JP2005116901A - プラズマ成膜装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 各電極の対向面への膜付着を防止するとともに成膜効率を向上できるプラズマ成膜装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ成膜装置Ｍ１は、電界印加手段３に接続された電界印加電極３１と、この電極３１の下側に対向配置されるとともに接地された接地電極３２を備えている。電界印加電極３１は２つ有り、これらの間に、膜の原料を含む第１ガスを通す垂直な第１通路５１が設けられている。各電界印加電極３１と接地電極３２の間に、膜の原料を含まない第２ガスを通す傾斜した第２通路５２が設けられている。第１通路５１の下流端と第２通路５２の下流端は、互いに交差し、しかもこの交差部が吹出し口１０ａとなっている。
【選択図】 図１

Description

この発明は、半導体素子の製造等に用いられるプラズマ成膜装置に関し、特に、略常圧下（大気圧近傍の圧力下）において、成膜対象を電極間の外部に配置し、これに処理ガスを吹き付ける所謂リモート式の常圧プラズマ成膜（プラズマＣＶＤ）を行なうのに適した装置に関する。

例えば、特許文献１には、常圧リモート式プラズマ成膜装置が記載されている。該装置は、一対の電極を収容したノズルを備えている。一対の電極間に電界が印加されるとともに、例えばシラン（ＳｉＨ_４）等を含む処理ガスが通される。これにより、処理ガスがプラズマ化（活性化）される。このプラズマガスが、ノズルから吹出され、その先に配された基材に当てられる。これによって、基材の表面にポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）等の膜を形成できる。この成膜処理は、略常圧下で行なわれる。

特許文献２には、ポストミックス型の低圧リモート式プラズマ成膜装置が記載されている。この装置の電極間には膜原料を含まないガス（例えば水素）が通され、プラズマ化されて吹出される。このプラズマ吹出し口の近傍から膜原料ガスを別途吹出す。吹出されたプラズマガスと膜原料ガスが互いに拡散しながら混合（ポストミックス）して反応し、基材の表面に膜が形成される。この成膜処理は、例えば１５Ｐａ以下の低圧下で行なわれる。

特開２００２−１５１４２０号公報（第１頁） 特開２００３−７３８３５号公報（第１頁）

特許文献１のように、膜原料を電極間に通す構造では、プラズマ化された膜原料が電極の対向面に付着しやすく、頻繁にメンテナンスする必要がある。その点で、特許文献２のようなポストミックス型では、上記付着を防止できるというメリットがある。一方、吹出し後のプラズマ（活性種）は拡散の過程で失活していくため、十分な膜化反応を得るのは容易でない。常圧近傍では、活性種の寿命が特に短いため、一層困難である。

本発明に係るプラズマ成膜装置は、電界印加手段に接続された電界印加電極と、この電界印加電極と対向するとともに接地された接地電極と、膜の原料を含む第１ガスを通す第１通路と、前記電界印加電極と接地電極との間の電界印加空間を主要素として構成され、膜の原料を含まない第２ガスを通す第２通路と、を備え、前記第１通路の下流端と第２通路の下流端が互いに交差し、しかもこの交差部が、第１、第２ガスの吹出し口となっていることを特徴とする。
これによって、各電極の対向面に膜が付着するのを防止できるだけでなく、第１ガスとプラズマ化された第２ガスを吹出しと同時に混合でき、拡散を待つことなく活性種が失活しないうちに十分な膜化反応を得ることができ、成膜効率を高めることができる。

本発明は、活性種の寿命が短い略常圧の環境での成膜処理において、特に効果的である。本発明における略常圧とは、１．３３３×１０⁴〜１０．６６４×１０⁴Ｐａの範囲を言う。特に９．３３１×１０⁴〜１０．３９７×１０⁴Ｐａの範囲は、圧力調整が容易で装置構成が簡便になり、好ましい。

前記第１通路と第２通路が鋭角に交差していることが望ましい。
これによって、第１、第２ガスを１つの流れになるように混合しながら成膜対象に確実に吹付けることができ、成膜効率を確実に高めることができる。

