JP2002280377A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
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- JP2002280377A JP2002280377A JP2001078614A JP2001078614A JP2002280377A JP 2002280377 A JP2002280377 A JP 2002280377A JP 2001078614 A JP2001078614 A JP 2001078614A JP 2001078614 A JP2001078614 A JP 2001078614A JP 2002280377 A JP2002280377 A JP 2002280377A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板へのパーティクルの付着を低減できると
ともに、反応ガスを大量に流して高速成膜を実現する。 【解決手段】 基板処理装置は、処理室１３に設けた１
対の電極１４、１５間に高周波電力を印加して、上電極
１５を介して処理室１３に供給した反応ガスをプラズマ
化させて、下電極１４に載置した基板Ｗを処理する。こ
のような装置の下電極１４と対向する上電極１５の表面
に、複数の凹部２７を細密充填構造に配列する。複数の
凹部２７の各凹部２７内に反応ガスを供給するガス供給
孔２４を設ける。複数の凹部２７間の電極表面２６にも
反応ガスを供給するガス供給孔２４を設ける。
ともに、反応ガスを大量に流して高速成膜を実現する。 【解決手段】 基板処理装置は、処理室１３に設けた１
対の電極１４、１５間に高周波電力を印加して、上電極
１５を介して処理室１３に供給した反応ガスをプラズマ
化させて、下電極１４に載置した基板Ｗを処理する。こ
のような装置の下電極１４と対向する上電極１５の表面
に、複数の凹部２７を細密充填構造に配列する。複数の
凹部２７の各凹部２７内に反応ガスを供給するガス供給
孔２４を設ける。複数の凹部２７間の電極表面２６にも
反応ガスを供給するガス供給孔２４を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は基板処理装置に係
り、特にプラズマＣＶＤ装置に好適なものに関する。
り、特にプラズマＣＶＤ装置に好適なものに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程の１つに基板上に所定の
成膜を行うプラズマＣＶＤ（ChemicalVapor Depositio
n）成膜工程がある。これは、気密な処理室に基板を装
填し、該処理室内に設けられているアノードとカソード
とからなる１対の電極間に成膜ガスを供給しながら高周
波電力を印加して高周波放電を起こし、１対の電極間に
プラズマを発生させる。このプラズマにより成膜ガス中
のガス分子を分解して基板表面上に薄膜を形成するもの
である。
成膜を行うプラズマＣＶＤ（ChemicalVapor Depositio
n）成膜工程がある。これは、気密な処理室に基板を装
填し、該処理室内に設けられているアノードとカソード
とからなる１対の電極間に成膜ガスを供給しながら高周
波電力を印加して高周波放電を起こし、１対の電極間に
プラズマを発生させる。このプラズマにより成膜ガス中
のガス分子を分解して基板表面上に薄膜を形成するもの
である。
【０００３】上述した１対の電極の対向する電極表面が
平面状であると、形成されるプラズマの密度が比較的低
く、高密度プラズマを必要とするプロセスには不向きで
ある。このため高周波電力を印加する側のカソード電極
に、ホロー放電を生じさせてプラズマ密度を高める凹部
を形成した放電用電極が提案された。しかし、その凹部
の底に気相成長異物の滞留が生じ、成膜異物が基板上へ
落下、付着するという新たな問題が生じた。そこで、気
相成長異物の凹部での滞留を防止するために、凹部にガ
ス供給孔を設けたものが提案されている（例えば特開平
１−１３９７７１号公報）。
平面状であると、形成されるプラズマの密度が比較的低
く、高密度プラズマを必要とするプロセスには不向きで
ある。このため高周波電力を印加する側のカソード電極
