JP2579821Y2 - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JP2579821Y2 JP2579821Y2 JP4798392U JP4798392U JP2579821Y2 JP 2579821 Y2 JP2579821 Y2 JP 2579821Y2 JP 4798392 U JP4798392 U JP 4798392U JP 4798392 U JP4798392 U JP 4798392U JP 2579821 Y2 JP2579821 Y2 JP 2579821Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction gas
- reaction
- return nozzle
- reaction tube
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は反応管内に反応ガスを導
入してウェーハ上に薄膜を生成する半導体製造装置に関
する。
入してウェーハ上に薄膜を生成する半導体製造装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来装置の１例の構成を示す説明
図、図４は図３のＢ−Ｂ線断面図である。この従来装置
は、反応管１内に反応ガスを反応ガス導入ポート部３よ
りリターンノズル２Ａを通り、反応管１の側面縦方向に
穿設した多数の反応ガス噴出口４を経て導入し、ヒータ
５により加熱されたウェーハ上にリターンノズル２Ａを
通過する迄に加熱された反応ガスにより薄膜を生成する
ものである。
図、図４は図３のＢ−Ｂ線断面図である。この従来装置
は、反応管１内に反応ガスを反応ガス導入ポート部３よ
りリターンノズル２Ａを通り、反応管１の側面縦方向に
穿設した多数の反応ガス噴出口４を経て導入し、ヒータ
５により加熱されたウェーハ上にリターンノズル２Ａを
通過する迄に加熱された反応ガスにより薄膜を生成する
ものである。
【０００３】
【考案が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
例にあっては、膜生成の条件変更等により、反応ガス噴
出口４の数，大きさ等を変更する場合、反応管１そのも
のを修正もしくは再製作しなければならないという課題
がある。
例にあっては、膜生成の条件変更等により、反応ガス噴
出口４の数，大きさ等を変更する場合、反応管１そのも
のを修正もしくは再製作しなければならないという課題
がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本考案は、反応ガス噴出
口４を容易に変更できる半導体製造装置を提供しようと
するものである。即ち、本考案装置は、反応管１に多数
の反応ガス噴出口４を有するリターンノズル２を着脱可
能に取付けてなる。
口４を容易に変更できる半導体製造装置を提供しようと
するものである。即ち、本考案装置は、反応管１に多数
の反応ガス噴出口４を有するリターンノズル２を着脱可
能に取付けてなる。
【０００５】
【作 用】反応ガスは、反応ガス導入ポート部３よりリ
ターンノズル２の導入側流路を通り、導出側流路の多数
の反応ガス噴出口４に達する迄に、ヒータにより充分に
加熱され、この加熱された反応ガスは、多数の反応ガス
噴出口４より反応管１内に均一に分布されて噴出される
ことになる。従って反応管１内で加熱されたウェーハ上
に均一な薄膜が生成されることになる。又、反応管１に
リターンノズル２を着脱可能に取付けているため、リタ
ーンノズル２を交換することで、反応ガス噴出口４の
数，大きさ等を容易に変更することができる。
ターンノズル２の導入側流路を通り、導出側流路の多数
の反応ガス噴出口４に達する迄に、ヒータにより充分に
加熱され、この加熱された反応ガスは、多数の反応ガス
噴出口４より反応管１内に均一に分布されて噴出される
ことになる。従って反応管１内で加熱されたウェーハ上
に均一な薄膜が生成されることになる。又、反応管１に
リターンノズル２を着脱可能に取付けているため、リタ
ーンノズル２を交換することで、反応ガス噴出口４の
数，大きさ等を容易に変更することができる。
【０００６】
【実施例】図１は本考案装置の１実施例の構成を示す説
明図、図２（Ａ）は図１のＡ−Ａ線断面図、図２（Ｂ）
は図１のＣ部の詳細断面図である。反応管１には導出側
流路に多数の反応ガス噴出口４を有するリターンノズル
２が着脱可能に取付けられている。このリターンノズル
２は一端側に設けられたガス導入ポート３より他端側へ
伸び、折り返して一端側へ戻るＵ字型ノズルが用いられ
る。５はヒータである。Ｕ字型リターンノズル２は、テ
フロン製継手７によって、反応管ポート６に接続されて
いる。したがって、この継手部７により容易にリターン
ノズル２を交換することができる。
明図、図２（Ａ）は図１のＡ−Ａ線断面図、図２（Ｂ）
は図１のＣ部の詳細断面図である。反応管１には導出側
流路に多数の反応ガス噴出口４を有するリターンノズル
２が着脱可能に取付けられている。このリターンノズル
２は一端側に設けられたガス導入ポート３より他端側へ
伸び、折り返して一端側へ戻るＵ字型ノズルが用いられ
る。５はヒータである。Ｕ字型リターンノズル２は、テ
フロン製継手７によって、反応管ポート６に接続されて
いる。したがって、この継手部７により容易にリターン
ノズル２を交換することができる。
