JP2009535506A - 蒸着ターゲットをコンディショニングするための方法およびシステム - Google Patents
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Abstract
蒸着ターゲットをコンディショニングするための方法およびシステムが記載される。例示的な一実施形態では、蒸着システムが稼動され、稼動においては、蒸着ターゲットが使用され、蒸着システムにおける電気アークの発生が検出され、実質的に同じエネルギを各アークに供給するように、蒸着システムに給電する電源の出力電流を調整することによって、およびエネルギが各アークに供給される間隔を調整することによって、蒸着ターゲットがコンディショニングされる。一部の実施形態では、各アークに供給されるエネルギは、蒸着ターゲットが損傷を受けずに耐え得る最大エネルギにほぼ等しい。記載された方法およびシステムは、ターゲットから不純物を除去するために必要な時間を大幅に短縮し、真空チャンバの換気、またはターゲットのチャンバからの取り外しを必要としない。
Description
本発明は、概して、蒸着による薄膜の施工に関する。より具体的には、これに限定されないが、本発明は、蒸着に使用されるターゲット材料をコンディショニングするための方法およびシステムに関する。
蒸着による薄膜の施工は、半導体製造、ガラスコーティング、コンパクトディスク(CD)の製造、装飾用のコーティング、およびフラットパネルディスプレイの製造を含む、多種多様な業界における重要な製造プロセスである。化学蒸着(CVD)では、基板が1つ以上の化学物質前駆体に露出されて、その前駆体が基板と反応するか、または基板上で分解して、所望の膜を形成する。物理蒸着(PVD)では、化学的な手段ではなく物理的な手段を通じて、薄膜が基板上に堆積される。PVDの例は、蒸着、スパッタリング、および高周波(RF)プラズマプロセスを含む。
スパッタリングプロセスでは、例えば、電気エネルギが、真空コーティングチャンバ内でガスをイオン化して「プラズマ」を発生するために使用される。プラズマの正電荷イオンが、「ターゲット」と呼ばれる材料に衝突して、ターゲットの原子を叩き出して遊離させる。これらの原子の大部分は、電気的に中性のイオンであり、それは、ターゲットから基板へと「ドリフト」し、基板上で凝縮するか、または基板と反応して基板上に薄膜を形成する。一般的なスパッタリングターゲットは、アルミニウム、ホウ素、銅、鉄、ニッケル、銀、チタン、および亜鉛を含む。
ターゲットの汚染は、プラズマベースの堆積プロセスにおける重大な問題である。ターゲットは、さまざまな形態で汚染され得る。例えば、ターゲットの表面は、チャンバ内に配置される前に空気、水蒸気、または大気中の炭化水素への露出によって酸化されるか、または汚染され得る。ターゲットはまた、蒸着プロセス中にも汚染され得る。スパッタリングされた材料の一部は、ターゲット侵食領域、すなわち「レーストラック」の外側の表面上に再堆積し得る。この再堆積材料は、ターゲット材料とは異なる構造を有し、ターゲットの表面上に電気アークを発生させる可能性がある。アーク放電は、粒子状物質を膜に導入することによって、堆積された膜の品質に影響を及ぼす可能性がある。さらに別の汚染源は、いわゆる「陰極暗部」(ターゲット−多数のアプリケーションにおける負電位要素−と、接地との間の物理的空間)におけるアークである。このようなアークが発生するときには、堆積は大きな影響を受け、ターゲットまたは基板の損傷がさらに、ターゲット、基板、またはその両方の汚染をもたらし得る。
コンディショニング、すなわちターゲットから不純物を除去するための種々の方法が存在する。例えば、ターゲットは、物理的に(すなわち、手動で)洗浄され得る。別の手法は、汚染されたターゲットに十分な時間スパッタリングプロセスを行って、不純物を「焼き去る」ものである。この手法では、基板をチャンバから取り除くか、または「ダミー」の基板、あるいは簡単に廃棄される実際の基板が使用され得る。異なる手法は、特定の範囲の粒径を有する微粉化した粉末を、ターゲットの表面に吹き付けるステップを含む。代替的な方法は、逆バイアスパルスを使用してターゲットのコンディショニングを行うステップを含み、アーク放電を完全に排除する。
蒸着ターゲットをコンディショニングするための従来の方法は、真空チャンバの換気、ターゲットの取り外し、またはその両方を完了するのに、しばしば長い時間(例えば、数時間)を必要とする。したがって、この技術分野において、蒸着ターゲットをコンディショニングするための改善された方法およびシステムが必要なことは明らかである。
図面に示された本発明の例示的な実施形態が、以下に要約される。これらの、および他の実施形態が、発明を実施するための最良の形態の項で詳述される。しかしながら、本発明を、課題を解決するための手段の項、または発明を実施するための最良の形態の項、に記載された形態に、限定する意図は無いことが理解されるべきである。当業者は、特許請求の範囲に記載された本発明の精神と範囲に含まれる、多数の改良、均等物、および代替的な構成が存在することを、認識し得る。
