极时，在预溅射时与主溅射时，并不改变外周磁铁16b的位置，即，并不缩小侵蚀区域地形成有机EL元件。对于其他的各个条件，按照与实施例1同样的方式形成有机EL元件。

(实施例2)

使用图3所示的溅射装置20，形成有机EL元件。

首先按照与实施例1同样的方式在玻璃基板上形成反射电极以及有机EL层。

接着，使用图3所示的溅射装置20以及金属掩膜，在有机EL层上形成由IZO构成的上部电极。

首先，如图3(a)所示，将三个磁铁22a、22b、22c形成同心圆形状，并且，使中央磁铁22a和第2外周磁铁22c与垫板14紧密接触，将第1外周磁铁22b配置在距离垫板14下方10厘米的位置(预溅射时)。

然后，使用缸体，如图3(b)所示，使三个磁铁22a、22b、22c形成同心圆状，并且，中央磁铁22a和第1外周磁铁22b与垫板14紧密接触，将第2外周磁铁22c配置在距离垫板14下方10厘米的位置(主溅射时)。此外，预溅射时以及主溅射时的其他各个条件与实施例1同样。

最后，按照与实施例1同样的方式对所形成的有机EL元件实施UV密封。

(实施例3)

使用图4所示的溅射装置40，形成有机EL元件。

首先，按照与实施例1同样的方式，在玻璃基板上形成反射电极以及有机EL元件。

接着，使用图4所示的溅射装置40以及金属掩膜，在有机EL层上形成由IZO构成的上部电极。

首先，如图4(a)所示，在一对垫板的各个中，在靶材T、T’的外周附近设置外周磁铁16b、16b’，作为溅射气体使用氩气，在DC200瓦的溅射功率下实施30分钟的预溅射。

之后，使用图4(b)中并未图示的步进电动机，在一对垫板的各个中，使外周磁铁16b、16b’的位置向内周一侧移动2厘米，同时，作为溅射气体使用包含1％氧气的氩气，在DC200瓦的溅射功率下，实施20分钟的主溅射，获得膜厚200nm的由IZO构成的上部电极。

最后，按照与实施例1同样的方式，对所形成的有机EL元件实施UV密封。

(比较例2)

虽然使用了图4所示的溅射装置40，但是在形成上部电极时，在预溅射时与主溅射时，在一对垫板14、14’中，并不改变外周磁铁16b、16b’的位置，即，并不缩小侵蚀区域地形成有机EL元件。对于其他的各个条件，按照与实施例3同样的方式形成有机EL元件。

(有机EL元件的评估)

按照以下方式驱动根据上述方法获得的实施例1～3以及比较例1、2的有机EL元件，以此调查基于漏电短路的合格率。此处，有机EL元件的驱动通过额定电流进行。接着，使用高精度照相机分别拍摄未亮起的副像素以及因劣化变暗的副像素，算出这些副像素的总数(缺陷副像素数)。最后，作为在显示器中应用有机EL元件时相对于红色、绿色以及蓝色的各个副像素的总数(总副像素数)的、副像素总数与缺陷副像素数之差的比率，算出合格率。表1表示其结果。

【表1】

	溅射装置的类型	根据磁铁的磁场变位手段的类型	与预溅射时相比主溅射时的侵蚀区域的变化	合格率
					实施例1	平板型	外周磁铁16b在垫板14的与基板支承体12相反侧的面内自由移动(对应图1)	缩小	88％
比较例1	平板型	未使用磁场变位手段	无变化	53％
					实施例2	平板型	外周磁铁22b、22c沿着垫板14的与基板支承体12相反侧的面的法线方向自由移动(对应图3)	缩小	86％
实施例3	相对型	外周磁铁16b在垫板14的与基板支承体12相反侧的	缩小	89％

		面内自由移动(对应图4)
					比较例2	相对型	未使用磁场变位手段	无变化	55％

由表1可知，在本发明范围内的实施例1～3中，与预溅射时相比，主溅射时的侵蚀区域缩小，因此，均能实现良好的合格率。特别是与平板型的实施例1～2相比，在相对型的实施例3中，从相对的靶材T、T’飞散的溅射粒子的大部分堆积在相反侧的靶材T、T’上，因此，尤其能够在主溅射时抑制多余的粒子堆积在基板上。这样，在实施例3中，改变预溅射时与主溅射时的侵蚀区域的效果增大，于是就得到极好的合格率。

