JP2003059924A - 多段型の放電プラズマ処理方法及び装置 - Google Patents
多段型の放電プラズマ処理方法及び装置Info
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- JP2003059924A JP2003059924A JP2001248039A JP2001248039A JP2003059924A JP 2003059924 A JP2003059924 A JP 2003059924A JP 2001248039 A JP2001248039 A JP 2001248039A JP 2001248039 A JP2001248039 A JP 2001248039A JP 2003059924 A JP2003059924 A JP 2003059924A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 放電プラズマ処理による酸化金属薄膜又は窒
化金属薄膜の形成において、膜質に優れ、産業上必要と
される成膜速度で酸化金属薄膜又は窒化金属薄膜を容易
に形成できる方法及びその装置の提供。 【解決手段】 金属元素含有ガスと酸素含有ガス及び／
又は窒素含有ガスを反応させて酸化金属化合物及び／又
は窒化金属化合物からなる薄膜を形成する放電プラズマ
処理方法において、一つのプラズマ発生室を通過した金
属元素含有ガスに、酸素含有ガス及び／又は窒素含有ガ
スを合流させて、別のプラズマ発生室を通過させて薄膜
を形成することを特徴とする多段型の放電プラズマ処理
方法及びその装置。
化金属薄膜の形成において、膜質に優れ、産業上必要と
される成膜速度で酸化金属薄膜又は窒化金属薄膜を容易
に形成できる方法及びその装置の提供。 【解決手段】 金属元素含有ガスと酸素含有ガス及び／
又は窒素含有ガスを反応させて酸化金属化合物及び／又
は窒化金属化合物からなる薄膜を形成する放電プラズマ
処理方法において、一つのプラズマ発生室を通過した金
属元素含有ガスに、酸素含有ガス及び／又は窒素含有ガ
スを合流させて、別のプラズマ発生室を通過させて薄膜
を形成することを特徴とする多段型の放電プラズマ処理
方法及びその装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、放電プラズマ処理
方法による酸化金属膜／窒化金属膜の薄膜を形成する多
段型の放電プラズマ処理方法及びその装置に関し、特
に、金属元素含有ガスを励起プラズマ化した後に酸素含
有ガス及び／又は窒素含有ガスを混合して、反応を進行
させて薄膜を形成する多段型の放電プラズマ処理方法及
びその装置に関する。
方法による酸化金属膜／窒化金属膜の薄膜を形成する多
段型の放電プラズマ処理方法及びその装置に関し、特
に、金属元素含有ガスを励起プラズマ化した後に酸素含
有ガス及び／又は窒素含有ガスを混合して、反応を進行
させて薄膜を形成する多段型の放電プラズマ処理方法及
びその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩの高密度化に伴い、基材上に目的
とする材料の薄膜を形成できるＣＶＤ処理方法が利用さ
れてきており、熱プラズマＣＶＤ法や低圧プラズマＣＶ
Ｄ法が多用されてきている。熱プラズマＣＶＤ法は高温
によるダメージが避けられず、低圧プラズマＣＶＤ法は
真空に近い装置が必要であるため低圧設備にコストがか
かり、さらに、両者とも製膜速度が不十分であるという
問題があった。特に酸素とシラン化合物を用いるような
混合ガスから酸化シリコン膜等を成膜する場合は、均一
性の高い膜を形成するのが難しく、さらに膜中にＯＨ基
が形成されており、膜質が向上しないという問題があっ
た。この問題を解決するため、特開平７−３３５５７６
号公報では、酸素含有ガス等を高温非平衡プラズマまた
は高温平衡プラズマを使用した酸性活性種発生機構に導
入する前処理をすることによりその改善を図っている
が、装置全体では、低圧設備が必要であり、未だ反応効
率も劣っているという問題があった。
とする材料の薄膜を形成できるＣＶＤ処理方法が利用さ
れてきており、熱プラズマＣＶＤ法や低圧プラズマＣＶ
Ｄ法が多用されてきている。熱プラズマＣＶＤ法は高温
によるダメージが避けられず、低圧プラズマＣＶＤ法は
真空に近い装置が必要であるため低圧設備にコストがか
かり、さらに、両者とも製膜速度が不十分であるという
問題があった。特に酸素とシラン化合物を用いるような
混合ガスから酸化シリコン膜等を成膜する場合は、均一
性の高い膜を形成するのが難しく、さらに膜中にＯＨ基
が形成されており、膜質が向上しないという問題があっ
た。この問題を解決するため、特開平７−３３５５７６
号公報では、酸素含有ガス等を高温非平衡プラズマまた
は高温平衡プラズマを使用した酸性活性種発生機構に導
入する前処理をすることによりその改善を図っている
が、装置全体では、低圧設備が必要であり、未だ反応効
率も劣っているという問題があった。
【０００３】これに対して、大気圧近傍で処理を行うこ
とのできる常圧プラズマ処理方法が開発され、熱プラズ
マＣＶＤ法のような高温によるダメージを受けず、低圧
プラズマＣＶＤ法のような低圧設備を必要としない技術
を用い、金属系ガスの薄膜等が簡易な装置で容易に基材
上に形成できるようになった。この常圧プラズマ法によ
る薄膜の形成においても、酸化金属膜／窒化金属膜を作
成する場合、金属系ガスと酸素系ガス／窒素系ガスを混
合した状態でプラズマ励起させると、反応が十分に進ま
ない場合があり、膜質の向上が求められていた。
とのできる常圧プラズマ処理方法が開発され、熱プラズ
マＣＶＤ法のような高温によるダメージを受けず、低圧
プラズマＣＶＤ法のような低圧設備を必要としない技術
を用い、金属系ガスの薄膜等が簡易な装置で容易に基材
上に形成できるようになった。この常圧プラズマ法によ
る薄膜の形成においても、酸化金属膜／窒化金属膜を作
成する場合、金属系ガスと酸素系ガス／窒素系ガスを混
合した状態でプラズマ励起させると、反応が十分に進ま
ない場合があり、膜質の向上が求められていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題に
鑑み、放電プラズマ処理による酸化金属薄膜又は窒化金
属薄膜の形成において、膜質に優れ、産業上必要とされ
る成膜速度で酸化金属薄膜又は窒化金属薄膜を容易に形
成できる方法及びその装置を提供することを目的とす
る。
鑑み、放電プラズマ処理による酸化金属薄膜又は窒化金
属薄膜の形成において、膜質に優れ、産業上必要とされ
る成膜速度で酸化金属薄膜又は窒化金属薄膜を容易に形
成できる方法及びその装置を提供することを目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意研究した結果、大気圧条件下で安定し
た放電状態を実現できるプラズマ発生室で、金属元素含
有ガスを予めプラズマ励起させた後に、酸素含有ガス及
び／又は窒素含有ガスを導入して反応を進行させること
により、簡便に目的とする薄膜が形成できることを見出
し本発明を完成した。
を解決すべく鋭意研究した結果、大気圧条件下で安定し
た放電状態を実現できるプラズマ発生室で、金属元素含
有ガスを予めプラズマ励起させた後に、酸素含有ガス及
び／又は窒素含有ガスを導入して反応を進行させること
により、簡便に目的とする薄膜が形成できることを見出
し本発明を完成した。
【０００６】すなわち、本発明の第１は、金属元素含有
ガスと酸素含有ガス及び／又は窒素含有ガスを反応させ