に、ホロー放電を生じさせてプラズマ密度を高める凹部
を形成した放電用電極が提案された。しかし、その凹部
の底に気相成長異物の滞留が生じ、成膜異物が基板上へ
落下、付着するという新たな問題が生じた。そこで、気
相成長異物の凹部での滞留を防止するために、凹部にガ
ス供給孔を設けたものが提案されている（例えば特開平
１−１３９７７１号公報）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した特開平１−１
３９７７１号公報のものは、ガスの滞留が発生しやすい
凹部の底にガス供給孔を設けたから、気相成長異物の凹
部内の滞留を防止し、成膜異物（パーティクル）の基板
上への落下、付着を防止することできる。また、凹部を
密な構成としてガス供給孔の数を増やしているので、増
加分だけガス流量が増えて成膜を高速化することも、あ
る程度可能である。
３９７７１号公報のものは、ガスの滞留が発生しやすい
凹部の底にガス供給孔を設けたから、気相成長異物の凹
部内の滞留を防止し、成膜異物（パーティクル）の基板
上への落下、付着を防止することできる。また、凹部を
密な構成としてガス供給孔の数を増やしているので、増
加分だけガス流量が増えて成膜を高速化することも、あ
る程度可能である。
【０００５】しかし、ガス供給孔を有する凹部をいくら
細密に形成しても、凹部間には必ず隙間が形成され、そ
の隙間には電極表面がそのまま取り残されることにな
る。したがって、反応ガスを電極表面内で均一に供給す
ることができず、大流量の反応ガスを電極表面全面から
流して高速成膜することはできない。また、電極表面に
ガス供給孔が均一に設けられていないので、電極表面で
のガス流が均一になり難く、局所的に反応ガスの滞留が
発生し易いため、気相成長異物をガス流によってプラズ
マ放電領域から有効に取り除くことは困難である。
細密に形成しても、凹部間には必ず隙間が形成され、そ
の隙間には電極表面がそのまま取り残されることにな
る。したがって、反応ガスを電極表面内で均一に供給す
ることができず、大流量の反応ガスを電極表面全面から
流して高速成膜することはできない。また、電極表面に
ガス供給孔が均一に設けられていないので、電極表面で
のガス流が均一になり難く、局所的に反応ガスの滞留が
発生し易いため、気相成長異物をガス流によってプラズ
マ放電領域から有効に取り除くことは困難である。
【０００６】本発明の課題は、凹部電極を有する基板処
理装置において、上述した従来技術の問題点を解消し
て、基板へのパーティクルの付着を低減できるととも
に、反応ガスを反応室内に大量に流すことが可能な基板
処理装置を提供することにある。
理装置において、上述した従来技術の問題点を解消し
て、基板へのパーティクルの付着を低減できるととも
に、反応ガスを反応室内に大量に流すことが可能な基板
処理装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、処理室に設け
た１対の電極間に高周波電力を印加して、１対の電極の
うちの一の電極を介して前記処理室に供給した反応ガス
をプラズマ化させて、他の電極に載置した基板を処理す
る基板処理装置において、前記他の電極と対向する一の
電極の表面に複数の凹部を設け、前記複数の凹部の各凹
部内に前記反応ガスを供給するガス供給孔を設け、前記
複数の凹部間の電極表面部にも前記反応ガスを供給する
ガス供給孔を設けたことを特徴とする。
た１対の電極間に高周波電力を印加して、１対の電極の
うちの一の電極を介して前記処理室に供給した反応ガス
をプラズマ化させて、他の電極に載置した基板を処理す
る基板処理装置において、前記他の電極と対向する一の
電極の表面に複数の凹部を設け、前記複数の凹部の各凹
部内に前記反応ガスを供給するガス供給孔を設け、前記
複数の凹部間の電極表面部にも前記反応ガスを供給する
ガス供給孔を設けたことを特徴とする。
【０００８】本発明によれば、凹部のみならず凹部間に
もガス供給孔を設けて、反応ガスを電極表面に均一に供
給するようにしたので、放電領域から異物（パーティク
ル）を有効に取り除くことができる。また、凹部及び凹
部間に設けた多数のガス供給孔から大流量の反応ガスを
反応室内に流すことができるので、凹部のみにガス供給
孔を設けたものに比して、より高速の成膜を実現でき
