JP4494942B2

JP4494942B2 - プラズマ処理装置

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Publication number: JP4494942B2
Application number: JP2004336115A
Authority: JP
Inventors: 進屋代
Original assignee: Sekisui Chemical Co Ltd
Current assignee: Sekisui Chemical Co Ltd
Priority date: 2004-11-19
Filing date: 2004-11-19
Publication date: 2010-06-30
Anticipated expiration: 2024-11-19
Also published as: JP2006147358A

Description

本発明は、プラズマ放電部の外部に配置した被処理物にプラズマガスを吹き付ける所謂リモート式のプラズマ処理装置に関する。

例えば、特許文献１には、所謂リモート式のプラズマ処理装置が記載されている。この装置は、一対の電極の対向面に固体誘電体板をそれぞれ設け、これら固体誘電体板どうし間にプロセスガスを通してプラズマ化し、下方の被処理物吹き付け、表面処理を行なうようになっている。
特許文献２には、リモート式プラズマ処理装置において、一対の電極間のプロセスガス通路に原料ガスを通すとともに片側の電極の内部に導入口を別途形成し、この導入口から酸素・窒素含有ガスを原料ガスに混入することが記載されている。
特開平０９−９２４９３号公報特開２００３−５９９２４号公報

プロセスガスは、複数種のガス成分を混合して使用される場合が少なくない。ガス混合には混合機を用いるが、流量計や電磁弁等も必要となり、設備が大掛かりになってしまう。
上掲特許文献２では、電極に酸素・窒素含有ガスを混入用の穴を形成してあるが、この穴の周辺で異常放電が起きるおそれがある。

発明者は、プロセスガスの添加成分が、雰囲気ガス成分と同じ場合には、雰囲気ガスを添加すればよいとの着想を得た。
本発明は、上記着想の下になされたものであり、プロセスガスを、プラズマ放電部を主部とするプロセスガス通路に通して吹出し、被処理物に当ててプラズマ処理を行なう装置であって、
前記プラズマ放電部を形成するための一対の電極と、これら電極を対向させ、間に前記プロセスガス通路が形成されるように保持する保持部とを有し、前記保持部には、雰囲気ガスに面する外面から延びて前記プロセスガス通路のプラズマ放電部より上流側の部分に連通する雰囲気導入路が形成され、前記プロセスガス通路におけるプロセスガスの流れによって雰囲気ガスが雰囲気導入路を経てプロセスガス通路に引き込まれるようになっており、前記一対の電極のうち少なくとも１の電極の対向面には、固体誘電体の板が設けられ、この固体誘電体板が、前記プロセスガス通路を画成するとともに前記電極よりプロセスガス通路の上流側へ突出し、この突出部分に前記雰囲気導入路のプロセスガス通路への連通路が形成されていることを第１の特徴とする。
これによって、雰囲気ガスをプロセスガスに混入でき、プロセスガス源として雰囲気ガスと同成分を用意する必要がなく、混合機や流量計や電磁弁等の混合用装置も不要になり、設備の簡素化を図ることができる。また、プラズマ放電部より上流で混合を行なうことにより、雰囲気ガス成分をもプラズマ放電部においてプラズマ化できる。雰囲気導入路のプロセスガス通路への連通部分は、プラズマ放電部より上流側に離れているので、この連通部分で異常放電が起きるおそれがない。