て酸化金属化合物及び／又は窒化金属化合物からなる薄
膜を形成する放電プラズマ処理方法において、一つのプ
ラズマ発生室を通過した金属元素含有ガスに、酸素含有
ガス及び／又は窒素含有ガスを合流させて、別のプラズ
マ発生室を通過させて薄膜を形成することを特徴とする
多段型の放電プラズマ処理方法である。
ガスと酸素含有ガス及び／又は窒素含有ガスを反応させ
て酸化金属化合物及び／又は窒化金属化合物からなる薄
膜を形成する放電プラズマ処理方法において、一つのプ
ラズマ発生室を通過した金属元素含有ガスに、酸素含有
ガス及び／又は窒素含有ガスを合流させて、別のプラズ
マ発生室を通過させて薄膜を形成することを特徴とする
多段型の放電プラズマ処理方法である。
【０００７】また、本発明の第２の発明は、金属元素含
有ガスと酸素含有ガス及び／又は窒素含有ガスを反応さ
せて酸化金属化合物及び／又は窒化金属化合物からなる
薄膜を形成する放電プラズマ処理方法において、一つの
プラズマ発生室を通過した金属元素含有ガスと、別のプ
ラズマ発生室を通過した酸素含有ガス及び／又は窒素含
有ガスとを合流させて、別のプラズマ発生室を通過させ
て薄膜を形成することを特徴とする多段型の放電プラズ
マ処理方法である。
有ガスと酸素含有ガス及び／又は窒素含有ガスを反応さ
せて酸化金属化合物及び／又は窒化金属化合物からなる
薄膜を形成する放電プラズマ処理方法において、一つの
プラズマ発生室を通過した金属元素含有ガスと、別のプ
ラズマ発生室を通過した酸素含有ガス及び／又は窒素含
有ガスとを合流させて、別のプラズマ発生室を通過させ
て薄膜を形成することを特徴とする多段型の放電プラズ
マ処理方法である。
【０００８】また、本発明の第３の発明は、プラズマ発
生室が、少なくとも一対の対向電極を有し、対向電極の
少なくとも一方の対向面が固体誘電体で被覆された電極
に電界を印加してプラズマを発生させる空間であること
を特徴とする第１又は２の発明に記載の多段型の放電プ
ラズマ処理方法である。
生室が、少なくとも一対の対向電極を有し、対向電極の
少なくとも一方の対向面が固体誘電体で被覆された電極
に電界を印加してプラズマを発生させる空間であること
を特徴とする第１又は２の発明に記載の多段型の放電プ
ラズマ処理方法である。
【０００９】また、本発明の第３の発明は、電界が、パ
ルス立ち上がり及び／又は立ち下がり時間が１０μｓ以
下であるパルス状電界であることを特徴とする第１〜３
のいずれかの発明に記載の多段型の放電プラズマ処理方
法である。
ルス立ち上がり及び／又は立ち下がり時間が１０μｓ以
下であるパルス状電界であることを特徴とする第１〜３
のいずれかの発明に記載の多段型の放電プラズマ処理方
法である。
【００１０】また、本発明の第５の発明は、電界が、電
界強度が１０〜１０００ｋＶ／ｃｍであるパルス状電界
であることを特徴とする第１〜４のいずれかの発明に記
載の多段型の放電プラズマ処理方法である。
界強度が１０〜１０００ｋＶ／ｃｍであるパルス状電界
であることを特徴とする第１〜４のいずれかの発明に記
載の多段型の放電プラズマ処理方法である。
【００１１】また、本発明の第６の発明は、対向電極の
一の端部に処理ガス導入口（１）と、別の端部にガス吹
出口と、前記処理ガス導入口とガス吹出口の中間に処理
ガス導入口（２）とを有することを特徴とする放電プラ
ズマ処理装置である。
一の端部に処理ガス導入口（１）と、別の端部にガス吹
出口と、前記処理ガス導入口とガス吹出口の中間に処理
ガス導入口（２）とを有することを特徴とする放電プラ
ズマ処理装置である。
【００１２】また、本発明の第７の発明は、処理ガス導
入口（１）が、電極に設けられた穴によって形成されて
いることを特徴とする第６の発明に記載の放電プラズマ
処理装置である。
入口（１）が、電極に設けられた穴によって形成されて
いることを特徴とする第６の発明に記載の放電プラズマ
処理装置である。
【００１３】また、本発明の第８の発明は、一の対向電
極によって形成される第１のプラズマ発生室、他の対向
電極によって形成される第２のプラズマ発生室を備え、
第１のプラズマ発生室と第２のプラズマ発生室から吹き
出したガス流が合流して、第３のプラズマ発生室に導入
されるようになされたことを特徴とする放電プラズマ処
理装置である。
極によって形成される第１のプラズマ発生室、他の対向
電極によって形成される第２のプラズマ発生室を備え、
第１のプラズマ発生室と第２のプラズマ発生室から吹き
出したガス流が合流して、第３のプラズマ発生室に導入
されるようになされたことを特徴とする放電プラズマ処
理装置である。
【００１４】また、本発明の第９の発明は、第１のプラ
ズマ発生室と第３のプラズマ発生室の電界印加側の電極
が共通のものであることを特徴とする第８の発明に記載
の放電プラズマ処理装置である。
ズマ発生室と第３のプラズマ発生室の電界印加側の電極
が共通のものであることを特徴とする第８の発明に記載
の放電プラズマ処理装置である。
【００１５】また、本発明の第１０の発明は、第１のプ
ラズマ発生室と第２のプラズマ発生室の電界印加側の電
極が共通のものであることを特徴とする第８の発明に記
載の放電プラズマ処理装置である。
ラズマ発生室と第２のプラズマ発生室の電界印加側の電
極が共通のものであることを特徴とする第８の発明に記
載の放電プラズマ処理装置である。
【００１６】また、本発明の第１１の発明は、第１のプ
ラズマ発生室には金属元素含有ガスが導入され、第２の
プラズマ発生室には酸素含有ガス及び／又は窒素含有ガ
スが導入されるものであることを特徴とする第８〜１０
のいずれかの発明に記載の放電プラズマ処理装置であ
る。
ラズマ発生室には金属元素含有ガスが導入され、第２の
プラズマ発生室には酸素含有ガス及び／又は窒素含有ガ
スが導入されるものであることを特徴とする第８〜１０
のいずれかの発明に記載の放電プラズマ処理装置であ
る。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明の酸化金属化合物薄膜又は
窒化金属化合物薄膜の形成方法は、金属元素含有ガスと
酸素含有ガス及び／又は窒素含有ガスを反応させて酸化
金属化合物及び／又は窒化金属化合物からなる薄膜を形
成する方法において、励起しにくい金属元素含有ガスを
予めプラズマ発生室でプラズマ励起させた後に、酸素含
有ガス又は窒素含有ガスを導入して、さらに、次のプラ
ズマ発生室でプラズマ処理反応を進行させる多段型の放
電プラズマ処理方法である。該処理方法には、次の２種
類の方法が含まれる。（１）金属元素含有ガスを一つの
プラズマ発生室の前半部でプラズマ励起させた後に酸素
含有ガス及び／又は窒素含有ガスを合流させ、合流させ
た混合ガスをプラズマ発生室の後半部でプラズマ励起さ
せて、基材に吹き付ける方法と（２）金属元素含有ガス
と、酸素含有ガス及び／又は窒素含有ガスとをそれぞれ
別のプラズマ発生室で励起させた後に合流させて、合流
後に、別のプラズマ発生室で混合ガスをプラズマ励起さ
せて、基材に吹き付ける方法である。いずれの方法を用
いても、膜質に優れた酸化金属薄膜又は窒化金属薄膜を
得ることができる。
窒化金属化合物薄膜の形成方法は、金属元素含有ガスと
酸素含有ガス及び／又は窒素含有ガスを反応させて酸化
金属化合物及び／又は窒化金属化合物からなる薄膜を形
成する方法において、励起しにくい金属元素含有ガスを
予めプラズマ発生室でプラズマ励起させた後に、酸素含
有ガス又は窒素含有ガスを導入して、さらに、次のプラ
ズマ発生室でプラズマ処理反応を進行させる多段型の放
電プラズマ処理方法である。該処理方法には、次の２種
