JP2008251233A - プラズマ処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】プラズマ処理における処理領域の周縁部に沿って処理済みガスを万遍なく吸引できるようにする。
【解決手段】プラズマ生成部１１の処理ガス噴出方向側にノズル部１２を設ける。ノズル部１２は、噴出方向に積層された複数のプレート３１〜３３，３５で構成する。噴出口３５ａを囲む吸引路５０として、互いに重なり合う２つのプレートの少なくとも一方の重なり面に幅広の凹溝部５１，５３を形成し、最先端側のプレート３５及び他のプレート３２，３３にスリット又は整列孔からなる狭隘な貫通部５２，５４，５５を形成する。凹溝部及び貫通部５１〜５５は、それぞれ処理領域１９に沿うように延在されている。プレート３５の貫通部５５が、吸引路５０の上流端の吸引口を構成するとともに処理領域１９の周縁部を画成する。
【選択図】図１

Description

この発明は、プラズマ化した処理ガスにより被処理物を表面処理する装置に関し、特に、処理ガスを略大気圧の放電空間でプラズマ化し、被処理物に噴き付ける大気圧プラズマ処理装置に関する。

この種のプラズマ処理装置として、例えば特許文献１に記載のものは、平行平板電極を構成する一対の電極を有している。これら電極が、その四周を囲むホルダで保持されている。下側のホルダには、電極間の空間に連なる噴出路と、この噴出路を挟む一対の吸引路と、更にこれら吸引路を挟む一対のシールドガス供給路とが形成されている。これらの路は、下側ホルダの底面に平行なスリット状に開口されている。下側ホルダには吸引ポート及びシールドガス供給ポートが長手方向に離れて複数設けられている。
処理ガスが電極間でプラズマ化され、噴出路から噴き出されて被処理物に接触され、被処理物がプラズマ処理される。処理済みガスは、吸引路から吸引ポートを経て吸引される。更に、シールドガスが、シールドガス供給ポートを経てシールドガス供給路から噴き出される。
特開平０９−０９２４９３号公報

上掲特許文献１の装置では、吸引路の下端のスリット状吸引口の長手方向に沿って吸引ポートに近い位置と遠い位置で吸引圧力に差が生じやすい。そのため、処理済みガスを吸引口の長手方向に万遍なく吸引するのが容易でなく、吸引ポートから遠い位置では処理済みガスが外部に漏れるおそれもある。

上記課題を解決するために、本発明は、処理ガスを略大気圧の放電部に通して前記放電部の外部の処理領域へ噴き出し、被処理物に接触させるプラズマ処理装置において、
（ａ）互いの間に前記放電部を形成する一対の電極と、これら電極を保持するホルダとを含むプラズマ生成部と、
（ｂ）前記プラズマ生成部の前記噴出方向の下流を向く先端側に設けられ、前記処理領域を画成する面と、前記放電部に連なるとともに前記処理領域画成面に開口する噴出口と、前記処理領域の周縁部のガスを吸引する吸引路とが形成されたノズル部と、を備え、
前記ノズル部が、前記噴出方向に積層された複数のプレートを有し、前記噴出方向の最も先端側のプレートが、前記処理領域画成面を有しており、
前記吸引路が、前記複数のプレートのうち互いに重なり合う２つのプレートの少なくとも一方の重なり面に形成された幅広の吸引凹溝部と、前記複数のプレートのうち前記最先端側のプレート及び他の少なくとも１つのプレートを貫通するスリット又は整列孔からなる狭隘な吸引貫通部とを含み、
前記吸引凹溝部及び吸引貫通部が、それぞれ前記処理領域の周縁部に沿うように延在されるとともに互いに連通されており、
前記最先端側のプレートの吸引貫通部が、前記噴出口から離れ、前記吸引路の上流端の吸引口を構成するとともに前記処理領域の周縁部を画成することを特徴とする
これによって、処理済みガスを処理領域の周縁部に沿って万遍なく吸引することができる。しかも、ノズル部の噴出方向に沿う厚さを十分に小さくすることができる。

前記吸引凹溝部及び吸引貫通部が、それぞれ前記処理領域の周縁部に沿って前記噴出口を囲む環状をなしていることが好ましい。
これによって、処理領域内のガスが系外に漏れたり、外部の雰囲気ガスが処理領域内に入り込んだりするのを確実に防止することができる。