る。
もガス供給孔を設けて、反応ガスを電極表面に均一に供
給するようにしたので、放電領域から異物（パーティク
ル）を有効に取り除くことができる。また、凹部及び凹
部間に設けた多数のガス供給孔から大流量の反応ガスを
反応室内に流すことができるので、凹部のみにガス供給
孔を設けたものに比して、より高速の成膜を実現でき
る。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を説明
する。図１は、実施の形態のプラズマＣＶＤ装置を模式
化した説明図である。この装置は、半導体製造工程の１
つである基板上に所定の成膜を行うプラズマＣＶＤ（Ch
emicalVapor Deposition）成膜工程を行うものである。
する。図１は、実施の形態のプラズマＣＶＤ装置を模式
化した説明図である。この装置は、半導体製造工程の１
つである基板上に所定の成膜を行うプラズマＣＶＤ（Ch
emicalVapor Deposition）成膜工程を行うものである。
【００１０】プラズマＣＶＤ装置は気密容器１０を備え
る。この気密容器１０の上部にガス導入ポート１１が、
底部に排気ポート１２がそれぞれ設けられる。この気密
容器１０内にシリコン等の半導体基板Ｗを処理する処理
室１３が形成される。この処理室１３内の上下に一の電
極としての上電極１５と、他の電極としての下電極１４
とが対向して設けられる。下電極１４の内部に図示しな
いヒータが設けられ、下電極１４の上に載置された基板
Ｗを所定の温度に加熱するようになっている。下電極１
４は接地されて接地電極となり、上電極１５は高周波電
源３０が接続されてカソード電極となる。
る。この気密容器１０の上部にガス導入ポート１１が、
底部に排気ポート１２がそれぞれ設けられる。この気密
容器１０内にシリコン等の半導体基板Ｗを処理する処理
室１３が形成される。この処理室１３内の上下に一の電
極としての上電極１５と、他の電極としての下電極１４
とが対向して設けられる。下電極１４の内部に図示しな
いヒータが設けられ、下電極１４の上に載置された基板
Ｗを所定の温度に加熱するようになっている。下電極１
４は接地されて接地電極となり、上電極１５は高周波電
源３０が接続されてカソード電極となる。
【００１１】上電極１５は、気密容器１０の上部内周壁
に絶縁物１６を介して気密容器１０とは電気的には絶縁
されて取り付けられる。上電極１５は、ガス供給ヘッド
１７とガス導入管１８とシャワー板１９とを備える。ガ
ス供給ヘッド１７は、上部２０が閉じて下部が開放した
筒状体で構成される。その筒状体の上部２０にはガス導
入管１８が連結される。ガス導入管１８はガス供給ヘッ
ド１７とは電気的に接続されて、上電極１５の電極取出
し端を構成する。ガス導入管１８に高周波電源３０が接
続される。ガス供給ヘッド１７の中央部には、複数のガ
ス分散孔２１を有するガス分散板２２が設けられる。ガ
ス分散板２２と上部２０との間にガス導入空間２３が形
成される。開放した下部には多数のガス供給孔２４を有
するシャワー板１９が設けられる。シャワー板１９Ｌと
ガス分散板２２との間にガス分散空間２５が形成され
る。シャワー板１９の下電極１４と対向する対向面は、
上電極１５の電極表面２６を構成する。
に絶縁物１６を介して気密容器１０とは電気的には絶縁
されて取り付けられる。上電極１５は、ガス供給ヘッド
１７とガス導入管１８とシャワー板１９とを備える。ガ
ス供給ヘッド１７は、上部２０が閉じて下部が開放した
筒状体で構成される。その筒状体の上部２０にはガス導
入管１８が連結される。ガス導入管１８はガス供給ヘッ
ド１７とは電気的に接続されて、上電極１５の電極取出
し端を構成する。ガス導入管１８に高周波電源３０が接
続される。ガス供給ヘッド１７の中央部には、複数のガ
ス分散孔２１を有するガス分散板２２が設けられる。ガ
ス分散板２２と上部２０との間にガス導入空間２３が形
成される。開放した下部には多数のガス供給孔２４を有
するシャワー板１９が設けられる。シャワー板１９Ｌと
ガス分散板２２との間にガス分散空間２５が形成され
る。シャワー板１９の下電極１４と対向する対向面は、
上電極１５の電極表面２６を構成する。
【００１２】前述した下電極１４の基板載置面１４ａと
対向する上電極１５の電極表面２６に多数の凹部２７が