類の方法が含まれる。（１）金属元素含有ガスを一つの
プラズマ発生室の前半部でプラズマ励起させた後に酸素
含有ガス及び／又は窒素含有ガスを合流させ、合流させ
た混合ガスをプラズマ発生室の後半部でプラズマ励起さ
せて、基材に吹き付ける方法と（２）金属元素含有ガス
と、酸素含有ガス及び／又は窒素含有ガスとをそれぞれ
別のプラズマ発生室で励起させた後に合流させて、合流
後に、別のプラズマ発生室で混合ガスをプラズマ励起さ
せて、基材に吹き付ける方法である。いずれの方法を用
いても、膜質に優れた酸化金属薄膜又は窒化金属薄膜を
得ることができる。
【００１８】ここで、プラズマ発生室とは、少なくとも
一対の対向電極を有し、対向電極の少なくとも一方の対
向面が固体誘電体で被覆された電極間に電界を印加して
プラズマを発生させる電極間の放電空間である。本発明
においては、このプラズマ発生室に処理ガスを導入して
プラズマ化してから、放電空間の外にプラズマを吹き出
させ、プラズマ流を放電空間の外に配置された被処理基
材表面に吹き付けて処理を行う。プラズマ発生室は、主
に、平行平板型電極や同軸円筒型電極からなり、その出
口は長尺型ノズルや円筒型ノズル等を用いてプラズマ流
を放電空間の外に配置された被処理基材表面に吹き付け
ることができるようにするのが好ましい。
一対の対向電極を有し、対向電極の少なくとも一方の対
向面が固体誘電体で被覆された電極間に電界を印加して
プラズマを発生させる電極間の放電空間である。本発明
においては、このプラズマ発生室に処理ガスを導入して
プラズマ化してから、放電空間の外にプラズマを吹き出
させ、プラズマ流を放電空間の外に配置された被処理基
材表面に吹き付けて処理を行う。プラズマ発生室は、主
に、平行平板型電極や同軸円筒型電極からなり、その出
口は長尺型ノズルや円筒型ノズル等を用いてプラズマ流
を放電空間の外に配置された被処理基材表面に吹き付け
ることができるようにするのが好ましい。
【００１９】本発明の多段型の放電プラズマ処理装置
は、一つのプラズマ発生室を通過した第１のガスに第２
のガスを合流させて、別のプラズマ発生室を通過させて
混合ガスの放電プラズマを被処理基材に吹き付ける処理
装置である。本発明においては、第２のガスを予めプラ
ズマ放電させておく場合と、予め放電させておかない場
合の２種類の装置がある。
は、一つのプラズマ発生室を通過した第１のガスに第２
のガスを合流させて、別のプラズマ発生室を通過させて
混合ガスの放電プラズマを被処理基材に吹き付ける処理
装置である。本発明においては、第２のガスを予めプラ
ズマ放電させておく場合と、予め放電させておかない場
合の２種類の装置がある。
【００２０】第２のガスを予めプラズマ放電させておか
ない場合の装置としては、対向電極の一の端部に処理ガ
ス導入口（１）と別の端部にガス吹出口、前記処理ガス
導入口（１）とガス吹出口の中間に処理ガス導入口
（２）を設けた放電プラズマ処理装置からなるものが挙
げられる。この装置における上記薄膜の形成において
は、処理ガス導入口（１）から金属元素含有ガスが導入
され、処理ガス導入口（２）からは酸素含有ガス及び／
又は窒素含有ガスが導入される。処理ガス導入口（２）
が設けられる中間の位置とは、導入口（１）と吹出口の
間に存在すればよく、厳密に中心に位置しなくてもよ
い。また、処理ガス導入口（２）は、対向電極の電極に
設けられた穴でよく、穴は、一つであっても多数であっ
てもよい。処理ガス導入口（２）の上流側では、金属元
素含有ガスが励起され、下流側では混合ガスが励起され
る。
ない場合の装置としては、対向電極の一の端部に処理ガ
ス導入口（１）と別の端部にガス吹出口、前記処理ガス
導入口（１）とガス吹出口の中間に処理ガス導入口
（２）を設けた放電プラズマ処理装置からなるものが挙
げられる。この装置における上記薄膜の形成において
は、処理ガス導入口（１）から金属元素含有ガスが導入
され、処理ガス導入口（２）からは酸素含有ガス及び／
又は窒素含有ガスが導入される。処理ガス導入口（２）
が設けられる中間の位置とは、導入口（１）と吹出口の
間に存在すればよく、厳密に中心に位置しなくてもよ
い。また、処理ガス導入口（２）は、対向電極の電極に
設けられた穴でよく、穴は、一つであっても多数であっ
てもよい。処理ガス導入口（２）の上流側では、金属元
素含有ガスが励起され、下流側では混合ガスが励起され
る。
【００２１】第２のガスを予めプラズマ放電させて置く
場合の装置としては、一の対向電極によって形成される
第１のプラズマ発生室、他の対向電極によって形成され
る第２のプラズマ発生室を備え、第１のプラズマ発生室
と第２のプラズマ発生室から吹き出したガス流が合流し
て、第３のプラズマ発生室に導入されるようになされた
放電プラズマ処理装置を挙げることができる。この装置
における上記薄膜の形成においては、第１のプラズマ発
生室で金属元素含有ガスが励起され、第２のプラズマ発
生室で酸素含有ガス及び／又は窒素含有ガスが励起さ
れ、第３のプラズマ発生室で混合ガスが励起される。
場合の装置としては、一の対向電極によって形成される
第１のプラズマ発生室、他の対向電極によって形成され
る第２のプラズマ発生室を備え、第１のプラズマ発生室
と第２のプラズマ発生室から吹き出したガス流が合流し
て、第３のプラズマ発生室に導入されるようになされた
放電プラズマ処理装置を挙げることができる。この装置
における上記薄膜の形成においては、第１のプラズマ発
生室で金属元素含有ガスが励起され、第２のプラズマ発
生室で酸素含有ガス及び／又は窒素含有ガスが励起さ
れ、第３のプラズマ発生室で混合ガスが励起される。
【００２２】本発明の方法及び装置の一例を図で説明す
る。図１は、金属元素含有ガスをプラズマ励起させた後
に酸素含有ガス及び／又は窒素含有ガスを合流させ、合
流させた混合ガスをプラズマ励起させて、基材に吹き付
ける方法及び装置を説明する図である。図１において、
一対の対向電極２と３を有し、電極に電源１から電界を
印加してプラズマを発生させるプラズマ発生室６のガス
導入口５から、矢印方向に金属元素含有ガスが導入さ
れ、プラズマ発生室６でプラズマ励起される。一方、酸
素含有ガス及び／又は窒素含有ガスは、電極２に設けら
れた導入口４から、プラズマ発生室に導入され、プラズ
マ発生室６でプラズマ励起された金属元素含有ガスと合
流され、プラズマ発生室６’で、さらにプラズマ励起さ
れる。プラズマ発生室６’でプラズマ励起され、酸化反
応及び／又は窒化反応が促進された混合ガスのプラズマ
流は、プラズマ吹出口７より被処理基材８に吹き付けら
れ、基材上に金属酸化物膜及び／又は金属窒化物膜の薄
膜を形成させる。
る。図１は、金属元素含有ガスをプラズマ励起させた後
に酸素含有ガス及び／又は窒素含有ガスを合流させ、合
流させた混合ガスをプラズマ励起させて、基材に吹き付
ける方法及び装置を説明する図である。図１において、
一対の対向電極２と３を有し、電極に電源１から電界を
印加してプラズマを発生させるプラズマ発生室６のガス
導入口５から、矢印方向に金属元素含有ガスが導入さ
れ、プラズマ発生室６でプラズマ励起される。一方、酸
素含有ガス及び／又は窒素含有ガスは、電極２に設けら
れた導入口４から、プラズマ発生室に導入され、プラズ
マ発生室６でプラズマ励起された金属元素含有ガスと合
流され、プラズマ発生室６’で、さらにプラズマ励起さ
れる。プラズマ発生室６’でプラズマ励起され、酸化反
応及び／又は窒化反応が促進された混合ガスのプラズマ
流は、プラズマ吹出口７より被処理基材８に吹き付けら
れ、基材上に金属酸化物膜及び／又は金属窒化物膜の薄
