JPS5989759A - 気体電気化学反応装置 - Google Patents
気体電気化学反応装置Info
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- JPS5989759A JPS5989759A JP19760382A JP19760382A JPS5989759A JP S5989759 A JPS5989759 A JP S5989759A JP 19760382 A JP19760382 A JP 19760382A JP 19760382 A JP19760382 A JP 19760382A JP S5989759 A JPS5989759 A JP S5989759A
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- JP
- Japan
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- electrode
- gas
- gaseous
- reaction chamber
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
- C23C16/5096—Flat-bed apparatus
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、プラズマＣＶＤ装置等のような気体電気化学
反応装置に関する。
反応装置に関する。
従来、プラズマＣＶＤ装置として、第１図に示すように
、平行平板電極の一方から２種類のガスを噴出するよう
に構成されたものが提案されている。
、平行平板電極の一方から２種類のガスを噴出するよう
に構成されたものが提案されている。
第１図において、反応室１内には平行平板電極２．３が
設けられ、下側の電極３はウェハ４を載置自在になって
いる。上側の電極２には２系統の噴出口５，６がそれぞ
れ複数ずつ穿設されており、一方の系統の噴出口５は電
極２内部に形成された通路７に連通され、他方の系統の
噴出口６は電極２の上方空間に連通されている。通路７
には第１反応ガス、例えばシラ／化合物ガスが供給され
、このガスは噴出口５からウェハ４の真上空間に噴出さ
れる。電極２の上方空間には反応室１の頂部に穿設され
た通路８から第２反応ガス、たとえば酸化剤ガスが供給
され、このガスは噴出口６からウェハ４の真上空間に噴
出される。なお、反応室１の下部には排気口９が穿設さ
れている。
設けられ、下側の電極３はウェハ４を載置自在になって
いる。上側の電極２には２系統の噴出口５，６がそれぞ
れ複数ずつ穿設されており、一方の系統の噴出口５は電
極２内部に形成された通路７に連通され、他方の系統の
噴出口６は電極２の上方空間に連通されている。通路７
には第１反応ガス、例えばシラ／化合物ガスが供給され
、このガスは噴出口５からウェハ４の真上空間に噴出さ
れる。電極２の上方空間には反応室１の頂部に穿設され
た通路８から第２反応ガス、たとえば酸化剤ガスが供給
され、このガスは噴出口６からウェハ４の真上空間に噴
出される。なお、反応室１の下部には排気口９が穿設さ
れている。
このようにしてウェハ４の真上空間に供給された第１反
応ガスと第２反応ガスとが平行平板電極２．３によるプ
ラズマにより気体電気化学反応を起し、ウェハ４の表面
にＣＶＤ膜が生成される。
応ガスと第２反応ガスとが平行平板電極２．３によるプ
ラズマにより気体電気化学反応を起し、ウェハ４の表面
にＣＶＤ膜が生成される。
しかしながら、このような従来のプラズマＣＶＤ装置に
あっては、ＮＯ，ガスが反応室内の電極上方空間を通過
してからウェハの真上空間に噴出されるため、ＳｉＨ，
ガスと均等に噴出させるのに反応室の電極上方空間の容
積を大きく設定せねばならず、この空間で放電が起り、
パワー損失や異物発生の原因になるという欠点があった
。
あっては、ＮＯ，ガスが反応室内の電極上方空間を通過
してからウェハの真上空間に噴出されるため、ＳｉＨ，
ガスと均等に噴出させるのに反応室の電極上方空間の容
積を大きく設定せねばならず、この空間で放電が起り、
パワー損失や異物発生の原因になるという欠点があった
。
本発明の目的は、前記従来技術の欠点を解消し、電極上
方空間での放電を防止することができる気体電気化学反
応装置を提供するにある。
方空間での放電を防止することができる気体電気化学反
応装置を提供するにある。
以下、本発明を図面に示す実施例にしたがって説明する
。
。
第２図は本発明による気体電気化学反応装置の一実施例
を示す縦断面図であり、プラズマＣＶＤ装置に適用した
場合を示しており、第２図中、第１図と同一の符号は同
一の構成要素を示している。
を示す縦断面図であり、プラズマＣＶＤ装置に適用した
場合を示しており、第２図中、第１図と同一の符号は同
一の構成要素を示している。
本実施例において、上側電極２の上面と反応室１の天井
面との間には絶縁部材１０が電極２の上方空間を埋める
ように介設されており、この絶縁部材１０の内部には、
ＮＯ，ガス供給手段（不図示）に一端において連通する