設けられる。この凹部２７は、凹部内に電子を捕捉する
ことで放電効率を向上して、ガス分解効率及び成膜速度
を向上させる。凹部２７は、その側面が深さが深くなる
に従って断面積が小さくなるような円錐形状に形成され
ている。各凹部２７の最も深い底部にはガス分散空間２
５と連通するガス供給孔２４が設けられる。凹部２７が
設けられていない凹部２７間の電極表面２６にも、ガス
分散空間２５と連通するガス供給孔２４が設けられる。
対向する上電極１５の電極表面２６に多数の凹部２７が
設けられる。この凹部２７は、凹部内に電子を捕捉する
ことで放電効率を向上して、ガス分解効率及び成膜速度
を向上させる。凹部２７は、その側面が深さが深くなる
に従って断面積が小さくなるような円錐形状に形成され
ている。各凹部２７の最も深い底部にはガス分散空間２
５と連通するガス供給孔２４が設けられる。凹部２７が
設けられていない凹部２７間の電極表面２６にも、ガス
分散空間２５と連通するガス供給孔２４が設けられる。
【００１３】図２にシャワー板１９の詳細図を示す。
（ａ）は下電極１４側から見た底面図、（ｂ）は要部断
面図である。図２（ａ）に示すように、上電極１５の電
極表面２６の外周部を除いた全面に多数の凹部２７及び
多数のガス供給孔２４が行列状にすきまなく並べられて
いる。凹部２７の開口２８は円形をしている。円形開口
２８は細密充填構造に配列される。各円形開口２８の中
心にガス供給孔２７が配置されている。また各円形開口
２８の外周に複数のガス供給孔２７が配置されている。
１個の円形開口２８に着目すると、その周囲に密に並ぶ
他の６個の円形開口２８との間に、合計６箇所の隙間が
存在する。その６箇所の全てにガス供給孔２４を設けて
もよいが、図示例では１２０°間隔で３箇所に設けてい
る。このように上電極電極表面２６のほぼ全面に凹部２
７及びガス供給孔２４が均一に形成されている。
（ａ）は下電極１４側から見た底面図、（ｂ）は要部断
面図である。図２（ａ）に示すように、上電極１５の電
極表面２６の外周部を除いた全面に多数の凹部２７及び
多数のガス供給孔２４が行列状にすきまなく並べられて
いる。凹部２７の開口２８は円形をしている。円形開口
２８は細密充填構造に配列される。各円形開口２８の中
心にガス供給孔２７が配置されている。また各円形開口
２８の外周に複数のガス供給孔２７が配置されている。
１個の円形開口２８に着目すると、その周囲に密に並ぶ
他の６個の円形開口２８との間に、合計６箇所の隙間が
存在する。その６箇所の全てにガス供給孔２４を設けて
もよいが、図示例では１２０°間隔で３箇所に設けてい
る。このように上電極電極表面２６のほぼ全面に凹部２
７及びガス供給孔２４が均一に形成されている。
【００１４】凹部２７及びガス供給孔２４の具体的な寸
法を説明する。例えば凹部２７の行ピッチＰ1は７ｍ
ｍ、凹部２７の１つおきの列ピッチＰ3は１２ｍｍであ
る。ガス供給孔２４のピッチＰ2も７ｍｍである。図２
（ｂ）に示すように、テーパ状の凹部２７の開口径Ｒは
６．５ｍｍ、凹部２７の底部口径は、底部に連設したガ
ス供給孔２４の孔径φ1と同じ０．８ｍｍである。シャ
ワー板１９の厚さｔは１６ｍｍであり、凹部２７の開口
２８から底部までの深さＤ1は１０ｍｍ、凹部底部から
始まる直線状のガス供給孔２４の長さＤ2は６ｍｍであ
る。電極表面２６に設けた直線状のガス供給孔の孔径φ
2も０．８ｍｍである。ガス供給孔２４の孔径φ1、φ2
はともに直径１ｍｍ以下としてガス供給孔２４内の上流
部での放電を防止する。
法を説明する。例えば凹部２７の行ピッチＰ1は７ｍ
ｍ、凹部２７の１つおきの列ピッチＰ3は１２ｍｍであ
る。ガス供給孔２４のピッチＰ2も７ｍｍである。図２
（ｂ）に示すように、テーパ状の凹部２７の開口径Ｒは
６．５ｍｍ、凹部２７の底部口径は、底部に連設したガ
ス供給孔２４の孔径φ1と同じ０．８ｍｍである。シャ
ワー板１９の厚さｔは１６ｍｍであり、凹部２７の開口
２８から底部までの深さＤ1は１０ｍｍ、凹部底部から
始まる直線状のガス供給孔２４の長さＤ2は６ｍｍであ
る。電極表面２６に設けた直線状のガス供給孔の孔径φ
2も０．８ｍｍである。ガス供給孔２４の孔径φ1、φ2
はともに直径１ｍｍ以下としてガス供給孔２４内の上流
部での放電を防止する。
【００１５】シャワー板１９は、材質としてはアルミ合
