KR101104778B1 - 증착 타겟을 컨디셔닝하기 위한 방법 및 시스템 - Google Patents

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Abstract

증착 타겟을 컨디셔닝하기 위한 방법 및 시스템이 기술되어 있다. 하나의 예시적 실시예는, 증착 타겟이 사용되는 증착 시스템이 동작되고, 상기 증착 시스템에 있어서 전기적 아크의 발생이 검출되고, 상기 증착 시스템을 동작시키는 파워 서플라이의 출력 전류를 조정하고 각각의 아크와 실질적으로 동일한 에너지를 방출하도록 에너지가 각 아크에 방출되는 인터벌을 조정함으로써 증착 타겟이 컨디셔닝된다. 어떤 실시예에서, 각 아크에 방출되는 에너지는 증착 타겟이 훼손되지 않고 견딜 수 있는 최대 에너지와 거의 같다. 상기 방법 및 시스템은, 타겟으로부터 불순물을 제거하는데 필요한 시간을 현저히 감소시키고 진공 챔버의 통풍 및 상기 챔버로부터 타겟의 제거를 요하지 않는다.
Figure R1020087028729
증착 타겟, 증착 타겟의 컨디셔닝, 증착 방법, 증착 시스템, 전기적 아크

Description

증착 타겟을 컨디셔닝하기 위한 방법 및 시스템{METHOD AND SYSTEM FOR CONDITIONING A VAPOR DEPOSITION TARGET}
본 발명은 일반적으로 증착을 통한 박막의 도포에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니나, 증착에 사용되는 타겟 물질을 컨디셔닝하기 위한 방법 및 시스템에 관한 것이다.
증착을 통한 박막의 도포는 반도체 제조, 유리 코팅, 컴팩트 디스크(CD)의 제조, 장식 코팅 및 평판 표시장치의 제조를 포함하는 광범위한 산업에 있어서 중요한 제조 공정이다. 화학적 증착(CVD)에 있어서, 기판은, 소망 필름을 형성하기 위해 기판과 반응하거나 그 위에 분해되는 하나 이상의 화학적 전구체에 노출된다. 물리적 증착(PVD)에 있어서, 박막은 화학적 수단보다는 물리적 수단을 통해 기판상에 증착된다. PVD의 예로서는, 증발, 스퍼터링, 및 무선주파수(RF) 플라즈마 공정들을 포함한다.
스퍼터링 공정에 있어서, 예컨대, "플라즈마"를 발생하는 증발 코팅 챔버 내에 가스를 이온화하기 위해 전기 에너지가 사용된다. 플라즈마의 정전하 이온은 타겟의 원자들이 자유로 두들겨지도록 "타겟"으로 불리는 물질에 충격을 가한다. 이들 원자의 대부분은 타겟으로부터 기판으로 "드리프트(drift)"하는 전기적 중성 이 온들이며, 이들은 기판과 반응 또는 응축하여 기판상에 박막을 형성한다. 통상의 스퍼터링 타겟은 알루미늄, 붕소, 구리, 철, 니켈, 은, 티타늄 및 아연을 포함한다.
타겟의 오염은 플라즈마 베이스 증착 공정에 있어서 중요한 문제이다. 타겟은 다양한 방식으로 오염될 수 있다. 예컨대, 타겟의 표면은, 챔버에 위치되기 전에 공기, 수증기 또는 공기 중의 탄화수소에의 노출에 의해 산화 또는 오염될 수 있다. 타겟은 또한, 증착 공정시 오염될 수도 있다. 스퍼터링된 물질의 일부는 타겟 부식 영역 또는 "레이스트랙(racetrack)" 외측 면상에 재증착될 수도 있다. 이 재증착된 물질은 타겟 물질과 상이한 구조를 가지며 타겟의 표면에 전기적 아크를 일으킬 수 있다. 아크는 막 내에 입자상 물질을 유도함으로써 증착 막의 질에 영향을 미칠 수 있다. 오염의 또 다른 근원은 소위 "캐소드 다크 스페이스(cathode dark space)"(많은 응용에 있어서 타겟-부전위 요소-그라운드 간의 물리적 공간)에 있어서의 아크이다. 이와 같은 아크가 일어나면, 증착이 심하게 영향을 받아, 타겟 또는 기판에 대한 충격이 타겟, 기판 또는 이들 모두의 오염에 부가되는 결과를 초래할 수 있다.
타겟으로부터 불순물을 컨디셔닝 또는 제거하기 위한 많은 방법이 있다. 예컨대, 타겟은 물리적으로(즉, 수동으로) 세정될 수 있다. 다른 방법은 불순물을 "가열 제거(burn off)"하기에 충분한 기간 동안 오염된 타겟에 스퍼터링 처리를 행하는 것이다. 이 방법에 있어서, 기판은 챔버로부터 생략될 수 있으며, 또는 간단히 폐기되는 "더미(dummy)" 기판 또는 실제 기판이 사용되어도 좋다. 다른 방법은 특정 범위의 입경을 갖는 미세하게 분할되는 파우더로 타겟의 표면을 세차게 때리는 것을 수반한다. 다른 방법은 전체적으로 아크를 제거하면서 타겟의 컨디셔닝을 행하도록 역 바이어스 펄스를 사용하는 것을 수반한다.
증착 타겟을 컨디셔닝하기 위한 종래의 방법은 완료하는데에 상당한 시간(예컨대, 수시간)을 요한다. 따라서, 당해 기술 분야에 있어서 증착 타겟을 컨디셔닝하기 위한 개선된 방법 및 시스템이 필요하다.