前記電界印加電極と接地電極と第１、第２通路とが設けられた処理ヘッドを備え、この処理ヘッドが、前記吹出し口が開口されるとともに成膜対象に対向すべき面を有し、前記第１、第２通路のうちの一方の通路が、前記成膜対象対向面に対し直交し、他方の通路が、前記成膜対象対向面に対し斜めをなし前記一方の通路と鋭角に交差していることが望ましい。
これによって、一方の通路からのガスを成膜対象に対し真向いから吹出すとともにこの一方のガスに他方の通路からのガスを斜めに合流させ１つの流れになるようにすることができる。

前記第１、第２通路のうち一方の通路を中に置いて、他方の通路が、前記一方の通路を挟むように、または囲むように配され、かつ下流端に向かうにしたがって前記一方の通路に近づき、吹出し口において互いに交差していることが望ましい。
これによって、一方の通路からのガスの両側または周囲に他方の通路からのガスを合流させることができる。
ここで、「他方の通路が一方の通路を挟む」場合とは、他方の通路が、一方の通路の両側に２つ配されている場合である。「他方の通路が一方の通路を囲む」場合とは、他方の通路が、一方の通路を中に置いて下流に向かって一方の通路に近づくように求心状に配置されている場合である。「求心状」の他方の通路とは、一方の通路を囲む環状断面をなし、下流に向かって縮径する構造になっていてもよく、一方の流路を囲むようにして該一方の流路の周方向に間隔を置いて配置された複数の枝路で構成され、これら枝路が下流に向かって一方の流路に近付く構造になっていてもよい。

前記電界印加電極と接地電極が２つずつ有り、２つの電界印加電極が、互いに対向して間に前記第１通路が設けられるとともに、電界印加電極と接地電極が１つずつ対向して間に前記第２通路がそれぞれ形成されており、これにより、１つの第１通路を挟んで２つの第２通路が下流端に向かうにしたがって第１通路へ近づくように配され、吹出し口においてこれら３つの通路が互いに交差していることが望ましい。
これによって、プラズマ化された第２ガスを第１ガスの両側から合流させることができる。

前記２つの電界印加電極と２つの接地電極が設けられた処理ヘッドを備え、この処理ヘッドが、前記吹出し口が開口されるとともに成膜対象に対向すべき面を有し、この成膜対象対向面に対し前記２つの電界印加電極間の第１通路が直交しており、前記２つの電界印加電極の各々が、前記第１通路を向く側とは逆側であって前記成膜対象対向面に対し斜めをなす第１の面を有し、前記２つの接地電極の各々が、対応電界印加電極の前記第１面と平行に対向して間に前記第２通路を形成する第２面を有していることが望ましい。
これによって、各電界印加電極を、接地電極を挟んで成膜対象とは逆側に配置でき、電界印加電極から成膜対象へのアーク放電を防止でき、確実に良好な成膜処理を行なうことができる。また、第１ガスを成膜対象に対し真正面から吹出すとともにこの第１ガスの両側にプラズマ化された第２ガスを斜めに合流させ、１つの流れになるようにすることができる。

前記２つの第２通路が、前記第１通路を挟んで対称をなしていることが望ましい。
これによって、プラズマ化された第２ガスを第１ガスの両側から均等に合流させることができる。

前記接地電極が、前記成膜対象対向面を有していることが望ましい。
これによって、各電界印加電極から成膜対象へのアーク放電を一層確実に防止できる。

本発明によれば、各電極の対向面に膜が付着するのを防止できるだけでなく、第１ガスとプラズマ化された第２ガスを吹出しと同時に混合でき、拡散を待つことなく活性種が失活しないうちに十分な膜化反応を得ることができ、成膜効率を高めることができる。

以下、本発明の一実施形態を、図面を参照して説明する。
図１は、本実施形態に係るポストミックス型のリモート式常圧プラズマ成膜装置Ｍ１を示したものである。装置Ｍ１は、架台（図示せず）に支持された処理ヘッド１と、この処理ヘッド１に接続された２種類の処理ガス供給源２Ａ，２Ｂと、パルス電源３を備えている。処理ヘッド１の下方には、ステージ４ａが配されている。このステージ４ａ上に板状の基材Ｗ（成膜対象）が配置される。常圧プラズマ成膜装置Ｍ１は、この基板Ｗの上面（表面）に、ポリシリコン等の薄膜Ａ（図２）を常圧下で気相成長させ成膜するようになっている。なお、図１の矢印に示すように、ステージ４ａは、搬送機構４によって処理ヘッド１に対し左右方向に相対移動するようになっている。

