JPH0992493A - 表面処理装置 - Google Patents

表面処理装置

Info

Publication number
JPH0992493A
JPH0992493A JP7268000A JP26800095A JPH0992493A JP H0992493 A JPH0992493 A JP H0992493A JP 7268000 A JP7268000 A JP 7268000A JP 26800095 A JP26800095 A JP 26800095A JP H0992493 A JPH0992493 A JP H0992493A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
surface treatment
holder
treatment apparatus
electrodes
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP7268000A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3653824B2 (ja
Inventor
Isao Kubota
勲 久保田
Takuya Miyagawa
拓也 宮川
Masaki Kato
正樹 加藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP26800095A priority Critical patent/JP3653824B2/ja
Publication of JPH0992493A publication Critical patent/JPH0992493A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3653824B2 publication Critical patent/JP3653824B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Plasma Technology (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【解決手段】 2枚の石英ガラス板31、32を所定の
間隔をもって対向させ、かつ左右両側辺を樹脂材料33
で接着して、その内部に上下方向のガス流路30を画定
したノズル23を形成する。ノズルは、セラミック材料
からなるノズルホルダ26〜29により保持される。電
源電極及び接地電極は、ノズルの両側に配置され、かつ
ノズルホルダに関して下辺及び一方の側辺に幾分遊び4
0、41を有するように、その上辺及び他方の側辺がボ
ルト38、39で固定される。放電ガスをノズル上端か
らガス流路内に導入し、両電極間で放電させて放電ガス
の励起活性種を生成し、これを含む放電ガス流をノズル
下端のガス噴出口34から被処理材39表面に向けて噴
出させる。 【効果】 放電により発生する熱に対して電極を冷却す
る必要が無いので、処理レートを高く維持できる。装置
の構造・組立が簡単。局所的な表面処理ができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、被処理材の表面を
エッチング、アッシング、改質又は薄膜を形成する表面
処理技術に関し、特に大気圧又はその近傍の圧力下で生
成されるプラズマの励起活性種を用いて表面処理するた
めの装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、プラズマ放電により生成され
る励起活性種を利用して被処理材の表面を様々に処理す
るための技術が知られている。従来の真空中又は減圧さ
れた環境下でプラズマ放電をさせる表面処理方法は、真
空チャンバ等の特別な装置・設備が必要で製造コストが
高く、それにも拘わらず処理能力が低いという問題があ
った。そこで、最近では、例えば特開平6−2149号
公報に記載されるように、大気圧付近の圧力下でプラズ
マ放電させ、真空設備を必要とせず、低コストで装置を
簡単かつ小型化することができる表面処理技術が提案さ
れている。
【0003】この大気圧下でのプラズマによる表面処理
には、電極と被処理材との間で直接気体放電を生じさせ
る直接方式と、電源電極と接地電極間での放電により活
性種を生成しかつこれを含むガス流を被処理材表面に噴
出させる間接方式とがある。直接方式は、高い処理レー
トが得られる反面、チャージアップにより被処理材を損
傷したり、被処理材の形状が複雑であったり凹凸がある
場合又は処理範囲を制限したい場合に十分に対応できな
い虞がある。他方、間接方式は、直接方式に比して処理
レートが低いので高出力を要求される場合があるが、チ
ャージアップによる被処理材の損傷の虞が無く、ガス流
を噴出させるノズルの形状を変えたりガスの流量を調整
することによって、被処理材の形状や処理範囲の制限に
対応した局所的な表面処理が可能である。
【0004】図8及び図9には、このような局所的な表
面処理に適した表面処理装置の一例が示されている。こ