本発明は、蒸着ターゲットをコンディショニングするための方法およびシステムを提供し得る。例示的な一実施形態は、蒸着ターゲットが使用される蒸着システムを稼動するステップと、蒸着システムにおける電気アークの発生を検出するステップと、各アークに実質的に同じエネルギを供給するように、蒸着システムに給電する電源の出力電流を調整することによって、および、各アークに供給される間隔を調整することによって、蒸着ターゲットをコンディショニングするステップと、を含む方法である。任意ではあるが、各アークに供給されるエネルギは、蒸着ターゲットが損傷を受けずに耐え得る最大エネルギにほぼ等しくされる。
別の例示的な実施形態は、蒸着プロセスを制御する方法であって、該方法は、蒸着プロセスをユーザ指定の出力電力で稼動するステップであって、蒸着プロセスは電源によって給電されるステップ、および、測定されたアーク周波数が所定の閾値を超えたときには、蒸着プロセスをターゲットコンディショニングモードに切り替えるステップと、蒸着プロセスにおける電気アークの発生を検出するステップと、実質的に同じエネルギを各アークに供給するように、電源の出力電流を調整し、エネルギが各アークに供給される間隔を調整するステップと、測定されたアーク周波数が所定の閾値を下回るまで、検出および調整を繰り返すステップとを行う、ステップを含む。任意ではあるが、各アークに供給されるエネルギは、蒸着ターゲットが損傷を受けずに耐え得る最大エネルギにほぼ等しくされる。
別の例示的な実施形態は、蒸着システムのための電源であって、該電源は、入力電力を受け入れる入力段と、蒸着プロセスに出力電力を供給する出力段と、入力電力を出力電力に変換する電力変換サブシステムと、電力変換サブシステムと接続されたコントローラとを備え、該コントローラは、ターゲットコンディショニングモード中に、蒸着システムにおける電気アークの発生を検出し、実質的に同じエネルギを各アークに供給するように、電源の出力電流を調整し、エネルギが各アークに供給される間隔を調整するように構成される。任意ではあるが、コントローラが各アークに供給するように構成されるエネルギは、蒸着ターゲットが損傷を受けずに耐え得る最大エネルギにほぼ等しくされる。
さらに別の例示的な実施形態は、陽極および陰極を有するコーティングチャンバと、コーティングチャンバ内に配置されたターゲットであって、陽極および陰極のうちの1つとして機能するターゲットと、陽極および陰極と接続された電源であって、ターゲットコンディショニングモード中に、蒸着プロセスにおける電気アークの発生を検出し、実質的に同じエネルギを各アークに供給するように、電源の出力電流およびエネルギが各アークに供給される間隔を調整するように構成される、電源とを備える、蒸着システムである。任意ではあるが、電源が各アークに供給するように構成されるエネルギは、蒸着ターゲットが損傷を受けずに耐え得る最大エネルギにほぼ等しくされる。これらの、および他の実施形態が、本明細書においてより詳細に記載される。
本発明の種々の目的および利点ならびに完全な理解は、添付図面を参照しながら、発明を実施するための最良の形態の項、および添付の特許請求の範囲を参照することによって明らかとなり、より容易に理解される。
例示的な一実施形態では、蒸着ターゲットは、蒸着ターゲットが使用される蒸着システムを稼動し、蒸着システム内に発生するおける電気アークを検出し、実質的に同じエネルギを各アークに供給するように、蒸着システムに給電する電源の出力電流を調整し、かつエネルギが各アークに供給される間隔を調整することによって、コンディショニングされる。このようにして、実質的に一定のアークエネルギがアークからアークへ供給される。
さらに、蒸着ターゲットは、任意ではあるが、各アークに供給されるエネルギを、蒸着プロセスにおいて使用される蒸着ターゲットが損傷を受けずに耐え得る最大エネルギにほぼ等しくすることによって、より迅速かつ効率的にコンディショニングされる。この最大エネルギ(Emax)は、一般的に「融解エネルギ」または「融解熱」と呼ばれ、ターゲット材料およびターゲットのサイズに基づいて事前に決定される。蒸着プロセスは、次いで、汚染されたターゲットに関して「ターゲットコンディショニングモード」で稼動される。
ターゲットのコンディショニング中に、アーク放電が検出される。アークに供給されるエネルギは、Edel=Vout・Iout・Δtで計算され、ここで、Δtはエネルギがアークに供給される間隔であり、Edelはアークに供給されるエネルギであり、VoutはΔtの間の出力(アーク)電圧であり、IoutはΔtの間の出力(アーク)電流である。間隔Δtは、例えば「アーク遅延時間」として実行され、アークが検出されるとその間は通常のアーク処理プロシージャが無効化される。通常のアーク処理は、例えば、アークが消滅するまでの所定の期間、電源を遮断するステップを含み得る。VoutおよびIoutは測定され得るので、Δtは、Edelが所望の所定のレベルのエネルギに等しくなるように計算される。一部の実施形態では、Voutは、アーク遅延時間Δtの間、所定の定数(例えば、30〜50V)で近似されるので、出力電流のみを測定すればよい。制御ループは、IoutおよびΔtを調整して、検出されたアークのそれぞれに実質的に同じエネルギを供給するように構成される。任意ではあるが、各アークに供給される同じエネルギ(Edel)は、Emaxにほぼ等しくされる。一部の実施形態では、ターゲットコンディショニングモードまたはサイクルは、測定されたアーク放電の周波数が所定の閾値を下回るまで継続され、そのときに通常の蒸着を開始または再開する。