金、ステンレス、ニッケル合金等で形成されている。凹
部２７及びガス供給孔２４の形成方法としては、削出
し、穿孔加工などの方法が採用される。
金、ステンレス、ニッケル合金等で形成されている。凹
部２７及びガス供給孔２４の形成方法としては、削出
し、穿孔加工などの方法が採用される。
【００１６】上述したような構成において、図１の点線
矢印で示すガス流路３１に沿って反応ガスを流す。反応
ガスはガス導入管１８からガス導入空間２３に導入され
る。ガス導入空間２３に導入された反応ガスは複数のガ
ス分散孔２１を通ってガス分散空間２５内に導入され
る。ガス分散空間２５に導入された反応ガスは多数のガ
ス供給孔２４を通ってプラズマ処理空間５にシャワー状
に供給され、基板Ｗに接触した後、排気ポート１２から
排気される。
矢印で示すガス流路３１に沿って反応ガスを流す。反応
ガスはガス導入管１８からガス導入空間２３に導入され
る。ガス導入空間２３に導入された反応ガスは複数のガ
ス分散孔２１を通ってガス分散空間２５内に導入され
る。ガス分散空間２５に導入された反応ガスは多数のガ
ス供給孔２４を通ってプラズマ処理空間５にシャワー状
に供給され、基板Ｗに接触した後、排気ポート１２から
排気される。
【００１７】上電極１５と下電極１４との間に高周波電
源３０から１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印加する。
この印加で上電極１５、下電極１４間に高周波放電を起
こすことによりプラズマ処理空間５にプラズマを形成さ
せ、反応ガス中のガス分子を分解して基板Ｗに所要の薄
膜を生成する。
源３０から１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印加する。
この印加で上電極１５、下電極１４間に高周波放電を起
こすことによりプラズマ処理空間５にプラズマを形成さ
せ、反応ガス中のガス分子を分解して基板Ｗに所要の薄
膜を生成する。
【００１８】この際、プラズマ中ではガス分子同士が衝
突して異物３が形成される。この異物３は負に帯電して
いることが多い。放電中は、高周波電力が加えられる上
電極１５の凹部２７に、プラズマ中の電子の補足効果の
高いトラップ電位部分が形成される。したがって放電中
の凹部２７では電子とともに異物３が補足される。その
結果、凹部２７内で異物３同士が衝突して、その粒径が
大きく成長し、大量の異物３が滞留することになる。
突して異物３が形成される。この異物３は負に帯電して
いることが多い。放電中は、高周波電力が加えられる上
電極１５の凹部２７に、プラズマ中の電子の補足効果の
高いトラップ電位部分が形成される。したがって放電中
の凹部２７では電子とともに異物３が補足される。その
結果、凹部２７内で異物３同士が衝突して、その粒径が
大きく成長し、大量の異物３が滞留することになる。
【００１９】しかし実施の形態では、電極表面２６の凹
部２７に設けたガス供給孔２４から反応ガスを注入して
いるので、凹部２７内に滞留した異物３は反応ガスによ
り凹部２７から排除される。排除された異物３は、点線
矢印で示すガス流によってプラズマ内を矢印に示すよう
に移動する。したがって、処理領域での滞留が抑制さ
れ、基板Ｗ上に落下、付着することなく、下電極１４の
背部に設けた排気ポート１２から排気される。また、凹
部２７が電極表面に面内細密充填状に設けられた多数の
円錐形の孔で形成してあるので、電極表面積が拡大し、
電極インピーダンスを大幅に低減することができる。な
おガス供給孔２４を設けるに際して、凹部２７を残して
いるので、ホロー放電が損なわれることもない。
部２７に設けたガス供給孔２４から反応ガスを注入して
いるので、凹部２７内に滞留した異物３は反応ガスによ
り凹部２７から排除される。排除された異物３は、点線
矢印で示すガス流によってプラズマ内を矢印に示すよう
に移動する。したがって、処理領域での滞留が抑制さ
れ、基板Ｗ上に落下、付着することなく、下電極１４の
背部に設けた排気ポート１２から排気される。また、凹
部２７が電極表面に面内細密充填状に設けられた多数の
円錐形の孔で形成してあるので、電極表面積が拡大し、
電極インピーダンスを大幅に低減することができる。な
おガス供給孔２４を設けるに際して、凹部２７を残して
