CN112640045B - 气相生长装置 - Google Patents

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Abstract

实施方式的气相生长装置具备：反应室；第一气体室，设置于反应室之上，被导入第一工艺气体；以及多个第一气体流路，从第一气体室向反应室供给第一工艺气体，多个第一气体流路中的至少1个第一气体流路具有第一区域和位于第一区域与反应室之间的第二区域，第一区域具有与第一工艺气体的流动方向垂直的面中的第一开口截面积和上述方向的第一长度，第二区域具有与上述方向垂直的面中的第二开口截面积和上述方向的第二长度，第一开口截面积比第二开口截面积小，第一长度为第二长度以下。

Description

气相生长装置
技术领域
本发明涉及向基板供给气体来进行膜的形成的气相生长装置。
背景技术
作为形成高品质的半导体膜的方法，存在通过气相生长在基板的表面形成单晶膜的外延生长技术。在使用外延生长技术的气相生长装置中，将基板载置于保持为常压或减压的反应室之中的保持架。
然后，一边加热基板，一边将包含膜的原料在内的工艺气体从反应室的上部的气体室经由气体流路供给至反应室。在基板的表面发生工艺气体的热反应，在基板的表面形成外延单晶膜。
如果在反应室之中反复进行膜的生长，则反应生成物有时会堆积于气体流路的反应室侧的端部。若堆积的反应生成物的量变多，则气体流路的开口截面积发生变化。当气体流路的开口截面积发生变化时，工艺气体向反应室的供给变得不稳定，膜的特性的再现性降低。因此，期望抑制工艺气体向反应室的供给的不稳定化，提高膜的特性的再现性。
在专利文献1中记载了一种气相生长装置，抑制在气体流路的反应室侧的端部处的气体的蔓延，抑制由堆积物的附着引起的颗粒的产生。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2017-157678号公报
发明内容
发明解决的技术问题
本发明解决的技术问题在于提供一种能够提高膜的特性的再现性的气相生长装置。
用于解决技术问题的手段
本发明的一个方式的气相生长装置具备：反应室；第一气体室，设置于所述反应室之上，被导入第一工艺气体；以及多个第一气体流路，从所述第一气体室向所述反应室供给所述第一工艺气体，所述多个第一气体流路中的至少1个第一气体流路具有第一区域和位于所述第一区域与所述反应室之间的第二区域，所述第一区域具有与所述第一工艺气体的流动方向垂直的面中的第一开口截面积和所述方向的第一长度，所述第二区域具有与所述方向垂直的面中的第二开口截面积和所述方向的第二长度，所述第一开口截面积比所述第二开口截面积小，所述第一长度为所述第二长度以下。
发明效果
根据本发明，能够实现能够提高膜的特性的再现性的气相生长装置。
附图说明
图1是第一实施方式的气相生长装置的示意剖视图。
图2是第一实施方式的第一气体流路的示意剖视图。
图3是第一实施方式的第二气体流路的示意剖视图。
图4是第一实施方式的气相生长装置的作用及效果的说明图。
图5是第一实施方式的气相生长装置的作用及效果的说明图。
图6是第一实施方式的气相生长装置的作用及效果的说明图。
图7是第一实施方式的气相生长装置的作用及效果的说明图。
图8是第二实施方式的第一气体流路的示意剖视图。
图9是第三实施方式的气相生长装置的示意剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。
在本说明书中，存在对相同或类似的部件标注相同的附图标记的情况。
在本说明书中，将气相生长装置被设置为能够形成膜的状态下的重力方向定义为“下”，将其相反方向定义为“上”。因此，“下部”是指相对于基准而言重力方向的位置，“下方”是指相对于基准而言为重力方向。并且，“上部”是指相对于基准而言与重力方向相反的方向的位置，“上方”是指相对于基准而言为与重力方向相反的方向。另外，“纵向”是重力方向。
另外，在本说明书中，“工艺气体”是膜的形成所使用的气体的总称，例如为包含源气体、辅助气体、掺杂气体、运载气体(carrier gas)和它们的混合气体的概念。
