JP2003346559A - 透明導電膜、及びその形成方法 - Google Patents
透明導電膜、及びその形成方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】目的とする組成の焼結ターゲットを用意しなく
ても所望するｋ値の非晶質のホモロガス化合物からなる
透明導電膜を形成すること、特に、従来得られないとさ
れていたｋ＝１のホモロガス化合物からなる透明導電膜
や、結晶化しやすいｋ＝４の非晶質のホモロガス化合物
からなる透明導電膜を容易に形成する方法を提供するこ
と。 【解決手段】ＺｎｋＩｎ２Ｏｋ＋３（ｋは１〜４の整
数。）で表される非晶質ホモロガス化合物からなる透明
導電膜を酸化インジウムターゲット（ＴＩｎ）と酸化亜
鉛ターゲット（ＴＺｎ）とを互いに対向するように配置
して、基板温度が２００℃以下、かつδ＝ＩＩｎ／（Ｉ
Ｉｎ＋ＩＺｎ）で定義されるＴＩｎに印可した電流値
（ＩＩｎ）とＴＺｎに印可した電流値（ＩＺｎ）との電
流比δが０．３０〜０．８０の条件下でスパッタリング
することにより基板上に形成する。
ても所望するｋ値の非晶質のホモロガス化合物からなる
透明導電膜を形成すること、特に、従来得られないとさ
れていたｋ＝１のホモロガス化合物からなる透明導電膜
や、結晶化しやすいｋ＝４の非晶質のホモロガス化合物
からなる透明導電膜を容易に形成する方法を提供するこ
と。 【解決手段】ＺｎｋＩｎ２Ｏｋ＋３（ｋは１〜４の整
数。）で表される非晶質ホモロガス化合物からなる透明
導電膜を酸化インジウムターゲット（ＴＩｎ）と酸化亜
鉛ターゲット（ＴＺｎ）とを互いに対向するように配置
して、基板温度が２００℃以下、かつδ＝ＩＩｎ／（Ｉ
Ｉｎ＋ＩＺｎ）で定義されるＴＩｎに印可した電流値
（ＩＩｎ）とＴＺｎに印可した電流値（ＩＺｎ）との電
流比δが０．３０〜０．８０の条件下でスパッタリング
することにより基板上に形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、酸化亜鉛−酸化イ
ンジウム系透明導電膜、特にＺｎｋＩｎ２Ｏｋ＋ ３（ｋ
は１〜４の整数。）で表される非晶質のホモロガス化合
物からなる透明導電膜、及びその形成方法に関するもの
である。
ンジウム系透明導電膜、特にＺｎｋＩｎ２Ｏｋ＋ ３（ｋ
は１〜４の整数。）で表される非晶質のホモロガス化合
物からなる透明導電膜、及びその形成方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】液晶素子、調光ガラス、太陽電池等の透
明電極として、スズをドープした酸化インジウム（Indi
um Tin Oxide:ＩＴＯ）薄膜を利用したものが幅広く使
用されているが、最近になって酸化亜鉛−酸化インジウ
ム系透明導電膜が注目されている。
明電極として、スズをドープした酸化インジウム（Indi
um Tin Oxide:ＩＴＯ）薄膜を利用したものが幅広く使
用されているが、最近になって酸化亜鉛−酸化インジウ
ム系透明導電膜が注目されている。
【０００３】この酸化亜鉛−酸化インジウム系透明導電
膜の導電性、光透過性、耐熱性等の特性は当該導電膜を
構成するインジウム元素の原子比［Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚ
ｎ）］に大きく依存することが知られている。そして、
例えば、特開平６−３１８４０６号公報には、インジウ
ム元素の原子比が０．５５〜０．８０である酸化亜鉛−
酸化インジウム系透明導電膜が、実用上十分な導電性お
よび光透過性を有し、かつ耐湿熱性及びエッチング特性
にも優れた性質を有していることが記載されている。そ
して、このような透明導電膜を形成するためのスパッタ
リングターゲットとして（１）インジウム元素の原子比
が０．４５〜０．８０である酸化インジウムと酸化亜鉛
との焼結体ターゲット、或いは（２）酸化物系ディスク
と、このディスク上に配置した１個以上の酸化物タブレ
ットからなるターゲットを使用することが記載されてい
る。
膜の導電性、光透過性、耐熱性等の特性は当該導電膜を
構成するインジウム元素の原子比［Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚ
ｎ）］に大きく依存することが知られている。そして、
例えば、特開平６−３１８４０６号公報には、インジウ
ム元素の原子比が０．５５〜０．８０である酸化亜鉛−
酸化インジウム系透明導電膜が、実用上十分な導電性お
よび光透過性を有し、かつ耐湿熱性及びエッチング特性
にも優れた性質を有していることが記載されている。そ
して、このような透明導電膜を形成するためのスパッタ
リングターゲットとして（１）インジウム元素の原子比
が０．４５〜０．８０である酸化インジウムと酸化亜鉛
との焼結体ターゲット、或いは（２）酸化物系ディスク
と、このディスク上に配置した１個以上の酸化物タブレ
ットからなるターゲットを使用することが記載されてい
る。
【０００４】また、特開平９−９２０３７号公報にはイ
ンジウム元素の原子比が０．８以上、０．９未満であ
り、比抵抗が２．０×１０−４Ω・ｃｍ以下、表面の凹
凸が１０ｎｍ以内という極めて低い抵抗値を有し、かつ
極めて優れた表面平滑性を有する非晶質の酸化亜鉛−酸
化インジウム系透明導電膜が記載されていて、このよう
な透明導電膜がインジウム元素の原子比が０．８２以
上、０．９２未満のターゲットを使用し、これを２００
Ｖ未満という低電圧でスパッタリングすることにより得
られること、この際ターゲットとしてＩｎ２Ｏ３（Ｚｎ
Ｏ）ｍ（ｍ＝２〜２０、好ましくはｍ＝２〜８、特に好
ましくはｍ＝２〜６）で表される六方晶層状化合物を含
む焼結体ターゲットを用いるのが好ましいことが記載さ
れている。
ンジウム元素の原子比が０．８以上、０．９未満であ
り、比抵抗が２．０×１０−４Ω・ｃｍ以下、表面の凹
凸が１０ｎｍ以内という極めて低い抵抗値を有し、かつ
極めて優れた表面平滑性を有する非晶質の酸化亜鉛−酸
化インジウム系透明導電膜が記載されていて、このよう
な透明導電膜がインジウム元素の原子比が０．８２以
上、０．９２未満のターゲットを使用し、これを２００
Ｖ未満という低電圧でスパッタリングすることにより得
られること、この際ターゲットとしてＩｎ２Ｏ３（Ｚｎ
Ｏ）ｍ（ｍ＝２〜２０、好ましくはｍ＝２〜８、特に好
ましくはｍ＝２〜６）で表される六方晶層状化合物を含