アーク放電イベント中にEdelがEmaxに等しくなった場合には、電源は、アークが消滅するまでの所定の期間、遮断される。EdelがEmaxに達する前にアークが消滅した場合には、電源は、アークの消滅が検出された後も通常の稼動を継続する。
アークに供給される電流を制御するために、電源は、アークが検出されたときには、定電流モードで稼動される。アーク放電の周波数が高い(例えば、所定の閾値を上回る)ときには、電源は、アークの周波数に反比例する出力電流を生成するように構成される。例示的な一実施形態では、電源は、電流調節モードで稼動され、該モードでは、出力電流は、アークの有無に関わらず所定のレベルで一定に保持される。
上述のターゲットコンディショニングに対する手法は、従来の手法よりも大幅な速度的利点を提供する。ターゲットコンディショニングサイクルの大部分の間、電源を通常電力で稼動すること、および、アーク遅延時間Δtの間、最大量のエネルギをターゲットに供給することは、コンディショニング時間を4〜5時間から、わずか1時間に短縮し得る。
DCスパッタリングプロセスおよび該プロセスにおけるアーク放電の制御に関するさらなる情報は、共有に係わりかつ同一人に譲渡された、米国特許第5,718,813号、「Enhanced Reactive DC Sputtering System」に見ることができる。ターゲットコンディショニングに関するさらなる情報は、共有に係わりかつ同一人に譲渡された、米国特許第6,368,477号、「Adjustable Energy Quantum Thin Film Plasma Processing System」、および第6,451,389号、「Method for Deposition of Diamond like Carbon」に見ることができる。
図面を参照すると、複数の図面を通じて類似した要素には同じ参照番号が付されており、図1は、本発明の例示的な実施形態に従った、蒸着システム100の機能ブロック図である。この特定の例示的な実施形態では、蒸着システム100は、直流(DC)スパッタリングシステムである。しかしながら、本発明の原理は、制限なしに、蒸着およびスパッタリングのような物理蒸着(PVD)プロセスを含む、アーク放電に関係する任意の蒸着プロセスに適合する。本発明の原理は、制限なしに、DC、交流(AC)、パルス出力、およびRF出力プロセスに適用され得る。
図1において、蒸着システム100は、陽極110と、ターゲット120が電気的に接続された陰極115とを有する、コーティングチャンバ105を含む。この例示的な実施形態では、ターゲット120自身が陰極115として機能する。他の実施形態では、ターゲット120は、陽極110として機能するか、または陽極110と電気的に接続される。図1に示された例示的な実施形態では、陽極110は、コーティングチャンバ105の壁と一致し得る。一部の実施形態では、陽極110は接地電位であり、ターゲット(陰極)は負電位である。ターゲット120および基板(または被加工物)125は、コーティングチャンバ105内に配置される。蒸着プロセス中、コーティングチャンバ105は内部の気体が排除され、アルゴンのような不活性ガス(図1には示さず)がコーティングチャンバ105内に導入される。ガスは、電気エネルギによって「点火」されると、プラズマになり、その正イオンがターゲット120に衝突して、ターゲット材料の原子を叩き出して遊離(スパッタリング)させ、基板125上に膜として堆積させる。
蒸着システム100はまた、電源130を含む。簡略化のために、電源130内の関連する機能ブロックのみが、図1に含まれている。電源130は、ACライン135からAC入力電力を受け入れる入力段(図1には示さず)を含む。電源130の出力段(図1には示さず)の出力140において、電源130は、DC出力電力(Pout)を生成する。出力140は、コーティングチャンバ105の陽極110および陰極115に接続される。AC/DCコンバータ145が、ACライン135からのAC入力電力を、プラズマを励起するためのDC電力に変換する。
コントローラ150は、AC/DCコンバータ145の動作を制御する。例示的な一実施形態では、コントローラ150は、中央処理ユニット(CPU)と内蔵プログラム命令を含むメモリとを含む、内蔵型コンピューティングデバイスである。一般に、コントローラ150の機能は、ハードウェア、ソフトウェア、ファームウェア、またはいくつかのそれらの組み合わせにおいて実装される。コントローラ150は、入力として、出力電流センスライン155と、出力電圧センスライン160と、ユーザ指定の電力設定値165とを受け入れる。制御ライン170によって、コントローラ150はAC/DCコンバータ145を制御することができる。例えば、コントローラ150は、AC/DCコンバータ145の負荷サイクル比またはスイッチング周波数を変更し得る。電源130のような電源は、しばしば「スイッチモード電源」と称される。電源は、コントローラ150の制御により、オン/オフが迅速に切り替えられて、コーティングチャンバ105内のアーク放電を制御する。