【０００７】反応ガスは、反応ガス導入ポート部３より
Ｕ字型リターンノズル２の導入側流路を通り、導出側流
路の多数の反応ガス噴出口４に達する迄に、ヒータ５に
より充分に加熱され、この加熱された反応ガスは、多数
の反応ガス噴出口４より反応管１内に均一に分布されて
噴出されることになる。従って反応管１内で加熱された
ウェーハ上に均一な薄膜が生成されることになる。又、
反応管１にＵ字型リターンノズル２を着脱可能に取付け
ているため、Ｕ字型リターンノズル２を交換すること
で、反応ガス噴出口４の数，大きさ等を容易に変更する
ことができる。
Ｕ字型リターンノズル２の導入側流路を通り、導出側流
路の多数の反応ガス噴出口４に達する迄に、ヒータ５に
より充分に加熱され、この加熱された反応ガスは、多数
の反応ガス噴出口４より反応管１内に均一に分布されて
噴出されることになる。従って反応管１内で加熱された
ウェーハ上に均一な薄膜が生成されることになる。又、
反応管１にＵ字型リターンノズル２を着脱可能に取付け
ているため、Ｕ字型リターンノズル２を交換すること
で、反応ガス噴出口４の数，大きさ等を容易に変更する
ことができる。
【０００８】
【考案の効果】上述のように本考案によれば、反応管１
にリターンノズル２を着脱可能に取付けたので、リター
ンノズル２を交換することで、反応ガス噴出口４の数，
大きさを容易に変更することができ、膜生成の条件変更
等に対処することができる。リターンノズル２は導入側
流路が長いため、反応ガスを，反応ガス噴出口４に達す
るまでにヒータ５により充分に加熱することができると
共に、リターンノズル２の導出側流路に多数の反応ガス
噴出口４が穿設されているので、反応ガスを、反応管１
内に均一に分布させて噴出することができ、ウェーハ上
の生成膜を均一にすることができる。
にリターンノズル２を着脱可能に取付けたので、リター
ンノズル２を交換することで、反応ガス噴出口４の数，
大きさを容易に変更することができ、膜生成の条件変更
等に対処することができる。リターンノズル２は導入側
流路が長いため、反応ガスを，反応ガス噴出口４に達す
るまでにヒータ５により充分に加熱することができると
共に、リターンノズル２の導出側流路に多数の反応ガス
噴出口４が穿設されているので、反応ガスを、反応管１
内に均一に分布させて噴出することができ、ウェーハ上
の生成膜を均一にすることができる。
【図１】本考案装置の１実施例の構成を示す説明図であ
る。
る。
【図２】（Ａ）は図１のＡ−Ａ線断面図、（Ｂ）は図１
のＣ部の詳細断面図である。
のＣ部の詳細断面図である。
【図３】従来装置の１例の構成を示す説明図である。
【図４】図３のＢ−Ｂ線断面図である。
１ 反応管 ２ Ｕ字型リターンノズル ４ 反応ガス噴出口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/205 C23C 16/44 C30B 25/14
Claims (1)
- 【請求項１】 反応管（１）内に反応ガスを反応ガス導
入ポート部よりリターンノズルを通して導入し、ウェー
ハ上に薄膜を生成する半導体製造装置において、前記反
応管（１）に多数の反応ガス噴出口（４）を有するリタ
ーンノズル（２）を着脱可能に取付けてなる半導体製造
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4798392U JP2579821Y2 (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4798392U JP2579821Y2 (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH062680U JPH062680U (ja) | 1994-01-14 |
| JP2579821Y2 true JP2579821Y2 (ja) | 1998-09-03 |
Family
ID=12790555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4798392U Expired - Fee Related JP2579821Y2 (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2579821Y2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS502218Y1 (ja) * | 1967-08-21 | 1975-01-21 | ||
| JP6113626B2 (ja) * | 2013-10-21 | 2017-04-12 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP7365761B2 (ja) * | 2018-08-24 | 2023-10-20 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 気相成長装置 |
-
1992
- 1992-06-15 JP JP4798392U patent/JP2579821Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH062680U (ja) | 1994-01-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |