CN111417741A

CN111417741A - 溅射成膜装置

Info

Publication number: CN111417741A
Application number: CN201980006240.3A
Authority: CN
Inventors: 阪上弘敏; 大野哲宏
Original assignee: Ulvac Inc
Current assignee: Ulvac Inc
Priority date: 2018-06-28
Filing date: 2019-06-28
Publication date: 2020-07-14
Anticipated expiration: 2039-06-28
Also published as: KR102351170B1; KR20200083568A; CN111417741B; JP6959447B2; JPWO2020004619A1; TW202014542A; TWI772656B; WO2020004619A1

Abstract

本发明提供了能够在利用磁控管溅射进行成膜时抑制在溅射靶材的外周部中非腐蚀区域的发生的技术。本发明是在真空中利用磁控管溅射法对一个成膜对象物进行成膜的溅射成膜装置。在本发明中，具有：磁控管发生用的磁石装置10，相对于一个溅射靶材7配置在与溅射面7a相反侧，在放电时在沿着该溅射靶材7的溅射面7a的方向上移动；内侧屏蔽部21，接近配置在溅射靶材7的外周部的周围，被设为浮动电位；以及外侧屏蔽部22，设置在该内侧屏蔽部21的周围，被设为接地电位，由导电性材料构成。

Description

溅射成膜装置

技术领域

本发明涉及溅射装置，特别地涉及利用磁控管溅射来进行成膜的溅射成膜装置的技术。

背景技术

以往，在磁控管溅射装置中，存在如下那样的问题，即：由于发生磁场的磁石装置的构造，在溅射靶材（以下，适当称为“靶材”。）上产生的磁场变得不均匀，因此，溅射气体的离子集中于磁束密度较高的部分，而使该部分比磁束密度较低的部分更早地被削断。

为了防止在这样的靶材中产生局部地削断的部分（侵蚀），历来，一边使磁石装置移动一边进行溅射。

可是，当使用这样的方式进行溅射时，在由于放电生成的被磁石装置的磁场捕捉的等离子体与电气接地的导电构件相接触的情况下，等离子体中的离子的电荷通过导电构件流向接地部位，而使等离子体消失。为了避免这样的事态，需要使磁石装置在外周磁石的环形的外周整体位于溅射面的外周部的内侧的范围内移动。

其结果是，存在等离子体不会到达靶材的溅射面的外周部而残留未溅射的非侵蚀区域这样的问题。

存在如下那样的问题，即：当溅射粒子附着于这样的靶材的非侵蚀区域时，由于异常放电等而发生剥离，从而成为粒子的发生原因。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-92025号公报。

发明内容

发明要解决的课题

本发明考虑这样的以往的技术课题而完成，其目的在于，提供能够在利用磁控管溅射进行成膜时抑制在溅射靶材的外周部中非侵蚀区域的发生的技术。

用于解决课题的方案

为了达成上述目的而完成的本发明是一种溅射成膜装置，在真空中利用磁控管溅射法对一个成膜对象物进行成膜，其中，具有：磁控管发生用磁石装置，相对于一个溅射靶材配置在与溅射面相反侧，在放电时在沿着该溅射靶材的溅射面的方向上移动；内侧屏蔽部，接近配置在所述溅射靶材的外周部的周围，被设为浮动电位；以及外侧屏蔽部，设置在该内侧屏蔽部的周围，被设为接地电位，由导电性材料构成。

本发明是在所述内侧屏蔽部设置有以覆盖所述溅射靶材的溅射面的方式重叠的重复部的溅射成膜装置。

本发明是所述内侧屏蔽部的重复部遍及所述溅射靶材的溅射面的外周部的全域而设置的溅射成膜装置。

本发明是所述内侧屏蔽部的重复部被设置为与形成为矩形状的所述溅射靶材的相向的一对角部重叠的溅射成膜装置。

本发明是在所述内侧屏蔽部设置有向所述溅射靶材的溅射面的方向突出的突出部的溅射成膜装置。

本发明是所述内侧屏蔽部的突出部遍及所述溅射靶材的溅射面的外周部的全域而设置的溅射成膜装置。

本发明是所述内侧屏蔽部的突出部被设置在形成为矩形状的所述溅射靶材的相向的一对角部的溅射成膜装置。

本发明是所述溅射靶材被形成为其外径比所述成膜对象物的外径大的溅射成膜装置。

发明效果

在本发明中，在放电时生成并且被磁石装置的磁场捕捉的等离子体被接近配置在靶材的外周部的周围并被设为浮动电位的内侧屏蔽部所遮挡，因此，阻止其到达并接触设置在内侧屏蔽部的周围并被设为接地电位且由导电性材料构成的外侧屏蔽部。

