JP4239445B2 - プラズマ処理方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、機械部品などの表面にプラズマを用いて硬化処理などの表面処理を施すプラズマ処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
機械部品などは、一般に金属イオンを注入されることで、耐磨耗性、耐食性、硬度及び潤滑性などが向上することから、金属イオン注入技術は、近年、注目される技術の一つになっている。
【0003】
以下、図6〜8を参照して、金属イオン注入に関する従来技術の説明を行う。
【0004】
図6は金属イオン注入技術を実現するプラズマ処理装置の基本構成を示し、1は機械部品などの基体、2は基体1を搭載するための基体保持台、4及び5はガスを排供給する役割を果たすガス排気手段とガス供給手段、10は真空を維持することが可能な真空槽、20は基体1及び基体保持台2にバイアス電圧を印加する基体電極用電源、31は金属イオンプラズマ源、41は金属イオンプラズマ源31にアーク電流を印加する金属イオンプラズマ源用電源である。
【0005】
以下、上述した従来のプラズマ処理装置を用いて、基体1の表面処理を行う具体的な動作仕様を説明する。なお、本従来例では、アーク放電を用いて、プラズマ50を発生させる方式で説明する。
【0006】
まず、ガス供給手段5からアルゴンガスを導入し、同時にガス排気手段4により、真空槽10内を排気する。続いて、金属イオンプラズマ源用電源41より金属イオンプラズマ源31にアーク電流を印加すると、真空槽10内に金属イオン(本例ではチタンイオンとする)と電子からなるプラズマ50が発生する。並行して、基体電極用電源20から基体1及び基体保持台2にバイアス電圧を印加すると、プラズマ50中のチタンイオンは、プラズマ50と基体1の電位差分のエネルギーを得て基体1表面に衝突し、前記チタンイオンは基体1に注入される。
【0007】
このような現象によって、基体1表面でのチタンイオンの濃度が増加し、基体1表面の硬度を高めることが可能となる。結果として、基体1の耐摩耗性を向上させることができる。
【0008】
なお、金属イオンプラズマ源用電源41から金属イオンプラズマ源31へ供給されるアーク電流は、図7のように、定常形或いはパルス形のどちらの形でも供給可能である。これに対し、基体1或いは基体保持台2に供給されるバイアス電圧はパルス形で、プラズマ50に影響を与えないように、印加時間が調整される。
【0009】
このように金属イオンを用いて基体1の表面処理を行う場合、金属イオンは一般に、金属イオンプラズマ源31からの距離に反比例して減少するため、表面積が大きな基体や複雑な形状の基体や多畳の基体に対して、均一に表面処理を施すことが非常に困難であった。
【0010】
上記の課題に対し、特開平08−222177及び特開平11−335832号公報では、図8に示すように、1)金属イオンプラズマ源を複数配置させる方法や、2)基体保持台に回転運動を備える機構60を設ける方法が開示されている。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のような方法では、複数の金属イオンプラズマ源や回転機構を備えることで複雑な装置構成となり、メンテナンス性や信頼性が低くなるという問題があった。
【0012】
本発明は、上記従来の問題点を解決するもので、大面積の基体や立体的な形状の基体に対しても均一にイオン注入することを可能とし、メンテナンス性が容易な上に、信頼性が高いプラズマ処理方法を提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明のプラズマ処理方法は、パルス化されたプラズマ源から導入される金属イオンが、基体に到達した時刻から、1)前記基体に印加するバイアス電圧を増加させる、或いは、2)前記バイアス電圧のパルス幅を増加させる、或いは、3)バイアス電圧の周波数を増加させることを特徴とする。本発明のプラズマ処理方法によれば、プラズマ源からの距離による金属イオンの差をバイアス電圧によるイオン引き込み量で補正し、プラズマ源からの距離に関わらず一様な処理が行える。そのうえ、従来技術の如く複数のプラズマ源や回転機構を必要としないため、メンテナンス性や信頼性を高めることができるという利点を持つ。