いるので、ホロー放電が損なわれることもない。
【００２０】電極表面における反応ガスの滞留部分を最
小限にするには、電極表面２６の表面近傍に一様な下向
きのガスの流れを発生させる必要がある。電極表面の表
面近傍に一様な下向きのガスの流れを発生させるために
は、所定のガス孔密度、すなわち所定のコンダクタンス
を確保する必要がある。所定のガスコンダクタンスを電
極表面に得るためには、ガス供給孔の数を調節する必要
がある。大流量高速成膜といったプロセスにおいては、
円錐形の孔とガス供給孔が１対１では、十分なコンダク
タンスが確保できない。
小限にするには、電極表面２６の表面近傍に一様な下向
きのガスの流れを発生させる必要がある。電極表面の表
面近傍に一様な下向きのガスの流れを発生させるために
は、所定のガス孔密度、すなわち所定のコンダクタンス
を確保する必要がある。所定のガスコンダクタンスを電
極表面に得るためには、ガス供給孔の数を調節する必要
がある。大流量高速成膜といったプロセスにおいては、
円錐形の孔とガス供給孔が１対１では、十分なコンダク
タンスが確保できない。
【００２１】この点で、実施の形態のように、細密充填
配置した凹部２７内に設けたガス供給孔２４に加えて、
凹部２７間の削り残された電極表面２６にもガス供給孔
２４を設けている。したがって、電極表面２６のほぼ全
面に多数のガス供給孔２４を均一に形成でき、大流量の
反応ガスを電極表面に均一に供給するための所定のコン
ダクタンスを十分に確保できる。大流量のガスを流すの
で、プラズマ放電領域から異物を吹き飛ばし、基板への
異物汚染を大幅に低減できる。凹部内と凹部間にもガス
供給孔を設けることは、より多くの異物の発生しやすい
大流量高速成膜では特に有用である。
配置した凹部２７内に設けたガス供給孔２４に加えて、
凹部２７間の削り残された電極表面２６にもガス供給孔
２４を設けている。したがって、電極表面２６のほぼ全
面に多数のガス供給孔２４を均一に形成でき、大流量の
反応ガスを電極表面に均一に供給するための所定のコン
ダクタンスを十分に確保できる。大流量のガスを流すの
で、プラズマ放電領域から異物を吹き飛ばし、基板への
異物汚染を大幅に低減できる。凹部内と凹部間にもガス
供給孔を設けることは、より多くの異物の発生しやすい
大流量高速成膜では特に有用である。
【００２２】所要の薄膜を生成する場合、ガス供給孔か
らＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6、ＳｉＨ2Ｃｌ 2、ＮＨ3、ＰＨ3等
の反応ガスを供給する。例えば、窒化膜系の薄膜を形成
する場合、通常では、ＳｉＨ4ガスを３００〜６００ｓ
ｃｃｍ、ＮＨ3ガスを１０００〜３０００ｓｃｃｍ流
す。Ｎ2ガスは３０００〜１００００ｓｃｃｍとする。
高速成膜の場合は、さらに流量を増加して、ＳｉＨ4ガ
スを６００〜１２００ｓｃｃｍ、ＮＨ3ガスを２０００
〜６０００ｓｃｃｍ流すことができる。Ｎ2ガスは６０
００〜２００００ｓｃｃｍとすることができる。
らＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6、ＳｉＨ2Ｃｌ 2、ＮＨ3、ＰＨ3等
の反応ガスを供給する。例えば、窒化膜系の薄膜を形成
する場合、通常では、ＳｉＨ4ガスを３００〜６００ｓ
ｃｃｍ、ＮＨ3ガスを１０００〜３０００ｓｃｃｍ流
す。Ｎ2ガスは３０００〜１００００ｓｃｃｍとする。
高速成膜の場合は、さらに流量を増加して、ＳｉＨ4ガ
スを６００〜１２００ｓｃｃｍ、ＮＨ3ガスを２０００
〜６０００ｓｃｃｍ流すことができる。Ｎ2ガスは６０
００〜２００００ｓｃｃｍとすることができる。
【００２３】高周波電源３０からのＲＦ電力は３０００
〜５０００Ｗ、好ましくは３０００〜４５００Ｗの領域
を使用する。処理室１３内の処理圧力は２４０〜３００
Ｐａ、成膜終了直前では２６６Ｐａ〜３００Ｐａとする
とよい。この条件で成膜処理を行う。成膜処理時間は１
〜２分である。上記条件で、通常の場合の成膜速度は１
２００〜２４００Ａ／分であり、高速成膜の場合は１７
００〜３５００Ａ／分である（Ａはオングストロー
ム）。
〜５０００Ｗ、好ましくは３０００〜４５００Ｗの領域
を使用する。処理室１３内の処理圧力は２４０〜３００
Ｐａ、成膜終了直前では２６６Ｐａ〜３００Ｐａとする