の表面処理装置は、例えば基板のような被処理材1の表
面に放電ガスを直線状に噴出させる所謂ラインタイプで
あって、互いに対向させた2枚の矩形アルミニウム板か
らなる1対の電源電極2及び接地電極3と、その4辺を
囲む上下左右のホルダ部材4乃至7からなるホルダとに
よって構成される。下側ホルダ部材7の中央には、前記
両電極間に画定される空隙8に連通し、かつ被処理材1
に向けて開口する細長い直線状のガス噴出口9が形設さ
れている。更に下側ホルダ部材7には、図10に併せて
示されるように、ガス噴出口9の両側に排気口10と、
その外側にバリヤガスの噴出口11とが平行に開設され
ている。
【0005】放電ガスは、ガス供給源12から前記両電
極の外面に設けたジョイント13を介して空隙9の上端
に導入される。高周波電源14から前記両電極間に所定
の電圧を印加して空隙9内を下向きに流れる放電ガス中
で放電させ、それにより生成される励起活性種が含まれ
る放電ガスを被処理材1の表面に吹き当てる。放電ガス
を適当に選択することによって、エッチング、アッシン
グ、表面改質、又は薄膜形成等の様々な表面処理が行わ
れる。この表面処理装置では、細長いガス噴出口9によ
って被処理材1の表面を2〜3mm幅程度の直線状に局所
処理することができ、また被処理材をガス噴出口9と直
交する向きに移動させることによって、広い面積を処理
することができる。被処理材1表面を処理した後の放電
ガスは、排気口10から外部に排出され、また噴出口1
1から吹き出すヘリウム、アルゴン等の不活性なバリヤ
ガスによるカーテンによって、表面処理されている領域
への大気の侵入が防止され、より良好な表面処理が可能
である。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の表面処
理装置は、両電極2、3間の空隙8が放電ガスの流路と
なるため、前記電極の4辺と前記ホルダ部材との接合部
に気密性が要求されるので、その上辺及び左右両辺が、
多数のボルト15、16によって対応する上側及び左右
ホルダ部材4〜6と緊密に結合されている。しかし、前
記電極のアルミニウムと前記ホルダ部材のセラミック材
料とは熱膨張率に大きな差があるため、プラズマ放電の
高温によってホルダに割れを生じる虞がある。そこで、
両電極2、3には、冷却液の取入口17、流路18及び
排出口19からなる冷却系統が設けられ、例えば水等の
冷却液を外部から流通させて放電時の前記両電極を冷却
している。
【0007】ところが、放電時に電極を冷却すると、被
処理材1表面に吹き付けられる放電ガスの温度が常温程
度まで低下する。このため、表面処理能力が低下して、
処理レートが大幅に下がったり十分に処理できなくなる
という問題がある。例えばエッチングの場合には、被処
理材に当たる放電ガスの温度が150〜200℃である
と好都合である。そこで、前記表面処理装置では、被処
理材1を載置するテーブル20にヒータを内蔵して被処
理材を加熱し、処理レートを高める工夫がなされてい
る。しかしながら、テーブルを100℃程度に加熱して
も、被処理材表面における放電ガスの温度は50℃程度
であるから、エッチングや濡れ性を向上させる表面改質
の場合にも高い処理レートが得られず、またアッシング
は実質的に処理が困難である。
【0008】そこで、本発明は、上述した従来の問題点
に鑑みてなされたものであり、その目的は、間接方式に
より大気圧付近の圧力下で発生させたプラズマを用いた
表面処理装置において、電極を冷却させる必要性を無く
して高い処理レートを維持しつつ、局所的な表面処理を
可能にすることにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述した目的
を達成するために、所定のガスを被処理材の表面に向け
て送出するためのガス流路と、前記ガス流路内で前記ガ
スに大気圧又はその近傍の圧力下で気体放電を発生さ
せ、それにより前記ガスの励起活性種を生成するための
一対の電源電極及び接地電極とからなり、前記励起活性
種を含む前記ガスを前記被処理材表面に噴出させるよう
にした表面処理装置であって、前記ガス流路が、2枚の
誘電体からなる板を所定の間隔をもって対向させ、かつ
その間隙に供給される前記ガスを前記誘電体板の一方の
側辺から前記被処理材表面に噴出させるように形成さ
れ、前記各電極が、前記誘電体板を挟んでその外側に対
向配置されることを特徴とする。
【0010】このように2枚の誘電体板によってガス流
路を形成しかつその両側に電極を配置することによっ
て、電極を誘電体板とは別個に、かつ誘電体板に対して
緩やかに取り付けることができるので、プラズマ放電の
高温による電極の熱膨張が誘電体板に影響を与え、これ
を破損したりする虞を解消することができる。従って、
上述した従来の表面処理装置のように電極に冷却系統を
設ける必要が無く、またテーブルにヒータを設けなくて
も、被処理材表面に吹き付ける放電ガスの温度を高温に
維持できるので、表面処理能力が低下せず、様々な表面
処理が可能であると共に、高い処理レートを確保するこ
とができる。また、誘電体板の一辺から直接放電ガスを