例示的な実施形態では、コントローラ150は、電気アークを検出し、出力電流(Iout)およびΔtを調整して、実質的に同じエネルギを、検出されたアークのそれぞれに供給するように構成される。任意ではあるが、Edelは、特定のターゲット120の所定のEmaxにほぼ等しくなるように設定される。一実施形態では、コントローラ150は、測定されたアーク周波数が所定の閾値を下回るまでターゲットコンディショニングモードを保持し、その後、通常の蒸着プロセスを再開するように構成される。当業者が承知のとおり、コントローラ150は、例えば電圧センスライン160、電流センスライン155、またはその両方を監視することによって、アークを検出し得る。
一実施形態では、コントローラ150は、アークが検出されたときに、電源130を定電流モードに切り替えるように構成される。これは、アーク遅延時間Δtの間にアークに供給される電流量を制御する。測定されたアーク周波数が所定の閾値を上回った場合には、本実施形態では、コントローラ150は、出力電流(Iout)をアーク周波数に反比例させるようにさらに構成される。上述のように、コントローラ150は、IoutおよびVoutの両方を測定することによって、所望のEdel、Iout、および出力電圧(Vout)に基づいて、Δtを計算するように構成される。異なる例示的な実施形態では、コントローラ150は、Voutを定数で近似するように構成され、この場合には、Ioutのみを測定すればよい。
図2は、本発明の例示的な実施形態に従った、蒸着ターゲット120をコンディショニングするための方法の流れ図である。ステップ205で、蒸着システム100は、ターゲット120を使用して稼動される。ステップ210で、コントローラ150は、蒸着プロセス中に発生する電気アークを検出する。ステップ215で、コントローラ150は、IoutおよびΔtを調整して、ほぼ同じエネルギEdelを、ステップ210で検出された各アークに供給する。一部の実施形態では、Edelは、Emaxにほぼ等しい。Emaxは、ターゲット120を構成する材料およびターゲット120のサイズに依存し、CRC Press,LLCによって出版された「The Handbook of Chemistry and Physics」のような、手軽に利用できる参考文献を参照することによって決定され得る。ターゲット120がコンディショニングされると、ステップ220でプロセスは終了する。
図3は、本発明の例示的な実施形態に従った、蒸着プロセスを制御するための方法の流れ図である。最初に、ステップ305において、蒸着システム100は、ユーザ指定の出力電力(設定値165)で稼動される。ステップ310で蒸着プロセスが完了した場合には、プロセスはステップ315で終了する。そうでない場合には、プロセスはステップ320へ進む。ステップ320で、コントローラ150が、所定の閾値Tを超えるアーク周波数を(例えば、アーク/秒の単位で)測定した場合には、ステップ330で、蒸着システム100はターゲットコンディショニングモードに切り替わることができ、該モードでは、アーク周波数がT以下(厳密には、特定の実施形態に応じて、T未満)になるまで、図2のステップ205、210、および215が実行される。アーク周波数が特定の基準を満たしたら、プロセスが完了するまで、またはアーク周波数が再びTを超えるまで、プロセスはステップ305〜325に戻ることができる。ステップ325で、蒸着システム100がターゲットコンディショニングモードではなく通常の蒸着モードで稼動している間、蒸着システム100は、アークを消滅するために所定の期間電源130を遮断する、通常のアーク処理を用いることができる。図3に示された例示的な実施形態は、物理的な清浄のために、コーティングチャンバ105の換気またはコーティングチャンバ105からのターゲット120の取り外しを必要とせずに、ターゲット120をコンディショニングできるという利点を有する。
図4Aおよび図4Bは、本発明の別の例示的な実施形態に従った、蒸着ターゲット120をコンディショニングするための方法の流れ図である。図4Aおよび図4Bに示されたステップは、所定の間隔で定期的に実施される。示された特定の例示的な実施形態では、この間隔は、100msである(ブロック405)。ステップ410で、コントローラ150は、以前の100msにわたって平均アーク密度(ADAVG)を計算する。コントローラ150は、制御ループが止まるまで、より長い期間(例えば、4〜5秒)にわたって100msごとにサンプリングしたアークの発生を平均し得る。ステップ415で、コントローラ415は、示されるように、電源130に対する電流限度(ILIM)を計算する。ADTHRESHは、所定のアーク周波数閾値(例えば、5〜10アーク/秒)であり、蒸着システム100がターゲットモードで稼動するのか、または通常の処理モードで稼動するのかを制御するために使用される。ILIMMINおよびILIMMAXは、それぞれユーザ提供の最小および最大出力電流値である。ADAVGがADMAXを超える場合には、ILIMはILIMMINに設定される。例示的な一実施形態では、ADMAXは250アーク/秒である。
