JP2019057375A5 - - Google Patents
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- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 4
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- 230000003993 interaction Effects 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 1
Description
上記課題を解決するため、本発明による代表的なプラズマ処理装置は、試料がプラズマ処理される処理室と、マイクロ波の高周波電力を供給する高周波電源と、前記マイクロ波
との相互作用によりプラズマを生成するための磁場を形成する磁場形成手段とを備えるプラズマ処理装置である。前記磁場形成手段は、前記処理室内に磁場を形成する第１の磁場形成用コイルに電流を流す第１の電源と前記処理室内に磁場を形成する第２の磁場形成用コイルに電流を流す第２の電源とを具備する。前記第１の磁場形成用コイルによる磁場変更の感度は、前記第２の磁場形成用コイルによる磁場変更の感度より高く、前記第１の電源の応答時定数は、前記第２の電源の応答時定数より小さい。
との相互作用によりプラズマを生成するための磁場を形成する磁場形成手段とを備えるプラズマ処理装置である。前記磁場形成手段は、前記処理室内に磁場を形成する第１の磁場形成用コイルに電流を流す第１の電源と前記処理室内に磁場を形成する第２の磁場形成用コイルに電流を流す第２の電源とを具備する。前記第１の磁場形成用コイルによる磁場変更の感度は、前記第２の磁場形成用コイルによる磁場変更の感度より高く、前記第１の電源の応答時定数は、前記第２の電源の応答時定数より小さい。
Claims (6)
- 試料がプラズマ処理される処理室と、マイクロ波の高周波電力を供給する高周波電源と、前記マイクロ波との相互作用によりプラズマを生成するための磁場を形成する磁場形成手段とを備えるプラズマ処理装置において、
前記磁場形成手段は、前記処理室内に磁場を形成する第１の磁場形成用コイルに電流を流す第１の電源と前記処理室内に磁場を形成する第２の磁場形成用コイルに電流を流す第２の電源とを具備し、
前記第１の磁場形成用コイルによる磁場変更の感度は、前記第２の磁場形成用コイルによる磁場変更の感度より高く、
前記第１の電源の応答時定数は、前記第２の電源の応答時定数より小さいことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
前記第１の電源の応答時定数は、前記第２の電源の応答時定数の１／２以下であることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
前記第１の電源の応答時定数または前記第２の電源の応答時定数を制御する応答時定数変更装置を更に備えることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
前記第１の磁場形成用コイルは、前記第２の磁場形成用コイルの下方に配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
前記第１の磁場形成用コイルに流れる電流の大きさの変化量が前記第２の磁場形成用コイルに流れる電流の大きさの変化量よりも大きくなるように前記第１の電源および前記第２の電源を制御する制御装置をさらに備えることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項４に記載のプラズマ処理装置において、
前記磁場形成手段は、前記第２の磁場形成用コイルの上方に配置され前記処理室内に磁場を形成する第３の磁場形成用コイルをさらに具備することを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017180030A JP6764383B2 (ja) | 2017-09-20 | 2017-09-20 | プラズマ処理装置 |
| KR1020180004213A KR102048304B1 (ko) | 2017-09-20 | 2018-01-12 | 플라즈마 처리 장치 |
| TW107101773A TWI673759B (zh) | 2017-09-20 | 2018-01-18 | 電漿處理裝置 |
| US15/902,799 US20190088453A1 (en) | 2017-09-20 | 2018-02-22 | Plasma processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017180030A JP6764383B2 (ja) | 2017-09-20 | 2017-09-20 | プラズマ処理装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2019057375A JP2019057375A (ja) | 2019-04-11 |
| JP2019057375A5 true JP2019057375A5 (ja) | 2019-07-11 |
| JP6764383B2 JP6764383B2 (ja) | 2020-09-30 |
Family
ID=65720687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017180030A Active JP6764383B2 (ja) | 2017-09-20 | 2017-09-20 | プラズマ処理装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20190088453A1 (ja) |
| JP (1) | JP6764383B2 (ja) |
| KR (1) | KR102048304B1 (ja) |
| TW (1) | TWI673759B (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7043617B2 (ja) * | 2019-12-18 | 2022-03-29 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置 |
| US11328931B1 (en) * | 2021-02-12 | 2022-05-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3200308A (en) * | 1962-07-02 | 1965-08-10 | Bell Telephone Labor Inc | Current pulse generator exhibiting fast rise time |
| DE1487024B2 (de) * | 1966-05-25 | 1970-09-10 | Siemens AQ, 1000 Berlin u. 8000 München | Schaltungsanordnung zum Erzeugen von Stromimpulsen großer Flankensteilheit |
| DE2311340C2 (de) * | 1973-03-07 | 1974-04-04 | Claude 8000 Muenchen Frantz | Schaltung zur Verkürzung der Einschaltzeit von induktiven Verbrauchern |
| US4144751A (en) * | 1977-09-06 | 1979-03-20 | Honeywell Inc. | Square wave signal generator |
| JPS6050923A (ja) | 1983-08-31 | 1985-03-22 | Hitachi Ltd | プラズマ表面処理方法 |
| JPH04154971A (ja) * | 1990-10-16 | 1992-05-27 | Ricoh Co Ltd | Ｅｃｒプラズマ装置 |
| JPH05136089A (ja) * | 1991-03-12 | 1993-06-01 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマエツチング装置及びエツチング方法 |
| JP3236370B2 (ja) * | 1992-10-29 | 2001-12-10 | アネルバ株式会社 | マイクロ波放電処理装置 |
| JP3235299B2 (ja) | 1993-11-08 | 2001-12-04 | 株式会社日立製作所 | マイクロ波プラズマ処理方法 |
| JP2001110784A (ja) * | 1999-10-12 | 2001-04-20 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置および処理方法 |
| JP2011242324A (ja) * | 2010-05-20 | 2011-12-01 | Seiko Epson Corp | セルユニット及び磁場測定装置 |
| JP6334369B2 (ja) * | 2014-11-11 | 2018-05-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
-
2017
- 2017-09-20 JP JP2017180030A patent/JP6764383B2/ja active Active
-
2018
- 2018-01-12 KR KR1020180004213A patent/KR102048304B1/ko active IP Right Grant
- 2018-01-18 TW TW107101773A patent/TWI673759B/zh active
- 2018-02-22 US US15/902,799 patent/US20190088453A1/en active Pending
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