JP2011071497A5 - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents

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  1. 反応室内に第１の電極と第２の電極とを有し、
    前記第２の電極は、基板が載置される機能を有し、
    前記第１の電極は、前記第２の電極と対向している面に複数の凹部を有し、
    前記第１の電極は、前記凹部にガス供給口を有し、
    前記凹部は、テーパを側面に有し、
    前記側面の端は、丸みを有することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101722903B1 (ko) * 2009-08-25 2017-04-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 광전 변환장치의 제조방법
KR20110021654A (ko) 2009-08-25 2011-03-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 미결정 반도체막의 제조방법, 및 반도체장치의 제조방법
TWI512981B (zh) 2010-04-27 2015-12-11 Semiconductor Energy Lab 微晶半導體膜的製造方法及半導體裝置的製造方法
US8513046B2 (en) 2010-10-07 2013-08-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof
US8895116B2 (en) 2010-11-04 2014-11-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of crystalline semiconductor film and manufacturing method of semiconductor device
US8815635B2 (en) 2010-11-05 2014-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of photoelectric conversion device
US9459296B2 (en) * 2012-10-19 2016-10-04 Microchip Technology Germany Gmbh Ii & Co. Kg Electrode design for electric field measurement system
JP6550962B2 (ja) * 2015-06-24 2019-07-31 株式会社デンソー 炭化珪素半導体のエピタキシャル成長装置
TWI733712B (zh) * 2015-12-18 2021-07-21 美商應用材料股份有限公司 用於沉積腔室的擴散器及用於沉積腔室的電極
KR102178407B1 (ko) * 2016-12-13 2020-11-13 가부시키가이샤 아루박 샤워 헤드 및 진공 처리 장치
US11266003B2 (en) * 2017-06-13 2022-03-01 Zaka-Ul-Islam Mujahid Method and apparatus for generating plasma using a patterned dielectric or electrode
US20190244793A1 (en) * 2018-02-05 2019-08-08 Lam Research Corporation Tapered upper electrode for uniformity control in plasma processing
CN110600355B (zh) * 2018-06-13 2021-12-24 财团法人工业技术研究院 等离子体处理装置
WO2024076574A2 (en) * 2022-10-03 2024-04-11 Liangbing Hu Volumetric plasmas, and systems and methods for generation and use thereof

