JP2017534750A5

JP2017534750A5 -

Info

Publication number: JP2017534750A5
Application number: JP2017510506A
Authority: JP
Filing date: 2015-08-14
Publication date: 2018-09-20
Anticipated expiration: 2035-08-14

Claims

炭素含有層を形成する方法であって、
第１の処理チャンバの処理領域に位置付けられた基板にスパッタガスを供給することであって、前記第１の処理チャンバが炭素含有スパッタターゲットを有している、供給することと、
スパッタリングプラズマを作り出すために前記スパッタガスにエネルギーパルスを供給することであって、前記スパッタリングプラズマが、約１Ｗ／ｃｍ^２から約１０Ｗ／ｃｍ^２の間の平均電力及び１００μｓ未満かつ３０μｓ超であるパルス幅を有するエネルギーパルスによって形成され、３００ガウス未満である磁場に曝される、供給することと、
前記炭素含有スパッタターゲットからスパッタされた炭素含有材料を含むイオン化種を形成することであって、前記イオン化種が前記基板の上に結晶性の炭素含有層を形成する、形成することと、
前記基板にバイアスを提供することと、
活性化堆積ガスを形成するために、炭素含有源を含む堆積ガスの存在下でプラズマを形成することと、
前記結晶性の炭素含有層の上にナノ結晶ダイヤモンド層を形成するために、前記活性化堆積ガスを前記基板に供給することと
を含む方法。
前記堆積ガスが、水素源を更に含む、請求項１に記載の方法。
前記スパッタターゲットが、グラファイト状ターゲットである、請求項１に記載の方法。
前記基板が、摂氏１００度未満の温度で維持される、請求項１に記載の方法。
前記結晶性の炭素含有層が、ナノ結晶ダイヤモンド層である、請求項１に記載の方法。
前記堆積ガスが、マイクロ波源を使用して活性化される、請求項１に記載の方法。
前記エネルギーパルスが、約１０マイクロ秒から１００マイクロ秒の間である、請求項１に記載の方法。
前記磁場が、約２００ガウス未満である、請求項１に記載の方法。
炭素含有層を形成するための方法であって、
第１の処理チャンバの処理領域に位置付けられた基板にスパッタガスを供給することであって、前記第１の処理チャンバがグラファイト状ターゲットを有している、供給することと、
スパッタリングプラズマを作り出すために前記スパッタガスにエネルギーパルスを供給することであって、前記スパッタリングプラズマが、約１Ｗ／ｃｍ^２から約１０Ｗ／ｃｍ^２の間の平均電力及び１００μｓ未満であるパルス幅を有するエネルギーパルスによって形成され、３００ガウス未満である磁場によって制御される、供給することと、
中間の炭化物層が前記基板の上に形成されるように、前記スパッタリングプラズマを形成することと、
前記中間の炭化物層を有する前記基板を第２の処理チャンバに移送することと、
前記第２の処理チャンバに堆積ガスを供給することと、
ＣＨ_４、Ｈ_２、Ａｒ、ＣＯ_２又はそれらの組み合わせを含む活性化堆積ガスを作り出すために前記堆積ガスを活性化することと、
前記活性化堆積ガスを基板に供給することと、
ナノ結晶ダイヤモンド層を前記中間の炭化物層で成長させることと
を含む方法。
前記基板が、約２ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒの間の圧力で維持される、請求項９に記載の方法。
デューティサイクルが、スパッタリング持続時間の約１０％未満である、請求項９に記載の方法。
前記堆積ガスが、マイクロ波源を使用して活性化される、請求項９に記載の方法。
前記磁場が、約２００ガウス未満である、請求項９に記載の方法。
炭素含有層を形成するための方法であって、
ＰＶＤ処理チャンバの処理領域に位置付けられた基板にスパッタガスを供給することであって、前記ＰＶＤ処理チャンバがグラファイト状スパッタターゲットを有している、供給することと、
スパッタリングプラズマを作り出すために前記スパッタガスにエネルギーパルスを供給することであって、前記スパッタリングプラズマが、約１Ｗ／ｃｍ ^２から約１０Ｗ／ｃｍ ^２の間の平均電力及び１００μｓ未満かつ３０μｓ超であるパルス幅を有するエネルギーパルスによって形成され、３００ガウス未満である磁場に曝される、供給することと、
前記基板上に結晶性の炭素含有層を形成するために、前記グラファイト状スパッタターゲットに前記スパッタリングプラズマを供給することと、
前記ＰＶＤ処理チャンバの前記処理領域に位置付けられた前記基板に不活性ガスを供給することと、
摂氏１００度未満の温度で前記ＰＶＤ処理チャンバを維持することと、
スパッタリングプラズマを作り出すために前記不活性ガスにエネルギーパルスを供給することであって、前記スパッタリングプラズマがスパッタリング持続時間を有し、前記エネルギーパルスが、１Ｗ／ｃｍ^２から約１０Ｗ／ｃｍ^２の間の平均電力、前記平均電力を上回るパルス電圧、及び１００μｓ未満であるパルス幅を有し、前記スパッタリングプラズマが、２００ガウス以下である磁場によって制御される、供給することと、
ナノ結晶ダイヤモンド層を前記結晶性の炭素含有層の上に形成するために、前記グラファイト状スパッタターゲットに前記スパッタリングプラズマを供給することと
を含む方法。