とよい。この条件で成膜処理を行う。成膜処理時間は１
〜２分である。上記条件で、通常の場合の成膜速度は１
２００〜２４００Ａ／分であり、高速成膜の場合は１７
００〜３５００Ａ／分である（Ａはオングストロー
ム）。
【００２４】なお、実施の形態では基板処理が成膜の場
合について説明したが、本発明は、成膜の他にエッチン
グ等にも適用できる。また、基板も半導体基板に限定さ
れず、ＬＣＤ用のガラス基板にも適用できる。
合について説明したが、本発明は、成膜の他にエッチン
グ等にも適用できる。また、基板も半導体基板に限定さ
れず、ＬＣＤ用のガラス基板にも適用できる。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、電極の凹部のみならず
凹部間にもガス供給孔を設けたので、基板へのパーティ
クルの付着を低減できるとともに、反応ガスを大量に流
して高速成膜を実現できる。
凹部間にもガス供給孔を設けたので、基板へのパーティ
クルの付着を低減できるとともに、反応ガスを大量に流
して高速成膜を実現できる。
【図１】本発明の基板処理装置の実施の形態による処理
室の縦断面図である。
室の縦断面図である。
【図２】実施の形態によるシャワー板の説明図であり、
（ａ）は底面図、（ｂ）は要部断面図である。
（ａ）は底面図、（ｂ）は要部断面図である。
１３ 処理室 １４ 下電極（他の電極） １４ａ 基板載置面 １５ 上電極（一の電極） ２４ ガス供給孔 ２６ 一の電極の電極表面 ２７ 凹部 ３０ 高周波電源 Ｗ 基板
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K030 AA03 AA06 AA13 AA18 CA04 CA06 EA05 FA03 KA17 KA46 5F004 AA14 AA16 BA04 BB26 BB28 5F045 AA08 AB33 AC01 AC05 AC12 AC15 BB09 BB15 DP03 DQ10 EF05 EF11 EH04 EH05 EH14 EK09
Claims (1)
- 【請求項１】処理室に設けた１対の電極間に高周波電力
を印加して、１対の電極のうちの一の電極を介して前記
処理室に供給した反応ガスをプラズマ化させて、他の電
極に載置した基板を処理する基板処理装置において、 前記他の電極と対向する一の電極の表面に複数の凹部を
設け、 前記複数の凹部の各凹部内に前記反応ガスを供給するガ
ス供給孔を設け、 前記複数の凹部間の電極表面にも前記反応ガスを供給す
るガス供給孔を設けたことを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001078614A JP2002280377A (ja) | 2001-03-19 | 2001-03-19 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001078614A JP2002280377A (ja) | 2001-03-19 | 2001-03-19 | 基板処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002280377A true JP2002280377A (ja) | 2002-09-27 |
Family
ID=18935206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001078614A Pending JP2002280377A (ja) | 2001-03-19 | 2001-03-19 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002280377A (ja) |
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-
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- 2001-03-19 JP JP2001078614A patent/JP2002280377A/ja active Pending
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