また、本発明は、プロセスガスを、プラズマ放電部を主部とするプロセスガス通路に通して吹出し、被処理物に当ててプラズマ処理を行なう装置であって、
前記プラズマ放電部を形成するための一対の電極と、これら電極を対向させ、間に前記プロセスガス通路が形成されるように保持する保持部とを有し、前記保持部には、雰囲気ガスに面する外面から延びて前記プロセスガス通路のプラズマ放電部より下流側の部分に連通する雰囲気導入路が形成され、前記プロセスガス通路におけるプロセスガスの流れによって雰囲気ガスが雰囲気導入路を経てプロセスガス通路に引き込まれるようになっており、前記一対の電極のうち少なくとも１の電極の対向面には、固体誘電体の板が設けられ、この固体誘電体板が、前記プロセスガス通路を画成するとともに前記電極よりプロセスガス通路の下流側へ突出し、この突出部分に前記雰囲気導入路のプロセスガス通路への連通路が形成されていることを第２の特徴とする。
これによって、雰囲気ガスをプラズマ化したプロセスガスに混入でき、プロセスガス源として雰囲気ガスと同成分を用意する必要がなく、混合機や流量計や電磁弁等の混合用装置も不要になり、設備の簡素化を図ることができる。また、雰囲気導入路のプロセスガス通路への連通部分は、プラズマ放電部より下流側に離れているので、この連通部分で異常放電が起きるおそれがない。

第１特徴又は第２の特徴において、前記雰囲気導入路が、前記プロセスガス通路に対し該プロセスガス通路の下流側へ向かって斜めに連なっていることが望ましい。
これによって、雰囲気ガスを確実にプロセスガス通路に引き込ませることができる。

本発明は、プロセスガスを、プラズマ放電部を主部とするプロセスガス通路に通して吹出し、被処理物に当ててプラズマ処理を行なう装置であって、前記プラズマ放電部を形成するための一対の電極と、これら電極を対向させ、間に前記プロセスガス通路が形成されるように保持する保持部とを有し、前記保持部には、雰囲気ガスに面する外面から延びて前記プロセスガス通路のプラズマ放電部より上流側の部分に連通する雰囲気導入路が形成され、前記プロセスガス通路におけるプロセスガスの流れによって雰囲気ガスが雰囲気導入路を経てプロセスガス通路に引き込まれるようになっており、前記一対の電極のうち少なくとも１の電極の対向面には、固体誘電体の板が設けられ、この固体誘電体板が、前記プロセスガス通路を画成するとともに前記電極よりプロセスガス通路の上流側へ突出し、この突出端面が、前記プロセスガス通路の側を向く斜面をなし、一方、前記保持部には、この固体誘電体板の突出端面と略平行に対向する斜面が形成され、両斜面によって前記雰囲気導入路のプロセスガス通路への連通路が形成されていることを他の特徴とする。固体誘電体板を保持部の前記斜面に接近離間可能にすれば、前記連通路の厚さを調節でき、雰囲気ガスの混入量を調節することができる。

上記の各特徴において、第１前記プロセスガス通路が、前記雰囲気導入路との連通部を境に下流側が上流側より拡開されていてもよい。
これによって、雰囲気ガスを確実にプロセスガス通路に引き込ませることができる。

上記の各特徴において、前記雰囲気導入路の保持部外面への開口部に、詰め部材が取り外し可能に設けられ、この詰め部材に外端面から奥端面へ貫通する透孔が形成されていることが望ましい。これによって、透孔の大きさが互いに異なる詰め部材を複数用意しておき、付け替えることによって、雰囲気ガスの混入量を簡単に調節することができる。

本発明のプラズマ処理は、好ましくは、大気圧近傍の圧力下（略常圧）で実行される。ここで、大気圧近傍とは、１．０１３×１０⁴〜５０．６６３×１０⁴Ｐａの範囲を言い、圧力調整の容易化や装置構成の簡便化を考慮すると、１．３３３×１０⁴〜１０．６６４×１０⁴Ｐａが好ましく、９．３３１×１０⁴〜１０．３９７×１０⁴Ｐａがより好ましい。

本発明によれば、プロセスガスの流れに伴って雰囲気ガスを雰囲気導入路からプロセスガス通路に引き込み、雰囲気ガスをプロセスガスに混入することができる。よって、プロセスガス源として雰囲気ガスと同成分を用意する必要がなく、設備の簡素化を図ることができる。雰囲気導入路のプロセスガス通路への連通部分がプラズマ放電部より上流側又は下流側に離れているので、この連通部分で異常放電が起きるおそれがない。