被処理材表面に噴出させるので、その間隙の幅を変える
ことによって表面処理の幅を調整し、所望の局所処理を
行うことができる。
【0011】本発明によれば、両誘電体板をセラミック
等の絶縁材料からなるホルダによって保持することがで
き、かつ該ホルダによって両電極を緩やかに保持するこ
とができる。このようにホルダにより一体化することに
よって装置の組立、取扱い等が簡単になることに加え、
電極の熱膨張がホルダに割れを生じる虞が解消され、ま
た誘電体板とホルダの絶縁材料とは熱膨張率にあまり大
きな差がないので、これらを互いにきつく結合させて
も、プラズマ放電の高温による熱膨張の影響で割れを生
じたりする虞が無い。
【0012】また、本発明によれば、電極とホルダとの
熱膨張率の差は、電極の周辺部とホルダとの間に遊びを
設けることによって吸収することができる。このような
遊びは、例えば電極の周辺部を、その一部分においてホ
ルダにボルトで取り付け、かつ他の部分においてホルダ
との間に隙間を設けることによって可能である。
【0013】前記両誘電体板は、その左右両側辺を封止
することによって、それらの間に上下方向のガス流路を
形成することができ、例えばその上辺側から放電ガスを
導入して下辺側から噴出させることができる。誘電体板
の左右両側辺は、樹脂材料で接着することによって容易
に封止することができ、かつその間隙の幅を調整できる
から、必要に応じて表面処理の幅を変えることができ
る。
【0014】ホルダには、上述した従来の表面処理装置
と同様に、ガスを噴出させる誘電体板の一方の側辺に沿
ってかつその両側に排気口を開設することができ、これ
により表面処理後の放電ガスを周囲に放散させることな
く、集中的に外部に排出させることができる。従って、
例えばエッチング、アッシングにより除去された物質が
被処理材表面に再付着することを有効に防止できる。更
に、排気口の外側に、バリヤガスの噴出口を設けること
ができ、例えば窒素等の安価で不活性なガスを噴出させ
ることによって、周辺から表面処理されている領域への
大気の侵入を防止し、より良好に表面処理を行うことが
できる。
【0015】
【発明の実施の形態】以下に添付図面を参照しつつ本発
明の好適な実施例について詳細に説明する。図1及び図
2には、本発明によるラインタイプの表面処理装置の好
適な実施例が示されている。表面処理装置21は、ノズ
ルホルダ22と、その内部に保持された薄い板状のノズ
ル23と、該ノズルの両側に配置された1対の電源電極
24及び接地電極25とを備える。ノズルホルダ22
は、例えばマイカ等の電気絶縁材料で形成された上下左
右4個のホルダ部材26〜29をボルトで一体に結合し
た四角い枠構造を有する。
【0016】ノズル23は、図3に併せて示されるよう
に、その間に僅かな空隙30を画定するように対向させ
た薄い2枚の矩形石英ガラス板31、32で形成され
る。前記石英ガラス板の左右両側辺は、互いに全長に亘
って所定厚さの樹脂材料33で接着されかつ気密に封止
され、ノズル23の上端及び下端にそれぞれ開口する細
長いスロットの間に空隙30による放電ガスのガス流路
が形成される。本実施例では、ノズル23に石英ガラス
を使用したが、プラズマ放電に対する十分な耐熱性、及
び使用する放電ガスに対する耐食性を有するものであれ
ば、例えばアルミナのような他の様々な誘電体の板を用
いることができる。
【0017】ノズル23は、上側及び下側ホルダ部材2
6、29の略中央を貫通して、その下端が、被処理材に
対面する下側ホルダ部材29の下面から突出しないよう
に、ノズルホルダ22内部に配置される。即ち、ノズル
23の下端開口が、放電ガスを被処理材表面に吹き出さ
せる細長い直線状のガス噴出口34を形成する。前記両
石英ガラス板を接着する樹脂材料33の厚さを変えるこ
とによって、ガス噴出口の幅即ち表面処理の幅を調整す
ることができる。上側ホルダ部材26から突出するノズ
ル23上端には、放電ガスの導入ブロック35が結合さ
れ、かつその外面には、ガス供給源36に接続するため
のジョイント37が植設されている。
【0018】電極24、25は、従来と同様に矩形のア
ルミニウム板で形成されている。図4によく示されるよ
うに、電源電極24は、その上辺部及び左側辺部のみ
が、それぞれ3個のボルト38、39によって対応する
上側ホルダ部材26及び左側ホルダ部材27に固定さ
れ、かつその下辺部及び右側辺部と対応する下側ホルダ
部材29及び右側ホルダ部材28との間には、それぞれ
隙間41、40が設けられている。この隙間によって、
放電の高温により生じる前記電極とホルダ部材との熱膨
張の差を吸収することができる。接地電極25も、電源
電極24と同様にして、その上辺部及び左右いずれか一
方の側辺部においてボルトで取り付けられている。
【0019】別の実施例では、ボルト38、39を挿通
するために上側及び左側ホルダ部材26、27に設けた
孔の直径を前記ボルトの直径より僅かに大きくし、前記
両電極がノズルホルダ22に対して、その全4辺におい
て遊びを有するように取り付けることができる。これに
より、放電による前記電極の熱膨張をより確実に吸収す