常圧プラズマ成膜装置Ｍ１の２種類のガス供給源２Ａ，２Ｂのうち、第１ガス供給源２Ａには、上記ポリシリコン等の膜Ａとなる原料（例えばシラン（ＳｉＨ_４））を含む第１ガスが貯えられている。第２ガス供給源２Ｂには、前記原料を含まず、かつ電界印加によって前記原料を膜化可能に励起される第２ガス（例えばＨ_２）が貯えられている。第１、第２ガスは、液相で貯えられ、気化器にて気化されるようになっていてもよい。

パルス電源３（電界印加手段）は、後記電極３１にパルス電圧を出力するようになっている。このパルスの立上がり時間及び／又は立下り時間は、１０μｓ以下、パルス継続時間は、２００μｓ以下、電界強度は１〜１０００ｋＶ／ｃｍ、周波数は０．５ｋＨｚ以上であることが望ましい。

常圧プラズマ成膜装置Ｍ１の処理ヘッド１について説明する。
処理ヘッド１は、前後（図１の紙面に対し直交方向）に延びるノズル部１０と、その側部に設けられたサイドフレーム１２と、これらの上面に被せられたアッパープレート１３を有している。

アッパープレート１３は、上下に重ねられた２枚のセラミック板にて構成されている。アッパープレート１３上には、第１ガス整流部１４が設けられている。第１ガス供給源２Ａからの管２ｃが、第１ガス整流部１４に接続されている。図示は簡略化するが、第１ガス整流部１４のステンレス製本体１４Ｘの内部には、前後に分散配置された多数の小孔や前後に延びるチャンバー等を上下に連ねてなる均一化路１４ａが設けられている。均一化路１４ａの下端部は、アッパープレート１３の左右中央部に形成された前後細長スリット状の導入路１３ａに連なっている。供給源２Ａから管２ｃを経た第１ガスは、上記均一化路１４ａにて前後に均一化された後、導入路１３ａに導入されるようになっている。

処理ヘッド１のサイドフレーム１２は、１枚の厚肉セラミック板１２Ｕと、２枚のステンレスやアルミ等からなる金属板１２Ｍ，１２Ｌを上下に重ねることによって構成されている。セラミック板１２Ｕの左右両側には、第２ガス受容れポート１５が、前後に離れて複数設けられている。第２ガス供給源２Ｂからの管２ｄが、分岐して各受容れポート１５に接続されている。セラミック板１２Ｕとその下側の金属板１２Ｍとの間には、薄厚の隙間１２ａが形成され、この隙間１２ａの左右端部が、受容れポート１５に連なっている。

処理ヘッド１のノズル部１０について説明する。
図２に拡大して示すように、ノズル部１０は、セラミック製のノズルホディ１６と、このノズルボディ１６に支持された左右２つの電界印加電極３１と、これらの下側に配置された左右２つの接地電極３２を有し、左右対称をなしている。

各電界印加電極３１は、ステンレスやアルミ等の導体金属からなる電界印加電極本体３１Ｘと、この本体３１Ｘを収容するセラミック製のケース３３とを有し、前後（図面の紙面直交方向）に延びている。電界印加電極本体３１Ｘの断面は、底面が左右中央（他方の電界印加電極３１側）に向かって下に傾く斜面をなす略台形をなしている。電界印加電極本体３１Ｘのすべての角は、アーク放電防止のためにＲが付けられている。

セラミックケース３３は、電界印加電極本体３１Ｘの表面に設けるべき固体誘電体層としての役目を担っている。セラミックケース３３は、上面が開口されるとともに前後に細長い箱状をなすケース本体３３ａと、このケース本体３３ａの上面開口を塞ぐ蓋３３ｂを有している。ケース本体３３ａの底板は、側板および蓋３３ｂと比べ非常に薄くなっている。このケース本体３３ａの底板は、左右中央（他方の電界印加電極３１側）に向かって下に傾いている。この傾斜した底板の内底に、台形状断面の電界印加電極本体３１Ｘの傾斜した底面が宛がわれている。
ケース本体３３ａ内の電界印加電極３１より上側には、セラミック製のスペーサ３５が装填されている。