【0014】
【発明の実施の形態】
(第1の実施形態)
図1に本発明に係るプラズマ処理方法を実現するための一実施形態の装置構成を示す。なお、図6を用いて説明した従来技術と相違する個所のみ説明する。
【0015】
70は基体1や基体保持台2にチタンイオンが付着した際に発生するバイアス電流をモニタリングする電流計である。80は金属イオン源用電源41と基体電極用電源20の出力レベルや出力タイミングを制御するコントローラである。また、本実施形態では、基体1と金属イオンプラズマ源31との距離LがL=250mmであり、金属イオンプラズマ源31と基体1の先端(金属イオンプラズマ源31との距離が最も遠い基板1の位置)との距離L2がL2=500mmのような位置関係にある場合を取り上げ、予備実験から得たデータを活用する方法で説明する。つまり、プラズマ51中のチタンイオンが基体1に接触するまでの時間t2や、基体1上からプラズマ51が無くなるまでの時間tp3などのデータを予備実験により測定しておく。
【0016】
以下、本実施形態における動作仕様を説明する。
【0017】
まず、ガス供給手段5より真空槽10内にアルゴンガスを導入し、同時にガス排気手段4により、真空槽10内を排気する。続いて、電源41からチタン材をターゲットとする金属イオンプラズマ源31に60Aのアーク電流をパルス的に印加することで、チタンイオンと電子からなるパルスプラズマ51が真空槽10内に発生する。
【0018】
このとき、基体1にプラズマ51内のチタンイオンが到達するタイミングで、基体1へのバイアス電圧が増加するように印加する。
【0019】
具体的には、図2に示すように、時刻t1=0で金属イオンプラズマ源31にアーク電流を時刻tp1=10μsecのパルス幅で供給する。このとき、プラズマ51中のチタンイオンは、基体1に時刻t2=110μsecで到達することが、予備実験によるデータから得られていることから、基体電極用電源20は、このタイミング(t2=110μsec)で、バイアス電圧をtp2=1μsecのパルス幅で印加する。
【0020】
tp2のパルス幅で基体1に印加するバイアス電圧は、プラズマ51が、基体1上を通過するまで繰り返される。予備実験データから、tp3=100μsecまでバイアス電流が検知されたことから、パルス幅tp2=1μsecで周波数fp=1×105Hz(周期tp4=10μsec)で印加した場合、10パルスを発生することとなる。
【0021】
上述するように、パルス幅は一定(tp2=1μsec)とするが、基体1及び基体保持台2に印加するバイアス電圧は、−11kvから−40kvへと徐々に増加させる方法を採用している。具体的には、金属イオンプラズマ源31により生じるプラズマ51のプラズマ密度は、金属イオンプラズマ源31からの距離の2乗に反比例することから、時間をパラメータとする2次関数で決定している。
【0022】
本実施例では、時刻t2=110μsecを基点とした場合、つまり、チタンイオンが基板1或いは基体保持台2に到達し、バイアス電流が発生した時刻をt=0とした場合、バイアス電圧V(t)は、
V(t)(kV)=−0.003t2−11 (但し、0≦t≦100μsec)… (式1)
と表現することができる。このようなプロセスを、所望のチタンイオン注入量が得られるまで繰り返す。
【0023】
このとき、基体1上のバイアス電流を電流計70でモニタリングし、バイアス電圧を基板1及び基板保持台2に印加する時刻を決定すれば、基体1近傍のチタンイオン量を安定化することができ、硬化処理の安定度を向上することが可能となる。つまり、図3のように、金属イオンプラズマ源31に影響を及ぼさない程度のバイアス電圧、例えば−1kvを印加しておき、基体1で発生するバイアス電流を電流計70で検知した時刻からバイアス電圧を増加させる。具体的には、t2=110μsecでバイアス電圧を−11kvで印加させ、電流計70でバイアス電流が検出されなくなる(つまり、プラズマ51が基体1上から無くなる)まで、バイアス電圧を印加する。