ることができる。また、別の実施例では、前記両電極を
その上辺部のみでノズルホルダ22にボルトで固定し、
その左右両側辺及び下辺に隙間を設けることができる。
【0020】図2及び図5に示されるように、下側ホル
ダ部材29の下面には、ガス噴出口34に沿ってその両
側に僅かな距離を置いて、それぞれ細長い直線状の排気
口42が開設されている。下側ホルダ部材29の内部に
は排気通路43が設けられ、かつその外面に設けたジョ
イント44を介して外部の排気装置に接続される。更に
下側ホルダ部材29の下面には、バリヤガスを噴出させ
るための細長い直線状のガス噴出口45が、各排気口4
2より外側にそれぞれ距離を隔てて開設されている。同
様に、下側ホルダ部材29には、外部のバリヤガス供給
源に接続されるジョイント46と、これをガス噴出口4
5に連通する通路47とが設けられている。
【0021】図2に示すように、テーブル48上に載置
された例えば基板等の被処理材49を表面処理する場
合、表面処理装置21は、被処理材49の上方に、その
表面との間に例えば1〜2mm程度の僅かな隙間をもって
配置される。所定の放電ガスをガス供給源36からジョ
イント37を介してノズル23内に導入し、空隙30を
該放電ガスで置換すると同時に、高周波電源50から電
極24に所定の電圧を印加して、該電極と接地電極25
との間で放電を発生させる。これにより、空隙30内に
は、プラズマによる前記放電ガスの解離、電離、励起等
によって該放電ガスの励起種、イオン等の活性種が生成
される。これら励起活性種は、ガス供給源36から連続
的に供給される放電ガスに含まれて、ガス噴出口34か
らガス流として被処理材49表面に噴出する。
【0022】前記放電ガスは、実施しようとする表面処
理に応じて適当に選択する。本実施例では、ガス噴出口
34が、上述したように細長い直線状に開口しているの
で、これに対応して被処理材49表面を細長い直線状に
局所処理することができる。また、ガス供給源36から
の放電ガスの流量を変えることによって、被処理材49
が複雑な形状を有する場合やその表面に多くの被膜等が
形成されて凹凸がある場合にも、所望の狭い部分を選択
して良好に表面処理することができる。
【0023】同時に、前記バリヤガス供給源からヘリウ
ム、アルゴン、窒素等の不活性なバリヤガスを送給し、
ジョイント46及び通路47を介してガス噴出口45か
ら被処理材49表面に向けて噴出させる。特に窒素は、
ヘリウム、アルゴンに比して安価であるから、コスト低
減化の観点から実用に適している。このバリヤガスに囲
まれた領域では、周囲の環境から大気が侵入することな
く、前記放電ガスによる表面処理が良好に行われる。表
面処理を終えた前記放電ガスは、排気口42から排気通
路43及びジョイント44を介して外部に強制的に排出
される。従って、放電ガスが周囲の環境を汚染したり悪
影響を与える虞が無く、またエッチング・アッシング等
の場合には、被処理材表面から除去した物質の再付着が
有効に防止される。
【0024】本発明によれば、上述したように両電極2
4、25を、従来のように全4辺で各ホルダ部材と緊密
に結合させるのではなく、少なくともその直交する2辺
において遊びを有するように緩やかな状態で取り付ける
ことによって、放電時に前記電極の熱膨張を吸収できる
ので、ノズルホルダ22に割れを生じる虞がない。ま
た、ノズル23と両電極24、25との間も互いに緊密
に結合されていないから、前記電極の熱膨張がノズル2
3に割れを生じる等の悪影響を及ぼす虞がない。このよ
うに本発明によれば、表面処理装置21に電極の冷却系
統を設ける必要が無く、ガス噴出口から噴出する放電ガ
スの温度を高く維持できるので、テーブル48がヒータ
を内蔵しなくても処理レートを上げることができると共
に、電極構造が簡単になり、製造コストを低減できる。
しかし、テーブル48にヒータを内蔵したり他の加熱手
段を設けて被処理材を加熱すれば、処理レートを高める
ことができることは言うまでもない。
【0025】図6及び図7には、それぞれ前記電極をノ
ズルホルダ22に取り付ける構造の別の実施例が示され
ている。図6の実施例では、電極51の左右両側の上端
に突出部52が形成され、かつ左側及び右側ホルダ部材
27、28の内側上端に、それぞれ突出部52より僅か
に大きい段部53が形成されている。電極51は、前記
各突出部を対応する前記段部に載せ、かつその下端は下
側ホルダ部材29の上面に凹設した溝54内に僅かに突
入させて、所定位置に配置される。このとき、電極51
の左右各側辺と左側及び右側ホルダ部材27、28との
間、及び電極51の下辺と溝54の底面との間には、そ
れぞれ隙間55、56を設ける。このように、電極51
がノズルホルダ22に対して上下及び左右方向に遊びを
有するように保持されることによって、図4の実施例と
同様に放電時の前記電極の熱膨張を吸収することができ
る。
【0026】図7A及びBの実施例では、電極57、5
8が左側及び右側ホルダ部材27、28間の距離より僅
かに大きな幅を有する。左側及び右側ホルダ部材27、
28の内面には、前記両電極の左右両端を嵌合させるた