其结果是，根据本发明，避免了由于等离子体中的离子的电荷接触到接地电位的外侧屏蔽部而造成的等离子体的消失，因此，等离子体到达靶材的溅射面的外周部，由此，能够抑制靶材的溅射面的外周部中的非侵蚀区域的发生，因此，能够防止起因于附着于靶材的非侵蚀区域的溅射粒子的剥离而造成的成膜特性的降低。

在本发明中，在内侧屏蔽部设置有以覆盖溅射靶材的溅射面的方式重叠的重复部或向溅射靶材的溅射面的方向突出的突出部的情况下，能够利用该重复部来更可靠地阻止等离子体到达外侧屏蔽部，因此，能够进一步抑制起因于等离子体的消失而造成的靶材的溅射面的外周部中的非侵蚀区域的发生，而使非侵蚀区域变小，并且能够阻止溅射粒子向靶材的非侵蚀区域的附着，因此，能够更进一步防止起因于溅射粒子的剥离而造成的成膜特性的降低。

在该情况下，在内侧屏蔽部的重复部或突出部遍及靶材的外周部的全域而设置的情况下，能够提高阻止等离子体到达外侧屏蔽部的能力、以及溅射粒子向靶材的非侵蚀区域的附着阻止能力，因此，能够遍及靶材的外周部的全域抑制起因于等离子体的消失而造成的靶材的溅射面的非侵蚀区域的发生，而使非侵蚀区域变小，并且能够遍及靶材的溅射面的外周部的全域来阻止溅射粒子向靶材的非侵蚀区域的附着。

此外，在内侧屏蔽部的重复部被设置为与形成为矩形状的靶材的相向的一对角部重叠的情况下、或突出部被设置在形成为矩形状的靶材的相向的一对角部的情况下，例如，在等离子体的轨道在靶材的一对角部中部分地从靶材超出的情况下等，能够可靠且以较少的材料更有效地抑制靶材的溅射面的外周部中的非侵蚀区域的发生。