传导率(conductance)表示在流路中流动的流体的流动容易度。例如，直径为D、长度为L的圆筒形状的流路的传导率与D4/L成比例。以后，将D4/L称为传导率系数。另外，在本说明书中，设为与流路的形状变更相伴的流路的入口与出口的压力没有变化。另外，在粘性流区域中，传导率与流路的平均压力也成比例，但在本说明书中，为了避免复杂而在计算上予以省略。由此，能够将流路的传导率作为仅与传导率系数成比例的传导率进行处理。
(第一实施方式)
第一实施方式的气相生长装置具备：反应室；第一气体室，设置于反应室之上，被导入第一工艺气体；以及多个第一气体流路，从第一气体室向反应室供给第一工艺气体，多个第一气体流路中的至少1个第一气体流路具有第一区域和位于第一区域与反应室之间的第二区域，第一区域具有与第一工艺气体的流动方向垂直的面中的第一开口截面积和所述方向的第一长度，第二区域具有与所述方向垂直的面中的第二开口截面积和所述方向的第二长度，第一开口截面积比第二开口截面积小，第一长度为第二长度以下。
第一实施方式的气相生长装置具备上述结构，由此即使在反应生成物堆积于第一气体流路的反应室侧的端部的情况下，也能够抑制第一工艺气体向反应室的供给的不稳定化。因此，根据第一实施方式的气相生长装置，能够提高膜的特性的再现性。
图1是第一实施方式的气相生长装置的示意剖视图。第一实施方式的气相生长装置100例如是在单晶的SiC基板上外延生长出单晶的SiC膜的单片型的外延生长装置。
第一实施方式的气相生长装置100具备反应室10、第一气体室11(气体室)、第二气体室12、多个第一气体流路51(气体流路)、多个第二气体流路52、第一气体供给口81、以及第二气体供给口82。反应室10具备基座14(保持架)、旋转体16、旋转轴18、旋转驱动机构20、第一加热器22、反射体28、支承柱30、固定台32、固定轴34、罩(hood)40、第二加热器42、以及气体排出口44。
反应室10例如为不锈钢制。反应室10具有圆筒状的壁。在反应室10内，在晶片W上形成SiC膜。晶片W是基板的一例。
基座14设置于反应室10之中。在基座14上能够载置晶片W。在基座14上，也可以在中心部设置有开口部。基座14是保持架的一例。
基座14例如由SiC、碳或以SiC或TaC涂层后的碳等耐热性高的材料形成。
基座14固定于旋转体16的上部。旋转体16固定于旋转轴18。基座14间接地固定于旋转轴18。
旋转轴18能够通过旋转驱动机构20旋转。通过旋转驱动机构20，能够通过使旋转轴18旋转来使基座14旋转。通过使基座14旋转，能够使载置于基座14的晶片W旋转。
通过旋转驱动机构20，例如，能够使晶片W以300rpm以上且3000rpm以下的旋转速度旋转。旋转驱动机构20例如由马达和轴承构成。
第一加热器22设置于基座14之下。第一加热器22设置于旋转体16内。第一加热器22从下方对保持于基座14的晶片W进行加热。第一加热器22例如是电阻加热器。第一加热器22例如是实施了梳形图案的圆板状。
反射器28设置于第一加热器22之下。在反射器28与基座14之间设置有第一加热器22。
反射器28将从第一加热器22向下方放射的热反射，提高晶片W的加热效率。另外，反射器28防止比反射器28靠下方的部件被加热。反射器28例如为圆板状。反射器28例如由被SiC覆盖的碳等耐热性高的材料形成。
反射器28例如通过多个支承柱30被固定于固定台32。固定台32例如由固定轴34支承。
为了使基座14相对于旋转体16上进行装卸，而在旋转体16内设置有顶起销(未图示)。顶起销例如贯通反射器28及第一加热器22。
第二加热器42设置于罩40与反应室10的内壁之间。第二加热器42从上方对保持于基座14的晶片W进行加热。通过除了第一加热器22以外还利用第二加热器42对晶片W进行加热，由此能够将晶片W加热至SiC膜的生长所需的温度、例如1500℃以上的温度。第二加热器42例如是电阻加热器。
罩40例如为圆筒状。罩40具备防止第一工艺气体G1、第二工艺气体G2与第二加热器42接触的功能。罩40例如由被SiC覆盖的碳等耐热性高的材料形成。