도면을 참조한 본 발명의 예시적 실시예는 다음과 같이 요약된다. 이들 및 다른 실시예는 발명의 상세한 설명란에 보다 상세히 기재되어 있다. 그러나, 이들 발명의 상세한 설명이나 실시예에 기술된 형태로 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 당업자들은 특허청구범위에 표현된 발명의 정신 및 관점 내에 들어가는 수많은 개조, 등가물 및 다른 구성이 있다는 것을 인식할 수 있을 것이다.
본 발명은 증착 타겟을 컨디셔닝하기 위한 방법 및 시스템을 제공할 수 있다. 하나의 예시적 실시예는, 증착 타겟이 사용되는 증착 시스템을 작동시키는 스텝, 상기 증착 시스템에 있어서 전기적 아크의 발생을 검출하는 스텝, 및 상기 증착 시스템을 작동시키는 파워 서플라이의 출력 전류를 조정하고 각각의 아크와 실질적으로 동일한 에너지를 방출하도록 에너지가 각 아크에 방출되는 인터벌을 조정함으로써 증착 타겟을 컨디셔닝하는 스텝을 포함한다. 또는, 각 아크에 방출되는 에너지는 증착 타겟이 훼손되지 않고 견딜 수 있는 최대 에너지와 거의 같게 될 수 있다.
다른 예시적 실시예는, 사용자가 지정한 출력으로, 파워 서플라이에 의해 작동되는 증착 공정을 동작시키는 스텝; 측정된 아크 주파수가 소정 문턱치를 초과할 때: 상기 증착 공정을 타겟 컨디셔닝 모드로 전환하는 것을 행하는 스텝; 상기 증착 공정에 있어서 전기적 아크의 발생을 검출하는 스텝, 파워 서플라이의 출력 전류를 조정하고 각각의 아크와 실질적으로 동일한 에너지를 방출하도록 에너지가 각 아크에 방출되는 인터벌을 조정하는 스텝; 및 측정된 아크 주파수가 소정 문턱치 아래로 떨어질 때까지 상기 검출 및 조정을 반복하는 스텝을 포함하는 증착 공정의 제어 방법이다. 또는, 각 아크에 방출되는 에너지는 증착 타겟이 훼손되지 않고 견딜 수 있는 최대 에너지와 거의 같게 될 수 있다.
다른 예시적 실시예는 증착 시스템에 대한 파워 서플라이로서, 입력 파워를 수신하기 위한 입력단; 출력 파워를 증착 공정에 공급하기 위한 출력단; 입력 파워를 출력 파워로 변환하기 위한 파워 변환 서브시스템; 및 상기 파워 변환 서브시스템에 접속된 콘트롤러를 포함하며, 상기 콘트롤러는, 타겟 컨디셔닝 모드시, 상기 증착 시스템에 있어서 전기적 아크의 발생을 검출하고; 상기 파워 서플라이의 출력 전류를 조정하고 각각의 아크와 실질적으로 동일한 에너지를 방출하도록 에너지가 각 아크에 방출되는 인터벌을 조정하도록 구성된다. 또는, 콘트롤러가 각 아크에 방출하도록 구성되는 에너지는 증착 타겟이 훼손되지 않고 견딜 수 있는 최대 에너지와 거의 같게 될 수 있다.
다른 예시적 실시예는, 애노드 및 캐소드를 갖는 코팅 챔버; 상기 코팅 챔버 내에 배치되고, 상기 애노드 및 캐소드의 하나로 기능하는 타겟; 상기 애노드 및 캐소드와 접속된 파워 서플라이를 포함하고, 상기 파워 서플라이는, 타겟 컨디셔닝 모드시, 상기 증착 시스템에 있어서 전기적 아크의 발생을 검출하고; 상기 파워 서플라이의 출력 전류를 조정하고 각각의 아크와 실질적으로 동일한 에너지를 방출하도록 에너지가 각 아크에 방출되는 인터벌을 조정하도록 구성된다. 또는, 파워 서플라이가 각 아크에 방출하도록 구성되는 에너지는 증착 타겟이 훼손되지 않고 견딜 수 있는 최대 에너지와 거의 같게 될 수 있다.
본 발명의 각종 목적 및 장점은 첨부 도면과 관련된 이하의 실시예 및 특허청구범위를 참조함으로써 보다 명백히 이해될 것이다.
도1은 본 발명의 예시적 실시예에 따른 증착 시스템의 기능적 블록도이다.
도2는 본 발명의 예시적 실시예에 따라 증착 타겟을 컨디셔닝하기 위한 방법의 플로우챠트이다.
도3은 본 발명의 예시적 실시예에 따라 증착 공정을 조절하기 위한 방법의 플로우챠트이다.
도4A 및 도4B는 본 발명의 다른 예시적 실시예에 따라 증착 타겟을 컨디셔닝하기 위한 방법의 플로우챠트이다.
도5A 및 도5B는 본 발명의 또 다른 예시적 실시예에 따라 증착 타겟을 컨디셔닝하기 위한 방법의 플로우챠트이다.
예시적 실시예에 있어서, 증착 타겟은, 증착 타겟이 사용되는 증착 시스템을 동작시키고, 상기 증착 시스템에 있어서 발생하는 전기적 아크를 검출하고, 상기 증착 시스템을 작동시키는 파워 서플라이의 출력 전류를 조정하고 각각의 아크와 실질적으로 동일한 에너지를 방출하도록 에너지가 각 아크에 방출되는 인터벌을 조정함으로써 컨디셔닝된다. 이와 같이, 실질적으로 일정한 아크 에너지가 아크에서 아크로 방출된다.