ステップ415で計算されたILIMが、ステップ420でILIMMAXを超えた場合には、ステップ425で、ILIMはILIMMAXに制限される。一方、ILIMが、ステップ430でILIMMIN未満であった場合には、ステップ435で、ILIMはILIMMINに設定される。ステップ440で、コントローラ150は、ILIMを制御ループに適用し、プロセスは図4Bのステップ445へと進む。
ステップ410で決定されたADAVGが、ステップ445でADTHRESH以下であった場合には、ステップ450で、アーク遅延時間Δt(図4Bの「TD」)はゼロに設定されるが、これは、ターゲットコンディショニングが完了し、蒸着システム100が通常の処理を再開できることを意味する。ステップ445でADAVGがADTHRESHを超えた場合には、プロセスは455へと進む。ステップ455で、コントローラ150は、示されるように、アーク遅延時間TDを計算する。図4Bの「EARC」は、各アークに供給される所定の一定エネルギである。すなわち、EARCは、検出されたアークのそれぞれに対してEdelが設定される一定値である。一部の実施形態では、EARCはEmaxにほぼ等しい。図4Bの「VARC」は、アーク遅延時間TDの間の電源130の出力電圧である。一部の実施形態では、VARCが測定される。他の実施形態では、VARCは所定の定数で近似される。ステップ460で、コントローラ150は、計算されたアーク遅延時間TDを制御ループに適用する。
図5Aおよび図5Bは、本発明のさらに別の例示的な実施形態に従った、蒸着ターゲット120をコンディショニングするための方法の流れ図である。電源130の出力電流は、アーク出現の前後で変わらないことが理想的である。実際には、出力電流は、アーク遅延時間TDが終了するまで大幅に上昇し得、出力140は、アークが消滅するまでの所定の期間遮断される。この非理想的挙動を補償するために、図5Aおよび図5Bに示された例示的な実施形態は、電源130の出力140が、各アークに実質的に同じエネルギを供給するという目的を満たすように、電流限度(ILIM)およびアーク遅延時間(TD)を調整する。任意ではあるが、この一定のアークエネルギは、Emaxにほぼ等しくされる。図5Aおよび図5Bに示された例示的な実施形態は、電源130の出力電圧(Vout)を定数(例えば、30〜50V)として扱う。出力電流とアーク遅延時間との積(Iout・Δt)は、既知の定出力電圧Voutに対する所定のEdelの比率にほぼ等しくなるように制御される。したがって、この特定の例示的な実施形態は、Iout・Δtに基づいて稼動する。
図4Aおよび図4Bに示された実施形態と、図5Aおよび図5Bに示された実施形態との間の主な差異は、図5Bのステップ505で生じる。この実施形態では、TDは、ブロック505に示されるように計算される。DELAYMINおよびDELAYMAXは、それぞれ所定の最小および最大の許容可能なアーク遅延時間である。例示的な一実施形態では、DELAYMINは33μsであり、DELAYMAXは250μsである。
結論として、本発明は、とりわけ、蒸着ターゲットをコンディショニングするため方法およびシステムを提供する。当業者は、多数の変形および置換を、本発明、その使用、およびその構成に行って、本明細書に記載された実施形態によって達成される結果と実質的に同じ結果を達成し得ることを、容易に理解し得る。したがって、本発明を、開示された例示的な形態に限定することは、意図されていない。多数の変形、改良、および代替的な構成が、特許請求の範囲に記載されている開示された発明の範囲および趣旨に含まれる。
Claims (26)
- 蒸着ターゲットが使用される蒸着システムを稼動するステップと、
該蒸着システムにおける電気アークの発生を検出するステップと、
実質的に同じエネルギを各アークに供給するように、該蒸着システムに給電する電源の出力電流を調整するステップおよびエネルギが各アークに供給される間隔を調整するステップによって、蒸着ターゲットをコンディショニングするステップと、
を包含する、蒸着ターゲットをコンディショニングするための方法。 - 各アークに供給される前記エネルギは、前記蒸着ターゲットが損傷を受けずに耐え得る最大エネルギにほぼ等しい、請求項1に記載の方法。
- 前記稼動するステップ、検出するステップ、およびコンディショニングするステップは、測定されたアーク周波数が所定の閾値を下回るまで行われる、請求項1に記載の方法。
- 前記電源は、アークが検出されたときに、定電流モードに切り替えられる、請求項1に記載の方法。
- 前記出力電流は、測定されたアーク周波数が所定の閾値を超えたときに、該測定されたアーク周波数に反比例するように調整される、請求項1に記載の方法。
- エネルギが各アークに供給される前記間隔を調整するステップは、
アークの遅延時間中に、前記電源の前記出力電流および出力電圧を測定するステップと、
各アークに供給される前記実質的に同じエネルギ、該測定された出力電流、および該測定された出力電圧に基づいて、エネルギが各アークに供給される間隔を計算するステップと、
を含む、請求項1に記載の方法。 - 前記アークの遅延時間中に、前記出力電圧は、測定されたものではなく所定の定数で近似され、エネルギが各アークに供給される前記間隔は、各アークに供給される前記実質的に同じエネルギ、前記測定された出力電流、および該近似出力電圧に基づいて計算される、請求項6に記載の方法。