む焼結体ターゲットを用いるのが好ましいことが記載さ
れている。
【０００５】また、特許第２６９５６０５号公報には、
スパッタリングターゲットとしてインジウム元素の原子
比が０．２〜０．８５であり、かつ化学式：Ｉｎ２Ｏ３
（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＝２〜２０）で表される六方晶層状化
合物を含む焼結体ターゲットを用いた酸化亜鉛−酸化イ
ンジウム系透明導電膜が、ＩＴＯ膜よりも耐湿性に優れ
るとともにＩＴＯ膜と同等の導電性、光透過率を有する
ことが記載されており、特開平９−１７５８３７号公報
にはインジウム、亜鉛、酸素に加えて少なくとも１種の
ハロゲンを必須構成元素とすることによって低基板温度
下に成膜した場合にも優れた導電性、光透過性を示す透
明導電膜が得られることが、特開２０００−６７６５７
号公報には基板上に付着された亜鉛−インジウム酸化物
を含む膜を低酸素雰囲気中で約１５０〜３５０℃に加熱
することにより赤外線波長領域における透過率に優れた
透明導電膜が得られることが記載されている。
スパッタリングターゲットとしてインジウム元素の原子
比が０．２〜０．８５であり、かつ化学式：Ｉｎ２Ｏ３
（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＝２〜２０）で表される六方晶層状化
合物を含む焼結体ターゲットを用いた酸化亜鉛−酸化イ
ンジウム系透明導電膜が、ＩＴＯ膜よりも耐湿性に優れ
るとともにＩＴＯ膜と同等の導電性、光透過率を有する
ことが記載されており、特開平９−１７５８３７号公報
にはインジウム、亜鉛、酸素に加えて少なくとも１種の
ハロゲンを必須構成元素とすることによって低基板温度
下に成膜した場合にも優れた導電性、光透過性を示す透
明導電膜が得られることが、特開２０００−６７６５７
号公報には基板上に付着された亜鉛−インジウム酸化物
を含む膜を低酸素雰囲気中で約１５０〜３５０℃に加熱
することにより赤外線波長領域における透過率に優れた
透明導電膜が得られることが記載されている。
【０００６】しかしながら、スパッタリングターゲット
として酸化インジウムと酸化亜鉛との焼結体ターゲット
を使用する方法では、所望するインジウム元素の原子比
の透明導電膜を形成したい場合、それに応じたインジウ
ム元素の原子比の焼結体ターゲットをあらかじめ用意し
ておく必要があるばかりか、たとえ、所望するインジウ
ム元素の原子比の焼結体ターゲットを使用したとして
も、スパッタリング条件によっては得られる透明導電膜
中のインジウム元素の原子比が、使用したターゲットの
原子比とは必ずしも一致しないという問題があった。
として酸化インジウムと酸化亜鉛との焼結体ターゲット
を使用する方法では、所望するインジウム元素の原子比
の透明導電膜を形成したい場合、それに応じたインジウ
ム元素の原子比の焼結体ターゲットをあらかじめ用意し
ておく必要があるばかりか、たとえ、所望するインジウ
ム元素の原子比の焼結体ターゲットを使用したとして
も、スパッタリング条件によっては得られる透明導電膜
中のインジウム元素の原子比が、使用したターゲットの
原子比とは必ずしも一致しないという問題があった。
【０００７】更に、特開平９−９２０３７号公報におい
てターゲットとして好ましいとされ、特許第２６９５６
０５号公報に記載されている化学式：Ｉｎ２Ｏ３（Ｚｎ
Ｏ） ｍ（ｍ＝２〜２０）で表される六方晶層状化合物の
焼結体（本発明でいうホモロガス化合物に相当する。）
を焼結体ターゲットとして使用する方法ではインジウム
元素の原子比が０．０９〜０．５０の範囲内でしか選択
できないのでインジウム元素の原子比の大きい透明導電
膜を所望する場合は六方晶層状化合物と酸化インジウム
の混合物の焼結体を使用するしか方法がなかった。更
に、上述した化学式：Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＝２
〜２０）で表される六方晶層状化合物の焼結体ターゲッ
トではｍ＝１の六方晶層状化合物は得られない（特開平
９−１７５８３７号公報００３２欄参照）という問題も
あった。
てターゲットとして好ましいとされ、特許第２６９５６
０５号公報に記載されている化学式：Ｉｎ２Ｏ３（Ｚｎ
Ｏ） ｍ（ｍ＝２〜２０）で表される六方晶層状化合物の
焼結体（本発明でいうホモロガス化合物に相当する。）
を焼結体ターゲットとして使用する方法ではインジウム
元素の原子比が０．０９〜０．５０の範囲内でしか選択
できないのでインジウム元素の原子比の大きい透明導電
膜を所望する場合は六方晶層状化合物と酸化インジウム
の混合物の焼結体を使用するしか方法がなかった。更
に、上述した化学式：Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＝２
〜２０）で表される六方晶層状化合物の焼結体ターゲッ
トではｍ＝１の六方晶層状化合物は得られない（特開平
９−１７５８３７号公報００３２欄参照）という問題も
あった。
【０００８】一方、スパッタリングターゲットとして酸
化物系ディスクと、このディスク上に配置した１個以上
の酸化物タブレットからなるターゲットを使用する方法
ではディスクの直径とタブレットの直径及び個数を調節
することにより、ターゲット中のインジウム元素の原子
比を所望する値にすることが可能とされている。しかし
ながら、例えば、特開平６−３１８４０６号公報の実施
例１９においてターゲット面における酸化インジウムと
酸化亜鉛の面積比から求めたインジウム元素の原子比が
０．９５であるにもかかわらず、得られる透明導電膜の
インジウム元素の原子比が０．７２であることからも明
らかなように、酸化亜鉛−酸化インジウム系透明導電膜
中のインジウム元素の原子比を所望する値に制御するこ
とは極めて困難であった。
化物系ディスクと、このディスク上に配置した１個以上
の酸化物タブレットからなるターゲットを使用する方法
ではディスクの直径とタブレットの直径及び個数を調節
することにより、ターゲット中のインジウム元素の原子
比を所望する値にすることが可能とされている。しかし
ながら、例えば、特開平６−３１８４０６号公報の実施
例１９においてターゲット面における酸化インジウムと
酸化亜鉛の面積比から求めたインジウム元素の原子比が
０．９５であるにもかかわらず、得られる透明導電膜の
インジウム元素の原子比が０．７２であることからも明