또한, 증착 타겟은, 선택적으로, 각 아크에 방출되는 일정 에너지를 타겟이 훼손되지 않고 견딜 수 있는 최대 에너지와 거의 같게 함으로써 보다 신속하고 효율적으로 컨디셔닝된다. 이 최대 에너지(E max)는 통상적으로 "용해 에너지(energy of fusion)" 또는 "열 에너지(heat energy)로 불리며, 타겟 물질 또는 타겟의 크기에 기초하여 미리 결정된다. 다음, 증착 공정은 "타겟 컨디셔닝 모드(target-conditioning mode)에 있어서 오염된 타겟이 작동된다.
타겟 컨디셔닝 시, 아크가 검출된다. 아크에 방출되는 에너지는 E del=V outㆍI out ㆍΔt로서 계산되며, 이때 Δt는 에너지가 아크에 방출되는 인터벌, E del은 아크에 방출되는 에너지, V out는 Δt 동안의 출력(아크) 전압, I out는 Δt 동안의 출력(아크) 전류이다. 인터벌 Δt는, 예컨대, 일단 아크가 검출된 경우 정상의 아크 취급 절차가 불능으로 되는 동안 "아크 지연 시간(arc delay time)"으로서 실행된다. 정상적인 아크 처리는 예컨대, 아크를 소멸시키기 위해 소정 기간 동안 파워 서플라이를 오프로 전환시키는 것을 포함할 수 있다. V out 및 I out는 측정될 수 있기 때문에, E del이 에너지의 소망하는 소정 레벨과 같도록 Δt가 계산된다. 어떤 실시예에서, V out는, 출력 전류만 측정될 필요가 있도록 아크 지연 시간 Δt 동안 소정의 상수(예컨대, 30-50V)로서 제안된다. 콘트롤 루프는, I out 및 Δt가 각 검출된 아크에 실질적으로 동일한 에너지를 발하도록 조정되어 구성된다. 선택적으로, 각 아크에 발해진 유사한 에너지(E del)는 E max와 거의 같다. 어떤 실시예에서, 타겟 컨디셔닝 모드 또는 사이클은, 아크의 측정된 주파수가 소정 문턱치 아래로 떨어질 때까지 계속되며, 이때 정상적인 증착이 시작 또는 재개된다.
아크가 일어나는 동안, E del이 E max와 같아지면, 파워 서플라이는 아크를 소멸하기 위해 소정 기간 동안 차단된다. E del이 E max에 달하기 전에 아크가 끝나면, 파워 서플라이는 아크의 끝이 검출된 후 정상 동작을 계속한다.
아크에 방출되는 전류를 제어하기 위해, 파워 서플라이는 아크가 검출되었을 때 정전류 모드에서 동작된다. 아크의 주파수가 높을 때(예컨대, 소정 문턱치 이상), 파워 서플라이는 아크 주파수에 반비례한 출력 전류를 생성하도록 구성된다. 한 예시적 실시예에서, 파워 서플라이는 아크가 존재하는 지에 무관하게 출력 전류가 소정 레벨로 일정하게 유지되는 전류 레귤레이션 모드에서 동작된다.
상기 타겟 컨디셔닝에 대한 접근은 종래 기술에 비해 상당한 속도의 이점을 제공한다. 대부분의 타겟 컨디셔닝 사이클 동안 정상 파워로 파워 서플라이를 동작시키고 아크 지연 시간 Δt 동안 타겟에 최대량의 에너지를 발하는 것이 4-5 시간 으로부터 단 한 시간으로 컨디셔닝 시간을 단축할 수 있다.
이와 같은 공정에 있어서 아크의 제어 및 DC 스퍼터링 공정에 대한 다른 정보는 공동 소유되고 양도된 미국 특허공보 제 5,718,813호 "Enhanced Reactive DC Sputtering System"에서 발견될 수 있다. 타겟 컨디셔닝에 대한 다른 정보는, 공동 소유되고 양도된 미국 특허공보 제 6,368,477호 "Adjustable Energy Quantum Thin Film Plasma Processing System"; 및 제 6,451,389호 "Method for Deposition of Diamond Like Carbon"에서 발견될 수 있다.
도면을 참조하면, 몇몇 도면에 걸쳐 비슷하거나 유사한 부재들은 동일한 도면 부호로 표시했다. 도1은 본 발명의 예시적 실시예에 따른 증착 시스템(100)의 기능적 블록도이다. 이 특정 예시적 실시예에서, 증착 시스템(100)은 직류(DC) 스퍼터링 시스템이다. 그러나, 본 발명의 원리는 이에 한정되지 않고 증발 및 스퍼터링과 같은 물리적 증착(PVD)을 포함하여 아크가 관련된 어떤 증착 공정에도 적용할 수 있다. 본 발명의 원리는, 이에 제한되지 않고, DC, 교류(AC), 펄스 출력 및 RF출력 공정에도 적용할 수 있다.