各電界印加電極３１には、給電ピン３７が設けられている。給電ピン３７は、垂直をなして蓋３３ｂとスペーサ３５を貫通し、電界印加電極本体３１Ｘに埋入されている。給電ピン３７の上端部は、ノズルボディ１６の上面に形成された凹部１６ａに収容されている。図１に示すように、電源３から給電線３ａが延び、各給電ピン３７の上端部に接続されている。なお、凹部１６ａの上端開口には、セラミック製のキャップ１７が設けられている。

ノズル部１０の左右対称をなす２つの電界印加電極３１どうしの間には、第１通路５１が設けられている。第１通路５１は、垂直をなし、電極３１の全長にわたって前後（図面の紙面直交方向）に延びている。第１通路５１の上端部（上流端）は、ノズルボディ１６を貫き、アッパープレート１３の導入路１３ａの前後全長に連なっている。ひいては、整流部１４の均一化路１４ａおよび管２ｃを介し、第１ガス供給源２Ａに連なっている。
各電界印加電極３１とノズルボディ１６の第１通路５１形成面には、セラミック製のプレート１８が宛がわれている。プレート１８の上端部は、導入路１３ａの内面に及んでいる。

左右の各電界印加電極３１の下側には、当該電極３１と対になる接地電極３２がそれぞれ配されている。左右の接地電極３２どうしは、ノズル部１０の左右中央の第１通路５１を挟んで対称をなしている。各接地電極３２は、ステンレスやアルミ等の導体金属からなる接地電極本体３２Ｘと、この接地電極本体３２Ｘの固体誘電体層としてのアルミナ等からなる薄く平らな板３４とを有し、前後（図面の紙面直交方向）に延びている。

接地電極本体３２Ｘは、水平な底面（成膜対象対向面）と、この底面に対し鋭角をなすように左右中央に向かって下に傾く斜面とを有し、断面台形状をなしている。左右の接地電極本体３２Ｘの底面どうしは、互いに面一をなしている。

図１に示すように、各接地電極本体３２Ｘは、その左右外側の金属板１２Ｍ，１２Ｌに連結されている。この金属板１２Ｍ，１２Ｌの外端面に接地ピン３８が設けられている。この接地ピン３８から接地線３ｂが延び、接地されている。これによって、接地電極３２の接地がなされている。

台形断面をなす接地電極本体３２Ｘの斜面の傾斜角度は、それと対をなす上側の電界印加電極３１の傾斜底部の傾斜角度と等しい。この接地電極本体３２Ｘの斜面上に、固体誘電体板３４が宛がわれている。勿論、固体誘電体板３４は、本体３２Ｘの斜面に沿ってそれと等角度で傾斜している。

第１通路５１より左側において上下に対をなす電極３１，３２どうし間に、第２通路５２Ｌが形成され、第１通路５１より右側において上下に対をなす電極３１，３２どうし間に、第２通路５２Ｒが形成されている。具体的には、電界印加電極３１のケース本体３３ａの傾斜した底面（第１面）と、その下側の接地電極３２の固体誘電体板３４の傾斜した表側面（第２面）との間の空間が、第２通路５２Ｌ，５２Ｒとなっている。前記電極３１，３２間の空間すなわち第２通路５２Ｌ，５２Ｒには、電源３からのパルス電圧供給によってパルス電界が印加されることになる。なお、各第２通路５２Ｌ，５２Ｒは、電極３１，３２の全長にわたって前後（図面の紙面直交方向）に延びている。

第２通路５２Ｌ，５２Ｒの上端部（上流端）は、接地電極３２の上面とノズルボディ１６との間の水平な隙間５４を介してサイドフレーム１２の隙間１２ａの前後全長に連なっている。ひいては、受容れポート１５および管２ｄを介し、第２ガス供給源２Ｂに連なっている。

左側の第２通路５２Ｌは、左側の電極３１，３２の傾斜面に対応して、下に向かうにしたがって右側に傾き第１通路５１に近づいている。右側の第２通路５２Ｒは、右側の電極３１，３２の傾斜面に対応して、下に向かうにしたがって左側に傾き第１通路５１に近づいている。左右の第２通路５２Ｌ，５２Ｒの傾斜角度は、垂直な第１通路５１を挟んで対称になっている。

左右の第２通路５２Ｌ，５２Ｒの下端部（下流端）は、第１通路５１の下端部（下流端）と一箇所で鋭角に交差している。この３つの通路５１，５２Ｌ，５２Ｒの交差部が、ノズル部１０の吹出し口１０ａになっている。吹出し口１０ａは、左右の接地電極３２どうしで作るノズル部１０の底面に開口している。