らかなように、酸化亜鉛−酸化インジウム系透明導電膜
中のインジウム元素の原子比を所望する値に制御するこ
とは極めて困難であった。
【０００９】更に、従来、酸化亜鉛−酸化インジウム系
透明導電膜については、導電膜中のインジウム元素の原
子比や結晶性の有無についてはかなり検討されていたも
のの、当該導電膜の化学構造についてはほとんど検討さ
れていないばかりか、所望する化学構造の酸化亜鉛−酸
化インジウム系透明導電膜、すなわち、所望するｋの値
を有するＺｎｋＩｎ２Ｏｋ＋３（ｋは１〜４の整数。）
で表されるホモロガス化合物、特に非晶質の透明導電膜
を形成する方法については全く検討されていなかった。
透明導電膜については、導電膜中のインジウム元素の原
子比や結晶性の有無についてはかなり検討されていたも
のの、当該導電膜の化学構造についてはほとんど検討さ
れていないばかりか、所望する化学構造の酸化亜鉛−酸
化インジウム系透明導電膜、すなわち、所望するｋの値
を有するＺｎｋＩｎ２Ｏｋ＋３（ｋは１〜４の整数。）
で表されるホモロガス化合物、特に非晶質の透明導電膜
を形成する方法については全く検討されていなかった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは上述した
問題点を解決して、所望するｋの値を有するＺｎｋＩｎ
２Ｏｋ＋３（ｋは１〜４の整数。）で表される非晶質の
ホモロガス化合物からなる酸化亜鉛−酸化インジウム系
透明導電膜、とりわけ文献未記載のｋ＝１に相当するＺ
ｎＩｎ２Ｏ４で表される非晶質のホモロガス化合物から
なる透明導電膜を容易に形成する方法を提供することを
目的とする。
問題点を解決して、所望するｋの値を有するＺｎｋＩｎ
２Ｏｋ＋３（ｋは１〜４の整数。）で表される非晶質の
ホモロガス化合物からなる酸化亜鉛−酸化インジウム系
透明導電膜、とりわけ文献未記載のｋ＝１に相当するＺ
ｎＩｎ２Ｏ４で表される非晶質のホモロガス化合物から
なる透明導電膜を容易に形成する方法を提供することを
目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意検討し
た結果、酸化インジウムと酸化亜鉛とを別々にターゲッ
トとして使用し、各々のターゲットに印可する電流比を
調節して、２００℃以下の基板温度にてスパッタリング
することにより当該基板上に所望する化学構造を有する
非晶質のホモロガス化合物からなる酸化亜鉛−酸化イン
ジウム系透明導電膜が形成しうることを見出し本発明に
到った。
た結果、酸化インジウムと酸化亜鉛とを別々にターゲッ
トとして使用し、各々のターゲットに印可する電流比を
調節して、２００℃以下の基板温度にてスパッタリング
することにより当該基板上に所望する化学構造を有する
非晶質のホモロガス化合物からなる酸化亜鉛−酸化イン
ジウム系透明導電膜が形成しうることを見出し本発明に
到った。
【００１２】すなわち、本発明は
（１）ＺｎｋＩｎ２Ｏｋ＋３（ｋは１〜４の整数。）で
表される非晶質ホモロガス化合物からなる透明導電膜。 （２）ＺｎＩｎ２Ｏ４で表される非晶質ホモロガス化合
物からなる透明導電膜。 （３）酸化インジウムターゲット（ＴＩｎ）と酸化亜鉛
ターゲット（ＴＺｎ）とを互いに対向するように配置し
て、基板温度が２００℃以下、かつδ＝ＩＩｎ／（Ｉ
Ｉｎ＋ＩＺｎ）で定義されるＴＩｎに印可した電流値
（ＩＩｎ）とＴＺｎに印可した電流値（ＩＺｎ）との電
流比δが０．３０〜０．８０の条件下でスパッタリング
することにより基板上に所望するｋ値の、ＺｎｋＩｎ２
Ｏｋ＋３（ｋは１〜４の整数。）で表される非晶質ホモ
ロガス化合物からなる透明導電膜の形成方法。 （４）酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を１．０〜５．
０ｗｔ％含有する酸化亜鉛ターゲット（ＴＺｎ）を使用
することを特徴とする（３）記載の透明導電膜の形成方
法をその要旨とするものである。
表される非晶質ホモロガス化合物からなる透明導電膜。 （２）ＺｎＩｎ２Ｏ４で表される非晶質ホモロガス化合
物からなる透明導電膜。 （３）酸化インジウムターゲット（ＴＩｎ）と酸化亜鉛
ターゲット（ＴＺｎ）とを互いに対向するように配置し
て、基板温度が２００℃以下、かつδ＝ＩＩｎ／（Ｉ
Ｉｎ＋ＩＺｎ）で定義されるＴＩｎに印可した電流値
（ＩＩｎ）とＴＺｎに印可した電流値（ＩＺｎ）との電
流比δが０．３０〜０．８０の条件下でスパッタリング
することにより基板上に所望するｋ値の、ＺｎｋＩｎ２
Ｏｋ＋３（ｋは１〜４の整数。）で表される非晶質ホモ
ロガス化合物からなる透明導電膜の形成方法。 （４）酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を１．０〜５．
０ｗｔ％含有する酸化亜鉛ターゲット（ＴＺｎ）を使用
することを特徴とする（３）記載の透明導電膜の形成方
法をその要旨とするものである。
【００１３】
【実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を具体的に
説明する。まず、本発明の透明導電膜はＺｎｋＩｎ２Ｏ
ｋ＋３（ｋは１〜４の整数。）で表される非晶質ホモロ
ガス化合物からなるものである。従来、ＺｎｋＩｎ２Ｏ
ｋ ＋３（ｋは２以上の整数。）で表される結晶性のホモ
ロガス化合物については良く知られていたが、非晶性の
ホモロガス化合物についてはほとんど研究されておら
ず、特に、ｋ＝１の、すなわちＺｎＩｎ２Ｏ４で表され
るホモロガス化合物は文献未記載のものである。このよ
うな透明導電膜は、非晶質であることからエッチング特
性に優れているという特性を有しているのみならず、透
明性、導電性に優れたものである。
説明する。まず、本発明の透明導電膜はＺｎｋＩｎ２Ｏ
ｋ＋３（ｋは１〜４の整数。）で表される非晶質ホモロ
ガス化合物からなるものである。従来、ＺｎｋＩｎ２Ｏ
ｋ ＋３（ｋは２以上の整数。）で表される結晶性のホモ
ロガス化合物については良く知られていたが、非晶性の
ホモロガス化合物についてはほとんど研究されておら
ず、特に、ｋ＝１の、すなわちＺｎＩｎ２Ｏ４で表され
るホモロガス化合物は文献未記載のものである。このよ
うな透明導電膜は、非晶質であることからエッチング特
性に優れているという特性を有しているのみならず、透
明性、導電性に優れたものである。
【００１４】このような透明導電膜は以下のようにして
形成される。まず、本発明においてはスパッタリングタ