膜を形成させる。
【００２３】図２は、金属元素含有ガスと、酸素含有ガ
ス及び／又は窒素含有ガスとをそれぞれ、第１のプラズ
マ発生室と第２のプラズマ発生室で励起させた後に合流
させて、合流後に、第３のプラズマ発生室で合流した混
合ガスをプラズマ励起させて、基材に吹き付ける方法及
び装置を説明する図である。図２において、一対の対向
電極２と３を有し、電極に電源１から電界を印加してプ
ラズマを発生させるプラズマ発生室６のガス導入口５か
ら、矢印方向に金属元素含有ガスが導入され、プラズマ
発生室６でプラズマ励起される。一方、酸素含有ガス及
び／又は窒素含有ガスは、一対の対向電極２’と３’’
を有し、電極に電源１’から電界を印加してプラズマを
発生させるプラズマ発生室６’’のガス導入口から、矢
印方向に酸素含有ガス及び／又は窒素含有ガスが導入さ
れ、プラズマ発生室６’’でプラズマ励起される。酸素
含有ガス及び／又は窒素含有ガスのプラズマ流は、プラ
ズマ発生室６からの金属元素含有ガスのプラズマ流と合
流され、一対の対向電極２と３’を有し、電極に電源１
から電界を印加してプラズマを発生させるプラズマ発生
室６’に導入され、プラズマ発生室６’でさらにプラズ
マ励起される。プラズマ発生室６’でプラズマ励起さ
れ、酸化反応及び／又は窒化反応が促進された合流ガス
のプラズマ流は、プラズマ吹出口７より被処理基材８に
吹き付けられ、基材上に金属酸化物及び／又は金属窒化
物の薄膜を形成させる。この装置においては、第１のプ
ラズマ発生室と第３のプラズマ発生室の電界印加側の電
極である印加電極２を接地電極３と３’に対して共有す
ることにより、設備の重複を防ぐことができる。
ス及び／又は窒素含有ガスとをそれぞれ、第１のプラズ
マ発生室と第２のプラズマ発生室で励起させた後に合流
させて、合流後に、第３のプラズマ発生室で合流した混
合ガスをプラズマ励起させて、基材に吹き付ける方法及
び装置を説明する図である。図２において、一対の対向
電極２と３を有し、電極に電源１から電界を印加してプ
ラズマを発生させるプラズマ発生室６のガス導入口５か
ら、矢印方向に金属元素含有ガスが導入され、プラズマ
発生室６でプラズマ励起される。一方、酸素含有ガス及
び／又は窒素含有ガスは、一対の対向電極２’と３’’
を有し、電極に電源１’から電界を印加してプラズマを
発生させるプラズマ発生室６’’のガス導入口から、矢
印方向に酸素含有ガス及び／又は窒素含有ガスが導入さ
れ、プラズマ発生室６’’でプラズマ励起される。酸素
含有ガス及び／又は窒素含有ガスのプラズマ流は、プラ
ズマ発生室６からの金属元素含有ガスのプラズマ流と合
流され、一対の対向電極２と３’を有し、電極に電源１
から電界を印加してプラズマを発生させるプラズマ発生
室６’に導入され、プラズマ発生室６’でさらにプラズ
マ励起される。プラズマ発生室６’でプラズマ励起さ
れ、酸化反応及び／又は窒化反応が促進された合流ガス
のプラズマ流は、プラズマ吹出口７より被処理基材８に
吹き付けられ、基材上に金属酸化物及び／又は金属窒化
物の薄膜を形成させる。この装置においては、第１のプ
ラズマ発生室と第３のプラズマ発生室の電界印加側の電
極である印加電極２を接地電極３と３’に対して共有す
ることにより、設備の重複を防ぐことができる。
【００２４】図３は、金属元素含有ガスと、酸素含有ガ
ス及び／又は窒素含有ガスとをそれぞれ、第１のプラズ
マ発生室と第２のプラズマ発生室で励起させた後に合流
させて、合流後に、第３のプラズマ発生室で合流した混
合ガスをプラズマ励起させて、基材に吹き付ける方法及
び装置を説明する図である。図３において、印加電極２
を共有し、接地電極３及び３’からなるプラズマ発生室
６及び６’を有する装置であって、金属元素含有ガスを
プラズマ発生室６においてプラズマ励起し、酸素含有ガ
ス及び／又は窒素含有ガスをプラズマ発生室６’’にお
いてプラズマ励起し、プラズマ発生室６’’で合流する
と同時に、さらにプラズマ発生室６’でプラズマ励起さ
れる。プラズマ発生室６’でプラズマ励起され、酸化反
応及び／又は窒化反応が促進された合流ガスのプラズマ
流は、プラズマ吹出口７より被処理基材８に吹き付けら
れ、基材上に金属酸化物膜及び／又は金属窒化物膜の薄
膜を形成させる。この装置においては、第１のプラズマ
発生室と第２のプラズマ発生室の電界印加側の電極を共
有化し、設備の重複を防いだ装置である。
ス及び／又は窒素含有ガスとをそれぞれ、第１のプラズ
マ発生室と第２のプラズマ発生室で励起させた後に合流
させて、合流後に、第３のプラズマ発生室で合流した混
合ガスをプラズマ励起させて、基材に吹き付ける方法及
び装置を説明する図である。図３において、印加電極２
を共有し、接地電極３及び３’からなるプラズマ発生室
６及び６’を有する装置であって、金属元素含有ガスを
プラズマ発生室６においてプラズマ励起し、酸素含有ガ
ス及び／又は窒素含有ガスをプラズマ発生室６’’にお
いてプラズマ励起し、プラズマ発生室６’’で合流する
と同時に、さらにプラズマ発生室６’でプラズマ励起さ
れる。プラズマ発生室６’でプラズマ励起され、酸化反
応及び／又は窒化反応が促進された合流ガスのプラズマ
流は、プラズマ吹出口７より被処理基材８に吹き付けら
れ、基材上に金属酸化物膜及び／又は金属窒化物膜の薄
膜を形成させる。この装置においては、第１のプラズマ
発生室と第２のプラズマ発生室の電界印加側の電極を共
有化し、設備の重複を防いだ装置である。
【００２５】上記のような装置を用いる本発明の薄膜の
製造は、大気圧近傍の圧力下で電界を印加することによ
り発生するプラズマを利用して金属元素含有ガスを励起
する常圧プラズマによる方法が好ましい。
製造は、大気圧近傍の圧力下で電界を印加することによ
り発生するプラズマを利用して金属元素含有ガスを励起
する常圧プラズマによる方法が好ましい。
【００２６】上記大気圧近傍の圧力下とは、１．３３３
×１０4〜１０．６６４×１０4Ｐａの圧力下を指す。中
でも、圧力調整が容易で、装置が簡便になる９．３３１
×１０4〜１０．３９７×１０4Ｐａの範囲が好ましい。
×１０4〜１０．６６４×１０4Ｐａの圧力下を指す。中
でも、圧力調整が容易で、装置が簡便になる９．３３１
×１０4〜１０．３９７×１０4Ｐａの範囲が好ましい。
【００２７】上記で用いる電極の材質としては、例え
ば、銅、アルミニウム等の金属単体、ステンレス、真鍮
等の合金、金属間化合物等からなるものが挙げられる。
上記対向電極は、電界集中によるアーク放電の発生を避
けるために、対向電極間の距離が略一定となる構造であ
ることが好ましい。この条件を満たす電極構造として
は、例えば、平行平板型、円筒型構造等が挙げられる
が、本発明では、３枚以上の電極を用いる場合は、平行
平板型が好ましい。
ば、銅、アルミニウム等の金属単体、ステンレス、真鍮
等の合金、金属間化合物等からなるものが挙げられる。
上記対向電極は、電界集中によるアーク放電の発生を避
けるために、対向電極間の距離が略一定となる構造であ
ることが好ましい。この条件を満たす電極構造として
は、例えば、平行平板型、円筒型構造等が挙げられる
が、本発明では、３枚以上の電極を用いる場合は、平行
平板型が好ましい。
【００２８】さらに、プラズマを発生させる電極は、一
対のうち少なくとも一方の対向面に固体誘電体が配置さ
れている必要がある。この際、固体誘電体と設置される
側の電極が密着し、かつ、接する電極の対向面を完全に
覆うようにすることが好ましい。固体誘電体によって覆
われずに電極同士が直接対向する部位があると、そこか
らアーク放電が生じやすいためである。
