JP4551290B2 - 撥水化用常圧プラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
Vfは、前記処理通路でのプロセスガス流速であり、Vf=306mm/sec=18.36m/minと、Vf=612mm/sec=36.72m/minの2通りとした。
Vsは、前記搬送機構による搬送速度であり、Vs=25mm/sec=1.5m/minと、Vs=50mm/sec=3.0m/minの2通りとした。前記処理ヘッドを固定し、基板を前記排気口から前記導入口へ向かう方向(前記処理通路でのプロセスガスの流れとは逆方向)に搬送させた。
CAは、撥水化処理後の基板表面の接触角である。
その他の条件は下記の通りである。
プロセスガス;N2 67vol%、CF4 33vol%
電源;投入電圧 20kV、周波数 20kHz
処理ヘッドの下面と基板の間のギャップ;1.0mm
上記の結果より、十分な処理能力を得る条件として次式1aが導かれた。
k=L×Vf/Vs>700 …(式1a)
次式2aが満たされることが、より好ましい。
k=L×Vf/Vs>1400 …(式2a)
雰囲気中の酸素濃度をも考慮すると、式1a及び式2aは、それぞれ次式1及び2に書き換えられる。
k=L×Vf/Vs>700×r …(式1)
k=L×Vf/Vs>1400×r …(式2)
ここで、rは、大気中の酸素濃度(約20%)に対する雰囲気中の酸素濃度(厳密には前記排気口でのプロセスガスを除く雰囲気中の酸素濃度)の比である。
基板の表面に沿う処理通路にフッ化炭素化合物を含むプロセスガスを流すとともに前記処理通路の一部を略大気圧のプラズマ空間にし、前記基板の表面を撥水化処理する撥水化処理用常圧プラズマ処理装置であって、
電源に接続されて、接地電極との間に前記プラズマ空間を形成するための高圧電極と、前記基板と対向して前記処理通路を形成する基板対向面とを有し、前記基板対向面には前記処理通路の上流端に連なるプロセスガスの導入口と前記処理通路の下流端に連なる排気口とが設けられた処理ヘッドと、
前記基板を前記処理ヘッドに対し前記処理通路の延び方向に沿って相対移動させる搬送機構と、を備え、
前記搬送機構が前記基板を前記処理ヘッドに対し前記排気口の側から前記導入口の側へ相対移動させるときの搬送速度VsがVs≧4m/minであり、かつ次の式1の関係が満たされ、前記プラズマ空間の下流端での酸素濃度が100ppm以下であり、前記処理通路の厚さが1mm程度であることを特徴とする。
L×Vf/Vs>700×r (式1)
ここで、
L:前記プラズマ空間の下流端から排気口までの距離(mm)
Vf:前記処理通路でのプロセスガス流速
r:大気中の酸素濃度に対する排気口でのプロセスガスを除く雰囲気中の酸素濃度の比
L×Vf/Vs>1400×r (式2)
これによって、雰囲気が処理通路に巻き込まれるのを防止ないし抑制でき、プラズマ空間の下流端から排気口までの距離Lを十分にとれば、搬送速度Vsを大きくしても、プロセスガスの使用量を増やすことなく処理能力を維持することができる。
撥水化処理では、プラズマ空間での酸素濃度が100ppm以下であることが求められる。そこで、プラズマ空間の下流端での酸素濃度が100ppm以下になるように上記L、Vf、Vs、rを設定するのが好ましい。これによって、撥水化処理における処理能力を確実に確保することができる。
図1は、第1実施形態に係る撥水化処理用のダイレクト式常圧プラズマ処理装置Mを示したものである。常圧プラズマ処理装置Mの周辺の雰囲気は大気である。
各処理ユニット11のユニット本体12と高圧電極13の下面には固体誘電体層としてのセラミック板14が設けられている。
プロセスガス源2は、撥水化処理用のプロセスガスとしてCF4等のフッ化炭素化合物と窒素を適量ずつ混合して処理ヘッド10の導入路15に供給するようになっている。
ステージ20には搬送機構21が接続されている。この搬送機構21によって、ステージ20が、左右方向に移動されるようになっている。
各処理ユニット11の下面は、基板対向面を構成している。
高圧電極13をはじめとする処理ヘッド構成部材11〜14,17及び空間部15,15a,16,17aの前後方向の幅寸法は、基板Wの前後方向の幅寸法と略同じか、それより大きくなるように設定されている。
L×Vf/Vs>700(mm) (式1a)
より好ましくは、次式の関係を満たすように設定しておく。
L×Vf/Vs>1400(mm) (式2a)
上記電圧供給と併行して、プロセスガスが、供給路及び導入路15を順次経て、導入口15aから吹き出される。導入口15aから吹き出されたプロセスガスは、左右に分流する。
これによって、処理能力を十分に維持することができる。
図2に示すように、第2実施形態では、処理ヘッド10の左右の排気筒17の外側にカーテンガス吹出し部としてのノズル18がそれぞれ設けられている。各吹出しノズル18にカーテンガス源(図示せず)が連なっている。カーテンガスとして窒素(N2)が用いられている。カーテンガスはプロセスガス用の窒素源と共用してもよい。
L×Vf/Vs>700×r (式1)
L×Vf/Vs>1400×r (式2)
ここで、rは、
r=(排気口17aでの雰囲気中の酸素濃度)/(大気中の酸素濃度) (式3)
である。大気中の酸素濃度は約20%である。プロセスガス流量をQp、カーテンガス流量をQc、排気口17aからの排気流量をQs、大気の巻き込み流量をQaとすると、以下の関係がある。