ーゲットとして酸化インジウムターゲット（ＴＩｎ）及
び酸化亜鉛ターゲット（ＴＺｎ）を使用する。酸化イン
ジウムターゲット（ＴＩｎ）、酸化亜鉛ターゲット（Ｔ
Ｚｎ）としては、例えば、ディスク状のセラミックター
ゲット等の従来公知のものが特に制限なく使用できる。
更に、これらのターゲットには上述した酸化亜鉛や酸化
インジウム以外の成分を混合することも勿論可能であ
る。特に、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を１．０〜
５．０ｗｔ％、好ましくは１．５〜４ｗｔ％含有させた
酸化亜鉛ターゲット（ＴＺｎ）をスパッタリングターゲ
ットとして使用した場合、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ
３）を含有させていない場合に比べて比抵抗率が低く、
幅広い組成の非晶質ホモロガス化合物が得られるので好
ましい。逆に、従来公知のスパッタリングターゲットで
ある酸化インジウム−酸化亜鉛混合物の焼結体ターゲッ
トは本発明においては採用しない。
形成される。まず、本発明においてはスパッタリングタ
ーゲットとして酸化インジウムターゲット（ＴＩｎ）及
び酸化亜鉛ターゲット（ＴＺｎ）を使用する。酸化イン
ジウムターゲット（ＴＩｎ）、酸化亜鉛ターゲット（Ｔ
Ｚｎ）としては、例えば、ディスク状のセラミックター
ゲット等の従来公知のものが特に制限なく使用できる。
更に、これらのターゲットには上述した酸化亜鉛や酸化
インジウム以外の成分を混合することも勿論可能であ
る。特に、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を１．０〜
５．０ｗｔ％、好ましくは１．５〜４ｗｔ％含有させた
酸化亜鉛ターゲット（ＴＺｎ）をスパッタリングターゲ
ットとして使用した場合、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ
３）を含有させていない場合に比べて比抵抗率が低く、
幅広い組成の非晶質ホモロガス化合物が得られるので好
ましい。逆に、従来公知のスパッタリングターゲットで
ある酸化インジウム−酸化亜鉛混合物の焼結体ターゲッ
トは本発明においては採用しない。
【００１５】また、本発明において使用する基板として
は、特に制限はないが、本発明が透明導電膜を形成され
ることを目的としている関係上透明基板を使用するのが
好ましい。具体的には、透明ガラス、サファイア基板、
或いはポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂、ポ
リエステル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂等の透明高
分子材からなるフィルム、板状体が挙げられる。
は、特に制限はないが、本発明が透明導電膜を形成され
ることを目的としている関係上透明基板を使用するのが
好ましい。具体的には、透明ガラス、サファイア基板、
或いはポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂、ポ
リエステル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂等の透明高
分子材からなるフィルム、板状体が挙げられる。
【００１６】更に、本発明において使用するスパッタ装
置としては、上述した酸化インジウムターゲット（Ｔ
Ｉｎ）及び酸化亜鉛ターゲット（ＴＺｎ）を対向して配
置できる２個のターゲットホルダーを有していて、しか
も各々のターゲットに印可する電流値が制御可能なもの
を使用する。このような条件を満たすスパッタ装置１と
しては、例えば、図１に示すように一方のターゲットホ
ルダー１１が時計の１２時の方向に、もう一方のターゲ
ットホルダー１２が６時の方向に、そして基板ホルダー
１３が９時の方向になるように配置した対向ターゲット
式ＤＣマグネトロンスパッタ装置１を使用するのが好ま
しいが、これに制限されるものではない。
置としては、上述した酸化インジウムターゲット（Ｔ
Ｉｎ）及び酸化亜鉛ターゲット（ＴＺｎ）を対向して配
置できる２個のターゲットホルダーを有していて、しか
も各々のターゲットに印可する電流値が制御可能なもの
を使用する。このような条件を満たすスパッタ装置１と
しては、例えば、図１に示すように一方のターゲットホ
ルダー１１が時計の１２時の方向に、もう一方のターゲ
ットホルダー１２が６時の方向に、そして基板ホルダー
１３が９時の方向になるように配置した対向ターゲット
式ＤＣマグネトロンスパッタ装置１を使用するのが好ま
しいが、これに制限されるものではない。
【００１７】本発明においては上述したターゲット、基
板、スパッタ装置を使用して透明導電膜を形成するする
のであるが、その際の手順は以下の通りである。まず、
一方のターゲットホルダー１１又は１２に酸化インジウ
ムターゲット（ＴＩｎ）を、もう一方のターゲットホル
ダー１２又は１１に酸化亜鉛ターゲット（ＴＺｎ）を装
着するとともに基板ホルダー１３に基板を装着する。次
いで、以下の条件でスパッタリングを行う。
板、スパッタ装置を使用して透明導電膜を形成するする
のであるが、その際の手順は以下の通りである。まず、
一方のターゲットホルダー１１又は１２に酸化インジウ
ムターゲット（ＴＩｎ）を、もう一方のターゲットホル
ダー１２又は１１に酸化亜鉛ターゲット（ＴＺｎ）を装
着するとともに基板ホルダー１３に基板を装着する。次
いで、以下の条件でスパッタリングを行う。
【００１８】［スパッタリング時の真空度］スパッタリ
ング時の真空度は１×１０−４〜５×１０−２ｔｏｒｒ
程度、好ましくは３×１０−４〜５×１０−３ｔｏｒｒ
である。スパッタリング時の真空度が１×１０−４ｔｏ
ｒｒに満たないとプラズマの安定性が悪くなるので好ま
しくない。 ［スパッタガス］スパッタガスとしては、アルゴンガス
等の不活性ガスを使用するのが好ましい。
ング時の真空度は１×１０−４〜５×１０−２ｔｏｒｒ
程度、好ましくは３×１０−４〜５×１０−３ｔｏｒｒ
である。スパッタリング時の真空度が１×１０−４ｔｏ
ｒｒに満たないとプラズマの安定性が悪くなるので好ま
しくない。 ［スパッタガス］スパッタガスとしては、アルゴンガス
等の不活性ガスを使用するのが好ましい。
【００１９】［基板温度］本発明においては基板温度を
２００℃以下、すなわち室温〜２００℃にしてスパッタ