上記のように構成された常圧プラズマ成膜装置Ｍ１の動作を説明する。
供給源２Ａからの膜原料を含む第１ガスが、管２ｃを経て整流部１４の均一化路１４ａにて前後に均一化された後、導入路１３ａを通り、第１通路５１に導入される。この第１通路５１は、同極の電極３１，３１どうしの間に配され、電界が印加されないため、第１ガスは、プラズマ化されることなくそのまま下流端の吹出し口１０ａへ向かう。したがって、第１ガス中の膜原料が、膜化して第１通路５１形成面（プレート１８の表面）に付着することはない。

第１ガスの流通と同時併行して、供給源２Ｂからの膜原料を含まない第２ガスが、管２ｄ、受容れポート１５、隙間１２ａ，５４を順次経て、左右の第２通路５２Ｌ，５２Ｒにそれぞれ導入される。また、パルス電源３からのパルス電圧が、左右の電界印加電極３１にそれぞれ供給される。これによって、左右それぞれの異極電極３１，３２どうし間にパルス電界が印加され、各第２通路５２Ｌ，５２Ｒ内にグロー放電が起き、第２ガスがプラズマ化（励起、活性化）され、活性種が発生する。第２ガスは、膜原料を含んでいないので、プラズマ化しても膜化することはなく、第２通路５２Ｌ，５２Ｒ形成面（ケース３３の底面及び固体誘電体板３４の表面）に付着することはない。

図２の矢印に示すように、このプラズマ化された第２ガスが、第２通路５２Ｌ，５２Ｒの下流端の吹出し口１０ａに達した時、第１通路５１からの第１ガスと合流する。合流によって第１ガスの膜原料が第２ガスの活性種と接触し反応を起こす。これらガスは、合流と同時に、すなわち上記反応が起きると同時に、吹出し口１０ａから下方に吹出される。したがって、吹出し口１０ａに膜が付着することはない。

吹出された第１、第２ガスは、互いに混合して１つの流れになり、基板Ｗに吹付けられる。これによって、基板Ｗにポリシリコン等の膜Ａを形成することができる。前後（図の紙面直交方向）に延びる吹出し口１０ａの全長からガスが吹出されることにより、基材Ｗの前後長さの全長にわたって一度に成膜できる。また、搬送機構４によって基材Ｗが左右に移動されることにより、基材Ｗの上面全体に成膜を行なうことができる。この成膜処理は常圧下でなされる。

上述したように、膜原料と活性種との接触は、第１、第２ガスがそれぞれ吹出し口１０ａに達して吹出されるのと同時に起きる。したがって、吹出し後の拡散を待つ必要がない。よって、活性種が殆ど失活しておらず、反応を十分に起こさせることができる。特に、活性種の寿命が短い常圧下での処理であっても、十分な反応を確保できる。この結果、良好な膜Ａを得ることができ、成膜効率を高めることができる。また、反応性を高めるために基板Ｗを高温加熱しなくても済み、常温でも十分に成膜することができる。

垂直な第１通路５１に対し第２通路５２Ｌ，５２Ｒが鋭角に交差しているので、第１、第２ガスを１つの流れになるように混合しながら基板Ｗに確実に吹付けることができ、成膜効率をより高めることができる。
しかも、中央の第１通路５１を挟んで左右の第２通路５２Ｌ，５２Ｒが対称的に設けられているので、第１ガスの左右両側に第２ガスを均等に合流させて１つの流れし、基板Ｗに真正面に吹付けられるようにすることができ、成膜効率を一層高めることができる。

基板Ｗには接地電極３２が面し、電界印加電極３１は接地電極３２を挟んで基板Ｗとは逆側に来る配置関係になっているので、電界印加電極３１から基板Ｗへのアーク放電を防止でき、確実に良好な成膜処理を行なうことができる。

