JP7102260B2 - 対向ターゲット式スパッタ成膜装置 - Google Patents
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Description
このようなデバイスを製造するには、真空中においてパーティクルの発生が少なく高品質な薄膜形成技術が重要である。
しかし、マグネトロン式スパッタリング装置では、成膜中に高い運動エネルギーを持った粒子が基板表面に衝突し膜質の低下を引き起こすという問題がある。
したがって、パーティクルの発生を抑制するためには、ターゲット表面に非エロージョン領域が発生しないように放電させることが重要である。
しかし、この従来技術の防着板はプラズマの影響で加熱され易く、かつ、構造的に冷却しにくいため、成膜時と非成膜時の熱サイクルにより防着板が熱膨張と収縮を繰り返し、その結果、長期的に使用するとパーティクルが発生するという問題がある。
本発明では、前記第1及び第2のアノード電極は、前記第1及び第2のスパッタリングターゲットのターゲット表面側の部分に凹凸が設けられていることも効果的である。
本発明では、前記第1及び第2のスパッタリングターゲットのターゲット表面に対する第1及び第2のアノード電極の表面の角度がそれぞれ-45°以上90°以下となるように構成されていることも効果的である。
本発明では、前記第1及び第2のスパッタリングターゲットと前記第1及び第2のアノード電極との間にそれぞれ所定の厚さの絶縁体が設けられていることも効果的である。
本発明では、前記第1及び第2のカソード電極に対してそれぞれ13.56MHz以上100MHz以下の高周波電力を供給するように構成されていることも効果的である。
本発明では、前記第1及び第2のカソード電極の中央部に対してそれぞれ前記高周波電力を供給するように構成されていることも効果的である。
本発明では、前記第1及び第2のカソード電極に対してそれぞれ直流電力を更に供給するように構成されていることも効果的である。
本発明では、前記第1及び第2のカソード電極に高周波電力を供給した場合において当該第1及び第2のカソード電極の各部分のインピーダンスを調整するインピーダンス調整手段がそれぞれ設けられていることも効果的である。
図1は、本発明に係る対向ターゲット式スパッタ成膜装置の内部構成を示す概略図である。
また、真空成膜室2は、その外壁部に設けられた接地端子2dを介して接地されている。
また、穴部71内の壁部にプラズマが確実に接触することを考慮すると、穴部71の開口径は、例えば円形状の場合に5mm以上に設定することが好ましい。
この場合、ターゲット5のターゲット表面5Sに対するアノード電極7bの表面7Sの角度が0°より大きい場合(θ1)には、アノード電極7bの表面7Sとターゲット5のターゲット表面5Sとの間の距離がターゲット5のターゲット表面5Sに対するアノード電極7bの表面7Sの角度が0°の場合に比べて小さくなるため、アノード電極7bの表面7Sとターゲット5のターゲット表面5Sとの間の結合容量が相対的に大きくなり、これによってアノード電極7bの表面7Sとターゲット5のターゲット表面5Sとの間のインピーダンスが相対的に小さくなる。
この場合、ターゲット5とアノード電極7cとの間に設けられた絶縁体70の厚さを小さくすると(D1>D2)、アノード電極7cの表面7Sとターゲット5のターゲット表面5Sとの間の距離が小さくなるため、アノード電極7cの表面7Sと、カソード電極であるバッキングプレート6に電気的に接続されたターゲット5のターゲット表面5Sとの間の結合容量が相対的に大きくなり、これによってアノード電極7cの表面7Sとターゲット5のターゲット表面5Sとの間のインピーダンスが相対的に小さくなる。
一方、第2のスパッタ部4Bでは、第2の磁石装置9Bのリングの内側に、そのN極からS極へ向かう方向の第2のマグネトロン磁場32が発生する。
具体的には、高周波電力の電力供給端子と放電部との距離が大きくなるに従いインピーダンスが大きくなり、生成されるプラズマの密度が小さくなる。
図4(a)(b)は、ターゲット及びバッキングプレートの形状が正方形形状の場合のインピーダンス調整手段の例を示す概略構成図である。以下、本発明の理解を容易にするために、上述した第1及び第2のスパッタ部4A、4Bのように一対のスパッタ部のうち、一方のスパッタ部を例にとって説明する。