めの溝59、60がそれぞれ凹設されている。各溝5
9、60は、前記各電極の端面との間に隙間61、62
を有するように形成される。また、電極57、58の上
端と上側ホルダ部材26との間にも、隙間63が設けら
れている。このように、電極57、58がノズルホルダ
22に対して上下及び左右方向に遊びを有するように保
持されるので、放電時の前記電極の熱膨張を吸収するこ
とができる。
【0027】また、上記実施例では、両石英ガラス板3
1、32の左右両側辺を全長に亘って樹脂材料33で接
着することによりノズル23内部に上下方向のガス流路
を形成したが、別の実施例では、ノズルの上端付近から
樹脂材料を除去して左右側辺に開口を設け、横方向から
放電ガスを導入することができる。また、上記実施例の
表面処理装置は、ノズル23と電極24、25とを共通
のホルダによって保持するように構成したが、本発明に
よれば、これらを別個に保持した場合にも、上述したよ
うにガス流路を電極と別個に設けることによって、電極
の冷却系統を設ける必要が無く、放電による熱膨張率の
差を吸収でき、かつ処理レートの向上を図ることができ
る。
【0028】
【実施例】図1乃至図3の表面処理装置を用いて、ガラ
ス基板の表面に形成したタンタル(Ta)からなる配線
パターンを被覆する酸化タンタル(Ta25)の被膜を
狭幅で局所的にエッチングした。処理条件は次の通りで
あった。
【0029】 使用電力: 1200〜1300W,13.56MHz 使用ガス: ヘリウム 10〜20リットル/分 CF4 300〜500ccm 酸素 10〜20ccm バリヤガス: 窒素 ガス噴出口とガラス基板との隙間: 1〜2mm ガス噴出口の幅: 2.5mm
【0030】その結果、ガラス基板の所望の位置に形成
されている酸化タンタルの被膜を、ガス噴出口の寸法に
対応して2.5mmの狭幅の直線状にエッチングすること
ができた。また、配線パターンを形成するタンタルと大
気との反応によりTaOxやTaNxが形成された様子は認
められなかった。これにより、液晶ディスプレイのガラ
ス基板の製造において、従来は微細な部分の処理に用い
られていたフォトエッチングに代えて、本発明の表面処
理装置を用いることによって、大気圧付近の圧力下でプ
ラズマによるエッチングが可能であることが確認され
た。
【0031】
【発明の効果】本発明は、以上のように構成されている
ので、以下に記載されるような効果を奏する。本発明の
表面処理装置によれば、ガス流路が2枚の誘電体板によ
り形成され、かつその両側に電極を配設する構成によっ
て、電極を誘電体板とは別個にかつ誘電体板に対して緩
やかに取り付けることができるので、プラズマ放電の高
温による電極と誘電体板との熱膨張の差を吸収でき、誘
電体板の割れ、破損の虞が解消される。従って、電極に
冷却系統を設けたりテーブルにヒータを設けなくても、
放電ガスの温度を高温に維持できるので、表面処理能力
が低下せず、高い処理レートを確保することができる。
また、2枚の誘電体板の間隙の幅を変えることによって
表面処理の幅を調整し、所望の狭幅で適当な長さの局所
処理を行うことができる。
【0032】また、セラミック等の絶縁材料からなる共
通のホルダによって誘電体板と電極とを保持する一体構
造の表面処理装置においても、該ホルダにより両電極を
緩やかに保持されることによって、電極の熱膨張がホル
ダに割れを生じる虞を解消することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による表面処理装置の実施例を示す斜視
図である。
【図2】図1の表面処理装置の部分断面側面図である。
【図3】図1の表面処理装置に使用するノズルを示す斜
視図である。
【図4】図1の表面処理装置の正面図である。
【図5】図1の表面処理装置の底面図である。
【図6】電極の保持構造の別の実施例を示す図3と同様
の正面図である。
【図7】A図は、電極の保持構造の更に別の実施例を示
す正面図、B図はそのB−B線における断面図である。
【図8】従来の表面処理装置を示す斜視図である。
【図9】図8の表面処理装置の断面図である。
【図10】図8の表面処理装置の底面図である。
【符号の説明】
1 被処理材 2 電源電極 3 接地電極 4〜7 ホルダ部材 8 空隙 9 ガス噴出口 10 排気口 11 噴出口 12 ガス供給源 13 ジョイント 14 高周波電源 15、16 ボルト 17 取入口 18 流路 19 排出口 20 テーブル 21 表面処理装置 22 ノズルホルダ 23 ノズル 24 電源電極 25 接地電極 26〜29 ホルダ部材 30 空隙 31、32 石英ガラス板 33 樹脂材料 34 ガス噴出口 35 導入ブロック 36 ガス供給源 37 ジョイント 38、39 ボルト 40、41 隙間 42 排気口 43 排気通路 44 ジョイント 45 ガス噴出口 46 ジョイント 47 通路 48 テーブル 49 被処理材 50 高周波電源 51 電極 52 突出部 53 段部 54 溝 55、56 隙間 57、58 電極 59、60 溝 61〜63 隙間