【0024】
上記のように、基体1に発生するバイアス電流に同期させて前記バイアス電圧を増加させる方法は、金属イオンプラズマ源31で設置されるターゲットの表面状態など、プラズマ51の発生に僅かではあるが不可避的な不確定性が含まれる場合に非常に有効である。また、バイアス電流を一定となるように、バイアス電圧を増加させる方法は更に望ましい。
【0025】
なお、本実施形態では、パルス幅を一定にし、バイアス電圧を増加させる方法を示したが、チタンイオンが基体1に到達するまでの時刻が本実施形態より早い場合や、プラズマ51に曝される側の基体1の表面が小さい場合には、パルスON時からOFF時までの間にバイアス電圧を増加させてもよい。
【0026】
以上のように、基体1及び基体保持台2に印加するバイアス電圧のパルス幅を一定とし、前記バイアス電圧を増加させる方法では、金属イオンプラズマ源31と基体1との距離による金属イオンの濃度差を、バイアス電圧によるイオン引き込み量で補正することで、表面処理を一様にすることが可能となる。また、複雑な機構を要さないため、メンテナンス性や信頼性が高めることが可能となる。
【0027】
(第2の実施形態)
第1の実施形態では、基体1表面の硬化処理を行う場合、プラズマ51が基体1に到達した時刻から、パルス幅を一定として、バイアス電圧を増加させる事例を示した。本実施形態では、基体1にプラズマ51が到達した時刻から、バイアス電圧を一定とし、パルス幅を変化させる方法を説明する。
【0028】
本実施形態は、第1の実施形態と同様の装置構成で実現できる。以下、図4を参照しながら、基体1に金属イオンを付着させる動作仕様を説明する。
【0029】
第1の実施形態と同様、チタンイオンのプラズマ密度は、金属イオンプラズマ源31からの距離の2乗に反比例することが予備実験データから知られており、バイアス電圧のパルス幅tp2を、プラズマ51が通過するタイミングに合わせ、時間をパラメータとする2次関数で増加させる。具体的には、バイアス電圧を−11kvで固定にし、パルス幅tp2を1μsecから4μsecに増加させる方法である。
【0030】
第1の実施形態と同様に、予備実験から得たデータを活用し、基体1に印加するバイアス電圧のパルス幅を増加させる方法を基本とするが、基体1上のバイアス電流を電流計70でモニタリングし、バイアス電圧を基体1及び基体保持台2に印加する時刻を決定すれば、基体1近傍のチタンイオン量を安定化することができ、硬化処理の安定度を向上させることが可能となる。また、バイアス電流が一定となるように、バイアス電圧のパルス幅を増加させる方法は更に望ましい。
【0031】
なお、第1の実施形態と本実施形態を比較した場合、前者は、高度な時間制御が不要なことが後者より優れており、一方、後者は、電圧の低いバイアス電源を使用できることが、前者に比べ優れている。
【0032】
また、本実施形態では、パルス幅を例に説明をしたが、パルス電圧、パルス幅を一定としてパルス周波数fpを増加させてもよい。
【0033】
以上のように、基体1或いは基体保持台2に印加するバイアス電圧を一定とし、前記バイアス電圧のパルス幅を増加させる方法では、プラズマ源31と基体1との距離による金属イオンの濃度差を、バイアス電圧の印加時間によるイオン引き込み量で補正することで、表面処理を一様にすることが可能となる。また、複雑な機構を要さないため、メンテナンス性や信頼性が高めることが可能となる。
【0034】
(第3の実施形態)
第1或いは第2の実施形態では、基体にプラズマが到達した時刻から、バイアス電圧やパルス幅を増加させることで、基体1の効果的な表面処理が実現できる事例を示した。
【0035】