气体排出口44设置于反应室10的底部。气体排出口44将源气体在晶片W表面发生反应后的剩余的反应生成物、以及剩余的工艺气体排出到反应室10的外部。气体排出口44例如与未图示的真空泵连接。
另外，在反应室10设置有未图示的晶片出入口和闸阀。通过晶片出入口以及闸阀，能够将晶片W搬入到反应室10内，或者搬出到反应室10外。
第一气体室11设置于反应室10之上。在第一气体室11设置有用于导入第一工艺气体G1的第一气体供给口81。从第一气体供给口81导入的第一工艺气体G1被填充于第一气体室11之中。
第一工艺气体G1例如包含硅(Si)的源气体。第一工艺气体G1例如是硅的源气体、抑制硅的簇化的辅助气体、以及运载气体的混合气体。
硅的源气体例如是硅烷(SiH4)。辅助气体例如是氯化氢(HCl)。运载气体例如为氩气或氢气。
第二气体室12设置于反应室10之上。第二气体室12设置于反应室10与第一气体室11之间。在第二气体室12设置有用于导入第二工艺气体G2的第二气体供给口82。从第二气体供给口82导入的第二工艺气体G2被填充于第二气体室12之中。
第二工艺气体G2例如包含碳的源气体。第二工艺气体G2例如是碳的源气体、n型杂质的掺杂气体、以及运载气体的混合气体。第二工艺气体G2与第一工艺气体G1不同。
碳的源气体例如为丙烷(C3H8)。n型杂质的掺杂气体例如为氮气。运载气体例如为氩气或氢气。
多个第一气体流路51设置于第一气体室11与反应室10之间。第一气体流路51从第一气体室11向反应室10供给第一工艺气体G1。
多个第二气体流路52设置于第二气体室12与反应室10之间。第二气体流路52从第二气体室12向反应室10供给第二工艺气体G2。
图2是第一实施方式的第一气体流路的示意剖视图。第一气体流路51具有上部区域51a(第一区域)和下部区域51b(第二区域)。下部区域51b位于上部区域51a与反应室10之间。
上部区域51a具有与处理气体的流动方向(图2中的白色箭头：第一方向)垂直的面(图2中的P1)中的第一开口截面积S1。另外，上部区域51a具有处理气体的流动方向(图2中的白色箭头)的第一长度L1。
上部区域51a例如是长度为L1的圆筒形状。面P1中的上部区域51a的开口截面例如是直径为D1的圆形。
下部区域51b具有与处理气体的流动方向(图2中的白色箭头)垂直的面(图2中的P2)中的第二开口截面积S2。另外，下部区域51b具有处理气体的流动方向(图2中的白色箭头)的第二长度L2。
下部区域51b例如是长度为L2的圆筒形状。面P2中的下部区域51b的开口截面例如是直径为D2的圆形。
下部区域51b的内壁面与面P2所成的角度θ例如为80度以上。另外，第二长度L2例如为5mm以上。
第一开口截面积S1比第二开口截面积S2小。另外，第一长度L1为第二长度L2以下。即，下部区域51b的下端的第二流路面积(开口截面积)比上部区域51a的上端的第一流路面积(开口截面积)大，气体流路51的中间位置(上端和下端的中间高度位置)处的流路面积大于上端的流路面积、且为下端的流路面积以下。
上部区域51a具有第一传导率C1，下部区域51b具有第二传导率C2。第一传导率C1比第二传导率C2小。第一传导率C1相对于第二传导率C2的比率(以下，也称为传导率比率)例如为1％以上且40％以下。
第一传导率C1与第二传导率C2的大小关系，与上部区域51a的传导率系数和下部区域51b的传导率系数的大小关系一致。另外，第一传导率C1相对于第二传导率C2的比率(传导率比率)，与传导率系数的比率即((D1)4/L1)/((D2)4/L2)一致。
图3是第一实施方式的第二气体流路的示意剖视图。第二气体流路52具有上部区域52a(第三区域)和下部区域52b(第四区域)。下部区域52b位于上部区域52a与反应室10之间。
上部区域52a具有与工艺气体的流动方向(图3中的白色箭头：第二方向)垂直的面(图3中的P3)中的第三开口截面积S3。另外，上部区域52a具有处理气体的流动方向(图3中的白色箭头)的第三长度L3。
上部区域52a例如是长度为L3的圆筒形状。面P3中的上部区域52a的开口截面例如是直径为D3的圆形。
下部区域52b具有与处理气体的流动方向(图3中的白色箭头)垂直的面(图3中的P4)中的第四开口截面积S4。另外，下部区域52b具有处理气体的流动方向(图3中的白色箭头)的第四长度L4。