도1에서, 증착 시스템(100)은 애노드(110) 및 타겟(120)이 전기적으로 접속되는 캐소드(115)를 갖는 코팅 챔버(105)를 포함한다. 이 예시적 실시예에서, 타겟(120) 그 자체는 캐소드(115)로서 작용한다. 다른 실시예에서, 타겟(120)은 애노드(110)로서 작용하거나 또는 애노드(110)와 전기적으로 접속되어 있다. 도1에 나타낸 예시적 실시예에서, 애노드(110)는 코팅 챔버(105)의 벽과 일치될 수 있다. 어떤 실시예에서, 애노드(110)는 그라운드 전위로 되고, 타겟(캐소드)은 부 전위로 된다. 타겟(120) 및 기판(또는 작업편)(125)은 코팅 챔버(105) 내에 배치된다. 증착 공정 시, 코팅 챔버(105)는 비워지고, 아르곤과 같은 신규 가스(도1에는 도시되지 않음)가 코팅 챔버(105) 내에 도입된다. 전기적 에너지에 의해 "점화"되었을 때, 가스는 플라즈마로 되고, 그의 양 이온이 타겟(120)에 충돌하여, 타겟 물질의 원자들이 자유로 두들겨져("스퍼터링"되어) 기판(125) 상에 막으로서 퇴적된다.
증착 시스템(100)은 또한 파워 서플라이(130)를 포함한다. 설명의 편의를 위해 도1에는 파워 서플라이(130) 내의 관련 기능 블록만 포함되어 있다. 파워 서플라이(130)는 AC라인(135)으로부터 AC입력 파워를 받는 입력단(도1에는 도시되지 않음)을 포함한다. (도1에는 도시되지 않은) 파워 서플라이(130)의 출력단의 출력(140)에서, 파워 서플라이(130)는 DC출력 파워(Pout)를 생성한다. 출력(140)은 코팅 챔버(105)의 애노드(110) 및 캐소드(115)에 접속된다. AC/DC 컨버터(145)는 AC라인(135)으로부터 AC입력 파워를 플라즈마를 여기시키기 위해 DC파워로 변환한다.
콘트롤러(150)는 AC/DC 컨버터(145)의 동작을 제어한다. 한 예시적 실시예에서, 콘트롤러(150)는 중앙처리장치(CPU) 및 저장된 프로그램 명령들을 포함하는 메모리를 포함하는 임베디드 연산 장치이다. 일반적으로, 콘트롤러(150)의 기능은 하드웨어, 소프트웨어, 펌웨어 또는 이들의 조합으로 실행된다. 콘트롤러(150)는 출력 전류 감지 라인(155), 출력 전압 감지 라인(160) 및 사용자 지정 파워 설정 포인트(165)를 입력들로서 수신한다. 콘트롤 라인(170)은 콘트롤러(150)에 의해 AC/DC 컨버터(145)가 동작하도록 한다. 예컨대, 콘트롤러(150)는 AC/DC 컨버 터(145)의 스위칭 주파수 또는 듀티 사이클 비를 변경시킬 수 있다. 파워 서플라이(130)와 같은 파워 서플라이는 종종 "스위칭 모드 파워 서플라이"로 지칭된다. 파워 서플라이는 콘트롤러(150)의 제어 하에, 코팅 챔버(105) 내의 아크를 제어하도록 신속히 온/오프 스위칭된다.
예시적 실시예에서, 콘트롤러(150)는 전기적 아크를 검출하고 각 검출된 아크에 실질적으로 동일한 에너지를 방출하도록 출력 전류(I out) 및 Δt를 조정하도록 구성된다. 선택적으로, E del은 특정 타겟(120)의 소정 E max와 실질적으로 동일하도록 설정된다. 일 실시예에서, 콘트롤러(150)는 아크의 측정 주파수가 소정 문턱치 아래로 떨어질 때까지 타겟 컨디셔닝 모드로 유지되고, 그 후 정상 증착 공정이 재개되도록 구성된다. 당업자들은 잘 알겠지만, 콘트롤러(150)는 예컨대, 전압 감지 라인(160), 전류 감지 라인, 또는 이들 모두를 모니터링함으로서 아크를 검출할 수 있다.
일 실시예에서, 콘트롤러(150)는, 아크의 검출 시, 파워 서플라이(130)를 정전류 모드로 전환하도록 구성된다. 이는 아크 지연 시간 Δt 동안 방출되는 전류의 양을 조절한다. 측정된 아크 주파수가 소정 문턱치를 초과하면, 콘트롤러(150)는, 이 실시예에 있어서, 출력 전류(I out)를 아크 주파수에 반비례하여 레귤레이트하도록 구성된다. 전술한 바와 같이, 콘트롤러(150)는, I out 및 V out를 모두 측정함으로써 소망의 E del, I out 및 출력 전압(V out)에 기초하여 Δt를 계산하도록 구성된다. 다른 예시적 실시예에서, 콘트롤러(150)는, V out를 상수에 근사하도록 구성되며, 이 경우 I out 만 측정될 필요가 있다.
도2는 본 발명의 예시적 실시예에 따라 증착 타겟(120)을 컨디셔닝하기 위한 방법의 플로우챠트를 나타낸다. 205에서, 증착 시스템(100)은 타겟(120)을 사용하여 동작된다. 210에서, 콘트롤러(150)는 증착 공정 동안 발생하는 전기적 아크를 검출한다. 215에서, 콘트롤러(150)는 210에서 검출된 각 아크와 다소 동일한 에너지 E del을 발하도록 I out 및 Δt를 조정한다. 어떤 실시예에서, E del은 E max와 거의 같 다. 그로부터 타겟(120)이 형성되는 물질 및 타겟(120)의 크기에 의존하는 E max는, CRC Press, LLC에 의해 간행된 The Handbook of Chemistry and Physics와 같은 용이하게 입수가능한 자료를 참고함으로써 결정될 수 있다. 일단 타겟(120)이 컨디셔닝되면, 공정은 220에서 종료된다.