本実施形態では、第1或いは第2の実施形態と、図5に示すように装置構成が異なり、基体1の周辺に位置し、基体1の金属イオンプラズマ源31に対して近い位置に電極91を設け、基体1の金属イオンプラズマ源31に対して遠い位置にも電極92を設けたことが相違する。
【0036】
電極91及び電極92は、バイアス電圧を印加することが可能で、バイアス電流をモニタリングすることができる電源90に接続されており、この電源90が、コントローラ80と接続されている。
【0037】
上記装置構成において、金属イオンプラズマ源31にアーク電流をパルスで印加させ、金属イオンプラズマ源31から生じるプラズマ51が基体1に到着した時刻から、バイアス電圧を増加するような動作仕様は、第1及び第2の実施形態と同様である。しかしながら、基体1に印加するバイアス電圧の増加量を、電極91或いは電極92に流れる電流信号に応じて変化させる点が第1及び第2の実施形態と相違する。
【0038】
つまり、本実施形態は、同値な微量なバイアス電圧を、電極91及び電極92に印加した場合、双方の電極(電極91及び電極92)に流れるバイアス電流差により、金属イオンの減少量を計算し、計算結果に応じて、基体1及び基体保持台2に印加するバイアス電圧の増加量を決定する方法である。
【0039】
第1の実施形態では、金属イオンがプラズマ源からの距離の2乗に反比例することにより、バイアス電圧の増加量を決定した。しかし、基体処理回数に応じて、金属イオンプラズマ源31のターゲットが消耗するなど、金属イオンの減少度合いが変化する可能性があり、電源90からの信号に応じて電圧増加量を決定する方が、より一層、表面処置を一様にすることが可能となる。
【0040】
また、本実施の形態では、バイアス電圧を一例として取り上げたが、パルス幅、パルス周波数の増加量を制御する場合でも同様に実現可能である。なお、第1或いは第2の実施形態と本実施形態を比較した場合、本実施形態は、第1或いは第2の実施形態に比べ、長期に渡って安定した表面処理が行えることが優れている。
【0041】
【発明の効果】
本発明によれば、金属イオンプラズマをパルス化し、a)バイアス電圧を増加させる方法、b)バイアス電圧のパルス幅を増加させる方法、c)基体近傍に設けた電極のバイアス電流差から、金属イオンの減少量を計算し、バイアス電圧の増加量を決定する方法のいずれかの方法を利用することで、表面積が大きな基体や立体的な形状の基体に対して、均一に加工処理を行うことが可能となる。
【0042】
a)とb)を比較した場合、a)は高度な時間制御を不要とする点で、b)より優れているが、一方、b)は低いバイアス電圧を使用できる点でa)より優れている。また、a)及びb)とc)とを比較した場合、c)は長期に渡って安定した表面処理を実現できる点が優れているが、a)及びb)は、c)よりもバイアス電圧の制御が容易である点が優れている。
【0043】
以上のことから、複数の金属イオンプラズマ源を設置することや、基体保持台を回転させる機構を使用することなどで、複雑な構成にしなくとも、簡単な装置構成によって、基体表面に一様な表面加工が行え、更にプラズマ処理装置のメンテナンス性や信頼性を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施形態に係るプラズマ処理装置の基本構成図
【図2】バイアス電圧と時刻との関係を説明する相関図
【図3】バイアス電圧及びバイアス電流と時刻との関係を示す相関図
【図4】第2の実施形態におけるバイアス電圧と時刻との関係を示す相関図
【図5】第3の実施形態に係るプラズマ処理装置の基本構成図
【図6】従来例のプラズマ処理装置の基本構成図
【図7】従来例のバイアス電圧と時刻との関係を説明する図
【図8】従来例の回転機構を有するプラズマ処理装置の基本構成図
【符号の説明】
1 基体
2 基体保持台
4 ガス排気手段
5 ガス供給手段
10 真空槽
20 基体電極用電源
31 金属イオンプラズマ源
41 プラズマ源用電源
51 プラズマ
70 電流計
80 コントローラ
Claims (12)