本発明は、前記実施形態に限定されず、種々の形態を採用可能である。
例えば、第１通路は、２つ以上有ってもよい。第２通路は、１つ、または３つ以上有ってもよい。
第２通路を成膜対象対向面に対し垂直に配置し、第１通路を斜めに配置してもよい。
第２通路を中央に１つ配し、その両側に２つの第１通路を配することにしてもよい。
第１、第２通路および電極は、前後に直線状に延びている場合に限られず、例えば断面環状をなしていてもよい。電界印加電極と接地電極のうちの一方の電極の周りを他方の電極が環状をなして囲んでいてもよい。前記一方の電極の内部に第１通路を形成し、一方の電極と他方の電極との間の環状空間を第２通路としてもよい。
第１、第２通路の一方を中に置いて他方の通路が下流に向かって一方の通路に近づくように求心状に配置されていてもよい。
第１通路は、２つの電界印加電極の間に設けなくてもよく、管等の専用の通路構成部材を用いてもよい。
本発明は、略常圧下に限らず、減圧下で行なう低圧プラズマ成膜にも適用できる。

本発明の一実施形態に係るポストミックス型のリモート式常圧プラズマ成膜装置を、該装置の処理ヘッドについては断面で示す概略構成図である。 前記処理ヘッドのノズル部の拡大断面図である。

符号の説明

Ｍ１ ポストミックス型リモート式常圧プラズマ成膜装置
Ｗ 基板（成膜対象）
１ 処理ヘッド
２Ａ 第１ガス供給源
２Ｂ 第２ガス供給源
３ パルス電源（電界印加手段）
１０ ノズル部
１０ａ 吹出し口
３１ 電界印加電極
３２ 接地電極
５１ 第１通路
５２Ｌ 左側の第２通路
５２Ｒ 右側の第２通路

Claims (8)

1. 電界印加手段に接続された電界印加電極と、
   この電界印加電極と対向するとともに接地された接地電極と、
   膜の原料を含む第１ガスを通す第１通路と、
   前記電界印加電極と接地電極との間の電界印加空間を主要素として構成され、膜の原料を含まない第２ガスを通す第２通路と、
   を備え、
   前記第１通路の下流端と第２通路の下流端が互いに交差し、しかもこの交差部が、第１、第２ガスの吹出し口となっていることを特徴とするプラズマ成膜装置。
2. 前記第１通路と第２通路が鋭角に交差していることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ成膜装置。
3. 前記電界印加電極と接地電極と第１、第２通路とが設けられた処理ヘッドを備え、
   この処理ヘッドが、前記吹出し口が開口されるとともに成膜対象に対向すべき面を有し、
   前記第１、第２通路のうちの一方の通路が、前記成膜対象対向面に対し直交し、他方の通路が、前記成膜対象対向面に対し斜めをなし前記一方の通路と鋭角に交差していることを特徴とする請求項２に記載のプラズマ成膜装置。
4. 前記第１、第２通路のうち一方の通路を中に置いて、他方の通路が、前記一方の通路を挟むように、または囲むように配され、かつ下流端に向かうにしたがって前記一方の通路に近づき、吹出し口において互いに交差していることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載のプラズマ成膜装置。
5. 前記電界印加電極と接地電極が２つずつ有り、
   ２つの電界印加電極が、互いに対向して間に前記第１通路が設けられるとともに、電界印加電極と接地電極が１つずつ対向して間に前記第２通路がそれぞれ形成されており、
   これにより、１つの第１通路を挟んで２つの第２通路が下流端に向かうにしたがって第１通路へ近づくように配され、吹出し口においてこれら３つの通路が互いに交差していることを特徴とする請求項１または２に記載のプラズマ成膜装置。
6. 前記２つの電界印加電極と２つの接地電極が設けられた処理ヘッドを備え、
   この処理ヘッドが、前記吹出し口が開口されるとともに成膜対象に対向すべき面を有し、
   この成膜対象対向面に対し前記２つの電界印加電極間の第１通路が直交しており、
   前記２つの電界印加電極の各々が、前記第１通路を向く側とは逆側であって前記成膜対象対向面に対し斜めをなす第１の面を有し、
   前記２つの接地電極の各々が、対応電界印加電極の前記第１面と平行に対向して間に前記第２通路を形成する第２面を有していることを特徴とする請求項５に記載のプラズマ成膜装置。
7. 前記２つの第２通路が、前記第１通路を挟んで対称をなしていることを特徴とする請求項６に記載のプラズマ成膜装置。
8. 前記接地電極が、前記成膜対象対向面を有していることを特徴とする請求項３、６、７の何れかに記載のプラズマ成膜装置。

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