Qs=Qp+Qc+Qa (式4)
排気口17aでの雰囲気流量Q1は、下式5の通り、カーテンガス流量Qcと大気の巻き込み流量Qaの和であり、全体のガス流量Qp+Qc+Qa(=Qs)からプロセスガス流量Qpを差し引いた大きさになる。
Q1=Qa+Qc
=Qs−Qp (式5)
式3〜式5より、rは次式で表され、プロセスガス流量Qpとカーテンガス流量Qcと排気流量Qsとによって調節することができる。
r=(Qs−Qp−Qc)/(Qs−Qp) (式6)
例えば、上記実施形態では、処理ヘッド10が固定され、基板Wが移動されるようになっていたが、基板Wが固定され、処理ヘッド10が移動されるようになっていてもよい。
処理ヘッド10は、2つの処理ユニット11を有し、プロセスガスが中央から左右2方向に分流するようになっていたが、1つの処理ユニット11だけで構成し、プロセスガスの全量が1つの処理ユニット11の一端部から他端部へ流れるようになっていてもよい。
図1と同様の装置Mを用いて、撥水化処理を行なった。装置Mの寸法構成及び処理条件は、以下の通りである。
高圧電極13の寸法:40mm(左右)×700(前後)
処理ヘッド10と基板Wの間のギャップ(処理通路16の厚さ):1mm
投入電力:1kW(20kHzのパルス波)
基板W:ガラス(#1737)、880mm(左右長さ)×680mm(前後幅)
基板Wの表面のレジスト膜の処理前接触角:70°(対水)
プロセスガス:N2 40slm、CF4 20slm
各処理通路16のプロセスガス流量:Qp=30slm
各処理通路16の下流側部16cの長さ:L=90mm
各処理通路16でのプロセスガス流速:Vf=42.8m/min
搬送速度:Vs=4m/min
したがって、L×Vf/Vs=963(mm)>700(mm)となり、式1aを満たす。
高圧電極13の寸法:40mm(左右)×700(前後)
処理ヘッド10と基板Wの間のギャップ(処理通路16の厚さ):1mm
投入電力:1kW(20kHzのパルス波)
基板W:ガラス(#1737)、880mm(左右長さ)×680mm(前後幅)
基板Wの表面のレジスト膜の処理前接触角: 70°(対水)
プロセスガス:N2 20slm、CF4 10slm
各処理通路16のプロセスガス流量:Qp=15slm
各ノズル18からのカーテンガス流量:Qc=17.5slm
各排気口17aからの排気流量:Qs=50l/min
大気中の酸素濃度に対する巻き込み酸素濃度の比:r=0.5
各処理通路16の下流側部16cの長さ:L=90mm
各処理通路16でのプロセスガス流速:Vf=21.4m/min
搬送速度:Vs=4m/min
したがって、L×Vf/Vs=482(mm)>700(mm)×r=350(mm)となり、式1を満たす。
W 基板
2 プロセスガス源
10 処理ヘッド
11 処理ユニット
12 ユニット本体
13 高圧電極
14 セラミック板
15 導入路
15a プロセスガス導入口
16 処理通路
16a プラズマ空間
16b 処理通路16の上流側部
16c 処理通路の下流側部
17 排気筒
17a スリット状の排気口
18 カーテンガス吹出しノズル(カーテンガス吹出し部)
20 ステージ
21 搬送機構
L 処理通路の下流側部の長さ(プラズマ空間の下流端から排気口までの距離)
Claims (3)
- 基板の表面に沿う処理通路にフッ化炭素化合物を含むプロセスガスを流すとともに前記処理通路の一部を略大気圧のプラズマ空間にし、前記基板の表面を撥水化処理する常圧プラズマ処理装置であって、
電源に接続されて、接地電極との間に前記プラズマ空間を形成するための高圧電極と、前記基板と対向して前記処理通路を形成する基板対向面とを有し、前記基板対向面には前記処理通路の上流端に連なるプロセスガスの導入口と前記処理通路の下流端に連なる排気口とが設けられた処理ヘッドと、
前記基板を前記処理ヘッドに対し前記処理通路の延び方向に沿って相対移動させる搬送機構と、を備え、
前記搬送機構が前記基板を前記処理ヘッドに対し前記排気口の側から前記導入口の側へ相対移動させるときの搬送速度VsがVs≧4m/minであり、かつ次の式1の関係が満たされ、前記プラズマ空間の下流端での酸素濃度が100ppm以下であり、前記処理通路の厚さが1mm程度であることを特徴とする撥水化処理用常圧プラズマ処理装置。
L×Vf/Vs>700×r (式1)
ここで、
L:前記プラズマ空間の下流端から排気口までの距離(mm)
Vf:前記処理通路でのプロセスガス流速
r:大気中の酸素濃度に対する排気口でのプロセスガスを除く雰囲気中の酸素濃度の比 - 上記式1に代えて、次の式2の関係が満たされることを特徴とする請求項1に記載の撥水化処理用常圧プラズマ処理装置。
L×Vf/Vs>1400×r (式2) - 前記処理ヘッドの前記基板対向面には、カーテンガスを吹き出す吹出し口が設けられており、前記吹出し口と前記導入口とが前記排気口を挟んで互いに反対側に設けられ、前記rが、前記処理通路のプロセスガス流量と、前記吹出し口からのカーテンガス流量と、前記排気口からの排気流量とによって調節されることを特徴とする請求項1又は2に記載の撥水化処理用常圧プラズマ処理装置。
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