リングする必要がある。基板温度が２００℃を越えると
得られる透明導電膜が結晶化しやすくなって、所望する
構造（所望するｋ値のＺｎｋＩｎ２Ｏｋ＋ ３（ｋは１〜
４の整数。）で表される構造）を有する非晶質のホモロ
ガス化合物からなる透明導電膜が得られにくくなるので
好ましくない。
２００℃以下、すなわち室温〜２００℃にしてスパッタ
リングする必要がある。基板温度が２００℃を越えると
得られる透明導電膜が結晶化しやすくなって、所望する
構造（所望するｋ値のＺｎｋＩｎ２Ｏｋ＋ ３（ｋは１〜
４の整数。）で表される構造）を有する非晶質のホモロ
ガス化合物からなる透明導電膜が得られにくくなるので
好ましくない。
【００２０】［印可電流］印可電流はスパッタ装置の仕
様にもよるが概ね１０〜１５０ｍＡとすることが好まし
い。更に、本発明においてはδ＝ＩＩｎ／（ＩＩｎ＋Ｉ
Ｚｎ）で定義されるＴＩｎに印可した電流値（ＩＩｎ）
とＴＺｎに印可した電流値（ＩＺｎ）との電流比δを
０．３０〜０．８０の範囲内で所望する化学構造に応じ
て適宜設定してスパッタリングを行う必要がある。この
電流比δが０．３０未満では結晶化しやすくなって目的
とする非晶質の透明導電膜が得られないので好ましくな
く、また電流比δが０．８０を越えるとｋ＝１場合のホ
モロガス化合物よりもインジウム元素の原子比が多く、
また得られる透明導電膜も結晶化しやすくなるので好ま
しくない。
様にもよるが概ね１０〜１５０ｍＡとすることが好まし
い。更に、本発明においてはδ＝ＩＩｎ／（ＩＩｎ＋Ｉ
Ｚｎ）で定義されるＴＩｎに印可した電流値（ＩＩｎ）
とＴＺｎに印可した電流値（ＩＺｎ）との電流比δを
０．３０〜０．８０の範囲内で所望する化学構造に応じ
て適宜設定してスパッタリングを行う必要がある。この
電流比δが０．３０未満では結晶化しやすくなって目的
とする非晶質の透明導電膜が得られないので好ましくな
く、また電流比δが０．８０を越えるとｋ＝１場合のホ
モロガス化合物よりもインジウム元素の原子比が多く、
また得られる透明導電膜も結晶化しやすくなるので好ま
しくない。
【００２１】
【作用】本発明においては上述した方法でスパッタリン
グを行ってＺｎｋＩｎ２Ｏｋ＋ ３（ｋは１〜４の整
数。）で表される非晶質ホモロガス化合物からなる薄膜
を形成するのであるが、スパッタリング時の電流比δ＝
ＩＩｎ／（ＩＩｎ＋ＩＺｎ）を適宜設定することによっ
て所望する構造の非晶質ホモロガス化合物からなる薄膜
が得ることに最大の特徴を有するものである。すなわ
ち、所望する構造の透明導電膜が形成される正確な境界
条件は、その他のスパッタリング条件によっても多少異
なるが電流比δを０．６０〜０．８０に設定した場合は
ＺｎＩｎ２Ｏ４の構造を有する非晶質ホモロガス化合物
（すなわちｋ＝１）、電流比δを０．４７〜０．６０に
設定した場合はＺｎ２Ｉｎ２Ｏ５の構造を有する非晶質
ホモロガス化合物（すなわちｋ＝２）、電流比δを０．
３７〜０．４７に設定した場合はＺｎ３Ｉｎ２Ｏ６の構
造を有する非晶質ホモロガス化合物（すなわちｋ＝
３）、電流比δを０．３０〜０．３７に設定した場合は
Ｚｎ４Ｉｎ２Ｏ７の構造を有する非晶質ホモロガス化合
物（すなわちｋ＝４）からなる薄膜が形成されるのであ
る。しかもｋ＝１であるＺｎＩｎ２Ｏ４の構造を有する
非晶質ホモロガス化合物は従来得られないとされていた
（特開平９−１７５８３７号公報明細書００３２欄等）
ものである。
グを行ってＺｎｋＩｎ２Ｏｋ＋ ３（ｋは１〜４の整
数。）で表される非晶質ホモロガス化合物からなる薄膜
を形成するのであるが、スパッタリング時の電流比δ＝
ＩＩｎ／（ＩＩｎ＋ＩＺｎ）を適宜設定することによっ
て所望する構造の非晶質ホモロガス化合物からなる薄膜
が得ることに最大の特徴を有するものである。すなわ
ち、所望する構造の透明導電膜が形成される正確な境界
条件は、その他のスパッタリング条件によっても多少異
なるが電流比δを０．６０〜０．８０に設定した場合は
ＺｎＩｎ２Ｏ４の構造を有する非晶質ホモロガス化合物
（すなわちｋ＝１）、電流比δを０．４７〜０．６０に
設定した場合はＺｎ２Ｉｎ２Ｏ５の構造を有する非晶質
ホモロガス化合物（すなわちｋ＝２）、電流比δを０．
３７〜０．４７に設定した場合はＺｎ３Ｉｎ２Ｏ６の構
造を有する非晶質ホモロガス化合物（すなわちｋ＝
３）、電流比δを０．３０〜０．３７に設定した場合は
Ｚｎ４Ｉｎ２Ｏ７の構造を有する非晶質ホモロガス化合
物（すなわちｋ＝４）からなる薄膜が形成されるのであ
る。しかもｋ＝１であるＺｎＩｎ２Ｏ４の構造を有する
非晶質ホモロガス化合物は従来得られないとされていた
（特開平９−１７５８３７号公報明細書００３２欄等）
ものである。
【００２２】
【実施例】本実施例においては図１に示す対向ターゲッ
ト式ＤＣマグネトロンスパッタ装置１を使用し、ターゲ
ットホルダー１１には酸化インジウムのディスク状セラ
ミックターゲット（ＴＩｎ）を、ターゲットホルダー１
２には酸化亜鉛のディスク状セラミックターゲット（Ｔ
Ｚｎ）を配し、基板ホルダー１３には基板としてガラス
板（Corning#7059）を配してスパッタガス：Ａｒガス、
ガス圧：１ｍＴｏｒｒ、所定の基板温度にして、ターゲ
ットに印可する印可電流を１０〜８０ｍＡの範囲で適宜
設定してスパッタリングを行った。また、スパッタリン
グ時間は２時間とした。
ト式ＤＣマグネトロンスパッタ装置１を使用し、ターゲ
ットホルダー１１には酸化インジウムのディスク状セラ
ミックターゲット（ＴＩｎ）を、ターゲットホルダー１
２には酸化亜鉛のディスク状セラミックターゲット（Ｔ
Ｚｎ）を配し、基板ホルダー１３には基板としてガラス
板（Corning#7059）を配してスパッタガス：Ａｒガス、
ガス圧：１ｍＴｏｒｒ、所定の基板温度にして、ターゲ
ットに印可する印可電流を１０〜８０ｍＡの範囲で適宜
設定してスパッタリングを行った。また、スパッタリン
グ時間は２時間とした。
【００２３】得られる透明導電膜の性質は以下の方法で
測定し、評価した。 ＜電気的特性＞四端子法、Van der Pauw 法にて透明導
電膜の抵抗率（Ωｃｍ）を測定した。 ＜光学的特性＞紫外可視分光光度計を用いて光線透過率
を測定した。透明性の評価は波長５５０ｎｍにおける光
線透過率で行った。 ＜インジウムの原子比＞透明導電膜中のインジウム（Ｉ
ｎ）の原子比（［Ｉｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｚｎ］））は