附图说明

图1（a）（b）：示出本发明的溅射成膜装置的第一例，图1（a）是示出内部结构的部分截面图，图1（b）是示出主要部分的内部结构的平面图；

图2（a）（b）：示出本发明的溅射成膜装置的第二例，图2（a）是示出内部结构的部分截面图，图2（b）是示出主要部分的内部结构的平面图；

图3（a）（b）：用于说明本发明的溅射成膜装置的第三例的目的的图；

图4是示出该溅射成膜装置的第三例的主要部分的内部结构的平面图；

图5（a）（b）：示出本发明的溅射成膜装置的第四例，图5（a）是示出内部结构的部分截面图，图5（b）是示出主要部分的内部结构的平面图；

图6是示出本发明的溅射成膜装置的第五例的内部结构的平面图；

图7是示出使用多个磁石装置的溅射成膜装置的例子的部分截面图；以及

图8是示出该使用多个磁石装置的溅射成膜装置的例子的主要部分的内部结构的平面图。

具体实施方式

以下，参照附图来详细地说明本发明的实施方式。

图1（a）（b）示出本发明的溅射成膜装置的第一例，图1（a）是示出内部结构的部分截面图，图1（b）是示出主要部分的内部结构的平面图。

本例的溅射成膜装置1是磁控管溅射方式，具有如后述那样被设为接地电位的真空槽2。

如图1（a）所示，真空槽2连接到进行真空槽2内的真空排气的真空排气装置3，并且连接到可向真空槽2内导入氩（Ar）气体等溅射气体的溅射气体源4。

在真空槽2内配置有被基板支架5保持的基板（成膜对象物）6，以与该基板6相向的方式设置有安装于背板8的靶材7。

如图1（a）（b）所示，靶材7被形成为其外径比基板6的外径大。此外，背板8的外径被设定为比靶材7的外径大。

该靶材7由例如金属或金属氧化物构成，在真空槽2内露出且被溅射的溅射面7a以与基板6相向的方式配置。

背板8经由绝缘物8a安装于真空槽2的壁面，由此，背板8相对于真空槽2电气绝缘。

背板8电气连接到电源装置9，被构成为经由该背板8对靶材7施加规定的电力（电压）。

关于从电源装置9向靶材7施加的电力的种类，不特别限定，可以为直流、交流（也包括高频、脉冲状）中的任一种。

在靶材7（背板8）的外周部的周围设置有在以下说明的内侧屏蔽部21和外侧屏蔽部22。

如图1（b）所示，本例的内侧屏蔽部21和外侧屏蔽部22分别以包围靶材7和背板8的方式设置。

在此，内侧屏蔽部21由例如氧化铝（Al₂O₃）等绝缘性的材料或钛（Ti）、铝（Al）、不锈钢等导电性的金属材料构成，接近配置在靶材7（背板8）的外周部。

然后，该内侧屏蔽部21在真空槽2内相对于其他的部分绝缘，其电位被设定为浮动电位。

本例的内侧屏蔽部21被形成为矩形的框形状（参照图1（b）），被构成为其前端部（图1（a）中所示的上部）比靶材7的溅射面7a向基板6侧突出，而使相对于真空槽2的后述的磁石装置10侧的内壁2a的距离比相对于溅射面7a的距离大。

另一方面，外侧屏蔽部22由例如钛（Ti）、铝（Al）、不锈钢等导电性的金属等材料构成，设置在内侧屏蔽部21的周围。

然后，本例的外侧屏蔽部22被形成为矩形的框形状（参照图1（b）），被构成为其前端部（图1（a）中所示的上部）比靶材7的溅射面7a向基板6侧突出，而使相对于真空槽2的后述的磁石装置10侧的内壁2a的距离比相对于溅射面7a的距离大。

该外侧屏蔽部22与例如真空槽2一起设定为接地电位，发挥用于将溅射粒子引导到基板6的所谓大地屏蔽的作用。

在背板8的背面侧设置有磁石装置10。

如图1（a）（b）和后述的图3（a）所示，磁石装置10具有以在靶材7的溅射面7a上发生磁场的方向设置的中心磁石11、以及在中心磁石11的周围以连续的形状设置的外周磁石12。

中心磁石11在与背板8平行的磁石固定板13上配置为例如长方体形状，外周磁石12在磁石固定板13上从中心磁石11的周缘部隔开规定距离而形成为环状，以包围中心磁石11的方式配置。

包围中心磁石11的周围的环状的外周磁石12未必意味着是没有一个接缝的环形状。即，只要是包围中心磁石11的周围的形状，则既可以由多个部件构成，也可以在某部分中具有直线的形状。此外，也可以为闭合的圆环或保持闭合圆环的原样变形的形状（在本例中，示出矩形形状。）。

再有，关于本例的磁石装置10，其尺寸被设定为外周磁石12（磁石固定板13）的外径比靶材7的外径小。

外周磁石12和中心磁石11以彼此不同极性的磁极相向的方式配置。即，中心磁石11和外周磁石12被配置为彼此不同极性的磁极朝向靶材7的溅射面7a。

在磁石装置10的磁石固定板13的背面侧配置有例如XY台等移动装置14，磁石装置10安装于移动装置14。

移动装置14连接到控制部15，被构成为通过来自控制部15的控制信号而使磁石装置10沿着靶材7的溅射面7a在相对于中心磁石11延伸的方向（长尺寸方向）正交的方向上往返移动。

在本例中，控制部15被构成为使磁石装置10在外周磁石12的外周部整体比靶材7的溅射面7a的外周部进入内侧的位置、和外周磁石12的外周部的一部分（在本例中磁石装置10的移动方向侧的部分12₁和12₂）超出到靶材7的溅射面7a的外周部的外侧的位置之间往返移动（参照图1（a））。