- 真空槽内にガスを供給しつつ排気し、所定の圧力に制御しながら、前記真空槽に設けられた金属イオンプラズマ源によりプラズマを発生させると共に、基体保持台にバイアス電圧を印加することで、前記基体保持台に載置される基体を処理するプラズマ処理方法であって、
金属イオンプラズマ源からパルス状にプラズマを発生させ、前記プラズマが前記基体近傍を通過して行くのに同期して前記基体にバイアス電流が検知された時刻から、基体保持台に印加するバイアス電圧を増加させ、かつ、前記プラズマが前記基体近傍を通過移動した後には前記基体上にプラズマが残らないこと
を特徴とするプラズマ処理方法。 - バイアス電流をモニタリングすることで、バイアス電圧を増加させる時刻を決定すること
を特徴とする請求項1記載のプラズマ処理方法。 - 基体保持台に発生するバイアス電流を一定となるようバイアス電圧を増加させること
を特徴とする請求項1または2記載のプラズマ処理方法。 - 真空槽内にガスを供給しつつ排気し、所定の圧力に制御しながら、前記真空槽に設けられた金属イオンプラズマ源により、プラズマを発生させると共に基体保持台にバイアス電圧を印加することで、前記基体保持台に載置される基体を処理するプラズマ処理方法であって、
金属イオンプラズマ源からパルス状にプラズマを発生させ、前記プラズマが前記基体近傍を通過して行くのに同期して前記基体にバイアス電流が検知された時刻から、基体保持台に印加するバイアス電圧のパルス幅を増加させ、かつ、前記プラズマが前記基体近傍を通過移動した後には前記基体上にプラズマが残らないこと
を特徴とするプラズマ処理方法。 - バイアス電流をモニタリングしてバイアス電圧のパルス幅を増加させる時刻を決定すること
を特徴とする請求項4記載のプラズマ処理方法。 - 基体保持台に発生するバイアス電流を一定となるようパルス幅を増加させること
を特徴とする請求項4または5記載のプラズマ処理方法。 - 真空槽内にガスを供給しつつ排気し、所定の圧力に制御しながら、前記真空槽に設けられた金属イオンプラズマ源により、プラズマを発生させると共に、基体保持台にバイアス電圧を印加することで、前記基体保持台に載置される前記基体を処理するプラズマ処理方法であって、
金属イオンプラズマ源からパルス状にプラズマを発生させ、前記プラズマが前記基体近傍を通過して行くのに同期して前記基体にバイアス電流が検知された時刻から、基体保持台に印加するバイアス電圧のパルス周波数を増加させ、かつ、前記プラズマが前記基体近傍を通過移動した後には前記基体上にプラズマが残らないこと
を特徴とするプラズマ処理方法。 - バイアス電流をモニタリングしてバイアス電圧のパルス周波数を増加させる時刻を決定すること
を特徴とする請求項7記載のプラズマ処理方法。 - 基体保持台に発生するバイアス電流を一定となるようにパルス周波数を増加させること
を特徴とする請求項7または8記載のプラズマ処理方法。 - 基体の周辺に位置し、前記基体の金属イオンプラズマ源に対して近い位置と、基体の金属イオンプラズマ源に対して遠い位置に電圧を印加でき、電流をモニタリングできる電極を設け、前記電極に流れる電流信号に応じてバイアス電圧を印加するタイミングとバイアス電圧の増加量を決定すること
を特徴とする請求項1記載のプラズマ処理方法。 - 基体の周辺に位置し、前記基体の金属イオンプラズマ源に対して近い位置と、基体の金属イオンプラズマ源に対して遠い位置に電圧を印加でき、電流をモニタリングできる電極を設け、前記電極に流れる電流信号に応じてバイアス電圧を印加するタイミングとバイアス電圧のパルス幅の増加量を決定すること
を特徴とする請求項4記載のプラズマ処理方法。 - 基体の周辺に位置し、前記基体の金属イオンプラズマ源に対して近い位置と、基体の金属イオンプラズマ源に対して遠い位置に電圧を印加でき、電流をモニタリングできる電極を設け、前記電極に流れる電流信号に応じてバイアス電圧を印加するタイミングとバイアス電圧のパルス周波数の増加量を決定すること
を特徴とする請求項7記載のプラズマ処理方法。
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