蛍光Ｘ線分析装置を使用して測定した結果から求めた。
測定し、評価した。 ＜電気的特性＞四端子法、Van der Pauw 法にて透明導
電膜の抵抗率（Ωｃｍ）を測定した。 ＜光学的特性＞紫外可視分光光度計を用いて光線透過率
を測定した。透明性の評価は波長５５０ｎｍにおける光
線透過率で行った。 ＜インジウムの原子比＞透明導電膜中のインジウム（Ｉ
ｎ）の原子比（［Ｉｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｚｎ］））は
蛍光Ｘ線分析装置を使用して測定した結果から求めた。
【００２４】＜構造解析＞得られた透明導電膜の構造
は、当該透明導電膜のＸ線解析図形における２θ＝３２
゜付近に現れるブロードな回折ピークのピーク位置（２
θ）を求め、それと下記の方法で得られるＣの値とを比
較することによってＺｎｋＩｎ２Ｏｋ＋３（ｋは１〜４
の整数。）で表されるホモロガス化合物の構造、すなわ
ちｋの値を推定した。
は、当該透明導電膜のＸ線解析図形における２θ＝３２
゜付近に現れるブロードな回折ピークのピーク位置（２
θ）を求め、それと下記の方法で得られるＣの値とを比
較することによってＺｎｋＩｎ２Ｏｋ＋３（ｋは１〜４
の整数。）で表されるホモロガス化合物の構造、すなわ
ちｋの値を推定した。
【００２５】すなわち、本発明の方法で得られる透明導
電膜が非晶質である場合にはＸ線解析図形の２θ＝３２
゜付近にブロードな回折ピークが見られる。一般にＺｎ
ｋＩｎ２Ｏｋ＋３（ｋは１〜４の整数。）で表されるホ
モロガス化合物には、３０゜＜２θ＜３６゜においてｋ
が偶数ならば、Ａ：（０ ０ ２（ｋ＋２））とＢ：
（１ ０ ｋ＋２）の２本のピークが、ｋが奇数ならば
Ａ：（０ ０ ３（ｋ＋２））とＢ：（１ ０ ３／２
（ｋ＋２）−１／２）、（０ １ ３／２（ｋ＋２）＋
１／２）の３本のピークが現れる。ここでＡは薄膜時に
配向する回折ピーク、Ｂはバルク試料で強く現れるピー
クである。ｋが奇数の場合、Ｂに当たるピークが２本存
在するので、その２本のピークの位置の平均値とＡのピ
ークの位置との平均値Ｃを求めた。ｋが偶数の場合はＡ
とＢの平均値をＣとした。このＣの値が非晶質のホモロ
ガス化合物のＸ線回折図形における２θ＝３２゜付近の
ブロードな回折ピークに対応するものと考えられる。
電膜が非晶質である場合にはＸ線解析図形の２θ＝３２
゜付近にブロードな回折ピークが見られる。一般にＺｎ
ｋＩｎ２Ｏｋ＋３（ｋは１〜４の整数。）で表されるホ
モロガス化合物には、３０゜＜２θ＜３６゜においてｋ
が偶数ならば、Ａ：（０ ０ ２（ｋ＋２））とＢ：
（１ ０ ｋ＋２）の２本のピークが、ｋが奇数ならば
Ａ：（０ ０ ３（ｋ＋２））とＢ：（１ ０ ３／２
（ｋ＋２）−１／２）、（０ １ ３／２（ｋ＋２）＋
１／２）の３本のピークが現れる。ここでＡは薄膜時に
配向する回折ピーク、Ｂはバルク試料で強く現れるピー
クである。ｋが奇数の場合、Ｂに当たるピークが２本存
在するので、その２本のピークの位置の平均値とＡのピ
ークの位置との平均値Ｃを求めた。ｋが偶数の場合はＡ
とＢの平均値をＣとした。このＣの値が非晶質のホモロ
ガス化合物のＸ線回折図形における２θ＝３２゜付近の
ブロードな回折ピークに対応するものと考えられる。
【００２６】このようにして求めたＣの値は、ｋ＝１の
場合Ｃ：２θ＝３２．１８９゜、ｋ＝２の場合Ｃ：２θ
＝３２．７１６゜、ｋ＝３の場合Ｃ：２θ＝３３．０９
７゜、ｋ＝４の場合Ｃ：２θ＝３３．５０２゜、ｋ＝５
の場合Ｃ：２θ＝３３．７０７゜である。
場合Ｃ：２θ＝３２．１８９゜、ｋ＝２の場合Ｃ：２θ
＝３２．７１６゜、ｋ＝３の場合Ｃ：２θ＝３３．０９
７゜、ｋ＝４の場合Ｃ：２θ＝３３．５０２゜、ｋ＝５
の場合Ｃ：２θ＝３３．７０７゜である。
【００２７】実施例１〜４、比較例１、２
表１に示すスパッタリング条件で基板上に透明導電膜を
形成した。得られた透明導電膜についてＸ線回折図形
（図２）から構造を推定するとともに、光学的特性、電
気的特性も測定した。結果を同じく表１に示す。
形成した。得られた透明導電膜についてＸ線回折図形
（図２）から構造を推定するとともに、光学的特性、電
気的特性も測定した。結果を同じく表１に示す。
【００２８】
【表１】
【００２９】比較例３
ターゲットホルダー１１、１２の双方にＩＴＯ（酸化ス
ズの含有量１０％）のディスク状のセラミックターゲッ
トを配し、ターゲットに印可する電流値を各々８０ｍＡ
にした以外は実施例１と同様にして基板上にＩＴＯ薄膜
を形成した。得られた薄膜の抵抗率は２．８×１０−４
Ωｃｍ、透過率は７４％であった。
ズの含有量１０％）のディスク状のセラミックターゲッ
トを配し、ターゲットに印可する電流値を各々８０ｍＡ
にした以外は実施例１と同様にして基板上にＩＴＯ薄膜
を形成した。得られた薄膜の抵抗率は２．８×１０−４
Ωｃｍ、透過率は７４％であった。
【００３０】表１、及び図２からも明らかなように、電
流比δを０．３０〜０．８０の範囲内とした本発明に係
る透明導電膜はいずれも非晶質のホモロガス化合物（実
施例１〜４）であり、光線透過率は全て８０％以上と極
めて透明性に優れたものであった。また、スパッタリン
グ条件としての電流比δと得られる透明導電膜中のＩｎ
の原子比とはほぼ一致し、しかもＩｎの原子比に対応し
たｋ値を有するホモロガス化合物からなる透明導電膜が
形成された。特に、電流比δが０．８０、０．６７とし
た場合には従来得られないとされていたｋ＝１のホモロ
ガス化合物（実施例１、２）からなる透明導電膜が形成
された。これに対して電流比δを０．８９とした場合は
主に結晶性の酸化インジウム相からなる透明導電膜（比
較例１）が、０．２０とした場合は主に結晶性の酸化亜
鉛相からなる透明導電膜（比較例２）が形成され、非晶
質のホモロガス化合物からなる透明導電膜は形成されな
かった。また、実施例１に係る電流比δを０．８０にし
て形成された透明導電膜の抵抗率は２．３×１０−４Ω
ｃｍと、比較例３に係るＩＴＯの透明導電膜よりも優れ
た導電性を示した。
流比δを０．３０〜０．８０の範囲内とした本発明に係
る透明導電膜はいずれも非晶質のホモロガス化合物（実
施例１〜４）であり、光線透過率は全て８０％以上と極
めて透明性に優れたものであった。また、スパッタリン
グ条件としての電流比δと得られる透明導電膜中のＩｎ
の原子比とはほぼ一致し、しかもＩｎの原子比に対応し