도3은 본 발명의 예시적 실시예에 따라 증착 공정을 제어하기 위한 방법의 플로우챠트이다. 초기에, 증착 시스템(100)은 305에서 사용자 지정 출력 파워(설정 포인트 165)로 동작된다. 증착 공정이 310에서 완료되면, 공정은 315에서 종료한다. 그렇지 않으면, 공정은 320으로 진행한다. 콘트롤러(150)가 320에서 소정 문턱치 T를 초과하는 아크 주파수(예컨대 초당 아크의 단위로)를 측정하면, 증착 시스템(100)은, 아크 주파수가 T 이하(엄밀하게는, 특정 실시예에 따라 T 미만)로 될 때까지 도2에 있어서의 스텝 205, 210 및 215가 행해지는 330에서 타겟 컨디셔닝 모드로 전환될 수 있다. 일단 아크 주파수가 특정 기준을 만족하면, 공정이 완료되 거나 아크 주파수가 다시 T를 초과할 때까지 스텝 305-325로 되돌아갈 수도 있다. 325에서, 증착 시스템(100)이 타겟 컨디셔닝 모드가 아닌 정상 증착 모드에서 동작하는 동안, 증착 시스템(100)은, 파워 서플라이(130)가 아크를 소멸시키기 위해 소정 기간 동안 오프로 스위칭되는 정상 아크 처리를 채용할 수 있다. 도3에 나타낸 예시적 실시예는 코팅 챔버(105)의 통풍이나 물리적 세정을 위해 코팅 챔버(105)로부터 타겟(120)을 제거할 필요없이 타겟(120)이 컨디셔닝될 수 있도록 하는 이점을 갖는다.
도4A 및 도4B는 본 발명의 다른 예시적 실시예에 따라 증착 타겟(120)을 컨디셔닝하기 위한 방법의 플로우챠트이다. 도4A 및 도4B에 나타낸 스텝들은 소정 인터벌으로 주기적으로 행해진다. 도시된 특정한 예시적 실시예에서, 인터벌은 100ms이다(블록 405). 410에서, 콘트롤러(150)는 이전의 100ms에 걸쳐 평균 아크 밀도(ADAVG)를 계산한다. 콘트롤러(150)는 콘트롤 루프를 댐프시키기 위해 장기간(예컨대, 4-5초)에 걸쳐 100ms마다 샘플링되는 아크의 발생을 평균할 수 있다. 415에서, 콘트롤러(150)는 나타낸 바와 같이 파워 서플라이(130)에 대한 전류 제한(ILIM)을 계산한다. ADTHRESH는, 증착 시스템(100)이 타겟 컨디셔닝 모드에서 동작하는지 또는 정상 처리 모드에서 동작하는지를 제어하기 위해 사용되는 소정 아크 주파수 문턱치(예컨대, 5-10 아크/초)이다. ILIMMIN 및 ILIMMAX는 각각 사용자 제공의 최소 및 최대 출력 전류치이다. ADAVG가 ADMAX를 초과하면, ILIM은 ILIMMIN으로 설정된다. 한 예시적 실시예에서, ADMAX는 250아크/초이다.
415에서 계산된 ILIM이 420에서 ILIMMAX를 초과하면, ILIM은 425에서 ILIMMAX로 제한된다. 한편, ILIM이 430에서 ILIMMIN 미만이면, ILIM은 435에서 ILIMMIN으로 제한된다. 440에서, 콘트롤러(150)는 콘트롤 루프에 ILIM을 인가하고, 프로세스는 도4B에 나타낸 스텝 445로 진행한다.
410에서 결정된 ADAVG가 445에서 ADTHRESH 이하이면, 아크 지연 시간 Δt (도4B에서 "TD")는 450에서 제로로 설정되며, 이는 타겟 컨디셔닝이 완료되고 증착 시스템(100)이 정상 처리를 재개할 수 있다는 것을 의미한다. ADAVG가 445에서 ADTHRESH를 초과하면, 공정은 455로 진행한다. 455에서, 콘트롤러(150)는 지시된 바와 같이 아크 지연 시간 TD를 계산한다. 도4B에 있어서 "EARC"는 각 아크에 방출될 소정의 일정 에너지이다. 즉, EARC는 E del이 각 검출된 아크에 대해 설정되는 상수이다. 어떤 실시예에서, EARC는 거의 E max와 같다. 도B에서 "VARC"는 아크 지연 시간 TD 동안 파워 서플라이(130)의 출력 전압이다. 다른 실시예에서, VARC는 소정의 상수로서 근사된다. 460에서, 콘트롤러(150)는 계산된 아크 지연 시간 TD를 콘트롤 루프에 적용한다.
도5A 및 도5B는 본 발명의 또 다른 예시적 실시예에 따라 증착 타겟을 컨디셔닝하기 위한 방법의 플로우챠트이다. 이상적으로, 파워 서플라이(130)의 출력 전류는 아크의 온셋 전후에 동일하게 남는 것이다. 실제로는, 그 출력 전류는, 아크 지연 시간 TD가 경과하고 아크를 소멸하기 위해 소정 기간 동안 출력(140)이 차단될 때까지 상당히 상승할 수 있다. 이러한 비이상적 거동을 보상하기 위해, 도5A 및 도5B에 나타낸 예시적 실시예는 전류 제한(ILIM) 및 아크 지연 시간(TD)을 조정 하여 파워 서플라이(130)의 출력(140)이 각 아크에 실질적으로 동일한 에너지를 발하는 목적을 만족한다. 선택적으로. 그 일정한 아크 에너지는 E max와 거의 같게 된다. 도5A 및 도5B에 나타낸 예시적 실시예는, 상수(예컨대, 30-50 V)로서 파워 서플라이(130)의 출력 전압(V out)을 처리한다. 출력 전류와 아크 지연 시간의 곱(I outㆍΔt)은 주지의 일정 출력 전압 V out에 대한 소정 E del의 비와 거의 같도록 제어된다. 따라서, 이 특정의 예시적 실시예는 I outㆍΔt에 기초하여 동작한다.