Family Cites Families (64)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56122123A (en) * 1980-03-03 1981-09-25 Shunpei Yamazaki Semiamorphous semiconductor
JPS6037118A (ja) 1983-08-08 1985-02-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd プラズマ気相反応方法
JPS6262073A (ja) 1985-09-11 1987-03-18 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd ポペツト弁の温度制御装置
US4854263B1 (en) * 1987-08-14 1997-06-17 Applied Materials Inc Inlet manifold and methods for increasing gas dissociation and for PECVD of dielectric films
JPH0253941A (ja) 1988-08-17 1990-02-22 Tsudakoma Corp 織機の運転装置
JP3057712B2 (ja) 1990-06-01 2000-07-04 凸版印刷株式会社 結晶シリコン基板の製造方法
JP2791422B2 (ja) 1990-12-25 1998-08-27 株式会社 半導体エネルギー研究所 電気光学装置およびその作製方法
EP0519079B1 (en) * 1991-01-08 1999-03-03 Fujitsu Limited Process for forming silicon oxide film
JPH0568097A (ja) 1991-09-09 1993-03-19 Nec Corp 加入者呼出し方式
JP2642587B2 (ja) 1993-08-24 1997-08-20 キヤノン販売株式会社 多結晶薄膜の形成方法
US6162667A (en) * 1994-03-28 2000-12-19 Sharp Kabushiki Kaisha Method for fabricating thin film transistors
JP2816943B2 (ja) 1994-10-25 1998-10-27 株式会社半導体エネルギー研究所 プラズマ気相反応方法
KR100257158B1 (ko) 1997-06-30 2000-05-15 김영환 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법
JP2000150472A (ja) 1998-11-10 2000-05-30 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
SG79292A1 (en) 1998-12-11 2001-03-20 Hitachi Ltd Semiconductor integrated circuit and its manufacturing method
JP2000252218A (ja) 1999-03-01 2000-09-14 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd プラズマｃｖｄ装置およびシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法
JP2000277439A (ja) 1999-03-25 2000-10-06 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 結晶質シリコン系薄膜のプラズマｃｖｄ方法およびシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法
DE10060002B4 (de) 1999-12-07 2016-01-28 Komatsu Ltd. Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung
JP4578694B2 (ja) 2001-02-09 2010-11-10 株式会社カネカ プラズマｃｖｄ装置およびプラズマｃｖｄ装置を用いたシリコン系膜の製造方法
JP4578693B2 (ja) 2001-02-09 2010-11-10 株式会社カネカ プラズマｃｖｄ装置およびプラズマｃｖｄ装置を用いたシリコン系膜の製造方法
JP4575605B2 (ja) 2001-02-09 2010-11-04 株式会社カネカ プラズマｃｖｄ装置を用いたシリコン系膜の製造方法
CN1496584A (zh) * 2001-03-09 2004-05-12 �ձ�������ʽ���� 金属氧化物介电膜气相生长方法和pzt膜
JP2002280377A (ja) 2001-03-19 2002-09-27 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2003318000A (ja) 2002-04-19 2003-11-07 Sekisui Chem Co Ltd 放電プラズマ処理装置
JP2004014958A (ja) 2002-06-11 2004-01-15 Fuji Electric Holdings Co Ltd 薄膜多結晶太陽電池とその製造方法
JP4194466B2 (ja) 2002-10-16 2008-12-10 シャープ株式会社 プラズマプロセス装置及びそれを用いた電子デバイスの製造方法
KR100615015B1 (ko) * 2002-10-16 2006-08-25 샤프 가부시키가이샤 전자 디바이스, 그 제조방법 및 플라즈마처리장치
JP4292002B2 (ja) 2002-12-18 2009-07-08 株式会社日立国際電気 プラズマ処理装置
JP3837539B2 (ja) 2003-03-25 2006-10-25 独立行政法人産業技術総合研究所 プラズマｃｖｄ装置
JP4748954B2 (ja) 2003-07-14 2011-08-17 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JP2005050905A (ja) 2003-07-30 2005-02-24 Sharp Corp シリコン薄膜太陽電池の製造方法
US20050103377A1 (en) * 2003-10-27 2005-05-19 Goya Saneyuki Solar cell and process for producing solar cell
JP2005167051A (ja) 2003-12-04 2005-06-23 Sony Corp 薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタの製造方法
JP4178202B2 (ja) 2004-03-10 2008-11-12 三菱重工業株式会社 薄膜製造方法
US7785672B2 (en) * 2004-04-20 2010-08-31 Applied Materials, Inc. Method of controlling the film properties of PECVD-deposited thin films
US8083853B2 (en) * 2004-05-12 2011-12-27 Applied Materials, Inc. Plasma uniformity control by gas diffuser hole design
US20050233092A1 (en) * 2004-04-20 2005-10-20 Applied Materials, Inc. Method of controlling the uniformity of PECVD-deposited thin films
US7125758B2 (en) * 2004-04-20 2006-10-24 Applied Materials, Inc. Controlling the properties and uniformity of a silicon nitride film by controlling the film forming precursors
US8328939B2 (en) * 2004-05-12 2012-12-11 Applied Materials, Inc. Diffuser plate with slit valve compensation
US20060005771A1 (en) * 2004-07-12 2006-01-12 Applied Materials, Inc. Apparatus and method of shaping profiles of large-area PECVD electrodes
US8074599B2 (en) * 2004-05-12 2011-12-13 Applied Materials, Inc. Plasma uniformity control by gas diffuser curvature
JP4279217B2 (ja) 2004-07-16 2009-06-17 三菱重工業株式会社 プラズマ処理装置及びこれを用いた太陽電池の製造方法
JP5013393B2 (ja) 2005-03-30 2012-08-29 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置と方法
ATE522643T1 (de) * 2005-04-04 2011-09-15 Tohoku Techno Arch Co Ltd Verfahren zum züchten eines gan-einzelkristalls, verfahren zur herstellung eines gan-substrats, verfahren zur herstellung eines elements auf gan- basis und element auf gan-basis
JP4597792B2 (ja) 2005-06-27 2010-12-15 東京エレクトロン株式会社 処理ガス供給構造およびプラズマ処理装置
JP4777717B2 (ja) 2005-08-10 2011-09-21 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、プラズマ処理装置および記録媒体
JP4730034B2 (ja) * 2005-09-20 2011-07-20 日新電機株式会社 シリコンドット付き基板の形成方法
JP4539985B2 (ja) 2005-11-02 2010-09-08 国立大学法人大阪大学 エピタキシャルＳｉ膜の製造方法およびプラズマ処理装置
US20070227666A1 (en) * 2006-03-30 2007-10-04 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
JP5331389B2 (ja) 2007-06-15 2013-10-30 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
US9176353B2 (en) * 2007-06-29 2015-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US7738050B2 (en) 2007-07-06 2010-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Liquid crystal display device
JP5058909B2 (ja) 2007-08-17 2012-10-24 株式会社半導体エネルギー研究所 プラズマｃｖｄ装置及び薄膜トランジスタの作製方法
JP5435907B2 (ja) 2007-08-17 2014-03-05 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
JP5503857B2 (ja) * 2007-09-14 2014-05-28 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタの作製方法
JP5314870B2 (ja) 2007-09-21 2013-10-16 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタの作製方法
KR20090095314A (ko) * 2008-03-05 2009-09-09 삼성전자주식회사 비정질막의 결정화 방법 및 이를 적용한 박막 태양전지 및박막 태양 전지의 제조 방법
JP2010238871A (ja) 2009-03-31 2010-10-21 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池の製造方法及びプラズマ処理装置
US20100307573A1 (en) * 2009-06-04 2010-12-09 Sanyo Electric Co., Ltd. Solar cell and manufacturing method thereof
TWI556309B (zh) 2009-06-19 2016-11-01 半導體能源研究所股份有限公司 電漿處理裝置，形成膜的方法，和薄膜電晶體的製造方法
US8258025B2 (en) * 2009-08-07 2012-09-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing microcrystalline semiconductor film and thin film transistor
KR20110021654A (ko) * 2009-08-25 2011-03-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 미결정 반도체막의 제조방법, 및 반도체장치의 제조방법
KR101722903B1 (ko) * 2009-08-25 2017-04-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 광전 변환장치의 제조방법
JP4937322B2 (ja) 2009-09-18 2012-05-23 三洋電機株式会社 プラズマ処理装置

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