然后，在与上述的内侧屏蔽部21的关系中，磁石装置10被构成为在外周磁石12的外周部整体相对于包围靶材7的溅射面7a的周围的内侧屏蔽部21的内周部进入内侧的位置、和外周磁石12的外周部的一部分（在本例中，磁石装置10的移动方向侧的部分12₁和12₂）相对于内侧屏蔽部21的内周部超出到外周部侧的位置之间移动。

在具有这样的结构的本例中，在基板6上利用溅射进行成膜的情况下，对真空槽2内进行真空排气，并且向真空槽2内导入溅射气体，从电源装置9经由背板8向靶材7施加规定的负电压。

然后，如上述那样，使磁石装置10在外周磁石12的外周部整体相对于包围靶材7的溅射面7a的周围的内侧屏蔽部21的内周部进入内侧的位置、和外周磁石12的外周部的一部分相对于内侧屏蔽部21的内周部超出到外周部侧的位置之间往返移动。

利用以上的工作，在靶材7和基板6之间产生放电，靶材7上的溅射气体被电离而等离子体化。

该等离子体中存在的溅射气体的离子被由磁石装置10发生的磁场捕捉。

在本例中，向靶材7施加负电压，溅射气体的离子碰撞到负电位的靶材7的溅射面7a，将靶材材料的粒子（溅射粒子）弹飞。

该溅射粒子到达并附着于上述的基板6的表面，靶材材料的膜形成在基板6。

另一方面，从靶材7的溅射面7a弹飞的溅射粒子的一部分再附着于靶材7的溅射面7a。

在如以上所述的本例的溅射成膜装置1中，在放电时生成并且被磁石装置10的磁场捕捉的溅射气体的等离子体被接近配置在靶材7的外周部的周围并且被设为浮动电位的内侧屏蔽部21遮挡，因此，阻止其到达并接触设置在内侧屏蔽部21的周围并被设为接地电位且由导电性材料构成的外侧屏蔽部22。

其结果是，根据本例，避免了由于等离子体中的离子的电荷接触到接地电位的外侧屏蔽部22而造成的等离子体的消失，因此，等离子体到达靶材7的溅射面7a的外周部，由此，能够抑制靶材7的溅射面7a的外周部中的非侵蚀区域的发生，因此，能够防止起因于附着于靶材7的非侵蚀区域的溅射粒子的剥离而造成的成膜特性的降低。

图2（a）（b）示出本发明的溅射成膜装置的第二例，图2（a）是示出内部结构的部分截面图，图2（b）是示出主要部分的内部结构的平面图。以下，针对与上述第一例对应的部分，标注相同的符号并省略其详细说明。

如图2（a）（b）所示，本例的溅射成膜装置1A具有设置有以覆盖靶材7的溅射面7a的方式重叠的重复部21a的内侧屏蔽部21A。

在此，内侧屏蔽部21A的重复部21a被形成为相对于靶材的溅射面7a具有一些间隙的矩形框状，并且被构成为其开口部的缘部21b具有比靶材7的外径小一些的内径。

然后，由此，本例的内侧屏蔽部21A的重复部21a被形成为遍及全域而覆盖靶材7的溅射面7a的外周部。

根据具有这样的结构的本例，能够利用遍及靶材7的外周部的全域而设置的内侧屏蔽部21A的重复部21a来遍及其内周部的全域可靠地阻止等离子体到达外侧屏蔽部22，因此，能够遍及靶材7的外周部的全域来抑制起因于等离子体的消失而造成的靶材7的溅射面7a的外周部中的非侵蚀区域的发生，而使非侵蚀区域变小。此外，能够遍及靶材7的溅射面7a的外周部的全域来阻止溅射粒子向靶材7的非侵蚀区域的附着，因此，能够更进一步防止起因于溅射粒子的剥离而造成的成膜特性的降低。

关于其他的作用效果，与上述的例子相同，因此，省略其详细说明。

图3（a）（b）是用于说明本发明的溅射成膜装置的第三例的目的的图。

此外，图4是示出该溅射成膜装置的第三例的主要部分的内部结构的平面图。以下，针对与上述第一、二例对应的部分标注相同的符号并省略其详细说明。

在这种磁控管溅射装置中，在使用如图3（a）所示的上述的磁石装置10那样将长方体状的中心磁石11和框状的外周磁石12组合的磁石装置来作为磁石装置的情况下，存在以下那样的课题。

即，当使用这样的磁石装置10来进行溅射时，由于溅射时的放电而生成的等离子体中的离子被由磁石装置10发生的磁场轨道捕捉，从而描绘与磁石装置10对应的轨道而运动。

在该情况下，磁石装置10被形成为矩形状，因此，发生的磁场轨道也为近似矩形的形状。

可是，在实际的装置中，如图3（a）（b）所示，由于放电而生成的等离子体30中的离子由于在从磁石装置10的例如外周磁石12的短边12s侧向长边12l侧改变方向移动时等离子体30的等离子体密度变高等理由，而沿着离子从磁石装置10的外周磁石12的短边12s侧向长边12l侧改变方向移动的角部12c、12d（离子从对应的靶材7的短边7s侧向长边7l侧改变方向而移动的角部7c、7d）中产生的、向等离子体30的外侧突出的形状的部分31、32进行运动。

其结果是，存在如下那样的课题，即：当离子沿着这样的向等离子体30的外侧突出的形状的部分31、32运动时，当接触到例如大地屏蔽等接地电位的导电构件时等离子体30中的离子的电荷通过导电构件而流向接地部位，等离子体30的一部分消失，在靶材7的溅射面7a（参照图1a）中残留未溅射的非侵蚀区域。

图4示出用于解决上述课题的方案。

如图4所示，在第三例的溅射成膜装置1B中，在内侧屏蔽部21B中，以与形成为矩形状的靶材7的相向的一对角部7c、7d重叠的方式设置重复部21c、21d。

特别地，在本例的情况下，在内侧屏蔽部21B中，以与和上述的向等离子体30的外侧突出的形状的部分31、32对应的、靶材7的相向的一对角部7c、7d、即分别与离子从图3（a）（b）所示的磁石装置10的外周磁石12的短边12s侧向长边12l侧改变方向移动的角部12c、12d对应的靶材7的角部7c、7d重叠的方式分别设置重复部21c、21d。

根据具有这样的结构的本例，能够可靠且以较少材料更有效地抑制靶材7的溅射面7a的外周部中的非侵蚀区域的发生。

图5（a）（b）示出本发明的溅射成膜装置的第四例，图5（a）是示出内部结构的部分截面图，图5（b）是示出主要部分的内部结构的平面图。

此外，图6是示出本发明的溅射成膜装置的第五例的内部结构的平面图。以下，针对与上述第一例对应的部分，标注相同的符号并省略其详细说明。

如图5（a）（b）所示，本例的溅射成膜装置1C具有设置有向靶材7的溅射面7a的方向突出的突出部23a的内侧屏蔽部23。

在此，内侧屏蔽部23的突出部23a被形成为相对于靶材7的溅射面7a具有一些间隙的矩形框状，并且被构成为其开口部的缘部23b具有比靶材7的外径大一些的内径。

即，本例的内侧屏蔽部23的突出部23a与上述的第二例不同，被设置为不与靶材7的溅射面7a重叠。

在具有这样的结构的本例中，也能够利用遍及靶材7的外周部的全域而设置的内侧屏蔽部23的突出部23a来遍及其内周部的全域可靠地阻止等离子体到达外侧屏蔽部22，因此，能够遍及靶材7的外周部的全域来抑制起因于等离子体的消失而造成的靶材7的溅射面7a的外周部中的非侵蚀区域的发生，而使非侵蚀区域变小。

另一方面，如图6所示，在第五例的溅射成膜装置1D中，在内侧屏蔽部23中，在形成为矩形状并且与上述的向等离子体30的外侧突出的形状的部分31、32对应的、靶材7的相向的一对角部7c、7d的近旁设置向靶材7的溅射面7a的方向突出的突出部23c、23d。

在该情况下，突出部23c、23d被设置为不与靶材7的溅射面7a重叠。

根据具有这样的结构的第四例和第五例，能够可靠且以较少材料更有效地抑制靶材7的溅射面7a的外周部中的非侵蚀区域的发生。

再有，本发明不限于上述实施方式，能够进行各种变更。例如，在上述实施方式中以使用一个磁石装置的情况为例来说明，但是，本发明不限于此，如以下说明的那样，也能够适用于并排配置多个磁石装置的情况。

图7是示出使用多个磁石装置的溅射成膜装置的例子的部分截面图，图8是示出该使用多个磁石装置的溅射成膜装置的例子的主要部分的内部结构的平面图。以下，针对与上述例对应的部分，标注相同的符号并省略其详细说明。

如图7和图8所示，本例的溅射成膜装置1E具有设置有与图1（a）（b）所示的第一例的溅射成膜装置1相同的内侧屏蔽部21和外侧屏蔽部22的真空槽2，在该真空槽2内的背板8的背面侧设置有磁石装置10a。

在本例中的磁石装置10a中，在上述的磁石固定板13上设置有多个（在本例中，5个）磁石单元10A～10E。

这些磁石单元10A～10E具有相同的结构，分别在与背板8平行的细长的板状的磁石固定部16a上具备以在靶材7的溅射面7a上发生磁场的方向设置的中心磁石11a、以及在中心磁石11a的周围以连续形状设置的外周磁石12a。

中心磁石11a被配置为在与磁石固定部16a相同方向上延伸的细长的例如长方体形状，外周磁石12a在磁石固定部16a上形成为在与磁石固定部16a相同方向上延伸的细长的环状，并且，被配置为相对于中心磁石11a的周缘部隔开规定距离而包围中心磁石11a。

在各磁石单元10A～10E中，与上述的磁石装置10同样地，包围中心磁石11a的周围的环状的外周磁石12a未必意味着是没有一个接缝的环形状。即，只要是包围中心磁石11a的周围的形状，则既可以由多个部件构成，也可以在某部分中具有直线的形状。此外，也可以为闭合的圆环或保持闭合圆环的原样变形的形状（在本例中，示出矩形形状。）。

各磁石单元10A～10E的外周磁石12a与中心磁石11a以使彼此不同极性的磁极相向的方式配置，由此，中心磁石11a和外周磁石12a被构成为使彼此不同极性的磁极朝向靶材7的溅射面7a。

然后，具有这样的结构的磁石单元10A～10E以使得邻接的外周磁石12a的长尺寸方向的侧部相向的方式朝向相同方向接近配置。

在本例的磁石装置10a中，与上述第一例的情况同样，磁石固定板13安装于上述的移动装置14，被构成为通过来自控制部15的控制信号而使磁石装置10a沿着靶材7的溅射面7a在相对于各磁石单元10A～10E延伸的方向（长尺寸方向）正交的方向上往返移动。

然后，在本例中，以使得磁石装置10a的磁石单元10A～10E之中的、位于磁石装置10a的移动方向的两侧的磁石单元10A和磁石单元10E中的外周磁石12a的移动方向侧的部分12a₁和12a₂的缘部间的距离比关于该移动方向的靶材7的关于该移动方向缘部间的长度小的方式设定各磁石单元10A～10E的尺寸和配置位置（参照图8）。

再有，在本例中，针对磁石装置10a的各磁石单元10A～10E的外周磁石12a中的每一个，以使得相对于磁石装置10a的移动方向正交的方向的缘部间的距离比靶材7的相对于该移动方向正交的方向的缘部间的长度小的方式设定各磁石单元10A～10E的尺寸和配置位置。

然后，被构成为使磁石装置10a在外周磁石12a的外周部整体比靶材7的溅射面7a的外周进入内侧的位置、和外周磁石12a的外周部的一部分（在本例中，磁石装置10a的移动方向侧的部分12a₁和12a₂）超出到靶材7的溅射面7a的外周部的外侧的位置之间往返移动。

另一方面，在与上述的内侧屏蔽部21的关系中，磁石装置10a被构成为在外周磁石12a的外周部整体相对于包围靶材7的溅射面7a的周围的内侧屏蔽部21的内周部进入内侧的位置、和外周磁石12a的外周部的一部分（在本例中，移动方向侧的部分12a₁和12a₂）相对于内侧屏蔽部21的内周部超出到外周部侧的位置之间移动。