도4A 및 도4B에 나타낸 실시예와 도5A 및 도5B에 나타낸 실시예의 주요 차이는 도5B에 있어서 스텝 505에서 일어난다. 이 실시예에서, TD는 블록 505에서 나타낸 바와 같이 계산된다. DELAYMIN 및 DELAYMAX는 각각 소정의 최소 및 최대 허용가능한 아크 지연 시간이다, 한 예시적 실시예에서, DELAYMIN은 33μs이고, DELAYMAX는 250μs이다.
결론적으로, 본 발명은 무엇보다도, 증착 타겟을 조절하기 위한 방법 및 시스템을 제공한다. 당업자들은 본 발명에 있어서 여러가지 변형 예 및 대체 예가 이루어질 수 있음을 용이하게 인식할 것이며, 상기 예를 실질적으로 달성하기 위한 사용 및 그의 구성은 본 명세서에서 기술된 실시예들에 의해 성취된다. 따라서, 본 발명은 기술된 예시적 형태들에 한정되지 않으며, 많은 변형예, 개조 및 대안적 구성은 특허청구범위에 기재된 발명의 관점 및 정신 내에 들어가는 것이다.

Claims (26)

  1. 증착 타겟을 컨디셔닝하기 위한 방법에 있어서,
    증착 타겟이 사용되는 증착 시스템을 작동시키고;
    상기 증착 시스템에 있어서 전기적 아크들의 발생을 검출하고;
    상기 증착 시스템을 동작시키는 파워 서플라이의 출력 전류를 조정하고 각각의 아크에 동일한 에너지를 방출하도록 에너지가 각 아크에 방출되는 인터벌을 조정함으로써 증착 타겟을 컨디셔닝하는, 증착 타겟을 컨디셔닝하기 위한 방법.
  2. 제1항에 있어서, 각 아크에 방출되는 에너지는, 증착 타겟이 훼손되지 않고 견딜 수 있는 최대 에너지와 같은, 증착 타겟을 컨디셔닝하기 위한 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 작동, 검출 및 컨디셔닝은, 측정된 아크 주파수가 소정 문턱치 아래로 떨어질 때까지 행해지는, 증착 타겟을 컨디셔닝하기 위한 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 파워 서플라이는 아크가 검출되었을 때 정전류 모드로 전환되는, 증착 타겟을 컨디셔닝하기 위한 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 출력 전류는, 측정된 아크 주파수가 소정 문턱치를 초 과했을 때 측정된 아크 주파수에 반비례하도록 레귤레이트되는, 증착 타겟을 컨디셔닝하기 위한 방법.
  6. 제1항에 있어서, 에너지가 각 아크에 방출되는 인터벌을 조정하는 것은,
    아크 지연 시간 동안, 파워 서플라이의 출력 전류 및 출력 전압을 측정하고;
    각 아크에 방출될 동일한 에너지, 측정된 출력 전류 및 측정된 출력 전압에 기초하여 에너지가 각 아크에 방출되는 인터벌을 계산하는, 증착 타겟을 컨디셔닝하기 위한 방법.
  7. 제6항에 있어서, 아크 지연 시간 동안, 출력 전압을 측정하는 것보다는 상기 출력 전압을 소정 상수로서 계산하고, 각 아크에 방출될 동일한 에너지, 측정된 출력 전류 및 계산된 출력 전압에 기초하여 에너지가 각 아크에 방출되는 인터벌을 계산하는 것을 더 포함하는, 증착 타겟을 컨디셔닝하기 위한 방법.
  8. 사용자가 지정한 출력 파워로, 파워 서플라이에 의해 동작되는 증착 공정을 작동시키고;
    측정된 아크 주파수가 소정 문턱치를 초과할 때,
    상기 증착 공정을 타겟 컨디셔닝 모드로 전환하고;
    상기 증착 공정에 있어서 전기적 아크의 발생을 검출하고;
    파워 서플라이의 출력 전류를 조정하고 각각의 아크에 동일한 에너지를 방출하도록 에너지가 각 아크에 방출되는 인터벌을 조정하고;
    측정된 아크 주파수가 소정 문턱치 아래로 떨어질 때까지 상기 검출과 조정을 반복하는 것을 포함하는, 증착 공정의 제어 방법.
  9. 제8항에 있어서, 각 아크에 방출되는 에너지는, 증착 공정에서 사용된 증착 타겟이 훼손되지 않고 견딜 수 있는 최대 에너지와 같은, 증착 공정의 제어 방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 측정된 아크 주파수가 소정 문턱치 아래로 떨어진 후, 사용자 지정 출력 파워로 증착 공정의 동작을 재개하는, 증착 공정의 제어 방법.
  11. 제8항에 있어서, 타겟 컨디셔닝 모드 동안, 파워 서플라이가, 아크가 존재하는지에 무관하게 파워 서플라이의 출력 전류가 소정 레벨로 일정하게 유지되는 전류 레귤레이션 모드로 전환되는, 증착 공정의 제어 방법.
