JP2011071497A5 - プラズマcvd装置 - Google Patents
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Claims (1)
- 反応室内に第1の電極と第2の電極とを有し、
前記第2の電極は、基板が載置される機能を有し、
前記第1の電極は、前記第2の電極と対向している面に複数の凹部を有し、
前記第1の電極は、前記凹部にガス供給口を有し、
前記凹部は、テーパを側面に有し、
前記側面の端は、丸みを有することを特徴とするプラズマCVD装置。
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KR20110021654A (ko) * | 2009-08-25 | 2011-03-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 미결정 반도체막의 제조방법, 및 반도체장치의 제조방법 |
TWI512981B (zh) | 2010-04-27 | 2015-12-11 | Semiconductor Energy Lab | 微晶半導體膜的製造方法及半導體裝置的製造方法 |
US8513046B2 (en) | 2010-10-07 | 2013-08-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof |
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JP6476355B2 (ja) * | 2016-12-13 | 2019-02-27 | 株式会社アルバック | シャワーヘッド及び真空処理装置 |
US11266003B2 (en) * | 2017-06-13 | 2022-03-01 | Zaka-Ul-Islam Mujahid | Method and apparatus for generating plasma using a patterned dielectric or electrode |
US20190244793A1 (en) * | 2018-02-05 | 2019-08-08 | Lam Research Corporation | Tapered upper electrode for uniformity control in plasma processing |
CN110600355B (zh) * | 2018-06-13 | 2021-12-24 | 财团法人工业技术研究院 | 等离子体处理装置 |
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Family Cites Families (64)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JPS6037118A (ja) | 1983-08-08 | 1985-02-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマ気相反応方法 |
JPS6262073A (ja) | 1985-09-11 | 1987-03-18 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | ポペツト弁の温度制御装置 |
US4854263B1 (en) | 1987-08-14 | 1997-06-17 | Applied Materials Inc | Inlet manifold and methods for increasing gas dissociation and for PECVD of dielectric films |
JPH0253941A (ja) | 1988-08-17 | 1990-02-22 | Tsudakoma Corp | 織機の運転装置 |
JP3057712B2 (ja) | 1990-06-01 | 2000-07-04 | 凸版印刷株式会社 | 結晶シリコン基板の製造方法 |
JP2791422B2 (ja) | 1990-12-25 | 1998-08-27 | 株式会社 半導体エネルギー研究所 | 電気光学装置およびその作製方法 |
EP0519079B1 (en) | 1991-01-08 | 1999-03-03 | Fujitsu Limited | Process for forming silicon oxide film |
JPH0568097A (ja) | 1991-09-09 | 1993-03-19 | Nec Corp | 加入者呼出し方式 |
JP2642587B2 (ja) | 1993-08-24 | 1997-08-20 | キヤノン販売株式会社 | 多結晶薄膜の形成方法 |
US6162667A (en) | 1994-03-28 | 2000-12-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for fabricating thin film transistors |
JP2816943B2 (ja) | 1994-10-25 | 1998-10-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プラズマ気相反応方法 |
KR100257158B1 (ko) | 1997-06-30 | 2000-05-15 | 김영환 | 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법 |
JP2000150472A (ja) | 1998-11-10 | 2000-05-30 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
SG79292A1 (en) | 1998-12-11 | 2001-03-20 | Hitachi Ltd | Semiconductor integrated circuit and its manufacturing method |
JP2000252218A (ja) | 1999-03-01 | 2000-09-14 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | プラズマcvd装置およびシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法 |
JP2000277439A (ja) | 1999-03-25 | 2000-10-06 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 結晶質シリコン系薄膜のプラズマcvd方法およびシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法 |
DE10060002B4 (de) | 1999-12-07 | 2016-01-28 | Komatsu Ltd. | Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung |
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JP2002280377A (ja) | 2001-03-19 | 2002-09-27 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2003318000A (ja) | 2002-04-19 | 2003-11-07 | Sekisui Chem Co Ltd | 放電プラズマ処理装置 |
JP2004014958A (ja) | 2002-06-11 | 2004-01-15 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 薄膜多結晶太陽電池とその製造方法 |
JP4194466B2 (ja) | 2002-10-16 | 2008-12-10 | シャープ株式会社 | プラズマプロセス装置及びそれを用いた電子デバイスの製造方法 |
KR100615015B1 (ko) | 2002-10-16 | 2006-08-25 | 샤프 가부시키가이샤 | 전자 디바이스, 그 제조방법 및 플라즈마처리장치 |
JP4292002B2 (ja) | 2002-12-18 | 2009-07-08 | 株式会社日立国際電気 | プラズマ処理装置 |
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JP4748954B2 (ja) | 2003-07-14 | 2011-08-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
JP2005050905A (ja) | 2003-07-30 | 2005-02-24 | Sharp Corp | シリコン薄膜太陽電池の製造方法 |
US20050103377A1 (en) | 2003-10-27 | 2005-05-19 | Goya Saneyuki | Solar cell and process for producing solar cell |
JP2005167051A (ja) | 2003-12-04 | 2005-06-23 | Sony Corp | 薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタの製造方法 |
JP4178202B2 (ja) | 2004-03-10 | 2008-11-12 | 三菱重工業株式会社 | 薄膜製造方法 |
US20050233092A1 (en) | 2004-04-20 | 2005-10-20 | Applied Materials, Inc. | Method of controlling the uniformity of PECVD-deposited thin films |
US8083853B2 (en) | 2004-05-12 | 2011-12-27 | Applied Materials, Inc. | Plasma uniformity control by gas diffuser hole design |
US7785672B2 (en) | 2004-04-20 | 2010-08-31 | Applied Materials, Inc. | Method of controlling the film properties of PECVD-deposited thin films |
US7125758B2 (en) | 2004-04-20 | 2006-10-24 | Applied Materials, Inc. | Controlling the properties and uniformity of a silicon nitride film by controlling the film forming precursors |
US8074599B2 (en) | 2004-05-12 | 2011-12-13 | Applied Materials, Inc. | Plasma uniformity control by gas diffuser curvature |
US20060005771A1 (en) | 2004-07-12 | 2006-01-12 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method of shaping profiles of large-area PECVD electrodes |
US8328939B2 (en) | 2004-05-12 | 2012-12-11 | Applied Materials, Inc. | Diffuser plate with slit valve compensation |
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JP5013393B2 (ja) | 2005-03-30 | 2012-08-29 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置と方法 |
CN102634849B (zh) | 2005-04-04 | 2016-02-17 | 东北技术使者株式会社 | GaN单晶生长方法、GaN基板制备方法、GaN系元件制备方法以及GaN系元件 |
JP4597792B2 (ja) | 2005-06-27 | 2010-12-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理ガス供給構造およびプラズマ処理装置 |
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US20070227666A1 (en) | 2006-03-30 | 2007-10-04 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
JP5331389B2 (ja) | 2007-06-15 | 2013-10-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
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JP2010238871A (ja) | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池の製造方法及びプラズマ処理装置 |
US20100307573A1 (en) | 2009-06-04 | 2010-12-09 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Solar cell and manufacturing method thereof |
TWI556309B (zh) | 2009-06-19 | 2016-11-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 電漿處理裝置,形成膜的方法,和薄膜電晶體的製造方法 |
US8258025B2 (en) * | 2009-08-07 | 2012-09-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing microcrystalline semiconductor film and thin film transistor |
KR101722903B1 (ko) | 2009-08-25 | 2017-04-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 광전 변환장치의 제조방법 |
KR20110021654A (ko) | 2009-08-25 | 2011-03-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 미결정 반도체막의 제조방법, 및 반도체장치의 제조방법 |
JP4937322B2 (ja) | 2009-09-18 | 2012-05-23 | 三洋電機株式会社 | プラズマ処理装置 |
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