在以上所述的本例的溅射成膜装置1E中，在放电时生成并被磁石装置10a的各磁石单元10A～10E的磁场捕捉的溅射气体的等离子体被接近配置在靶材7的外周部的周围并被设为浮动电位的内侧屏蔽部21遮挡，因此，阻止其到达并接触设置在内侧屏蔽部21的周围并被设为接地电位且由导电性材料构成的外侧屏蔽部22。

其结果是，根据本例，与上述的第一～第四例的情况同样，避免了由于等离子体中的离子的电荷接触到接地电位的外侧屏蔽部22而造成的等离子体的消失，因此，等离子体到达靶材7的溅射面7a的外周部，由此，能够抑制靶材7的溅射面7a的外周部中的非侵蚀区域的发生，因此，能够防止起因于附着于靶材7的非侵蚀区域的溅射粒子的剥离而造成的成膜特性的降低。

进而，在本例中，使用具有多个磁石单元10A～10E的磁石装置10a，因此，存在如下的效果，即：向磁场的电力集中被缓和，由此，能够使接通电力变大。

再有，在上述的例子中，以设置具有5个磁石单元10A～10E的磁石装置10a的情况为例来说明，但是，本发明不限于此，也能够适用于具有6个以上的磁石单元的情况。

此外，本例的磁石装置10a还能够适用于上述的第二例～第五例的溅射成膜装置1A～1D。

特别地，在使用本例的磁石装置10a来进行溅射的情况下，在等离子体中的离子沿着离子从磁石装置10a的各磁石单元10A～10E的外周磁石12a的短边侧向长边侧改变方向而移动的相向的角部中产生的、向等离子体的外侧突出的形状的部分进行运动时，将上述的第三例的溅射成膜装置1B和第五例的溅射成膜装置1D组合是有效的。

即，这是因为，在本例的磁石装置10a中，在离子相对于各磁石单元10A～10E从短边侧向长边侧改变方向而移动的相向的角部中，离子沿着上述那样的向等离子体的外侧突出的形状的部分进行运动，但是，该等离子体中的离子针对磁石装置10a的整体也在如例如图8所示那样在离子从磁石装置10a的移动方向两端的磁石单元10A、10E的外周磁石12a的短边侧向长边侧改变方向而移动的相向的角部12c、12d中沿着向等离子体的外侧突出的形状的部分进行运动。

附图标记的说明

1……溅射成膜装置

2……真空槽

6……基板（成膜对象物）

7……溅射靶材

7a…溅射面

7c，7d…角部

7l…长边

7s…短边

8……背板

10…磁石装置

11…中心磁石

12…外周磁石

21…内侧屏蔽部

22…外侧屏蔽部。

Claims

1.一种溅射成膜装置，在真空中利用磁控管溅射法对一个成膜对象物进行成膜，其中，具有：

磁控管发生用磁石装置，相对于一个溅射靶材配置在与溅射面相反侧，在放电时在沿着该溅射靶材的溅射面的方向上移动；

内侧屏蔽部，接近配置在所述溅射靶材的外周部的周围，被设为浮动电位；以及

外侧屏蔽部，设置在该内侧屏蔽部的周围，被设为接地电位，由导电性材料构成。

2.根据权利要求1所述的溅射成膜装置，其中，在所述内侧屏蔽部设置有以覆盖所述溅射靶材的溅射面的方式重叠的重复部。

3.根据权利要求2所述的溅射成膜装置，其中，所述内侧屏蔽部的重复部遍及所述溅射靶材的溅射面的外周部的全域而设置。

4.根据权利要求2所述的溅射成膜装置，其中，所述内侧屏蔽部的重复部被设置为与形成为矩形状的所述溅射靶材的相向的一对角部重叠。

5.根据权利要求1所述的溅射成膜装置，其中，在所述内侧屏蔽部设置有向所述溅射靶材的溅射面的方向突出的突出部。

6.根据权利要求5所述的溅射成膜装置，其中，所述内侧屏蔽部的突出部遍及所述溅射靶材的溅射面的外周部的全域而设置。

7.根据权利要求5所述的溅射成膜装置，其中，所述内侧屏蔽部的突出部被设置在形成为矩形状的所述溅射靶材的相向的一对角部。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的溅射成膜装置，其中，所述溅射靶材被形成为其外径比所述成膜对象物的外径大。