- 蒸着プロセスをユーザ指定の出力電力で稼動するステップであって、該蒸着プロセスは電源によって給電される、ステップと、
測定されたアーク周波数が所定の閾値を超えたときに、
該蒸着プロセスをターゲットコンディショニングモードに切り替えるステップと、
該蒸着プロセスにおける電気アークの発生を検出するステップと、
実質的に同じエネルギを各アークに供給するように、該電源の出力電流を調整し、エネルギが各アークに供給される間隔を調整するステップと、
測定されたアーク周波数が所定の閾値を下回るまで、該検出するステップおよび該調整するステップを繰り返すステップと、
を行うステップと、
を包含する、蒸着プロセスを制御するための方法。 - 各アークに供給される前記エネルギは、前記蒸着プロセスにおいて使用される蒸着ターゲットが損傷を受けずに耐え得る最大エネルギにほぼ等しい、請求項8に記載の方法。
- 前記測定されたアーク周波数が前記所定の閾値を下回った後に、前記ユーザ指定の出力電力で、前記蒸着プロセスの稼動を再開するステップ、
をさらに包含する、請求項8に記載の方法。 - 前記ターゲットコンディショニングモード中に、前記電源は、電流調整モードに切り替えられ、そこで、該電源の前記出力電流がアークの存在とは無関係に所定のレベルで実質的に一定に保持される、請求項8に記載の方法。
- 入力電力を受け入れる入力段と、
蒸着プロセスに出力電力を供給する出力段と、
該入力電力を該出力電力に変換する電力変換サブシステムと、
該電力変換サブシステムと接続されたコントローラであって、ターゲットコンディショニングモード中に、
該蒸着システムにおける電気アークの発生を検出し、
実質的に同じエネルギを各アークに供給するように、電源の出力電流を調整し、エネルギが各アークに供給される間隔を調整するように、
構成される、コントローラと、
を備える、蒸着システムのための電源。 - 前記コントローラが各アークに供給するように構成されるエネルギは、前記蒸着プロセスにおいて使用される蒸着ターゲットが損傷を受けずに耐え得る最大エネルギにほぼ等しい、請求項12に記載の電源。
- 前記電力変換サブシステムは、交流を直流に変換する、請求項12に記載の電源。
- 前記コントローラは、測定されたアーク周波数が所定の閾値を下回るまで、前記ターゲットコンディショニングモードを保持する、請求項12に記載の電源。
- 前記コントローラは、アークが検出されたときに、前記電源を定電流モードに切り替えるように構成される、請求項12に記載の電源。
- 前記コントローラは、前記出力電流を、測定されたアーク周波数が所定の閾値を超えたときに、該測定されたアーク周波数に反比例するように調整するように構成される、請求項12に記載の電源。
- 前記コントローラは、
アークの遅延時間中に、前記電源の前記出力電流および出力電圧を測定し、
各アークに供給される実質的に同じエネルギ、該測定された出力電流、および該測定された出力電圧に基づいて、エネルギが各アークに供給される前記間隔を計算するように、構成される、
請求項12に記載の電源。 - 前記コントローラは、
前記アークの遅延時間中に、前記出力電圧を所定の定数で近似し、
各アークに供給される前記実質的に同じエネルギ、前記測定された出力電流、および該近似出力電圧に基づいて、エネルギが各アークに供給される前記間隔を計算するように、構成される、
請求項18に記載の電源。 - 陽極および陰極を有するコーティングチャンバと、
該コーティングチャンバ内に配置されたターゲットであって、該陽極および該陰極のうちの1つとして機能する、ターゲットと、
該陽極および該陰極と接続される電源であって、ターゲットコンディショニングモード中に、
蒸着システムにおける電気アークの発生を検出し、
実質的に同じエネルギを各アークに供給するように、該電源の出力電流およびエネルギが各アークに供給される間隔を調整するように、
構成される、電源と、
を備える、蒸着システム。 - 前記電源が各アークに供給するように構成される前記エネルギは、前記ターゲットが損傷を受けずに耐え得る最大エネルギにほぼ等しい、請求項20に記載の蒸着システム。
- 前記電源は、測定されたアーク周波数が所定の閾値を下回るまで、前記ターゲットコンディショニングモードを保持する、請求項20に記載の蒸着システム。
- 前記電源は、アークが検出されたときに、該電源を定電流モードに切り替えるように構成される、請求項20に記載の蒸着システム。
- 前記電源は、前記出力電流を、測定されたアーク周波数が所定の閾値を超えたときに、該測定されたアーク周波数に反比例するように調整するように構成される、請求項20に記載の蒸着システム。
- 前記電源は、
アークの遅延時間中に、該電源の前記出力電流および出力電圧を測定し、
各アークに供給される前記実質的に同じエネルギ、該測定された出力電流、および該測定された出力電圧に基づいて、エネルギが各アークに供給される前記間隔を計算するように、構成される、
請求項20に記載の蒸着システム。 - 前記電源は、
前記アークの遅延時間中に、前記出力電圧を所定の定数で近似し、