対のうち少なくとも一方の対向面に固体誘電体が配置さ
れている必要がある。この際、固体誘電体と設置される
側の電極が密着し、かつ、接する電極の対向面を完全に
覆うようにすることが好ましい。固体誘電体によって覆
われずに電極同士が直接対向する部位があると、そこか
らアーク放電が生じやすいためである。
【００２９】上記固体誘電体の形状は、シート状でもフ
ィルム状でもよく、厚みが０．０１〜４ｍｍであること
が好ましい。厚すぎると放電プラズマを発生するのに高
電圧を要することがあり、薄すぎると電圧印加時に絶縁
破壊が起こり、アーク放電が発生することがある。
ィルム状でもよく、厚みが０．０１〜４ｍｍであること
が好ましい。厚すぎると放電プラズマを発生するのに高
電圧を要することがあり、薄すぎると電圧印加時に絶縁
破壊が起こり、アーク放電が発生することがある。
【００３０】上記固体誘電体の材質としては、例えば、
ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレンテレフタレ
ート等のプラスチック、ガラス、二酸化珪素、酸化アル
ミニウム、二酸化ジルコニウム、二酸化チタン等の金属
酸化物、チタン酸バリウム等の複酸化物、及びこれらの
複層化したもの等が挙げられる。
ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレンテレフタレ
ート等のプラスチック、ガラス、二酸化珪素、酸化アル
ミニウム、二酸化ジルコニウム、二酸化チタン等の金属
酸化物、チタン酸バリウム等の複酸化物、及びこれらの
複層化したもの等が挙げられる。
【００３１】また、上記固体誘電体は、比誘電率が２以
上（２５℃環境下、以下同じ）であることが好ましい。
比誘電率が２以上の誘電体の具体例としては、ポリテト
ラフルオロエチレン、ガラス、金属酸化膜等を挙げるこ
とができる。さらに高密度の放電プラズマを安定して発
生させるためには、比誘電率が１０以上の固定誘電体を
用いことが好ましい。比誘電率の上限は特に限定される
ものではないが、現実の材料では１８，５００程度のも
のが知られている。比誘電率が１０以上の固体誘電体と
しては、例えば、酸化チタニウム５〜５０重量％、酸化
アルミニウム５０〜９５重量％で混合された金属酸化物
皮膜、または、酸化ジルコニウムを含有する金属酸化物
皮膜からなるものが好ましい。
上（２５℃環境下、以下同じ）であることが好ましい。
比誘電率が２以上の誘電体の具体例としては、ポリテト
ラフルオロエチレン、ガラス、金属酸化膜等を挙げるこ
とができる。さらに高密度の放電プラズマを安定して発
生させるためには、比誘電率が１０以上の固定誘電体を
用いことが好ましい。比誘電率の上限は特に限定される
ものではないが、現実の材料では１８，５００程度のも
のが知られている。比誘電率が１０以上の固体誘電体と
しては、例えば、酸化チタニウム５〜５０重量％、酸化
アルミニウム５０〜９５重量％で混合された金属酸化物
皮膜、または、酸化ジルコニウムを含有する金属酸化物
皮膜からなるものが好ましい。
【００３２】上記電極間の距離は、固体誘電体の厚さ、
印加電圧の大きさ、プラズマを利用する目的等を考慮し
て適宜決定されるが、０．１〜５０ｍｍであることが好
ましく、より好ましくは５ｍｍ以下である。５０ｍｍを
超えると、均一な放電プラズマを発生させにくい。
印加電圧の大きさ、プラズマを利用する目的等を考慮し
て適宜決定されるが、０．１〜５０ｍｍであることが好
ましく、より好ましくは５ｍｍ以下である。５０ｍｍを
超えると、均一な放電プラズマを発生させにくい。
【００３３】上記電極間には、電界が印加され、プラズ
マを発生させるが、パルス電界を印加することが好まし
く、特に、電界の立ち上がり及び／又は立ち下がり時間
が、１０μｓ以下である電界が好ましい。１０μｓを超
えると放電状態がアークに移行しやすく不安定なものと
なり、パルス電界による高密度プラズマ状態を保持しに
くくなる。また、立ち上がり時間及び立ち下がり時間が
短いほどプラズマ発生の際のガスの電離が効率よく行わ
れるが、４０ｎｓ未満の立ち上がり時間のパルス電界を
実現することは、実際には困難である。より好ましくは
５０ｎｓ〜５μｓである。なお、ここでいう立ち上がり
時間とは、電圧（絶対値）が連続して増加する時間、立
ち下がり時間とは、電圧（絶対値）が連続して減少する
時間を指すものとする。
マを発生させるが、パルス電界を印加することが好まし
く、特に、電界の立ち上がり及び／又は立ち下がり時間
が、１０μｓ以下である電界が好ましい。１０μｓを超
えると放電状態がアークに移行しやすく不安定なものと
なり、パルス電界による高密度プラズマ状態を保持しに
くくなる。また、立ち上がり時間及び立ち下がり時間が
短いほどプラズマ発生の際のガスの電離が効率よく行わ
れるが、４０ｎｓ未満の立ち上がり時間のパルス電界を
実現することは、実際には困難である。より好ましくは
５０ｎｓ〜５μｓである。なお、ここでいう立ち上がり
時間とは、電圧（絶対値）が連続して増加する時間、立
ち下がり時間とは、電圧（絶対値）が連続して減少する
時間を指すものとする。
【００３４】上記パルス電界の電界強度は、１０〜１０
００ｋＶ／ｃｍであり、好ましくは２０〜３００ｋＶ／
ｃｍである。電界強度が１０ｋＶ／ｃｍ未満であると処
理に時間がかかりすぎ、１０００ｋＶ／ｃｍを超えると
アーク放電が発生しやすくなる。
００ｋＶ／ｃｍであり、好ましくは２０〜３００ｋＶ／
ｃｍである。電界強度が１０ｋＶ／ｃｍ未満であると処
理に時間がかかりすぎ、１０００ｋＶ／ｃｍを超えると
アーク放電が発生しやすくなる。
【００３５】上記パルス電界の周波数は、０．５ｋＨｚ
以上であることが好ましい。０．５ｋＨｚ未満であると
プラズマ密度が低いため処理に時間がかかりすぎる。上
限は特に限定されないが、常用されている１３．５６Ｍ
Ｈｚ、試験的に使用されている５００ＭＨｚといった高
周波帯でも構わない。負荷との整合のとり易さや取り扱
い性を考慮すると、５００ｋＨｚ以下が好ましい。この
ようなパルス電界を印加することにより、処理速度を大
きく向上させることができる。
以上であることが好ましい。０．５ｋＨｚ未満であると
プラズマ密度が低いため処理に時間がかかりすぎる。上
限は特に限定されないが、常用されている１３．５６Ｍ
Ｈｚ、試験的に使用されている５００ＭＨｚといった高
周波帯でも構わない。負荷との整合のとり易さや取り扱
い性を考慮すると、５００ｋＨｚ以下が好ましい。この
ようなパルス電界を印加することにより、処理速度を大
きく向上させることができる。
【００３６】また、上記パルス電界におけるひとつのパ
ルス継続時間は、２００μｓ以下であることが好まし
く、より好ましくは３〜２００μｓである。２００μｓ
を超えるとアーク放電に移行しやすくなる。ここで、ひ
とつのパルス継続時間とは、ＯＮ、ＯＦＦの繰り返しか
らなるパルス電界における、ひとつのパルスの連続する
ＯＮ時間を言う。
ルス継続時間は、２００μｓ以下であることが好まし
く、より好ましくは３〜２００μｓである。２００μｓ
を超えるとアーク放電に移行しやすくなる。ここで、ひ
とつのパルス継続時間とは、ＯＮ、ＯＦＦの繰り返しか
らなるパルス電界における、ひとつのパルスの連続する
ＯＮ時間を言う。
【００３７】本発明の薄膜を形成するためにプラズマ発
生室に導入するガスとしては、金属酸化膜又は金属窒化
膜を形成するガスの組み合わせであって、薄膜中に含
まれる金属元素を含有する原料ガスである金属元素含有
ガスと、この金属元素を含有する原料ガスと反応して