与此相反，在本发明范围之外的比较例1、2中，与预溅射时相比，主溅射时的侵蚀区域没有缩小，因此，无法实现良好的合格率。

(工业实用性)

本发明的溅射装置具有规定的磁场变位手段，因此，与预溅射时相比，能够缩小主溅射时的侵蚀区域。因此，根据该溅射装置，主溅射时能够难以剥离在预溅射时堆积在非侵蚀区域中的靶材粒子，这样就能抑制该粒子堆积在基板上，而且能够很好地在基板上形成透明导电性膜。因此，在期望今后制造更高品质的有机EL元件的有机EL显示器领域中的应用这一方面，本发明的应用前景非常广阔。

Claims (4)

1、一种溅射装置，其具备基板支承体、与所述基板支承体离开地平行配置的靶材支承体、以及在所述靶材支承体的与所述基板支承体相反侧配置的多个磁性体，其特征在于：

所述多个磁性体包括位于所述靶材支承体的中心部的第1磁性体、和与所述第1磁性体相比位于所述靶材支承体的外周侧的第2磁性体，所述第2磁性体在所述靶材支承体的与所述基板支承体相反侧的面内可以在第1位置和第2位置之间自由移动，所述第1位置是不对基板实施成膜处理时的位置，所述第2位置是与所述第1位置相比位于所述靶材支承体的中心侧，是对基板实施成膜处理时的位置。

2、一种溅射装置，其具备基板支承体、与所述基板支承体离开地平行配置的靶材支承体、以及在所述靶材支承体的与所述基板支承体相反侧配置的多个磁性体，其特征在于：

所述多个磁性体包括位于所述靶材支承体的中心部的第1磁性体、和与所述第1磁性体相比位于所述靶材支承体的外周侧的第2磁性体，所述第2磁性体包括第1磁性体群、和与所述第1磁性体群相比位于所述靶材支承体的外周侧的第2磁性体群，所述第1和第2磁性体群在所述靶材支承体的与所述基板支承体相反侧的面的法线方向可以在第1位置和第2位置之间自由移动，所述第1磁性体群和所述第2磁性体群两者中的任意一个被配置在所述第1位置，所述第2磁性体群和所述第1磁性体群两者中的另一个被配置在所述第2位置，所述第1位置是不对基板实施成膜处理时的位置，所述第2位置与所述第1位置相比是靠近所述靶材支承体的位置，是对基板实施成膜处理时的位置。

3、一种溅射装置，其具备基板支承体、与所述基板支承体离开地垂直配置的一对靶材支承体、以及在所述各个靶材支承体中在与其它的靶材支承体相反侧配置的多个磁性体，其特征在于：

所述多个磁性体包括位于所述靶材支承体的中心部的第1磁性体、和与所述第1磁性体相比位于所述靶材支承体的外周侧的第2磁性体，所述第2磁性体在所述靶材支承体的与所述基板支承体相反侧的面内可以在第1位置和第2位置之间自由移动，所述第1位置是不对基板实施成膜处理时的位置，所述第2位置是与所述第1位置相比位于所述靶材支承体的中心侧，是对基板实施成膜处理时的位置。

4、一种溅射装置，其具备基板支承体、与所述基板支承体离开地垂直配置的一对靶材支承体、以及在所述各个靶材支承体中在与其它的靶材支承体相反侧配置的多个磁性体，其特征在于：

所述多个磁性体包括位于所述靶材支承体的中心部的第1磁性体、和与所述第1磁性体相比位于所述靶材支承体的外周侧的第2磁性体，所述第2磁性体包括第1磁性体群、和与所述第1磁性体群相比位于所述靶材支承体的外周侧的第2磁性体群，所述第1和第2磁性体群在所述靶材支承体的与所述基板支承体相反侧的面的法线方向可以在第1位置和第2位置之间自由移动，所述第1磁性体群和所述第2磁性体群两者中的任意一个被配置在所述第1位置，所述第2磁性体群和所述第1磁性体群两者中的另一个被配置在所述第2位置，所述第1位置是不对基板实施成膜处理时的位置，所述第2位置与所述第1位置相比是靠近所述靶材支承体的位置，是对基板实施成膜处理时的位置。

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