以下、本発明の第１実施形態を図面にしたがって詳述する。
図１は、例えばフィルム、ガラス、シリコンウェハ等を被処理物Ｗとし、この被処理物Ｗの表面改質等を行なうリモート式常圧プラズマ処理装置Ａを示したものである。プラズマ処理装置Ａは、ガス導入ユニット１０と放電処理ユニット２０とを備えている。
ガス導入ユニット１０にはプロセスガス源２が接続されている。プロセスガス源２は、処理目的に応じたガスが貯えられている。この実施形態では、洗浄や表面改質用のプロセスガスとして窒素ガスが貯えられている。この窒素ガスが、ガス導入ユニット１０内のガス均一化室１１に送られて均一化され、後記プロセスガス通路２０ａに均一に導入されるようになっている。

ガス導入ユニット１０の下側に上記放電処理ユニット２０が設けられている。
放電処理ユニット２０は、左右一対の電極３１，３１と、これら電極３１，３１を保持する保持部２１を有している。電極３１，３１は、ステンレスやアルミ等の金属にて構成されている。図１及び図２に示すように、これら電極３１，３１は、断面四角形状をなして前後（図１の紙面直交方向）に延び、互いに左右に対向して配置されている。片側（図において左側）のホット電極３１は、電源３に接続され、反対側（右側）のアース電極３１は電気的に接地されている。

図１に示すように、保持部２１は、左右一対のフレーム２２，２２と、各フレーム２２，２２の下端にそれぞれ取り付けられた一対のロアカバー２３，２３を有している。これら保持部構成部材２２，２３は、合成樹脂（例えばＭＣナイロン、テフロン（登録商標）、ユニレート、塩化ビニル）等の絶縁性材料にて構成され、電極３１，３１を絶縁している。各フレーム２２は、断面逆Ｌ字状をなし、対応する電極３１の上面と背面（他方の電極３１との対向面とは逆側の面）に宛がわれている。このフレーム２２と電極３１の下面に跨るようにロアカバー２３が宛がわれている。
詳細な図示は省略するが、左右のフレーム２２，２２は、図１の紙面と直交する前後方向の両端部に通されたボルト締め付けによって互いに連結されている。
なお、ロアカバー２３は、一体物に限られず、図６（ａ）に示すように、外側のロアカバー部材２３Ａと、内側（他方のロアカバーとの対向側）のロアカバー部材２３Ｂとに分かれていてもよい。この場合、外側のロアカバー部材２３Ａは、合成樹脂にて構成する一方、内側のロアカバー部材２３Ｂは、石英やアルミナ等の耐プラズマ性を有する絶縁材料にて構成するとよい。

図１に示すように、２つの電極３１，３１の対向面には、石英ガラスやアルミナ等の固体誘電体からなる板３３，３３がそれぞれ当接されている。これら固体誘電体板３３，３３の厚さは、１ｍｍ〜２ｍｍ程度である。なお、固体誘電体板３３に代えて、アルミナ等の固体誘電体を溶射等で被膜することにしてもよい。固体誘電体板３３，３３の上下両端部は、それぞれ電極３１，３１より上下に突出されている。

図２に示すように、一対の固体誘電体板３３，３３の間の前後両端部（図２において上下）には、絶縁体からなる薄板状のスペーサ２４がそれぞれ挟まれている。これら固体誘電体板３３，３３どうしの間にスペーサ２４の厚さ分のプロセスガス通路２０ａがスリット状に形成されている。図１に示すように、プロセスガス通路２０ａの上端部（上流端）は、上記ガス導入部１０のガス均一化室１１に連なっている。

