JPS62235472A - 薄膜半導体の製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はＣＶＤプラズマ放電により均一な膜厚の薄膜半
導体を製造する方法に関する。

（従来技術およびその問題点） ＣＶＤプラズマ放電中で薄膜半導体を成膜時、従来は第
３図に示すように大型カソード板２に対して複数個のノ
ズル１７が配置され、ノズル１７の径、本管１３の径は
同一形状で、しかも放電領域１６内で原料ガスを供給し
ていた。図中、１１はフロートンネルを示す。この場合
、原料ガス供給源に近いノズル１７ａと遠いノズル１７
ｂとでは噴出ｆｆ１Ｐに差があり、膜厚が均一にならな
い。また、噴出ノズルが放電領域１６中にあるので、ノ
ズル１７周辺に薄膜が堆積し、時間経過で噴出量Ｐが変
化し、これによってら膜厚分布が生じる欠点があった。

（目的） 本発明は、上記従来技術の欠点を解消し、ロールツウロ
ール方式による単一薄膜層を成膜する際に、薄膜層の幅
方向及び長手方向の膜厚分布の均一化、及び膜質の管理
を容易にし、歩留及び電気的出力が安定した薄膜半導体
装置の製造方法を提供する。

即ち、本発明は原料ガスを複数のノズルから均−ｆｆｉ
で噴出し、かつ放電領域へシート状層流の形で導入しつ
つ、プラズマＣＶＤを行なうことを特徴とする均一な膜
厚の薄膜半導体の製法を提供する。

（実施例） 第１図および第２図に基づいて本発明を説明する。

本発明の製造方法では、第１に原料ガスが複数ノズルか
ら均一量で噴出する。従来は第３図に示すように原料ガ
ス供給管夏９はノズル■７を有するガス管Ｉ３に直結さ
れ、供給管１９に近いノズル１７ａと遠い１７ｂとの間
に供給量の差が生じる。

本発明では第１図および第２図に示すように原料ガス供
給管９がノズル部に到達する曲に径らしくは幅の広い中
継管５に接続され、供給管９の圧力が直接ノズルに到達
しないように圧力の均等化をはかる。この中継管５にノ
ズル部が接続されているため、圧力の均等化されたガス
がノズル７から噴出される。従って、供給管５に近いノ
ズル７ａと遠いノズル７ｂとの間に余り圧力の差が生じ
ず、供給量においても差が生じない。

また、本発明ではノズル口へのプラズマＣＶＤによる膜
形成を避けるために、ノズル口をガスバフラ−４により
保護し、しかもこのガスバフラ−４の開口部４ａから放
電領域６にシート状層流の形で原料ガスが均一供給量で
供給されるので、この点でも膜厚の均一な半導体、薄膜
の形成が行なわれる。尚、第１図および第２図において
ｌはフロートンネル、２カソード板を示す。

本発明方法によれば膜厚の管理、安定した歩留及び高信
頼性のロールツウロール方式での製造が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明方法に用いる装置の断面配管図を示す。 第２図は本発明方法に用いる装置の平面配管図を示す。 第３図は従来方法を示す平面配管図を示す。 図中の番号は以下の通りである。 ！・・・フロートンネル、　　２・・・カソード板、４
・・・ガスバフラ−１５・・・中継管、６・・・放電領
域、　　　　　７・・・ノズル口、９・・・原料ガス供
給管、　１１・・・フロートンネル、１２・・・カソー
ド板、　　　　１３・・・本管、１６・・・放電領域、
　　　　　１７・・・ノズル口、１９・・・原料ガス供
給管。 第１図 第２図 第３図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、原料ガスを複数のノズルから均一量で噴出し、かつ
   放電領域へシート状層流の形で導入しつつ、プラズマＣ
   ＶＤを行なうことを特徴とする均一な膜厚の薄膜半導体
   の製法。 ２、原料ガスの均一噴出が原料供給ノズルから供給され
   た原料ガスを一旦広い管径を有する中継管からノズルに
   導入することにより行なわれる第１項記載の製法。 ３、原料ガスのシート状層流の形成がノズルから噴出し
   た原料ガスをガスバフラーで受け止め、ガスバフラーの
   間隙から放電領域に送られることによりなされる第１項
   記載の製法。