下部区域52b例如是长度为L4的圆筒形状。面P4中的下部区域52b的开口截面例如是直径为D4的圆形。
下部区域52b的内壁面与面P4所成的角度θ例如为80度以上。另外，第四长度L4例如为5mm以上。
第三开口截面积S3比第四开口截面积S4小。另外，第三长度L3为第四长度L4以下。
上部区域52a具有第三传导率C3，下部区域52b具有第四传导率C4。第三传导率C3比第四传导率C4小。第三传导率C3相对于第四传导率C4的比率(传导率比率)例如为1％以上且40％以下。
第三传导率C3与第四传导率C4的大小关系，与上部区域52a的传导率系数和下部区域52b的传导率系数的大小关系一致。另外，第三传导率C3相对于第四传导率C4的比率(传导率比率)与传导率系数的比率即((D3)4/L3)/((D4)4/L4)一致。
接着，对第一实施方式的气相生长装置的作用及效果进行说明。
图4是第一实施方式的气相生长装置的作用及效果的说明图。图4是比较例的气体流路59的示意剖视图。比较例的气体流路59为圆筒形状。比较例的气体流路59的开口截面是直径为D0的圆形。
例如，在晶片W上形成SiC膜的情况下，气体流路59的反应室10侧的端部的温度因辐射热而上升。由于温度上升，有时工艺气体的反应生成物99堆积于气体流路59的反应室10侧的端部。反应生成物99的厚度为t，长度为Lx。通过反复进行SiC膜的形成，由此堆积物的厚度t变厚，长度Lx变长。
由于反应生成物99的堆积，在气体流路59的反应室10侧的端部，内壁面的有效直径变小到(D0-2t)。内壁面的有效直径变小，由此开口截面积也变小，气体流路59的传导率变小。因此，工艺气体难以流过气体流路59。
气体流路59的传导率会产生经时变化，由此在气体流路59中流动的工艺气体的流速、流量会产生经时变化，SiC膜的特性的再现性降低。特别是在反应生成物99向多个气体流路59的堆积中存在气体流路59的位置依存性的情况下，SiC膜的特性的晶片面内均匀性的再现性也降低。即，在多个气体流路59之间，传导率的变化量不同，供给到反应室10之中的工艺气体的平衡被破坏，SiC膜的晶片面内均匀性的再现性降低。
由于反应生成物99的堆积，例如SiC膜的膜厚、载流子浓度的平均值的再现性降低。另外，例如SiC膜的膜厚、载流子浓度的晶片面内均匀性的再现性降低。
图5是第一实施方式的气相生长装置的作用及效果的说明图。图5是第一气体流路51的示意剖视图。
第一实施方式的气相生长装置的第一气体流路51具有传导率小的上部区域51a和传导率大的下部区域51b这2层结构。传导率大的下部区域51b位于第一气体流路51的反应室10侧。通过使第一开口截面积S1小于第二开口截面积S2，由此使第一气体流路51的传导率小于下部区域51b的传导率。
即使反应生成物99堆积于下部区域51b的反应室10侧的端部、从而下部区域51b的传导率降低，与比较例的情况相比，也能够抑制第一气体流路51整体的传导率的降低。因此，能够抑制SiC膜的特性的再现性的降低。
图6是第一实施方式的气相生长装置的作用及效果的说明图。图6是表示在比较例及实施例1～5的气体流路中堆积有反应生成物的情况下的传导率变化率的计算结果的图。
实施例1～5以图2所示的第一气体流路51的形状为前提。另外，堆积的反应生成物99为，厚度t＝0.5mm，长度Lx＝5mm。
传导率比率是第一传导率C1相对于第二传导率C2的比率、即传导率系数的比率。另外，传导率变化率是相对于反应生成物99的堆积前的第一气体流路51整体的传导率系数而言的堆积后的传导率系数的比率。传导率变化率越接近100％，表示传导率的降低越小。
通过采用实施例的结构，与比较例相比，传导率变化率接近100％。因此，与反应生成物99的堆积相伴的传导率的变化得到抑制。因此，抑制了SiC膜的特性的再现性的降低。
传导率比率优选为1％以上且40％以下，更优选为20％以上且30％以下。若低于上述范围，则担心气体流量低下。若高于上述范围，则与反应生成物99的堆积相伴的传导率的变化的抑制效果有可能变得不充分。
图7是第一实施方式的气相生长装置的作用及效果的说明图。图7是表示使用比较例及实施例的气体流路的情况下的SiC膜的特性的经时变化的图。图7的(a)是比较例的情况，图7的(b)是实施例的情况。实施例使用与图6的实施例4相当的气体流路。
横轴是使用气相生长装置进行SiC膜的形成的处理次数。纵轴是SiC膜的载流子浓度的晶片面内均匀性(载流子浓度均匀性)。另外，纵轴是导入至第二气体室12的第二工艺气体G2所包含的碳相对于导入至第一气体室11的第一工艺气体G1所包含的硅的原子比(C/Si比)。在形成SiC膜时，通过调整C/Si比进行控制，以使载流子浓度的晶片面内均匀性收敛于例如15％以内。
如图7的(a)所示，在比较例的情况下，为了保持载流子浓度的晶片面内均匀性，需要使C/Si比为范围而变化0.21。与此相对，如图7的(b)所示，在实施例的情况下，仅通过使C/Si比为范围而变化0.03，就能够保持载流子浓度的晶片面内均匀性。根据以上的结果，与比较例相比，实施例中的SiC膜的特性的再现性明显提高。
在第一气体流路51中，下部区域51b的内壁面与面P2所成的角度优选为80度以上，更优选为85度以上。若低于上述范围，则辐射热容易照射到下部区域51b的内壁面。因此，下部区域51b的内壁面的温度上升变大，反应生成物99的堆积量有可能增加。
另外，通过将第一长度L1设为第二长度L2以下，由此抑制在上部区域51a的内壁面发生反应生成物99的堆积。
在第一气体流路51中，第二长度L2优选为5mm以上，更优选为10mm以上。若低于上述范围，则有可能在上部区域51a的内壁面发生反应生成物99的堆积。
以上，根据第一实施方式的气相生长装置，即使在反应生成物堆积于气体流路的反应室侧的端部的情况下，也能够抑制工艺气体向反应室的供给的不稳定化。因此，根据第一实施方式的气相生长装置，能够提高膜的特性的再现性。
(第二实施方式)
第二实施方式的气相生长装置在第一区域由能够与第二区域分离的部件形成这一点上与第一实施方式的气相生长装置不同。以下，对于与第一实施方式重复的内容，省略一部分记述。
图8是第二实施方式的第一气体流路的示意剖视图。第一气体流路51具有上部区域51a和下部区域51b。第一气体流路51包含部件51x。
部件51x形成上部区域51a的至少一部分。部件51x构成为能够与下部区域51b分离。
通过由能够与下部区域51b分离的部件51x形成上部区域51a，由此第一开口截面积S1、第一长度L1的调整变得容易。因此，容易提高膜的特性的再现性。
根据第二实施方式的气相生长装置，与第一实施方式的气相生长装置同样地，即使反应生成物堆积于气体流路的反应室侧的端部的情况下，也能够抑制工艺气体向反应室的供给的不稳定化。因此，能够提高膜的特性的再现性。进而，通过使用部件51x，提高膜的特性的再现性变得容易。
(第三实施方式)
第三实施方式的气相生长装置在气体室为1个这一点上与第一实施方式的气相生长装置不同。以下，对于与第一实施方式重复的内容，省略一部分记述。
图9是第三实施方式的气相生长装置的示意剖视图。第三实施方式的气相生长装置300例如是在单晶的SiC基板上外延生长出单晶的SiC膜的单片型的外延生长装置。
第三实施方式的气相生长装置300具备反应室10、气体室15(第一气体室)、多个气体流路55(第一气体流路)、第一气体供给口81、第二气体供给口82。反应室10具备基座14(保持架)、旋转体16、旋转轴18、旋转驱动机构20、第一加热器22、反射体28、支承柱30、固定台32、固定轴34、罩40、第二加热器42、以及气体排出口44。
气体室15设置于反应室10之上。在气体室15中设置用于导入工艺气体G0(第一工艺气体)的气体供给口85。从气体供给口85导入的工艺气体G0被填充到气体室15之中。
工艺气体G0例如是硅(Si)的源气体、碳(C)的源气体、n型杂质的掺杂气体、抑制硅的簇化的辅助气体、以及包含运载气体的混合气体。硅的源气体例如是硅烷(SiH4)。碳的源气体例如为丙烷(C3H8)。n型杂质的掺杂气体例如为氮气。辅助气体例如是氯化氢(HCl)。运载气体例如为氩气或氢气。
多个气体流路55设置于气体室15与反应室10之间。气体流路55从气体室15向反应室10供给工艺气体G0。气体流路55例如具有与第一实施方式的第一气体流路51相同的结构。
根据第三实施方式的气相生长装置，与第一气相生长装置同样地，即使在反应生成物堆积于气体流路的反应室侧的端部的情况下，也能够抑制工艺气体向反应室的供给的不稳定化。因此，根据第三实施方式的气相生长装置，能够提高膜的特性的再现性。
以上，参照具体例对本发明的实施方式进行了说明。上述实施方式仅作为例子而列举的，并不限定本发明。另外，也可以适当组合各实施方式的构成要素。
在实施方式中，以形成单晶的SiC膜的情况为例进行了说明，但也能够将本发明应用于多晶或非晶的SiC膜的形成中。另外，也能够将本发明应用于SiC膜以外的膜的形成中。
另外，在实施方式中，将单晶SiC的晶片作为基板的一例进行了说明，但基板并不限定于单晶SiC的晶片。
另外，在实施方式中，作为n型杂质以氮为例进行了说明，但作为n型杂质，例如也能够应用磷(P)。另外，作为杂质也能够应用p型杂质。
另外，在实施方式中，以气体流路为圆筒形状的情况为例进行了说明，但气体流路的形状不限于圆筒形状，也可以是四棱柱等其他形状。另外，在实施方式中，以气体流路的开口截面为圆形的情况为例进行了说明，但气体流路的开口截面不限于圆形，也可以是椭圆、正方形、长方形等其他形状。
在实施方式中，省略了装置结构、制造方法等在本发明的说明中不直接需要的部分等的记载，但可以适当选择使用所需的装置结构、制造方法等。此外，具备本发明的要素且本领域技术人员能够适当设计变更的全部气相生长装置、环状保持架以及气相生长方法包含在本发明的范围内。本发明的范围由权利要求书及其等同物的范围定义。
另外，本发明的气体流路在反应生成物堆积于气体流路的反应室侧的端部的情况下具有显著的效果。在反应生成物向多个气体流路的堆积中存在气体流路的位置依存性的情况下，也可以限定于反应生成物容易堆积的气体流路而使用本发明的气体流路。
附图标记说明
10…反应室
11…第一气体室(气体室)
12…第二气体室
15…气体室
14…基座(保持架)
51…第一气体流路(气体流路)
51a…上部区域(第一区域)
51b…下部区域(第二区域)
51x…部件
52…第二气体流路
52a…上部区域(第三区域)
52b…下部区域(第四区域)
100…气相生长装置
300…气相生长装置
G0…工艺气体(第一工艺气体)
G1…第一工艺气体(工艺气体)
G2…第二工艺气体
W…晶片(基板)
L1…第一长度
L2…第二长度
S1…第一开口截面积
S2…第二开口截面积

Claims (10)

1.一种气相生长装置，具备：
反应室；
第一气体室，设置于所述反应室之上，被导入第一工艺气体；
多个第一气体流路，从所述第一气体室向所述反应室供给所述第一工艺气体；
保持架，设置于所述反应室之中，能够载置基板；以及
加热器，能够将所述基板加热至1500℃以上的温度，
所述多个第一气体流路分别包括构成所述第一气体流路的外周的第一环状部件，所述第一环状部件包括第一上部区域和第一下部区域，所述第一下部区域设置于所述第一上部区域与所述反应室之间，所述第一上部区域的内径与所述第一下部区域的上端部的内径相等，
所述多个第一气体流路中的至少1个第一气体流路具有第一区域和位于所述第一区域与所述反应室之间的第二区域，
所述第一区域包括所述第一上部区域和第一部件，所述第一部件被插入到所述第一上部区域的内侧，所述第一部件具有第一贯通孔，所述第一部件能够与所述第一环状部件分离，所述第一部件的上端部的外径大于所述第一部件的下端部的外径，
所述第二区域包括所述第一下部区域，
所述第一区域具有与所述第一工艺气体的流动方向垂直的面中的第一开口截面积和所述方向的第一长度，所述第二区域具有与所述方向垂直的面中的第二开口截面积和所述方向的第二长度，所述第一开口截面积比所述第二开口截面积小，所述第一长度为所述第二长度以下，
所述第一区域具有第一传导率，所述第二区域具有第二传导率，所述第一传导率相对于所述第二传导率的比率为1％以上且40％以下。
2.根据权利要求1所述的气相生长装置，其中，
所述第二区域的内壁面与垂直于所述方向的面所成的角度为80度以上。
3.根据权利要求1所述的气相生长装置，其中，