各アークに供給される前記実質的に同じエネルギ、前記測定された出力電流、および該近似出力電圧に基づいて、エネルギが各アークに供給される前記間隔を計算するように、構成される、
請求項25に記載の蒸着システム。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/413,434 US7445695B2 (en) | 2006-04-28 | 2006-04-28 | Method and system for conditioning a vapor deposition target |
PCT/US2007/067589 WO2007127896A2 (en) | 2006-04-28 | 2007-04-27 | Method and system for conditioning a vapor deposition target |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009535506A true JP2009535506A (ja) | 2009-10-01 |
Family
ID=38647307
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009507976A Withdrawn JP2009535506A (ja) | 2006-04-28 | 2007-04-27 | 蒸着ターゲットをコンディショニングするための方法およびシステム |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7445695B2 (ja) |
EP (1) | EP2013373B1 (ja) |
JP (1) | JP2009535506A (ja) |
KR (1) | KR101104778B1 (ja) |
CN (1) | CN101466861A (ja) |
TW (1) | TW200848538A (ja) |
WO (1) | WO2007127896A2 (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102004015090A1 (de) * | 2004-03-25 | 2005-11-03 | Hüttinger Elektronik Gmbh + Co. Kg | Bogenentladungserkennungseinrichtung |
ATE421791T1 (de) * | 2005-12-22 | 2009-02-15 | Huettinger Elektronik Gmbh | Verfahren und vorrichtung zur arcerkennung in einem plasmaprozess |
US7445695B2 (en) * | 2006-04-28 | 2008-11-04 | Advanced Energy Industries Inc. | Method and system for conditioning a vapor deposition target |
US7741825B2 (en) * | 2006-11-02 | 2010-06-22 | Infineon Technologies Ag | Power supply circuit with temperature-dependent drive signal |
DE502006005363D1 (de) * | 2006-11-23 | 2009-12-24 | Huettinger Elektronik Gmbh | Verfahren zum Erkennen einer Bogenentladung in einem Plasmaprozess und Bogenentladungserkennungsvorrichtung |
US7795817B2 (en) * | 2006-11-24 | 2010-09-14 | Huettinger Elektronik Gmbh + Co. Kg | Controlled plasma power supply |
EP1928009B1 (de) * | 2006-11-28 | 2013-04-10 | HÜTTINGER Elektronik GmbH + Co. KG | Bogenentladungs-Erkennungseinrichtung, Plasma-Leistungsversorgung und Verfahren zum Erkennen von Bogenentladungen |
EP1933362B1 (de) * | 2006-12-14 | 2011-04-13 | HÜTTINGER Elektronik GmbH + Co. KG | Bogenentladungs-Erkennungseinrichtung, Plasma-Leistungsversorgung und Verfahren zum Erkennen von Bogenentladungen |