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 所定のガスを被処理材の表面に向けて送
    出するためのガス流路と、前記ガス流路内で前記ガスに
    大気圧又はその近傍の圧力下で気体放電を発生させ、そ
    れにより前記ガスの励起活性種を生成するための一対の
    電源電極及び接地電極とからなり、前記励起活性種を含
    む前記ガスを前記被処理材表面に噴出させるようにした
    表面処理装置であって、 前記ガス流路が、2枚の誘電体からなる板を所定の間隔
    をもって対向させ、かつその間隙に供給される前記ガス
    を前記誘電体板の一方の側辺から前記被処理材表面に噴
    出させるように形成され、前記各電極が、前記誘電体板
    を挟んでその外側に対向配置されることを特徴とする表
    面処理装置。
  2. 【請求項2】 前記誘電体板が絶縁材料からなるホルダ
    により保持され、かつ前記電極が前記ホルダに緩やかに
    保持されていることを特徴とする請求項1記載の表面処
    理装置。
  3. 【請求項3】 前記電極が、その周辺部において少なく
    とも部分的に前記ホルダとの間に遊びを有するように保
    持されていることを特徴とする請求項2記載の表面処理
    装置。
  4. 【請求項4】 前記電極の周辺部が、その一部分におい
    て前記ホルダにボルトで取り付けられ、かつ他の部分に
    おいて前記ホルダとの間に隙間が設けられていることを
    特徴とする請求項3記載の表面処理装置。
  5. 【請求項5】 前記誘電体板の左右両側辺が封止されて
    いることを特徴とする請求項1乃至4記載の表面処理装
    置。
  6. 【請求項6】 前記誘電体板が、その左右両側辺に沿っ
    て樹脂材料で接合されていることを特徴とする請求項5
    記載の表面処理装置。
  7. 【請求項7】 前記ホルダがセラミック材料からなるこ
    とを特徴とする請求項2乃至4記載の表面処理装置。
  8. 【請求項8】 前記ホルダが、前記ガスを噴出させる前
    記誘電体板の前記一方の側辺に沿ってかつその両側に開
    設した排気口を有することを特徴とする請求項2乃至4
    又は7記載の表面処理装置。
  9. 【請求項9】 前記ホルダが、更に前記各排気口に沿っ
    てかつその外側にバリヤガスを噴出させるためのバリヤ
    ガス噴出口を備えることを特徴とする請求項8記載の表
    面処理装置。
  10. 【請求項10】 前記バリヤガスが窒素であることを特
    徴とする請求項9記載の表面処理装置。
JP26800095A 1995-09-22 1995-09-22 表面処理装置 Expired - Lifetime JP3653824B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26800095A JP3653824B2 (ja) 1995-09-22 1995-09-22 表面処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26800095A JP3653824B2 (ja) 1995-09-22 1995-09-22 表面処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0992493A true JPH0992493A (ja) 1997-04-04
JP3653824B2 JP3653824B2 (ja) 2005-06-02