たｋ値を有するホモロガス化合物からなる透明導電膜が
形成された。特に、電流比δが０．８０、０．６７とし
た場合には従来得られないとされていたｋ＝１のホモロ
ガス化合物（実施例１、２）からなる透明導電膜が形成
された。これに対して電流比δを０．８９とした場合は
主に結晶性の酸化インジウム相からなる透明導電膜（比
較例１）が、０．２０とした場合は主に結晶性の酸化亜
鉛相からなる透明導電膜（比較例２）が形成され、非晶
質のホモロガス化合物からなる透明導電膜は形成されな
かった。また、実施例１に係る電流比δを０．８０にし
て形成された透明導電膜の抵抗率は２．３×１０−４Ω
ｃｍと、比較例３に係るＩＴＯの透明導電膜よりも優れ
た導電性を示した。
【００３１】実施例５〜９、比較例４
酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を0、1.0wt%、2.0wt
%、3.0wt%含有させた酸化亜鉛ターゲット（ＴＺｎ）を
使用した以外は実施例１と同様にして表２に示すスパッ
タリング条件で基板上に透明導電膜を形成した。得られ
た透明導電膜についてＸ線回折図形から構造を推定する
とともに、光学的特性、電気的特性も測定した。結果を
同じく表２に示す。また、比較のために酸化アルミニウ
ム（Ａｌ２Ｏ３）を1.0wt%含有させた酸化亜鉛ターゲッ
ト（ＴＺｎ）を使用し、電流比δを本発明の範囲内であ
る０．８０として基板温度２５０℃の条件でスパッタリ
ングを行って透明導電膜を形成した。この透明導電膜の
Ｘ線回折図形から構造を推定したところ結晶性の酸化イ
ンジウムからなる透明導電膜であった。光学的特性、電
気的特性を測定した結果を同じく表２に示す。
%、3.0wt%含有させた酸化亜鉛ターゲット（ＴＺｎ）を
使用した以外は実施例１と同様にして表２に示すスパッ
タリング条件で基板上に透明導電膜を形成した。得られ
た透明導電膜についてＸ線回折図形から構造を推定する
とともに、光学的特性、電気的特性も測定した。結果を
同じく表２に示す。また、比較のために酸化アルミニウ
ム（Ａｌ２Ｏ３）を1.0wt%含有させた酸化亜鉛ターゲッ
ト（ＴＺｎ）を使用し、電流比δを本発明の範囲内であ
る０．８０として基板温度２５０℃の条件でスパッタリ
ングを行って透明導電膜を形成した。この透明導電膜の
Ｘ線回折図形から構造を推定したところ結晶性の酸化イ
ンジウムからなる透明導電膜であった。光学的特性、電
気的特性を測定した結果を同じく表２に示す。
【００３２】比較例５
比較のために基板温度を２５０℃にした以外は実施例３
と同じスパッタリング条件で基板上に透明導電膜を形成
した。得られた透明導電膜についてＸ線回折図形から構
造を推定したところ結晶性の酸化インジウムとｋ＝２の
ホモロガス化合物の混合物からなる透明導電膜であっ
た。光学的特性、電気的特性を測定した結果を同じく表
２に示す。
と同じスパッタリング条件で基板上に透明導電膜を形成
した。得られた透明導電膜についてＸ線回折図形から構
造を推定したところ結晶性の酸化インジウムとｋ＝２の
ホモロガス化合物の混合物からなる透明導電膜であっ
た。光学的特性、電気的特性を測定した結果を同じく表
２に示す。
【００３３】
【表２】
【００３４】表２からも明らかなように、酸化アルミニ
ウム（Ａｌ２Ｏ３）を2.0wt%、3.0wt%含有させた酸化亜
鉛ターゲット（ＴＺｎ）を使用した実施例７、８の透明
導電膜の抵抗率が、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を
含有させていない実施例９の透明導電膜、酸化アルミニ
ウム（Ａｌ２Ｏ３）を1.0wt%含有させた実施例５の透明
導電膜に比べて優れた導電性を示した。また、ｋ＝１、
２、３の場合に比べてｋ＝４の場合には低温で結晶性ホ
モロガス化合物となりやすいとされているにもかかわら
ず、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を1.0wt%含有させ
た酸化亜鉛ターゲット（ＴＺｎ）を使用し、電流比δを
０．３３とした場合、ｋ＝４の非晶質のホモロガス化合
物からなる透明導電膜（実施例６）を形成することがで
きた。
ウム（Ａｌ２Ｏ３）を2.0wt%、3.0wt%含有させた酸化亜
鉛ターゲット（ＴＺｎ）を使用した実施例７、８の透明
導電膜の抵抗率が、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を
含有させていない実施例９の透明導電膜、酸化アルミニ
ウム（Ａｌ２Ｏ３）を1.0wt%含有させた実施例５の透明
導電膜に比べて優れた導電性を示した。また、ｋ＝１、
２、３の場合に比べてｋ＝４の場合には低温で結晶性ホ
モロガス化合物となりやすいとされているにもかかわら
ず、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を1.0wt%含有させ
た酸化亜鉛ターゲット（ＴＺｎ）を使用し、電流比δを
０．３３とした場合、ｋ＝４の非晶質のホモロガス化合
物からなる透明導電膜（実施例６）を形成することがで
きた。
【００３５】
【効果】本発明の方法によって、特に、目的とする組成
の焼結ターゲットを用意しなくても電流比δを適宜選択
することによって所望するｋ値の非晶質のホモロガス化
合物からなる透明導電膜を形成することができるように
なった。特に、従来得られないとされていたｋ＝１のホ
モロガス化合物からなる透明導電膜や、結晶化しやすい
ｋ＝４の非晶質のホモロガス化合物からなる透明導電膜
も容易に形成することが可能となった。また、ＺｎｋＩ
ｎ２Ｏｋ＋３（ｋは１〜４の整数。）で表される非晶質
のホモロガス化合物からなる透明導電膜は組成によって
は従来公知のＩＴＯ膜よりも導電性に優れているばかり
か、非晶質となっているのでエッチング性にも優れてお
り、液晶素子、調光ガラス、太陽電池等の透明電極とし
て極めて有用なものである。
の焼結ターゲットを用意しなくても電流比δを適宜選択
することによって所望するｋ値の非晶質のホモロガス化
合物からなる透明導電膜を形成することができるように
なった。特に、従来得られないとされていたｋ＝１のホ
モロガス化合物からなる透明導電膜や、結晶化しやすい
ｋ＝４の非晶質のホモロガス化合物からなる透明導電膜
も容易に形成することが可能となった。また、ＺｎｋＩ
ｎ２Ｏｋ＋３（ｋは１〜４の整数。）で表される非晶質
のホモロガス化合物からなる透明導電膜は組成によって