一対の固体誘電体板３３，３３の下端面は、ロアカバー２３の下面と面一をなしている。これにより、プロセスガス通路２０ａの下端部（下流端）が、放電処理ユニット２０の底面に開口され、プラズマ吹出し口２０ｃを構成している。
なお、図６（ａ）に示すように、固体誘電体板３３の下端部をロアカバー２３の中途の高さに位置させてもよい。また、同図（ｂ）に拡大して示すように、固体誘電体板３３の下端面３３ｂをプロセスガス通路２０ａの側を向く斜面にしてもよい。そして、ロアカバー２３Ｂのプロセスガス通路２０ａ形成面に固体誘電体板３３の下端部を嵌める断面クサビ状の溝２３ｃを形成し、この溝２３ｃの斜面をなす下端面２３ｄに固体誘電体板３３の下端斜面３３ｂを押し当て係止するようにしてもよい。これによって、固体誘電体板３３をしっかり固定することができるとともに、電極３１と固体誘電体板３３の密着性を向上させることができ、これら電極３１と固体誘電体板３３どうしの間に隙間が形成されるのを確実に防止できる。これによって、電極３１と固体誘電体板３３の間にアークが発生するのを防止でき、パーティクルの発生を防止することができる。

図１に示すように、放電処理ユニット２０の左右のフレーム２２，２２には、雰囲気導入路２５がそれぞれ形成されている。雰囲気導入路２５は、フレーム２２の外面から延びる導孔２５ａと、この導孔２５ａに連なるチャンバー２５ｂと、このチャンバー２５ｂに連なる連通路２５ｃとを有している。
図２に示すように、導孔２５ａは、フレーム２２の前後方向に離れて３つ形成されているが、３つに限定されるものではなく、１つまたは２つでもよく、４つ以上でもよい。

図４及び図５に示すように、導孔２５ａのフレーム外面側への開口部２５ｄは、拡径され、その内周面に雌ネジが形成されている。この開口部２５ｄに詰め部材４０が取り付けられている。詰め部材４０の外周面には雄ネジが形成されており、開口部２５ｄの雌ネジに螺合されるようになっている。詰め部材４０には、透孔４１が外端面から奥端面へ貫通形成されている。この透孔４１を介して雰囲気導入路２５が外部と連通するようになっている。

図５に示すように、プラズマ処理装置Ａには、透孔４１の径が互いに異なる複数種類の詰め部材４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃが用意されている。これら詰め部材４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃの１つが選択されて開口部２５ｄに取り付けられている。勿論、他の詰め部材４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃに適宜付け替え可能になっている。
なお、詰め部材４０を設けず、開口部２５ｄをそのまま外部に連通させてもよく、開口部２５ｄを導孔２５ａと同径にしてもよい。

図１及び図２に示すように、各導孔２５ａの奥端は、チャンバー２５ｂに連なっている。チャンバー２５ｂは、電極３１の上面と固体誘電体板３３の背面とフレーム２２に形成された凹部２２ｂとによって画成され、前後に延びている。

図３に示すように、固体誘電体板３３の上端面３３ａは、プロセスガス通路２０ａを向く斜面をなしている。一方、フレーム２２には、固体誘電体板３３の上側に被さる断面逆三角形状の突部２６が一体に形成されている。突部２６は、図３の紙面直交方向に延びている。突部２６の固体誘電体板３３との対向面２６ａは、固体誘電体板３３の斜面をなす上端面３３ａと平行な斜面になっている。この固体誘電体板３３の上端斜面３３ａと突部２６の斜面２６ａとによって、上記雰囲気導入路２５の連通路２５ｃが形成されている。連通路２５ｃは、チャンバー２５ｂから斜め下に延び、プロセスガス通路２０ａのプラズマ放電部２０ｂより上側（上流側）の通路部分２０ｅに連なっている。

装置Ａの周りの雰囲気ガス（空気）が、詰め部材４０の透孔４１を介して雰囲気導入路２５の導孔２５ａに入り込み、チャンバー２５ｂに充填され、さらに連通路２５ｃに入り込んでいる。