Family

ID=17452526

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP26800095A Expired - Lifetime JP3653824B2 (ja) 1995-09-22 1995-09-22 表面処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3653824B2 (ja)

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002040742A1 (fr) * 2000-11-14 2002-05-23 Sekisui Chemical Co., Ltd. Procede et dispositif de traitement au plasma atmospherique
JP2003100717A (ja) * 2001-09-21 2003-04-04 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP2004127853A (ja) * 2002-10-07 2004-04-22 Sekisui Chem Co Ltd プラズマ表面処理装置の電極構造
EP1475824A1 (en) * 2002-10-07 2004-11-10 Sekisui Chemical Co., Ltd. Plasma film forming system
JP2005032797A (ja) * 2003-07-08 2005-02-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理方法および装置
JP2005085547A (ja) * 2003-09-05 2005-03-31 Sekisui Chem Co Ltd プラズマ処理装置
JP2005524930A (ja) * 2002-04-10 2005-08-18 ダウ・コーニング・アイルランド・リミテッド 大気圧プラズマアセンブリ
JP2005243600A (ja) * 2003-06-04 2005-09-08 Sekisui Chem Co Ltd プラズマ処理装置
WO2006035628A1 (ja) * 2004-09-29 2006-04-06 Sekisui Chemical Co., Ltd. プラズマ処理装置
JP2006147358A (ja) * 2004-11-19 2006-06-08 Sekisui Chem Co Ltd プラズマ処理装置
JP2007035294A (ja) * 2005-07-22 2007-02-08 Sekisui Chem Co Ltd 撥水化等用の常圧プラズマ処理装置
JP2007080688A (ja) * 2005-09-14 2007-03-29 Sekisui Chem Co Ltd プラズマ処理装置の電極構造
JP2007080689A (ja) * 2005-09-14 2007-03-29 Sekisui Chem Co Ltd プラズマ処理装置の電極構造
JP2007317700A (ja) * 2006-05-23 2007-12-06 Sekisui Chem Co Ltd 表面処理装置及び処理方法
JP2007323836A (ja) * 2006-05-30 2007-12-13 Sekisui Chem Co Ltd プラズマ処理装置
US7322313B2 (en) 2002-08-30 2008-01-29 Sekisui Chemical Co., Ltd. Plasma processing system
JP2008130270A (ja) * 2006-11-17 2008-06-05 Sekisui Chem Co Ltd 表面処理装置
CN100423194C (zh) * 2002-10-07 2008-10-01 积水化学工业株式会社 等离子体表面加工设备的电极结构
JP2009043467A (ja) * 2007-08-07 2009-02-26 Sekisui Chem Co Ltd プラズマ処理装置
JP4610069B2 (ja) * 2000-11-14 2011-01-12 積水化学工業株式会社 半導体素子の製造装置
US9475312B2 (en) 2014-01-22 2016-10-25 Seiko Epson Corporation Ink jet printer and printing method
JP6421962B1 (ja) * 2017-08-09 2018-11-14 春日電機株式会社 表面改質装置