は従来公知のＩＴＯ膜よりも導電性に優れているばかり
か、非晶質となっているのでエッチング性にも優れてお
り、液晶素子、調光ガラス、太陽電池等の透明電極とし
て極めて有用なものである。
【図１】本発明で使用するスパッタ装置の一例を示す模
式平面図である。
式平面図である。
【図２】実施例１〜４、比較例１、２の各条件で形成さ
れた透明導電膜のＸ線回折図形である。
れた透明導電膜のＸ線回折図形である。
１ スパッタ装置
１１、１２ ターゲットホルダー
１３ 基板ホルダー
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 中林 一朗
徳島県徳島市新蔵町２−29
(72)発明者 森賀 俊広
徳島県徳島市住吉４丁目５−70 アルファ
ステイツ住吉602号
(72)発明者 富永 喜久雄
徳島県徳島市助任橋２丁目34−４
Ｆターム(参考） 2H092 HA03 HA04 MA05 MA35 MA37
NA25 NA28 PA07
4K029 BA45 BA50 BB10 BC09 CA05
DC05 DC16 DC32 DC34 EA08
EA09
5G307 FB01 FC03 FC09 FC10
Claims (4)
- 【請求項１】ＺｎｋＩｎ２Ｏｋ＋３（ｋは１〜４の整
数。）で表される非晶質ホモロガス化合物からなる透明
導電膜。 - 【請求項２】ＺｎＩｎ２Ｏ４で表される非晶質ホモロガ
ス化合物からなる透明導電膜。 - 【請求項３】酸化インジウムターゲット（ＴＩｎ）と酸
化亜鉛ターゲット（ＴＺｎ）とを互いに対向するように
配置して、基板温度が２００℃以下、かつδ＝ＩＩｎ／
（ＩＩｎ＋ＩＺｎ）で定義されるＴＩｎに印可した電流
値（ＩＩｎ）とＴＺｎに印可した電流値（ＩＺｎ）との
電流比δが０．３０〜０．８０の条件下でスパッタリン
グすることにより基板上に所望するｋ値の、ＺｎｋＩｎ
２Ｏｋ ＋３（ｋは１〜４の整数。）で表される非晶質ホ
モロガス化合物からなる透明導電膜の形成方法。 - 【請求項４】酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を１．０
〜５．０ｗｔ％含有する酸化亜鉛ターゲット（ＴＺｎ）
を使用することを特徴とする請求項３記載の透明導電膜
の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002150052A JP2003346559A (ja) | 2002-05-24 | 2002-05-24 | 透明導電膜、及びその形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002150052A JP2003346559A (ja) | 2002-05-24 | 2002-05-24 | 透明導電膜、及びその形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003346559A true JP2003346559A (ja) | 2003-12-05 |
Family
ID=29767997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002150052A Pending JP2003346559A (ja) | 2002-05-24 | 2002-05-24 | 透明導電膜、及びその形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003346559A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004076094A (ja) * | 2002-08-19 | 2004-03-11 | Okura Ind Co Ltd | 透明導電膜、及びその製造方法 |
| JP2007039712A (ja) * | 2005-08-01 | 2007-02-15 | Ulvac Japan Ltd | スパッタリング装置、成膜方法 |
| JP2007250470A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Tosoh Corp | 酸化亜鉛系透明導電膜及びそれを用いた液晶ディスプレイ並びに酸化亜鉛系スパッタリングターゲット |
| JP2009094535A (ja) * | 2009-01-05 | 2009-04-30 | Casio Comput Co Ltd | 酸化亜鉛半導体膜 |
| JP2010111896A (ja) * | 2008-11-05 | 2010-05-20 | Tosoh Corp | 積層型透明導電膜及びその製造方法 |
-
2002
- 2002-05-24 JP JP2002150052A patent/JP2003346559A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004076094A (ja) * | 2002-08-19 | 2004-03-11 | Okura Ind Co Ltd | 透明導電膜、及びその製造方法 |
| JP2007039712A (ja) * | 2005-08-01 | 2007-02-15 | Ulvac Japan Ltd | スパッタリング装置、成膜方法 |
| JP2007250470A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Tosoh Corp | 酸化亜鉛系透明導電膜及びそれを用いた液晶ディスプレイ並びに酸化亜鉛系スパッタリングターゲット |
| JP4702126B2 (ja) * | 2006-03-17 | 2011-06-15 | 東ソー株式会社 | 酸化亜鉛系透明導電膜及びそれを用いた液晶ディスプレイ並びに酸化亜鉛系スパッタリングターゲット |
| JP2010111896A (ja) * | 2008-11-05 | 2010-05-20 | Tosoh Corp | 積層型透明導電膜及びその製造方法 |
| JP2009094535A (ja) * | 2009-01-05 | 2009-04-30 | Casio Comput Co Ltd | 酸化亜鉛半導体膜 |
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