上記プラズマ処理装置によって被処理物Ｗの表面処理を行なう方法を説明する。
電源３からホット電極３１に電圧供給を行なう。これによって、図３に示すように、一対の電極３１，３１間に常圧グロー放電が起き、プロセスガス通路２０ａの主部（背部に電極３１が配置された部分）が、プラズマ放電部２０ｂ（図３の散点模様で示した部分）となる。
併行して、プロセスガス源２のプロセスガス（窒素）を、ガス導入部１０を経てプロセスガス通路２０ａの上側通路部分２０ｅに導入し、下方へ流す。このプロセスガスが雰囲気導入路２５との連通部を通過するのに伴い、雰囲気導入路２５と通路部分２０ｅとの間に圧力差が生じ、雰囲気導入路２５の雰囲気ガス（空気）が通路部分２０ｅ内に引き込まれる。特に、雰囲気導入路２５の連通路２５ｃが下に向かって斜めになっているので、プロセスガスが雰囲気導入路２５に逆進入することがなく、雰囲気ガスの引き込みをスムーズかつ確実に行なうことができる。

これによって、プロセスガス（窒素）中に雰囲気ガス（空気）が小量混入され、窒素を主成分とし、酸素を微小量添加したプロセスガスが出来ることになる。したがって、プラズマガス源２として酸素ソースを用意する必要が無い。混合機や流量計や電磁弁等の混合用装置も不要であり、設備構成の簡素化を図ることができる。

雰囲気ガス混入後のプロセスガスは、上側通路部分２０ｅからプラズマ放電部２０ｂに流れ込み、プラズマ化される。このプラズマガスが、プラズマ吹出し口２０ｃから吹出され、被処理物Ｗの表面に吹き付けられる。これによって、被処理物Ｗの表面改質等のプラズマ表面処理を行なうことができる。上記の空気混入による微小酸素によって処理性能を大きく向上させることができる。
雰囲気導入路２５の開口部２５ｄの詰め部材４０を、透孔４１の径が異なるものに付け替えることによって、雰囲気導入路２５からプロセスガス通路２０ａへの混入空気量ひいては添加酸素量を調節することができる。
雰囲気導入路２５の連通路２５ｃは、プラズマ放電部２０ｂより上流側に離れて位置されているので、この連通路２５ｃの周辺で異常放電が起きるおそれがない。

次に、本発明の第２実施形態を説明する。この実施形態において、上記第１実施形態と重複する構成に関しては、図面に同一符号を付して説明を省略する。
図７に示すように、この第２実施形態のリモート式常圧プラズマ処理装置Ｂでは、雰囲気導入路２７が、電極３１より上側のフレーム２２に代えて下側のロアプレート２３に設けられている。雰囲気導入路２７は、細孔状をなし、ロアプレート２３の外側面から固体誘電体板３３との当接面へまっすぐ水平に延び、更に、固体誘電体板３３の貫通孔３３ｃを貫通してプロセスガス通路２０ａのプラズマ放電部２０ｂより下側（下流側）の通路部分２０ｆに達している。固体誘電体板３３の貫通孔３３ｃは、雰囲気導入路２７のプロセスガス通路部分２０ｆへの連通路を構成している。

図８に示すように、雰囲気導入路２７は、左右のロアプレート２３，２３にそれぞれ複数設けられている。各ロアプレート２３の雰囲気導入路２７，２７，…は、互いに前後に離れて配置されている。しかも、左側の雰囲気導入路２７，２７，…と右側の雰囲気導入路２７，２７，…とは、互い違いに配置されている。なお、互い違いにせず、揃えることにしてもよい。

図９に示すように、プロセスガス（窒素）は、通路２０ａ内のプラズマ放電部２０ｂでプラズマ化された後、そこより下側の通路部分２０ｆへ流れていく。この下側通路部分２０ｆでのプロセスガスの流れによって、雰囲気導入路１７と通路部分２０ｆとの間に圧力差が生じ、雰囲気導入路１７内の雰囲気ガス（空気）が通路部分２０ｆ内に引き込まれる。これによって、窒素プラズマに空気中の酸素を微小量添加することができ、処理性能を向上させることができる。第１実施形態と同様に、酸素ソースや混合装置等が不要であり、設備の簡素化を図ることができる。また、雰囲気導入路２７の連通路３３ｃは、プラズマ放電部２０ｂより下流側に離れて位置されているので、この連通路３３ｃの周辺で異常放電が起きるおそれがない。

