JPS61177374A - プラズマｃｖｄ装置及びプラズマｃｖｄによる成膜方法 - Google Patents

プラズマｃｖｄ装置及びプラズマｃｖｄによる成膜方法

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JPS61177374A
JPS61177374A JP1707885A JP1707885A JPS61177374A JP S61177374 A JPS61177374 A JP S61177374A JP 1707885 A JP1707885 A JP 1707885A JP 1707885 A JP1707885 A JP 1707885A JP S61177374 A JPS61177374 A JP S61177374A
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JP
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substrate
electrodes
plasma
plasma cvd
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Yoshio Kashima
義雄 鹿島
Masahiko Tai
田井　雅彦
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Shimadzu Corp
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Shimadzu Corp
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
    • C23C16/5096—Flat-bed apparatus

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ｉｔ上二肌且立… この発明はプラズマＣＶ　Ｄ　（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖ
ａｐｏｕｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）による成膜方法及び
その装置に係り、特に電極端部のプラズマ強度を抑制し
て膜厚分布を均一にすることができるプラズマＣＶＤに
よる成膜方法及びその装置に関する。
丈来夏伎丘 従来の平行平板型のプラズマＣＶＤ装置は、放電領域側
の面に基板が取り付けられた平板状の゛基板電極と、も
う１つの電極とが平行に配設されており、前記両電極に
高周波電圧を印加させて反応ガスをプラズマ状態にして
基板上に薄膜を生成している。
＜　２しよ゛と　るｐ　占 しかしながら上述した平行平板型の電極構造を用いたプ
ラズマＣＶＤ方式は、電極端部に電気力線が集中するた
めに、電極周辺部に強いプラズマが発生する。そのため
電極周辺部に位置する基板の膜厚が厚くなるという問題
がある。しかして膜厚分布はガス圧、投入電力、電極間
距離、ガス流などに依存するため、電極端部の膜厚を抑
えるために前記諸条件を変化さすと他の部分の膜厚が薄
くなり不都合である。
従ってこの発明は比較的簡単な手段で膜厚分布を均一に
することができるプラズマＣＶＤによる成膜方法及びそ
の装置を提供することを目的としている。
目・占　２　るための 第１の発明に係るプラズマＣＶＤによる成膜方法は、平
行平板の電極間に、前記電極周辺部に沿った絶縁体を介
在させて成膜することを特徴としている。
一方、第２の発明に係るプラズマＣＶＤ装置は平行平板
型の電極構造を備え、かつ基板電極に対応する電極の放
電領域側の電極面周辺部に沿って絶縁体リングを着説自
在に取り付けたことを特徴としている。
作工 上述したように平行平板の電極間に電極周辺部に沿った
絶縁体を介在させることにより、電極端面における電気
力線の集中部付近のプラズマ発生を抑制することができ
る。これにより放電領域におけるプラズマ強度を均一に
することができる。
１蓋± 第１図はこの発明に係るプラズマＣＶＤ装置の一実施例
を示した説明図である。
同図において１は内部孔を有する円板状の電極である。
電極１の表面には複数のガス噴出孔２が開設されている
。電極１は、その下面において内部孔に連通ずる導電パ
イプによって接続支持されている。
３は前記電極１を、その表面を除いて覆う絶縁物である
。
４は前記絶縁物３をさらに覆うように配設されるシール
ド板である。
５は電極１の表面周辺部からシールド板４の端面にかけ
て覆うように載置される絶縁体リングを示している。こ
の絶縁体リング５の内・外径及び厚み寸法は、電極端面
の放電強さに応じて適宜に設定される。
６は前記電極１と略平行して配設される円板状の基板電
極である。この基板電極６と前記電極１との間隙はいわ
ゆる放電領域を形成しており、基板電極６の放電領域側
の面には基板７が取り付けられている。
８は基板電極６の放電領域側と反対の面に近接して取り
付けられるヒータである。
９は前記電極１及び基板電極６などを気密状態に取り囲
むチャンバを示している。チャンバ９内の余剰ガスは、
図示しない排気ポンプによって排気孔１０を介して排気
される。
なお、１１は前記電極１及び基板電極６に高周波電圧を
与える高周波電源、１２はヒータ８に電力を供給するヒ
ータ用電源をそれぞれ示している。
次ぎに第１図に示したプラズマＣＶＤ装置の動作につい
て説明する。これによりプラズマＣＶＤによる成膜方法
の一実施例の内容も明らかになろう。
反応ガスは電極１を支持する導電パイプを介して電極１
の内部孔に導入される。この反応ガスはさらにその表面
に形成されたガス噴出孔２を介して放電領域に噴出され
る。
一方、電極１及び基板電極６に高周波電圧が印加される
ことにより、反応ガスが励起されてプラズマが発生する
。このとき電極１の周辺部が前記絶縁体リング５で覆わ
れているために、電極端面部分での放電が弱められる。
本来、他の部分よりも放電状態が強くなる傾向にある電
極端面部分の放電が弱められることにより、放電領域内
のプラズマ分布が均一化し、これにより基板７に均一に
薄膜を形成させることができる。
なお上述の実施例では電極形状を円板状として説明した
が、この考案はこれに限られるものでなく例えば角状の
電極であってもよい。この場合絶縁体リングは前記電極
周辺部を覆うように角状のリングに形成される。
１ユ亘立米 以上述べたようにこの発明によれば平行平板の電極間に
介在させた絶縁体リングによって、電極端面のプラズマ
強度を抑制できるので、比較的簡単な手段で膜厚分布を
均一にすることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明に係るプラズマＣＶＤ装置の一実施例
を略示した説明図である。 ■・・・電極、５・・・絶縁体リング、６・・・基板電
極、７・・・基板。 特許出願人　　　　　株式会社　島津製作所代理人　弁
理士　　　大　西　孝　治 第１図 反矢がス

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）平行平板の電極間に、前記電極周辺部に沿った絶
    縁体を介在させて、基板電極に取り付けられた基板に所
    望の薄膜を成長させることを特徴とするプラズマＣＶＤ
    による成膜方法。
  2. （２）平行平板型の電極構造を備えたプラズマＣＶＤ装
    置において、基板電極に対向する電極の放電領域側の電
    極面周辺部に、絶縁体リングを着脱自在に取り付けたこ
    とを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
JP60017078A 1985-01-30 1985-01-30 プラズマｃｖｄ装置及びプラズマｃｖｄによる成膜方法 Expired - Fee Related JPH062952B2 (ja)

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