所述第二长度为5mm以上。
4.根据权利要求1所述的气相生长装置，其中，还具备：
第二气体室，设置于所述反应室与所述第一气体室之间，被导入与所述第一工艺气体不同的第二工艺气体；以及
多个第二气体流路，从所述第二气体室向所述反应室供给所述第二工艺气体，
所述多个第二气体流路分别包括构成所述第二气体流路的外周的第二环状部件，所述第二环状部件包括第二上部区域和第二下部区域，所述第二下部区域设置于所述第二上部区域与所述反应室之间，所述第二上部区域的内径与所述第二下部区域的上端部的内径相等，
所述多个第二气体流路中的至少1个第二气体流路具有第三区域和位于所述第三区域与所述反应室之间的第四区域，
所述第三区域包括所述第二上部区域和第二部件，所述第二部件被插入到所述第二上部区域的内侧，所述第二部件具有第二贯通孔，所述第二部件能够与所述第二环状部件分离，所述第二部件的上端部的外径大于所述第二部件的下端部的外径，
所述第四区域包括所述第二下部区域，
所述第三区域具有与所述第二工艺气体流动的第二方向垂直的面中的第三开口截面积和所述第二方向的第三长度，所述第四区域具有与所述第二方向垂直的面中的第四开口截面积和所述第二方向的第四长度，所述第三开口截面积比所述第四开口截面积小，所述第三长度为所述第四长度以下。
5.根据权利要求4所述的气相生长装置，其中，
所述第三区域由能够与所述第四区域分离的部件形成。
6.根据权利要求4所述的气相生长装置，其中，
所述第三区域具有第三传导率，所述第四区域具有第四传导率，所述第三传导率相对于所述第四传导率的比率为1％以上且40％以下。
7.根据权利要求4所述的气相生长装置，其中，
所述第四区域的内壁面与垂直于所述第二方向的面所成的角度为80度以上。
8.根据权利要求4所述的气相生长装置，其中，
所述第二长度为5mm以上，所述第四长度为5mm以上。
9.一种气相生长装置，具备：
气体室，设置于反应室上，被导入工艺气体；
多个气体流路，从所述气体室向所述反应室供给所述工艺气体；
保持架，设置于所述反应室之中，能够载置基板；以及
加热器，能够将所述基板加热至1500℃以上的温度，
所述多个气体流路分别包括构成所述气体流路的外周的环状部件，所述环状部件包括上部区域和下部区域，所述下部区域设置于所述上部区域与所述反应室之间，所述上部区域的内径与所述下部区域的上端部的内径相等，
多个所述气体流路中的至少1个气体流路具有：第一区域，包含所述气体流路的上端；以及第二区域，位于所述第一区域与所述反应室之间，
所述第一区域包括所述上部区域和部件，所述部件被插入到所述上部区域的内侧，所述部件具有贯通孔，所述部件能够与所述环状部件分离，所述部件的上端部的外径大于所述部件的下端部的外径，
所述第二区域包括所述下部区域，
所述气体流路的下端的第二流路面积比所述气体流路的上端的第一流路面积大，所述气体流路的所述上端与所述下端的中间位置处的流路面积比所述第一流路面积大、且为所述第二流路面积以下，
所述第一区域具有第一传导率，所述第二区域具有第二传导率，所述第一传导率相对于所述第二传导率的比率为1％以上且40％以下。
10.一种气相生长方法，
在反应室内载置基板，
将所述基板加热至1500℃以上的温度，
从设置于所述反应室之上的气体室经由多个气体流路向所述反应室内导入工艺气体，
所述多个气体流路分别包括构成所述气体流路的外周的环状部件，所述环状部件包括上部区域和下部区域，所述下部区域设置于所述上部区域与所述反应室之间，所述上部区域的内径与所述下部区域的上端部的内径相等，
多个所述气体流路中的至少1个气体流路具有：第一区域，具有第一传导率；以及第二区域，位于所述第一区域与所述反应室之间，距离比所述第一区域长，且具有第二传导率，
所述第一区域包括所述上部区域和部件，所述部件被插入到所述上部区域的内侧，所述部件具有贯通孔，所述部件能够与所述环状部件分离，所述部件的上端部的外径大于所述部件的下端部的外径，
所述第二区域包括所述下部区域，
所述第一传导率相对于所述第二传导率的比率为1％以上且40％以下。
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