図１０に拡大して示すように、装置Ｂにおいては、フレーム２２の上側部に固体誘電体３３の上端部を嵌め込む断面クサビ状の溝２２ｃが形成されている。この溝２２ｃの斜面をなす上端面２２ｄに固体誘電体板３３の上端斜面３３ａが押し当てられ、係止されている。これによって、固体誘電体板３３をしっかり固定できるとともに、電極３１と固体誘電体板３３の密着性を向上させ、アークひいてはパーティクルの発生を確実に防止できる。

図１１は、第２実施形態の変形例を示したものである。この変形例では、固体誘電体３３の下端部に段差３３ｄが形成されている。この段差３３ｄを境に、プロセスガス通路２０ａの下側通路部分２０ｆひいては吹出し口２０ｃがプラズマ放電部２０ｂより拡幅されている。ロアカバー２３の固体誘電体板当接面は、この段差３３ｄの分だけ外側へ引っ込んでいる。

雰囲気導入路２７の通路部分２０ｆへの連通路３３ｃは、段差３３ｄと略同じ高さに位置されている。
これによって、プラズマ放電部２０ｂでプラズマ化されたプロセスガス（窒素）は、下側通路部分２０ｆへ出た時、急膨張し、圧力が降下する。このため、雰囲気導入路２７から雰囲気ガス（空気）を確実に引き込むことができる。ひいては、酸素を確実に添加でき、処理性能を確実に向上させることができる。

本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、種々の改変をなすことができる。
例えば、雰囲気導入路２５，２７は、左右何れか片側のフレーム２２又はロアカバー２３にだけ設けることにしてもよい。
第１実施形態において、雰囲気導入路２５のプロセスガス通路への連通路は、斜めになっていなくてもよく、水平になっていてもよい。
第２実施形態において、固体誘電体板３３の貫通孔３３ｃ（雰囲気導入路のプロセスガス通路への連通路）をプロセスガス通路の下流側へ向かうように斜めにしてもよい。
また、第１実施形態において、プロセスガス通路２０ａにおける雰囲気導入路２５との連通部より下流側を上流側より拡幅させてもよい。
プロセスガスは、窒素に限られず、処理目的に応じて種々のガス成分を用いることができる。処理目的は、表面改質に限られず、洗浄、エッチング、アッシング、成膜等の種々の処理内容を採用できる。
雰囲気ガスは、空気に限られず、不活性ガス等を用いることもできる。勿論、本発明は、プロセスガスの添加成分が雰囲気ガス成分と同じである場合に有効である。

本発明は、例えばフィルム、ガラス、シリコンウェハを親水化等の表面改質するのに適用可能である。

本発明の第１実施形態に係るリモート式常圧プラズマ処理装置を示す正面断面図である。図１のII−II線に沿う上記装置の放電処理ユニットの平面断面図である。上記装置の雰囲気導入路の連通部分を拡大して示す断面図である。（ａ）は、詰め部材の正面図であり、（ｂ）は、雰囲気導入路の開口部を拡大して示す断面図である。図４（ｂ）において、複数種の詰め部材とフレームを分離して示す断面図である。上記装置の底部構造の変形例を示す正面断面図である。図６（ａ）の要部拡大図である。本発明の第２実施形態に係るリモート式常圧プラズマ処理装置を示す正面断面図である。図７のVIII−VIII線に沿う上記装置の放電処理ユニットの平面断面図である。図７の装置の雰囲気導入路の連通部分を拡大して示す断面図である。図７の装置の固体誘電体板の上端部支持構造を示す拡大断面図である。第２実施形態の変形例を示す図９相当の断面図である。