薄膜形成を促進する酸素含有ガス又は窒素含有ガスの反
応ガスと、ほとんど反応させずに希釈するのみかもし
くは前記ガスの励起を促進するかあるいは励起種を安定
させるための希釈ガスとの組み合わせよりなる。具体的
には、次のような例が挙げられ、それぞれを適宜組み合
わせて用いることができる。
生室に導入するガスとしては、金属酸化膜又は金属窒化
膜を形成するガスの組み合わせであって、薄膜中に含
まれる金属元素を含有する原料ガスである金属元素含有
ガスと、この金属元素を含有する原料ガスと反応して
薄膜形成を促進する酸素含有ガス又は窒素含有ガスの反
応ガスと、ほとんど反応させずに希釈するのみかもし
くは前記ガスの励起を促進するかあるいは励起種を安定
させるための希釈ガスとの組み合わせよりなる。具体的
には、次のような例が挙げられ、それぞれを適宜組み合
わせて用いることができる。
【００３８】（１）酸化膜
酸化膜の種類としては、絶縁膜、Ｈｉｇｈ−ｋ膜、透明
導電膜が挙げられる。 原料用ガス （ｉ）絶縁膜（ＳｉＯ2）用原料ガス ＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6等のシラン系ガス、Ｓｉ（ＣＨ3）4
等のアルキルシラン系ガス、Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4、Ｓｉ
（ＯＣＨ3）4等のアルコキシシラン系ガス、Ｓｉ（ＯＣ
ＯＣＨ3）4等のアセトキシシラン系ガス、Ｓｉ（ＮＣ
Ｏ）4ガスが挙げられる。また、これらのガスには、Ｐ
（ＣＨ3）3、Ｂ（ＣＨ3）3、ＰＨ3、Ｂ2Ｈ 6等を添加し
て複合酸化物としてもよい。 （ｉｉ）Ｈｉｇｈ−ｋ膜用原料ガス Ｔａ（ＯＣ2Ｈ5）5からのＴａ2Ｏ5膜、Ｙ（ＯｉＣ
3Ｈ7）3からのＹ2Ｏ5膜、Ｈｆ（ＯｉＣ3Ｈ7）4からのＨ
ｆＯ2膜、Ｚｎ（Ｃ2Ｈ5）2、Ｚｎ（ＯＣ2Ｈ5）2からＺ
ｎＯ2膜が挙げられる。 （ｉｉｉ）透明導電膜用原料ガス Ｉｎ（Ｏｉ−Ｃ3Ｈ7）3、Ｉｎ（ＣＨ3）3、Ｚｎ（Ｃ2Ｈ
5）2、Ｚｎ（ＯＣ2Ｈ5）2等が挙げられる。さらにドー
ピング用として、ＳｎＣｌ2、Ａｌ（ＣＨ3）3、Ａｌ
（ＯｉＣ3Ｈ7）3、Ｓｂ（ＯＣ2Ｈ5）3等が挙げられる。 反応性ガス 酸素元素含有ガスとしては、Ｏ2、Ｏ3、Ｎ2Ｏ、乾燥空
気等の酸素含有ガスが挙げられる。 希釈ガス ネオン、アルゴン、キセノン、Ｎ2、ヘリウム等が挙げ
られる。
導電膜が挙げられる。 原料用ガス （ｉ）絶縁膜（ＳｉＯ2）用原料ガス ＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6等のシラン系ガス、Ｓｉ（ＣＨ3）4
等のアルキルシラン系ガス、Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4、Ｓｉ
（ＯＣＨ3）4等のアルコキシシラン系ガス、Ｓｉ（ＯＣ
ＯＣＨ3）4等のアセトキシシラン系ガス、Ｓｉ（ＮＣ
Ｏ）4ガスが挙げられる。また、これらのガスには、Ｐ
（ＣＨ3）3、Ｂ（ＣＨ3）3、ＰＨ3、Ｂ2Ｈ 6等を添加し
て複合酸化物としてもよい。 （ｉｉ）Ｈｉｇｈ−ｋ膜用原料ガス Ｔａ（ＯＣ2Ｈ5）5からのＴａ2Ｏ5膜、Ｙ（ＯｉＣ
3Ｈ7）3からのＹ2Ｏ5膜、Ｈｆ（ＯｉＣ3Ｈ7）4からのＨ
ｆＯ2膜、Ｚｎ（Ｃ2Ｈ5）2、Ｚｎ（ＯＣ2Ｈ5）2からＺ
ｎＯ2膜が挙げられる。 （ｉｉｉ）透明導電膜用原料ガス Ｉｎ（Ｏｉ−Ｃ3Ｈ7）3、Ｉｎ（ＣＨ3）3、Ｚｎ（Ｃ2Ｈ
5）2、Ｚｎ（ＯＣ2Ｈ5）2等が挙げられる。さらにドー
ピング用として、ＳｎＣｌ2、Ａｌ（ＣＨ3）3、Ａｌ
（ＯｉＣ3Ｈ7）3、Ｓｂ（ＯＣ2Ｈ5）3等が挙げられる。 反応性ガス 酸素元素含有ガスとしては、Ｏ2、Ｏ3、Ｎ2Ｏ、乾燥空
気等の酸素含有ガスが挙げられる。 希釈ガス ネオン、アルゴン、キセノン、Ｎ2、ヘリウム等が挙げ
られる。
【００３９】（２）窒化膜
原料ガス
ＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6等のシラン系ガス、Ｓｉ（ＣＨ3）4
等のアルキルシラン系ガス、ＴｉＣｌ2、Ａｌ（ＣＨ3）
3等が挙げられる。 反応ガス 無水アンモニア、Ｎ2等の窒素含有ガスが挙げられる。 希釈ガス ネオン、アルゴン、キセノン、Ｎ2、ヘリウム等が挙げ
られる。
等のアルキルシラン系ガス、ＴｉＣｌ2、Ａｌ（ＣＨ3）
3等が挙げられる。 反応ガス 無水アンモニア、Ｎ2等の窒素含有ガスが挙げられる。 希釈ガス ネオン、アルゴン、キセノン、Ｎ2、ヘリウム等が挙げ
られる。
【００４０】本発明では、経済性及び安全性等の観点か
ら、原料ガスを希釈ガスによって希釈し、これを処理ガ
スとして用いる方法が特に好ましい。希釈ガスは、単独
でも２種以上を混合して用いてもよい。
ら、原料ガスを希釈ガスによって希釈し、これを処理ガ
スとして用いる方法が特に好ましい。希釈ガスは、単独
でも２種以上を混合して用いてもよい。
【００４１】原料ガスの不活性ガスとの混合比は、使用
する不活性ガスの種類により適宜決定される。パルス電
界を印加する場合は、任意の混合比の雰囲気下で処理が
可能であるが、原料ガスの濃度が高すぎると放電プラズ
マが発生し難くなるため、原料ガスの濃度が、原料ガス
と不活性ガスとの混合ガス中の０．００１〜１０体積％
であることが好ましく、より好ましくは０．００１〜
０．５体積％である。
する不活性ガスの種類により適宜決定される。パルス電
界を印加する場合は、任意の混合比の雰囲気下で処理が
可能であるが、原料ガスの濃度が高すぎると放電プラズ
マが発生し難くなるため、原料ガスの濃度が、原料ガス
と不活性ガスとの混合ガス中の０．００１〜１０体積％
であることが好ましく、より好ましくは０．００１〜
０．５体積％である。
【００４２】本発明において、酸化金属薄膜又は窒化金
属薄膜を形成する被処理基材としては、プラズマ放電手
段がリモート型であるので、特に限定されないが、例え
ば、シリコンウェーハ、石英ガラス、プラスチックフィ
ルム等が挙げられる。
属薄膜を形成する被処理基材としては、プラズマ放電手
段がリモート型であるので、特に限定されないが、例え
ば、シリコンウェーハ、石英ガラス、プラスチックフィ
ルム等が挙げられる。
【００４３】本発明のパルス電界を用いた大気圧放電で
は、全くガス種に依存せず、電極間において直接大気圧
に放電を生じせしめることが可能であり、より単純化さ
れた電極構造、放電手順による大気圧プラズマ装置、及
び処理手法でかつ高速処理を実現することができる。ま
た、パルス周波数、電圧、電極間隔等のパラメータによ
り各薄膜に関する半導体素子処理パラメータも調整でき
る。
は、全くガス種に依存せず、電極間において直接大気圧
に放電を生じせしめることが可能であり、より単純化さ
れた電極構造、放電手順による大気圧プラズマ装置、及
び処理手法でかつ高速処理を実現することができる。ま
た、パルス周波数、電圧、電極間隔等のパラメータによ
り各薄膜に関する半導体素子処理パラメータも調整でき
る。
【００４４】さらに、印加パルス電界の形状及び変調を
含む周波数制御により選択励起が可能であり、特定化合
物の成膜速度を選択的に向上させたり不純物等の純度制
御が可能である。
含む周波数制御により選択励起が可能であり、特定化合
物の成膜速度を選択的に向上させたり不純物等の純度制
御が可能である。
【００４５】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明
するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるもので
はない。
するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるもので
はない。
【００４６】実施例１
図１に示す装置において、平行平板型電極として、幅１
５０ｍｍ×長さ６０ｍｍ×厚み１５ｍｍのＳＵＳ製の電
極に固体誘電体として、厚さ０．５ｍｍにアルミナを溶
射したものを用い、２ｍｍの間隔を置いて平行に設置し
た。また、一方の電極の中間に酸素導入口４として、１
ｍｍ幅のスリット状の穴を設けた。処理ガスとして、Ｔ
ＥＯＳ／Ｎ2の混合ガスをガス導入口５からプラズマ発
生室６に導入し、酸素導入口４からＯ2を導入し、プラ
ズマ発生室６’内においてＴＥＯＳ／Ｎ2／Ｏ2が０．０
５（ｇ／ｍｉｎ）／８（Ｌ／ｍｉｎ）／２（Ｌ／ｍｉ
ｎ）になるようにした。電極には、ＶP-P２０ｋＶ、１
０ｋＨｚのパルス電界を印加し、１００℃に加熱したＳ
ｉウェーハ基材上にプラズマ流を吹き付け基材上にＳｉ
Ｏ2膜を形成した。得られたＳｉＯ2膜をＦＴ−ＩＲで測
定し、９４０ｃｍ-1のＳｉＯＨ基と１０７０ｃｍ-1のＳ
ｉＯＳｉ基のピーク強度比を求め、膜質の評価を行った
ところ、ＳｉＯＨ／ＳｉＯＳｉが０．０５の酸化膜が形
成されていた。
５０ｍｍ×長さ６０ｍｍ×厚み１５ｍｍのＳＵＳ製の電
極に固体誘電体として、厚さ０．５ｍｍにアルミナを溶
射したものを用い、２ｍｍの間隔を置いて平行に設置し
た。また、一方の電極の中間に酸素導入口４として、１
ｍｍ幅のスリット状の穴を設けた。処理ガスとして、Ｔ
ＥＯＳ／Ｎ2の混合ガスをガス導入口５からプラズマ発
生室６に導入し、酸素導入口４からＯ2を導入し、プラ
ズマ発生室６’内においてＴＥＯＳ／Ｎ2／Ｏ2が０．０
５（ｇ／ｍｉｎ）／８（Ｌ／ｍｉｎ）／２（Ｌ／ｍｉ
ｎ）になるようにした。電極には、ＶP-P２０ｋＶ、１
０ｋＨｚのパルス電界を印加し、１００℃に加熱したＳ
ｉウェーハ基材上にプラズマ流を吹き付け基材上にＳｉ
Ｏ2膜を形成した。得られたＳｉＯ2膜をＦＴ−ＩＲで測
定し、９４０ｃｍ-1のＳｉＯＨ基と１０７０ｃｍ-1のＳ
ｉＯＳｉ基のピーク強度比を求め、膜質の評価を行った
ところ、ＳｉＯＨ／ＳｉＯＳｉが０．０５の酸化膜が形
成されていた。
【００４７】実施例２
図２に示す装置において、プラズマ発生室６及び６’用
の印加側平板型電極として、幅１５０ｍｍ×長さ７０ｍ
ｍ×厚み１５ｍｍのＳＵＳ製の電極に固体誘電体とし
て、厚さ０．５ｍｍにアルミナを溶射したものを用い、
接地側平板型電極３と３’用電極として、幅１５０ｍｍ
×長さ３０ｍｍ×厚み１５ｍｍのＳＵＳ製の電極に固体
誘電体として、厚さ０．５ｍｍにアルミナを溶射したも
のを用い、それぞれ２ｍｍの間隔を置いて平行に設置し
た。また、プラズマ発生室６’’用として、平行平板型
電極として、幅１５０ｍｍ×長さ３０ｍｍ×厚み１５ｍ
ｍのＳＵＳ製の電極に固体誘電体として、厚さ０．５ｍ
ｍにアルミナを溶射したものを用い、２ｍｍの間隔を置
いて平行に設置した。処理ガスとしてＴＥＯＳ／Ｎ2／
Ｏ2ガスを混合比０．０５（ｇ／ｍｉｎ）／９（Ｌ／ｍ
ｉｎ）／１（Ｌ／ｍｉｎ）でプラズマ発生室６に導入し
た。一方、プラズマ発生室６’’には、Ｎ2／Ｏ2の混合
ガスを４（Ｌ／ｍｉｎ）／１（Ｌ／ｍｉｎ）で導入し、
プラズマ発生室６’で両プラズマ発生室からのガスを合
流させるようにした。それぞれの電極に、ＶP-P２０ｋ
Ｖ、１０ｋＨｚのパルス電界を印加し、１００℃に加熱
したＳｉウェーハ基材上にプラズマ流を吹き付け基材上
にＳｉＯ2膜を形成した。得られたＳｉＯ2膜をＦＴ−Ｉ
Ｒで測定し、９４０ｃｍ-1のＳｉＯＨ基と１０７０ｃｍ
-1のＳｉＯＳｉ基のピーク強度比を求め、膜質の評価を
行ったところ、ＳｉＯＨ／ＳｉＯＳｉが０．０５の酸化
膜が形成されていた。
の印加側平板型電極として、幅１５０ｍｍ×長さ７０ｍ
ｍ×厚み１５ｍｍのＳＵＳ製の電極に固体誘電体とし
て、厚さ０．５ｍｍにアルミナを溶射したものを用い、
接地側平板型電極３と３’用電極として、幅１５０ｍｍ
×長さ３０ｍｍ×厚み１５ｍｍのＳＵＳ製の電極に固体
誘電体として、厚さ０．５ｍｍにアルミナを溶射したも
のを用い、それぞれ２ｍｍの間隔を置いて平行に設置し
た。また、プラズマ発生室６’’用として、平行平板型
電極として、幅１５０ｍｍ×長さ３０ｍｍ×厚み１５ｍ
ｍのＳＵＳ製の電極に固体誘電体として、厚さ０．５ｍ
ｍにアルミナを溶射したものを用い、２ｍｍの間隔を置
いて平行に設置した。処理ガスとしてＴＥＯＳ／Ｎ2／
Ｏ2ガスを混合比０．０５（ｇ／ｍｉｎ）／９（Ｌ／ｍ
ｉｎ）／１（Ｌ／ｍｉｎ）でプラズマ発生室６に導入し
た。一方、プラズマ発生室６’’には、Ｎ2／Ｏ2の混合
ガスを４（Ｌ／ｍｉｎ）／１（Ｌ／ｍｉｎ）で導入し、
プラズマ発生室６’で両プラズマ発生室からのガスを合
流させるようにした。それぞれの電極に、ＶP-P２０ｋ
Ｖ、１０ｋＨｚのパルス電界を印加し、１００℃に加熱
したＳｉウェーハ基材上にプラズマ流を吹き付け基材上
にＳｉＯ2膜を形成した。得られたＳｉＯ2膜をＦＴ−Ｉ
Ｒで測定し、９４０ｃｍ-1のＳｉＯＨ基と１０７０ｃｍ
-1のＳｉＯＳｉ基のピーク強度比を求め、膜質の評価を
行ったところ、ＳｉＯＨ／ＳｉＯＳｉが０．０５の酸化
膜が形成されていた。
【００４８】実施例３
図３に示す装置において、プラズマ発生室６及び６’’
用の印加側平板型電極として、幅３０ｍｍ×長さ６０ｍ
ｍ×厚み１０ｍｍのＳＵＳ製の電極に固体誘電体とし
て、厚さ０．５ｍｍにアルミナを溶射したものを用い、
接地側平板型電極として３と３’のような形状の電極を
使用し、放電面に固体誘電体として、厚さ０．５ｍｍに
アルミナを溶射したものを用い、２ｍｍの間隔を置いて
平行に設置した。処理ガスとしてＴＥＯＳ／Ｎ2／Ｏ2ガ
スを混合比０．０５（ｇ／ｍｉｎ）／４（Ｌ／ｍｉｎ）
／１（Ｌ／ｍｉｎ）でプラズマ発生室６に導入した。一
方、プラズマ発生室６’’には、Ｎ2／Ｏ2の混合ガスを
４（Ｌ／ｍｉｎ）／１（Ｌ／ｍｉｎ）で導入し、プラズ
マ発生室６’で両プラズマ発生室からのガスを合流させ
るようにした。電極に、ＶP-P２０ｋＶ、１０ｋＨｚの
パルス電界を印加し、１００℃に加熱したＳｉウェーハ
基材上にプラズマ流を吹き付け基材上にＳｉＯ 2膜を形
成した。得られたＳｉＯ2膜をＦＴ−ＩＲで測定し、９
４０ｃｍ-1のＳｉＯＨ基と１０７０ｃｍ-1のＳｉＯＳｉ
基のピーク強度比を求め、膜質の評価を行ったところ、
ＳｉＯＨ／ＳｉＯＳｉが０．０５の酸化膜が形成されて
いた。
用の印加側平板型電極として、幅３０ｍｍ×長さ６０ｍ
ｍ×厚み１０ｍｍのＳＵＳ製の電極に固体誘電体とし
て、厚さ０．５ｍｍにアルミナを溶射したものを用い、
接地側平板型電極として３と３’のような形状の電極を
使用し、放電面に固体誘電体として、厚さ０．５ｍｍに
アルミナを溶射したものを用い、２ｍｍの間隔を置いて
平行に設置した。処理ガスとしてＴＥＯＳ／Ｎ2／Ｏ2ガ
スを混合比０．０５（ｇ／ｍｉｎ）／４（Ｌ／ｍｉｎ）
／１（Ｌ／ｍｉｎ）でプラズマ発生室６に導入した。一
方、プラズマ発生室６’’には、Ｎ2／Ｏ2の混合ガスを
４（Ｌ／ｍｉｎ）／１（Ｌ／ｍｉｎ）で導入し、プラズ
マ発生室６’で両プラズマ発生室からのガスを合流させ
るようにした。電極に、ＶP-P２０ｋＶ、１０ｋＨｚの
パルス電界を印加し、１００℃に加熱したＳｉウェーハ
基材上にプラズマ流を吹き付け基材上にＳｉＯ 2膜を形
成した。得られたＳｉＯ2膜をＦＴ−ＩＲで測定し、９
４０ｃｍ-1のＳｉＯＨ基と１０７０ｃｍ-1のＳｉＯＳｉ
基のピーク強度比を求め、膜質の評価を行ったところ、
ＳｉＯＨ／ＳｉＯＳｉが０．０５の酸化膜が形成されて
いた。