EP1978542B1 (de) | 2007-03-08 | 2010-12-29 | HÜTTINGER Elektronik GmbH + Co. KG | Verfahren und Vorrichtung zum Unterdrücken von Bogenentladungen beim Betreiben eines Plasmaprozesses |
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PL2648209T3 (pl) | 2009-02-17 | 2018-06-29 | Solvix Gmbh | Urządzenie zasilające do obróbki plazmowej |
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JP5363281B2 (ja) | 2009-11-25 | 2013-12-11 | 株式会社アルバック | 電源装置 |
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EP3054472A1 (en) * | 2015-02-03 | 2016-08-10 | TRUMPF Huettinger Sp. Z o. o. | Arc treatment device and method therefor |
CN110643964B (zh) * | 2019-09-24 | 2022-06-14 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 磁控溅射工艺中直流电源的控制方法、控制装置及系统 |
TWI820472B (zh) * | 2021-08-19 | 2023-11-01 | 天虹科技股份有限公司 | 物理氣相沉積腔體的暖機方法 |
CN115707791A (zh) * | 2021-08-19 | 2023-02-21 | 鑫天虹(厦门)科技有限公司 | 物理气相沉积机台的暖机方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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DE69426003T2 (de) * | 1993-07-28 | 2001-05-17 | Asahi Glass Co. Ltd., Tokio/Tokyo | Verfahren und Vorrichtung zur Kathodenzerstäubung |
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-
2006
- 2006-04-28 US US11/413,434 patent/US7445695B2/en active Active
-
2007
- 2007-04-27 JP JP2009507976A patent/JP2009535506A/ja not_active Withdrawn
- 2007-04-27 EP EP07761416A patent/EP2013373B1/en active Active
- 2007-04-27 KR KR1020087028729A patent/KR101104778B1/ko active IP Right Grant
- 2007-04-27 WO PCT/US2007/067589 patent/WO2007127896A2/en active Application Filing
- 2007-04-27 CN CNA2007800196320A patent/CN101466861A/zh active Pending
- 2007-06-11 TW TW096121076A patent/TW200848538A/zh unknown
-
2008
- 2008-09-17 US US12/212,506 patent/US8357266B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20090005396A (ko) | 2009-01-13 |
TW200848538A (en) | 2008-12-16 |
US8357266B2 (en) | 2013-01-22 |
EP2013373B1 (en) | 2011-08-31 |
KR101104778B1 (ko) | 2012-01-12 |
WO2007127896A3 (en) | 2008-10-30 |
CN101466861A (zh) | 2009-06-24 |
EP2013373A2 (en) | 2009-01-14 |
US7445695B2 (en) | 2008-11-04 |
WO2007127896A2 (en) | 2007-11-08 |
EP2013373A4 (en) | 2010-05-26 |
US20090008240A1 (en) | 2009-01-08 |
US20070251813A1 (en) | 2007-11-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100308 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20111019 |