符号の説明

Ｗ被処理物
Ａ，Ｂリモート式常圧プラズマ処理装置
２０放電処理ユニット
２０ａプロセスガス通路
２０ｂプロセスガス通路のプラズマ放電部
２０ｃ吹出し口
２０ｅプラズマ放電部より上流側のプロセスガス通路部分
２０ｆプラズマ放電部より下流側のプロセスガス通路部分
２１保持部
２６ａ連通路を形成する斜面
２５雰囲気導入路
２５ｃ雰囲気導入路のプロセスガス通路への連通路
２７雰囲気導入路
３１電極
３３固体誘電体板
３３ａ固体誘電体板の上端斜面（上流側の突出端面）
３３ｃ固体誘電体板の貫通孔（雰囲気導入路のプロセスガス通路への連通路）
４０詰め部材
４１透孔

Claims

プロセスガスを、プラズマ放電部を主部とするプロセスガス通路に通して吹出し、被処理物に当ててプラズマ処理を行なう装置であって、
前記プラズマ放電部を形成するための一対の電極と、
これら電極を対向させ、間に前記プロセスガス通路が形成されるように保持する保持部と
を有し、前記保持部には、雰囲気ガスに面する外面から延びて前記プロセスガス通路のプラズマ放電部より上流側の部分に連通する雰囲気導入路が形成され、
前記プロセスガス通路におけるプロセスガスの流れによって雰囲気ガスが雰囲気導入路を経てプロセスガス通路に引き込まれるようになっており、前記一対の電極のうち少なくとも１の電極の対向面には、固体誘電体の板が設けられ、この固体誘電体板が、前記プロセスガス通路を画成するとともに前記電極よりプロセスガス通路の上流側へ突出し、この突出部分に前記雰囲気導入路のプロセスガス通路への連通路が形成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
プロセスガスを、プラズマ放電部を主部とするプロセスガス通路に通して吹出し、被処理物に当ててプラズマ処理を行なう装置であって、
前記プラズマ放電部を形成するための一対の電極と、
これら電極を対向させ、間に前記プロセスガス通路が形成されるように保持する保持部と
を有し、前記保持部には、雰囲気ガスに面する外面から延びて前記プロセスガス通路のプラズマ放電部より下流側の部分に連通する雰囲気導入路が形成され、
前記プロセスガス通路におけるプロセスガスの流れによって雰囲気ガスが雰囲気導入路を経てプロセスガス通路に引き込まれるようになっており、前記一対の電極のうち少なくとも１の電極の対向面には、固体誘電体の板が設けられ、この固体誘電体板が、前記プロセスガス通路を画成するとともに前記電極よりプロセスガス通路の下流側へ突出し、この突出部分に前記雰囲気導入路のプロセスガス通路への連通路が形成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
前記雰囲気導入路が、前記プロセスガス通路の下流側へ向かって斜めに連なっていることを特徴とする請求項１又２に記載のプラズマ処理装置。
プロセスガスを、プラズマ放電部を主部とするプロセスガス通路に通して吹出し、被処理物に当ててプラズマ処理を行なう装置であって、
前記プラズマ放電部を形成するための一対の電極と、
これら電極を対向させ、間に前記プロセスガス通路が形成されるように保持する保持部と
を有し、前記保持部には、雰囲気ガスに面する外面から延びて前記プロセスガス通路のプラズマ放電部より上流側の部分に連通する雰囲気導入路が形成され、
前記プロセスガス通路におけるプロセスガスの流れによって雰囲気ガスが雰囲気導入路を経てプロセスガス通路に引き込まれるようになっており、前記一対の電極のうち少なくとも１の電極の対向面には、固体誘電体の板が設けられ、この固体誘電体板が、前記プロセスガス通路を画成するとともに前記電極よりプロセスガス通路の上流側へ突出し、この突出端面が、前記プロセスガス通路の側を向く斜面をなし、一方、前記保持部には、この固体誘電体板の突出端面と略平行に対向する斜面が形成され、両斜面によって前記雰囲気導入路のプロセスガス通路への連通路が形成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
前記プロセスガス通路が、前記雰囲気導入路との連通部を境に下流側が上流側より拡開されていることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載のプラズマ処理装置。
前記雰囲気導入路の保持部外面への開口部に、詰め部材が取り外し可能に設けられ、この詰め部材に外端面から奥端面へ貫通する透孔が形成されていることを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載のプラズマ処理装置。