通路１１が他端において電極２の一方の噴出口６群に連
通するように形成されている。
面との間には絶縁部材１０が電極２の上方空間を埋める
ように介設されており、この絶縁部材１０の内部には、
ＮＯ，ガス供給手段（不図示）に一端において連通する
通路１１が他端において電極２の一方の噴出口６群に連
通するように形成されている。
なお、前記部材１０に相当するものの材料は、反応室１
が導電体のとき絶縁部材を用い、反応室が石英ガラス等
の絶縁材のときは、部材１ｏに相当するものの材料は絶
縁部材でなくてもよい。
が導電体のとき絶縁部材を用い、反応室が石英ガラス等
の絶縁材のときは、部材１ｏに相当するものの材料は絶
縁部材でなくてもよい。
次に作用を説明する。
第２図に破線矢印で示すように、絶縁部材１゜の通路１
１に供給されたＮＯ！ガスは反応室１を通過することな
く、噴出口６からウェハ４の真−上中間に至り、他系統
の噴出口５から噴出してくるＳｉＨ，ガス（実線矢印で
示す。）と混合する。平行平板電極２，３間に高周波電
流が印加されると、プラズマが生成されて５ｉＩ１．ガ
スとＮＯ，ガスとで気体電気化学反応が惹起され、ウェ
ハ４の表面にはＣＶＤ膜が生成される。
１に供給されたＮＯ！ガスは反応室１を通過することな
く、噴出口６からウェハ４の真−上中間に至り、他系統
の噴出口５から噴出してくるＳｉＨ，ガス（実線矢印で
示す。）と混合する。平行平板電極２，３間に高周波電
流が印加されると、プラズマが生成されて５ｉＩ１．ガ
スとＮＯ，ガスとで気体電気化学反応が惹起され、ウェ
ハ４の表面にはＣＶＤ膜が生成される。
このとき、ＮＯ，ガスは通路１１を通過して噴出口６か
らウェハ４の真上空間に直接噴出されるため、電極２の
上方空間が不必要になり、反応室１の天井面は絶縁部材
１０に密接させることが可能になり、また、電極２の上
面は絶学部材１ｏで被覆された状態になるため、ＮＯ，
ガス空間で放電が惹起することはなくなる。
らウェハ４の真上空間に直接噴出されるため、電極２の
上方空間が不必要になり、反応室１の天井面は絶縁部材
１０に密接させることが可能になり、また、電極２の上
面は絶学部材１ｏで被覆された状態になるため、ＮＯ，
ガス空間で放電が惹起することはなくなる。
本実施例によれば、ＮＯ，ガスがウェハの真上空間に直
接噴出され、ＮＯ，ガス空間におけるプラズマの惹起が
防止されるため、パワー損失や異物発生が低減できると
ともに、膜質に影響する不安定要因を減少することがで
き、また、反応室の容積を小さくすることができる。
接噴出され、ＮＯ，ガス空間におけるプラズマの惹起が
防止されるため、パワー損失や異物発生が低減できると
ともに、膜質に影響する不安定要因を減少することがで
き、また、反応室の容積を小さくすることができる。
なお、前記実施例では、ＮＯ，ガスが絶縁部相通路に供
給される場合につき説明したが、ＳｉＨ４ガスを絶縁部
材通路に供給するようにしてもよい。
給される場合につき説明したが、ＳｉＨ４ガスを絶縁部
材通路に供給するようにしてもよい。
また、ＮＯ，ガスおよびＳｉＨ４ガス以外の他のガスな
使用してもよいし、絶縁部材に２系統以−トの通路を形
成すれば、２種以上のガスを使用することも可能である
。
使用してもよいし、絶縁部材に２系統以−トの通路を形
成すれば、２種以上のガスを使用することも可能である
。
第３図は本発明の他の実施例を示すものであり、本実施
例において、電極２は噴出口５と通路７とを備え、１種
類のガスのみをウェハ４の真上空間に供給するようにな
っており、この電極２の上面と反応室１の天井面との間
には中実の絶縁部材１０Ａが介設されている。
例において、電極２は噴出口５と通路７とを備え、１種
類のガスのみをウェハ４の真上空間に供給するようにな
っており、この電極２の上面と反応室１の天井面との間
には中実の絶縁部材１０Ａが介設されている。
本実施例によれば、電極２の上方空間が絶縁部材１０Ａ
で埋められているので、電極の上方空間での放電現象お
よびガスのまわり込み現象を防止することができ、パワ
ー損失や異物発生が低減できるとともに、膜質に影響す
る不安定要因を減少させることができ、また、反応室の
容積を小さくすることができる。
で埋められているので、電極の上方空間での放電現象お
よびガスのまわり込み現象を防止することができ、パワ
ー損失や異物発生が低減できるとともに、膜質に影響す
る不安定要因を減少させることができ、また、反応室の
容積を小さくすることができる。
なお、本発明はプラズマＣＶＤ装置に限らず、例えばド
ライエツチング装置等の他の気体電気化学反応装置全般
に適用することができる。
ライエツチング装置等の他の気体電気化学反応装置全般
に適用することができる。
以上説明したように、本発明によれば、パワー損失や異
物発生を防止することができる。
物発生を防止することができる。
第１図は従来例を示す縦断面図、
第２図は本発明の第１実施例を示す縦断面図、第３図は
本発明の第２実施例を示す縦断面図である。 １・・・反応室、２，３・・・平行平板電極、４・・・
ウェハ、５，６・・・噴出口、７，８．１１・・・通路