この高周波電力拡散部材43は、例えば銅(Cu)等のバッキングプレート41と同様に導電率の小さい金属材料からなり、バッキングプレート41(ターゲット40)に対して電気的に接続されている。
このような構成を有する本例において高周波電力拡散部材43の電力供給端子60aに対して高周波電力を供給すると、高周波電力拡散部材43の四つの拡散部43aに沿って高周波電力が供給されるようになる。
図5(b)に示すように、本例の高周波電力拡散部材53は、長方形形状のバッキングプレート51の中央部分に、バッキングプレート51の長辺部と平行な直線状の第1の拡散部53aが設けられている。
また、第2の拡散部53bの長さが、第3及び第4の拡散部53c、53dの長さより長くなるようにそれぞれの寸法が設定されている。
2……真空成膜室
2d…接地端子
3……高周波シールドカバー部
4A…第1のスパッタ部
4B…第2のスパッタ部
5A…第1のスパッタリングターゲット
5B…第2のスパッタリングターゲット
6A…第1のバッキングプレート(第1のカソード電極)
6B…第2のバッキングプレート(第2のカソード電極)
6a…第1の電力供給端子
6b…第2の電力供給端子
7A…第1のアノード電極
7B…第2のアノード電極
9A…第1の磁石装置
9B…第2の磁石装置
15…基板
21…放電空間
Claims (8)
- 接地された真空槽内で一対のスパッタリングターゲットを対向させてスパッタ成膜を行う対向ターゲット式スパッタ成膜装置であって、
第1及び第2のカソード電極と、
前記第1及び第2のカソード電極に電気的にそれぞれ接続され、放電空間を挟んで対向配置される第1及び第2のスパッタリングターゲットと、
前記第1及び第2のカソード電極の背面側で前記第1及び第2のスパッタリングターゲットの縁部に対応する位置に、前記放電空間を挟んで異なる磁極が対向するようにそれぞれ配置された第1及び第2の磁石装置と、
前記第1及び第2のカソード電極の電力供給端子と前記真空槽の接地端子との間にそれぞれ高周波電力を供給する高周波電源とを備え、
前記第1及び第2のスパッタリングターゲットの周囲をそれぞれ近接して取り囲むように、当該第1及び第2のスパッタリングターゲットのターゲット表面との間の結合容量がそれぞれ調整された第1及び第2のアノード電極が設けられ、
前記第1及び第2のアノード電極は、それぞれの内周部が、前記第1及び第2のターゲットの外周部と近接するように配置されている対向ターゲット式スパッタ成膜装置。 - 前記第1及び第2のアノード電極は、前記第1及び第2のスパッタリングターゲットのターゲット表面側の部分に凹凸が設けられている請求項1記載の対向ターゲット式スパッタ成膜装置。
- 前記第1及び第2のスパッタリングターゲットのターゲット表面に対する第1及び第2のアノード電極の表面の角度がそれぞれ-45°以上90°以下となるように構成されている請求項1又は2のいずれか1項記載の対向ターゲット式スパッタ成膜装置。
- 前記第1及び第2のスパッタリングターゲットと前記第1及び第2のアノード電極との間にそれぞれ所定の厚さの絶縁体が設けられている請求項1乃至3のいずれか1項記載の対向ターゲット式スパッタ成膜装置。
- 前記第1及び第2のカソード電極に対してそれぞれ13.56MHz以上100MHz以下の高周波電力を供給するように構成されている請求項1乃至4のいずれか1項記載の対向ターゲット式スパッタ成膜装置。
- 前記第1及び第2のカソード電極の中央部に対してそれぞれ前記高周波電力を供給するように構成されている請求項1乃至5のいずれか1項記載の対向ターゲット式スパッタ成膜装置。
- 前記第1及び第2のカソード電極に対してそれぞれ直流電力を更に供給するように構成されている請求項1乃至6のいずれか1項記載の対向ターゲット式スパッタ成膜装置。
- 前記第1及び第2のカソード電極に高周波電力を供給した場合において当該第1及び第2のカソード電極の各部分のインピーダンスを調整するインピーダンス調整手段がそれぞれ設けられている請求項1乃至7のいずれか1項記載の対向ターゲット式スパッタ成膜装置。
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