【００４９】比較例１
実施例１と同じ装置を使用し、酸素導入口から酸素を導
入しない以外は、実施例１と同様にして基材上にプラズ
マ流を吹き付け基材上にＳｉＯ2膜を形成した。得られ
たＳｉＯ2膜をＦＴ−ＩＲで測定し、９４０ｃｍ-1のＳ
ｉＯＨ基と１０７０ｃｍ-1のＳｉＯＳｉ基のピーク強度
比を求め、膜質の評価を行ったところ、ＳｉＯＨ／Ｓｉ
ＯＳｉが０．１５の酸化膜が形成されていた。
入しない以外は、実施例１と同様にして基材上にプラズ
マ流を吹き付け基材上にＳｉＯ2膜を形成した。得られ
たＳｉＯ2膜をＦＴ−ＩＲで測定し、９４０ｃｍ-1のＳ
ｉＯＨ基と１０７０ｃｍ-1のＳｉＯＳｉ基のピーク強度
比を求め、膜質の評価を行ったところ、ＳｉＯＨ／Ｓｉ
ＯＳｉが０．１５の酸化膜が形成されていた。
【００５０】
【発明の効果】本発明の多段プラズマ処理方法は、リモ
ート型のプラズマ処理装置において、金属元素含有ガス
を予めプラズマ励起した後に酸素含有ガス及び／又は窒
素含有ガスを導入して、さらにプラズマ励起させること
による多段型の放電プラズマ処理を行うので、安定して
均質な金属酸化膜又は窒化膜を形成することができる。
したがって、半導体素子に必要な絶縁膜、Ｈｉｇｈ−ｋ
膜、透明導電膜、窒化膜の形成を容易に形成できる。
ート型のプラズマ処理装置において、金属元素含有ガス
を予めプラズマ励起した後に酸素含有ガス及び／又は窒
素含有ガスを導入して、さらにプラズマ励起させること
による多段型の放電プラズマ処理を行うので、安定して
均質な金属酸化膜又は窒化膜を形成することができる。
したがって、半導体素子に必要な絶縁膜、Ｈｉｇｈ−ｋ
膜、透明導電膜、窒化膜の形成を容易に形成できる。
【図１】本発明の多段型の放電プラズマ処理方法の一例
を説明する図である。
を説明する図である。
【図２】本発明の多段型の放電プラズマ処理方法の一例
を説明する図である。
を説明する図である。
【図３】本発明の多段型の放電プラズマ処理方法の一例
を説明する図である。
を説明する図である。
１、１’ 電源
２、２’ 電極
３、３’、３’’ 電極
４ 酸素導入口
５ 処理ガス導入口
６、６’、６’’ プラズマ発生室
７ プラズマ吹出口
８ 被処理基材
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 4G075 AA24 AA30 AA61 BC04 BD14
CA14 CA15 DA01 DA13 EB41
EC21 FA01 FC15
4K030 AA14 AA18 BA02 BA11 BA16
BA17 BA21 BA38 BA40 BA44
CA04 CA12 EA06 FA03 JA11
JA13 JA14 KA14 KA17 KA30
KA47
5F045 AA08 AB31 AB32 AB33 AC01
AC07 AC11 AC12 AE25 AF03
AF07 BB09 EH04 EH05 EH08
EH13 EH18 EH19 HA24
5F058 BB06 BC02 BC03 BC08 BC12
BF07 BF23 BF27 BF29 BF30
BF37 BF38 BG01 BG02 BG10
BJ01
Claims (11)
- 【請求項１】 金属元素含有ガスと酸素含有ガス及び／
又は窒素含有ガスを反応させて酸化金属化合物及び／又
は窒化金属化合物からなる薄膜を形成する放電プラズマ
処理方法において、一つのプラズマ発生室を通過した金
属元素含有ガスに、酸素含有ガス及び／又は窒素含有ガ
スを合流させて、別のプラズマ発生室を通過させて薄膜
を形成することを特徴とする多段型の放電プラズマ処理
方法。 - 【請求項２】 金属元素含有ガスと酸素含有ガス及び／
又は窒素含有ガスを反応させて酸化金属化合物及び／又
は窒化金属化合物からなる薄膜を形成する放電プラズマ
処理方法において、一つのプラズマ発生室を通過した金
属元素含有ガスと、別のプラズマ発生室を通過した酸素
含有ガス及び／又は窒素含有ガスとを合流させて、別の
プラズマ発生室を通過させて薄膜を形成することを特徴
とする多段型の放電プラズマ処理方法。 - 【請求項３】 プラズマ発生室が、少なくとも一対の対
向電極を有し、対向電極の少なくとも一方の対向面が固
体誘電体で被覆された電極に電界を印加してプラズマを
発生させる空間であることを特徴とする請求項１又は２
に記載の多段型の放電プラズマ処理方法。 - 【請求項４】 電界が、パルス立ち上がり及び／又は立
ち下がり時間が１０μｓ以下であるパルス状電界である
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の
多段型の放電プラズマ処理方法。 - 【請求項５】 電界が、電界強度が１０〜１０００ｋＶ
／ｃｍであるパルス状電界であることを特徴とする請求
項１〜４のいずれか１項に記載の多段型の放電プラズマ
処理方法。 - 【請求項６】 対向電極の一の端部に処理ガス導入口
（１）と、別の端部にガス吹出口と、前記処理ガス導入
口とガス吹出口の中間に処理ガス導入口（２）とを有す
ることを特徴とする放電プラズマ処理装置。 - 【請求項７】 処理ガス導入口（１）が、電極に設けら
れた穴によって形成されていることを特徴とする請求項
６に記載の放電プラズマ処理装置。 - 【請求項８】 一の対向電極によって形成される第１の
プラズマ発生室、他の対向電極によって形成される第２
のプラズマ発生室を備え、第１のプラズマ発生室と第２
のプラズマ発生室から吹き出したガス流が合流して、第
３のプラズマ発生室に導入されるようになされたことを
特徴とする放電プラズマ処理装置。 - 【請求項９】 第１のプラズマ発生室と第３のプラズマ
発生室の電界印加側の電極が共通のものであることを特
徴とする請求項８に記載の放電プラズマ処理装置。 - 【請求項１０】 第１のプラズマ発生室と第２のプラズ
マ発生室の電界印加側の電極が共通のものであることを
特徴とする請求項８に記載の放電プラズマ処理装置。 - 【請求項１１】 第１のプラズマ発生室には金属元素含
有ガスが導入され、第２のプラズマ発生室には酸素含有
ガス及び／又は窒素含有ガスが導入されるものであるこ
とを特徴とする請求項８〜１０のいずれか１項に記載の
放電プラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2001248039A JP4546675B2 (ja) | 2001-08-17 | 2001-08-17 | 多段型の放電プラズマ処理方法及び装置 |
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| JP2001248039A JP4546675B2 (ja) | 2001-08-17 | 2001-08-17 | 多段型の放電プラズマ処理方法及び装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003059924A true JP2003059924A (ja) | 2003-02-28 |
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-
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- 2001-08-17 JP JP2001248039A patent/JP4546675B2/ja not_active Expired - Fee Related
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