、１０゜１０Ａ・・・絶縁部材。 第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図
本発明の第２実施例を示す縦断面図である。 １・・・反応室、２，３・・・平行平板電極、４・・・
ウェハ、５，６・・・噴出口、７，８．１１・・・通路
、１０゜１０Ａ・・・絶縁部材。 第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、反応室内に平行平板電極を備えた気体電気化学反応
装置において、前記平行平板電極のうち一方の電極の裏
面と反応室内面との間に絶縁部材を介設したことを特徴
とする気体電気化学反応装置。 ２、平行平板電極が、異種のガスをそれぞれ噴出する複
数系統の噴出口を有し、かつ、絶縁部材が少なくとも１
系統の噴出口に連通ずる通路な有することを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の気体電気化学装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19760382A JPS5989759A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | 気体電気化学反応装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19760382A JPS5989759A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | 気体電気化学反応装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5989759A true JPS5989759A (ja) | 1984-05-24 |
| JPH0379437B2 JPH0379437B2 (ja) | 1991-12-18 |
Family
ID=16377214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19760382A Granted JPS5989759A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | 気体電気化学反応装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5989759A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61177374A (ja) * | 1985-01-30 | 1986-08-09 | Shimadzu Corp | プラズマｃｖｄ装置及びプラズマｃｖｄによる成膜方法 |
| WO2001089024A1 (en) * | 2000-05-16 | 2001-11-22 | University College London | Electrochemical methods and cells |
| US20120111501A1 (en) * | 2010-11-04 | 2012-05-10 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57167630A (en) * | 1981-03-13 | 1982-10-15 | Fujitsu Ltd | Plasma vapor-phase growing device |
-
1982
- 1982-11-12 JP JP19760382A patent/JPS5989759A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57167630A (en) * | 1981-03-13 | 1982-10-15 | Fujitsu Ltd | Plasma vapor-phase growing device |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61177374A (ja) * | 1985-01-30 | 1986-08-09 | Shimadzu Corp | プラズマｃｖｄ装置及びプラズマｃｖｄによる成膜方法 |
| WO2001089024A1 (en) * | 2000-05-16 | 2001-11-22 | University College London | Electrochemical methods and cells |
| US20120111501A1 (en) * | 2010-11-04 | 2012-05-10 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| US9196461B2 (en) * | 2010-11-04 | 2015-11-24 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0379437B2 (ja) | 1991-12-18 |
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