Cited By (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002040742A1 (fr) * 2000-11-14 2002-05-23 Sekisui Chemical Co., Ltd. Procede et dispositif de traitement au plasma atmospherique
JP4610069B2 (ja) * 2000-11-14 2011-01-12 積水化学工業株式会社 半導体素子の製造装置
JP2003100717A (ja) * 2001-09-21 2003-04-04 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP2005524930A (ja) * 2002-04-10 2005-08-18 ダウ・コーニング・アイルランド・リミテッド 大気圧プラズマアセンブリ
US7322313B2 (en) 2002-08-30 2008-01-29 Sekisui Chemical Co., Ltd. Plasma processing system
US7762209B2 (en) 2002-08-30 2010-07-27 Sekisui Chemical Co., Ltd. Plasma processing apparatus
EP1475824A1 (en) * 2002-10-07 2004-11-10 Sekisui Chemical Co., Ltd. Plasma film forming system
JP2004127853A (ja) * 2002-10-07 2004-04-22 Sekisui Chem Co Ltd プラズマ表面処理装置の電極構造
US7819081B2 (en) 2002-10-07 2010-10-26 Sekisui Chemical Co., Ltd. Plasma film forming system
EP1475824A4 (en) * 2002-10-07 2006-11-15 Sekisui Chemical Co Ltd PLASMA FILM FORMATION SYSTEM
CN100423194C (zh) * 2002-10-07 2008-10-01 积水化学工业株式会社 等离子体表面加工设备的电极结构
JP2005243600A (ja) * 2003-06-04 2005-09-08 Sekisui Chem Co Ltd プラズマ処理装置
JP2005032797A (ja) * 2003-07-08 2005-02-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理方法および装置
JP2005085547A (ja) * 2003-09-05 2005-03-31 Sekisui Chem Co Ltd プラズマ処理装置
US7886688B2 (en) 2004-09-29 2011-02-15 Sekisui Chemical Co., Ltd. Plasma processing apparatus
WO2006035629A1 (ja) * 2004-09-29 2006-04-06 Sekisui Chemical Co., Ltd. プラズマ処理装置
KR101020411B1 (ko) * 2004-09-29 2011-03-08 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치
WO2006035628A1 (ja) * 2004-09-29 2006-04-06 Sekisui Chemical Co., Ltd. プラズマ処理装置
US7886689B2 (en) 2004-09-29 2011-02-15 Sekisui Chemical Co., Ltd. Plasma processing apparatus
JP2006147358A (ja) * 2004-11-19 2006-06-08 Sekisui Chem Co Ltd プラズマ処理装置
JP4494942B2 (ja) * 2004-11-19 2010-06-30 積水化学工業株式会社 プラズマ処理装置
JP2007035294A (ja) * 2005-07-22 2007-02-08 Sekisui Chem Co Ltd 撥水化等用の常圧プラズマ処理装置
JP4551290B2 (ja) * 2005-07-22 2010-09-22 積水化学工業株式会社 撥水化用常圧プラズマ処理装置
JP2007080688A (ja) * 2005-09-14 2007-03-29 Sekisui Chem Co Ltd プラズマ処理装置の電極構造
JP2007080689A (ja) * 2005-09-14 2007-03-29 Sekisui Chem Co Ltd プラズマ処理装置の電極構造
JP2007317700A (ja) * 2006-05-23 2007-12-06 Sekisui Chem Co Ltd 表面処理装置及び処理方法
JP2007323836A (ja) * 2006-05-30 2007-12-13 Sekisui Chem Co Ltd プラズマ処理装置
JP4733618B2 (ja) * 2006-11-17 2011-07-27 積水化学工業株式会社 表面処理装置
JP2008130270A (ja) * 2006-11-17 2008-06-05 Sekisui Chem Co Ltd 表面処理装置
JP2009043467A (ja) * 2007-08-07 2009-02-26 Sekisui Chem Co Ltd プラズマ処理装置
US9475312B2 (en) 2014-01-22 2016-10-25 Seiko Epson Corporation Ink jet printer and printing method
JP6421962B1 (ja) * 2017-08-09 2018-11-14 春日電機株式会社 表面改質装置
WO2019031480A1 (ja) * 2017-08-09 2019-02-14 春日電機株式会社 表面改質装置
TWI670304B (zh) * 2017-08-09 2019-09-01 日商春日電機股份有限公司 表面改質裝置
CN110997127A (zh) * 2017-08-09 2020-04-10 春日电机株式会社 表面改质装置
EP3666376A4 (en) * 2017-08-09 2021-05-05 Kasuga Denki, Inc. SURFACE MODIFICATION DEVICE
CN110997127B (zh) * 2017-08-09 2021-12-21 春日电机株式会社 表面改质装置
US11318439B2 (en) 2017-08-09 2022-05-03 Kasuga Denki, Inc. Surface modification device

Also Published As

Publication number Publication date
JP3653824B2 (ja) 2005-06-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0992493A (ja) 表面処理装置
KR100552378B1 (ko) 플라즈마 표면 처리 장치의 전극 구조
KR100283853B1 (ko) 플라즈마 처리장치
TWI404165B (zh) 基材支撐裝置及包含該裝置之電漿蝕刻裝置
CN100524641C (zh) 等离子体处理装置
KR100241171B1 (ko) 플라즈마 강화 화학적 처리 장치 및 그 장치를 작동시키는 방법
JP4122004B2 (ja) プラズマエッチングチャンバーと、これを用いたプラズマエッチングシステ厶
US20090255630A1 (en) Substrate processing apparatus and electrode member
JP3972393B2 (ja) 表面処理方法及び装置、圧電素子の製造方法、インクジェット用プリントヘッドの製造方法、液晶パネルの製造方法、並びにマイクロサンプリング方法
KR20090127323A (ko) 고효율의 비플라즈마 처리를 실행하기 위한 처리 시스템 및 방법
KR20090108738A (ko) 플라즈마 처리 장치
US11309167B2 (en) Active gas generation apparatus and deposition processing apparatus
KR101254342B1 (ko) 플라즈마 발생 장치
KR101297711B1 (ko) 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법
JP3557682B2 (ja) 半導体装置の製造方法及びその装置、並びに液晶ディスプレイの製造方法
KR101333878B1 (ko) 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치
KR20230130930A (ko) 배치식 기판처리장치
JPH11149999A (ja) プラズマ処理装置
JP4407100B2 (ja) プラズマ放電処理装置
JP4522984B2 (ja) プラズマ処理装置
JP3137532B2 (ja) プラズマcvd装置
JP2003027242A (ja) プラズマcvd装置及びそれを用いた成膜方法
JP3591407B2 (ja) 局所処理装置
JPH11297676A (ja) 電子部品製造装置
JPH0831751A (ja) プラズマ処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040113

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040120

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040322

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20050208

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20050221

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080311

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090311

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090311

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100311

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100311

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110311

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120311

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120311

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130311

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140311

Year of fee payment: 9

EXPY Cancellation because of completion of term