  12. 증착 시스템용 파워 서플라이에 있어서,
    입력 파워를 받기 위한 입력단;
    출력 파워를 증착 공정에 공급하기 위한 출력단;
    입력 파워를 출력 파워로 변환하기 위한 파워 변환 서브시스템; 및
    상기 파워 변환 서브시스템에 접속된 콘트롤러를 포함하며, 상기 콘트롤러는,
    타겟 컨디셔닝 모드 시,
    상기 증착 시스템에 있어서 전기적 아크의 발생을 검출하고;
    상기 파워 서플라이의 출력 전류를 조정하고 각각의 아크에 동일한 에너지를 방출하도록 에너지가 각 아크에 방출되는 인터벌을 조정하도록 구성되는, 증착 시스템용 파워 서플라이.
  13. 제12항에 있어서, 상기 콘트롤러는, 각 아크에 방출되는 에너지가, 증착 공정에서 사용된 증착 타겟이 훼손되지 않고 견딜 수 있는 최대 에너지와 같도록 구성되는, 증착 시스템용 파워 서플라이.
  14. 제12항에 있어서, 상기 파워 변환 서브시스템은 교류를 직류로 변환하는, 증착 시스템용 파워 서플라이.
  15. 제12항에 있어서, 상기 콘트롤러는, 측정된 아크 주파수가 소정 문턱치 아래로 떨어질 때까지 타겟 컨디셔닝 모드로 남도록 구성되는, 증착 시스템용 파워 서플라이.
  16. 제12항에 있어서, 상기 콘트롤러는, 아크의 검출 시 파워 서플라이를 정전류 모드로 전환하도록 구성되는, 증착 시스템용 파워 서플라이.
  17. 제12항에 있어서, 상기 콘트롤러는, 측정된 아크 주파수가 소정 문턱치를 초과할 때 측정된 아크 주파수에 반비례하여 출력 전류를 조정하도록 구성되는, 증착 시스템용 파워 서플라이.
  18. 제12항에 있어서, 상기 콘트롤러는,
    아크 지연 시간 동안, 파워 서플라이의 출력 전류 및 출력 전압을 측정하고;
    각 아크에 방출될 동일한 에너지, 측정된 출력 전류 및 측정된 출력 전압에 기초하여 에너지가 각 아크에 방출되는 인터벌을 계산하도록 구성되는. 증착 시스템용 파워 서플라이.
  19. 제18항에 있어서, 상기 콘트롤러는,
    아크 지연 시간 동안, 출력 전압을 소정 상수로서 결정하고;
    각 아크에 방출될 동일한 에너지, 측정된 출력 전류 및 결정된 출력 전압에 기초하여 에너지가 각 아크에 방출되는 인터벌을 계산하도록 구성되는, 증착 시스템용 파워 서플라이.
  20. 애노드 및 캐소드를 갖는 코팅 챔버;
    상기 코팅 챔버 내에 배치되고, 상기 애노드 및 캐소드의 하나로 기능하는 타겟; 및
    상기 애노드 및 캐소드와 접속된 파워 서플라이를 포함하고, 상기 파워 서플라이는,
    타겟 컨디셔닝 모드시,
    증착 시스템에 있어서 전기적 아크의 발생을 검출하고;
    상기 파워 서플라이의 출력 전류를 조정하고 각각의 아크와 동일한 에너지를 방출하도록 에너지가 각 아크에 방출되는 인터벌을 조정하도록 구성되는, 증착 시스템.
  21. 제20항에 있어서, 상기 파워 서플라이는, 각 아크에 방출되는 에너지가 타겟이 훼손되지 않고 견딜 수 있는 최대 에너지와 같도록 구성되는, 증착 시스템.
  22. 제20항에 있어서, 상기 파워 서플라이는, 측정된 아크 주파수가 소정 문턱치 아래로 떨어질 때까지 타겟 컨디셔닝 모드로 남도록 구성되는, 증착 시스템.
  23. 제20항에 있어서, 상기 파워 서플라이는, 아크가 검출되었을 때 파워 서플라이를 정전류 모드로 전환하도록 구성되는, 증착 시스템.
  24. 제20항에 있어서, 상기 파워 서플라이는, 측정된 아크 주파수가 소정 문턱치를 초과했을 때 측정된 아크 주파수에 반비례하여 출력 전류를 조정하도록 구성되 는, 증착 시스템.
  25. 제20항에 있어서, 상기 파워 서플라이는,
    아크 지연 시간 동안, 파워 서플라이의 출력 전류 및 출력 전압을 측정하고;
    각 아크에 방출될 동일한 에너지, 측정된 출력 전류 및 측정된 출력 전압에 기초하여 에너지가 각 아크에 방출되는 인터벌을 계산하도록 구성되는, 증착 시스템.
  26. 제25항에 있어서, 상기 파워 서플라이는,
    아크 지연 시간 동안, 출력 전압을 소정 출력 전류로서 결정하고;
    각 아크에 방출될 동일한 에너지, 측정된 출력 전류 및 결정된 출력 전압에 기초하여 에너지가 각 아크에 방출되는 인터벌을 계산하도록 구성되는, 증착 시스템.
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004015090A1 (de) 2004-03-25 2005-11-03 Hüttinger Elektronik Gmbh + Co. Kg Bogenentladungserkennungseinrichtung
DE502005006550D1 (de) * 2005-12-22 2009-03-12 Huettinger Elektronik Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Arcerkennung in einem Plasmaprozess
US7445695B2 (en) * 2006-04-28 2008-11-04 Advanced Energy Industries Inc. Method and system for conditioning a vapor deposition target
US7741825B2 (en) * 2006-11-02 2010-06-22 Infineon Technologies Ag Power supply circuit with temperature-dependent drive signal
DE502006005363D1 (de) * 2006-11-23 2009-12-24 Huettinger Elektronik Gmbh Verfahren zum Erkennen einer Bogenentladung in einem Plasmaprozess und Bogenentladungserkennungsvorrichtung
US7795817B2 (en) * 2006-11-24 2010-09-14 Huettinger Elektronik Gmbh + Co. Kg Controlled plasma power supply
EP1928009B1 (de) * 2006-11-28 2013-04-10 HÜTTINGER Elektronik GmbH + Co. KG Bogenentladungs-Erkennungseinrichtung, Plasma-Leistungsversorgung und Verfahren zum Erkennen von Bogenentladungen
DE502006009308D1 (de) * 2006-12-14 2011-05-26 Huettinger Elektronik Gmbh Bogenentladungs-Erkennungseinrichtung, Plasma-Leistungsversorgung und Verfahren zum Erkennen von Bogenentladungen
ATE493749T1 (de) 2007-03-08 2011-01-15 Huettinger Elektronik Gmbh Verfahren und vorrichtung zum unterdrücken von bogenentladungen beim betreiben eines plasmaprozesses
ATE547804T1 (de) * 2007-12-24 2012-03-15 Huettinger Electronic Sp Z O O Stromänderungsbegrenzungsvorrichtung
US8044594B2 (en) * 2008-07-31 2011-10-25 Advanced Energy Industries, Inc. Power supply ignition system and method
US8815329B2 (en) * 2008-12-05 2014-08-26 Advanced Energy Industries, Inc. Delivered energy compensation during plasma processing
PL2648209T3 (pl) 2009-02-17 2018-06-29 Solvix Gmbh Urządzenie zasilające do obróbki plazmowej
US20100252047A1 (en) * 2009-04-03 2010-10-07 Kirk Seth M Remote fluorination of fibrous filter webs
US20230377839A1 (en) * 2009-05-01 2023-11-23 Advanced Energy Industries, Inc. Apparatus to produce a waveform
JP5363281B2 (ja) 2009-11-25 2013-12-11 株式会社アルバック 電源装置
US20110143049A1 (en) * 2009-12-16 2011-06-16 Xing-Cai Guo Lubricant removal to reuse disks for conditioning deposition tools
DE102010031568B4 (de) 2010-07-20 2014-12-11 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Arclöschanordnung und Verfahren zum Löschen von Arcs
EP3054472A1 (en) * 2015-02-03 2016-08-10 TRUMPF Huettinger Sp. Z o. o. Arc treatment device and method therefor
CN110643964B (zh) * 2019-09-24 2022-06-14 北京北方华创微电子装备有限公司 磁控溅射工艺中直流电源的控制方法、控制装置及系统
TWI820472B (zh) * 2021-08-19 2023-11-01 天虹科技股份有限公司 物理氣相沉積腔體的暖機方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040182697A1 (en) 2002-04-12 2004-09-23 Buda Paul R. ARC detection approach

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5718813A (en) * 1992-12-30 1998-02-17 Advanced Energy Industries, Inc. Enhanced reactive DC sputtering system
DE69426003T2 (de) * 1993-07-28 2001-05-17 Asahi Glass Co Ltd Verfahren und Vorrichtung zur Kathodenzerstäubung
US5651865A (en) * 1994-06-17 1997-07-29 Eni Preferential sputtering of insulators from conductive targets
WO1996031899A1 (en) * 1995-04-07 1996-10-10 Advanced Energy Industries, Inc. Adjustable energy quantum thin film plasma processing system
DE69842229D1 (de) * 1997-02-20 2011-06-01 Shibaura Mechatronics Corp Stromversorgungsvorrichtung zum sputtern und sputtervorrichtung, die diese verwendet
KR100539612B1 (ko) * 1997-02-28 2006-03-20 도소 가부시키가이샤 스퍼터링타겟제조방법
US5993615A (en) * 1997-06-19 1999-11-30 International Business Machines Corporation Method and apparatus for detecting arcs
DE19740793C2 (de) * 1997-09-17 2003-03-20 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Beschichtung von Oberflächen mittels einer Anlage mit Sputterelektroden und Verwendung des Verfahrens
JP2000100790A (ja) * 1998-09-22 2000-04-07 Canon Inc プラズマ処理装置及びそれを用いた処理方法
US6451389B1 (en) * 1999-04-17 2002-09-17 Advanced Energy Industries, Inc. Method for deposition of diamond like carbon
US7247221B2 (en) * 2002-05-17 2007-07-24 Applied Films Corporation System and apparatus for control of sputter deposition process
TW574385B (en) * 2002-06-25 2004-02-01 Hannstar Display Corp Method of pre-sputtering with an increased rate of use of sputtering target
US7445695B2 (en) * 2006-04-28 2008-11-04 Advanced Energy Industries Inc. Method and system for conditioning a vapor deposition target

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040182697A1 (en) 2002-04-12 2004-09-23 Buda Paul R. ARC detection approach

Also Published As

Publication number Publication date
JP2009535506A (ja) 2009-10-01
CN101466861A (zh) 2009-06-24
US20090008240A1 (en) 2009-01-08
KR20090005396A (ko) 2009-01-13
TW200848538A (en) 2008-12-16
US7445695B2 (en) 2008-11-04
WO2007127896A2 (en) 2007-11-08
EP2013373B1 (en) 2011-08-31
US8357266B2 (en) 2013-01-22
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