前記スリット状の吸引貫通部（前記吸引口を含む）が、周方向の少なくとも１箇所で分断されていてもよい。そうすると、分断部分が、プレートにおけるスリット状吸引貫通部より内側の部分と外側の部分とを連ねる連通部となる。したがって、該プレートを一体物にすることができる。
前記スリット状吸引貫通部の互いに向き合う２つの分断端部のうち一方の端面が、噴出方向の下流側に向かうにしたがって他方の分断端部に近づく斜面になっていてもよい。
或いは、前記スリット状吸引貫通部の互いに向き合う２つの分断端部が、前記噴出口から遠ざかる方向に重なりを持っていてもよい。
これにより、分断部分を介して処理領域内のガスが漏れたり外部からガスが処理領域内に侵入したりするのを抑制ないし防止することができる。

前記一対の電極が、それぞれ長手方向を前記噴出方向と交差する第１方向に向け、互いに前記第１方向と直交する第２方向に対向しており、前記噴出口が、前記第１方向に延在されている場合、前記吸引凹溝部及び吸引貫通部が、それぞれ前記噴出口から前記第２方向の両側に離れて前記第１方向に延在された一対の第１部分と、前記噴出口から前記第１方向の両側に離れて前記第２方向に延在された一対の第２部分と、を有していることが好ましい。
これによって、噴出口を中心に四角形の処理領域が画成され、この処理領域の４つの辺の各々において処理ガスを万遍なく吸引することができる。さらには、噴出口から処理領域の周縁部へ向かう処理ガスの流れの均一化を図ることができる。

前記吸引口の第１部分からの吸引量を制御する第１吸引制御手段と、前記吸引口の第２部分からの吸引量を前記第１吸引制御手段とは別個に制御する第２吸引制御手段とを、さらに備えることが好ましい。
これにより、ガス流の制御を容易に行なうことができる。
前記吸引口の第１部分が、前記吸引口の第２部分より強く吸引するようにしてもよく、前記吸引口の第１部分と第２部分の吸引圧が互いに同程度になるようにしてもよい。
前記吸引口の一対の第１部分からの吸引量どうしは、互いに同じにするのが好ましく、前記吸引口の一対の第２部分からの吸引量どうしは、互いに同じにするのが好ましい。

前記ノズル部には、前記処理領域の周縁部より外側にシールドガスを供給するシールドガス供給路が形成されているのが好ましい。
このシールドガス供給路が、前記複数のプレートのうち互いに重なり合う２つのプレートの少なくとも一方の重なり面に形成された幅広のシールド凹溝部と、前記複数のプレートのうち前記最先端側のプレート及び他の少なくとも１つのプレートを貫通するスリット又は整列孔からなる狭隘なシールド貫通部とを含むのが好ましい。前記シールド凹溝部及びシールド貫通部は、それぞれ前記吸引凹溝部又は吸引貫通部より外側（噴出口側とは反対側）において前記吸引凹溝部又は吸引貫通部に沿うように延在されているのが好ましい。前記最先端側のプレートのシールド貫通部が、前記シールドガス供給路の下流端のシールドガス供給口を構成することが好ましい。
前記吸引路が前記噴出口を囲む環状である場合、前記シールド凹溝部及びシールド貫通部が、それぞれ前記吸引凹溝部又は吸引貫通部より外側において前記第１方向に延在された第１部分と前記第２方向に延在された第２部分とを有して、前記吸引路を囲む環状をなしているのが好ましい。
これによって、処理済みガスが系外へ漏れるのを一層確実に防止することができるとともに、外部の雰囲気が処理領域に侵入するのを確実に防止することができる。

前記スリット状のシールド貫通部（前記シールドガス供給口を含む）が、周方向の少なくとも１箇所で分断されていてもよい。そうすると、分断部分が、プレートにおけるスリット状シールド貫通部より内側の部分と外側の部分とを連ねる連通部となる。したがって、該プレートを一体物にすることができる。
前記スリット状シールド貫通部の互いに向き合う２つの分断端部のうち一方の端面が、噴出方向の下流側に向かうにしたがって他方の分断端部に近づく斜面になっていてもよい。
或いは、前記スリット状シールド貫通部の互いに向き合う２つの分断端部が、前記噴出口から遠ざかる方向に重なりを持っていてもよい。

前記シールドガス供給口の第１部分からのシールドガスの供給量を制御する第１シールド制御手段と、前記シールドガス供給口の第２部分からのシールドガスの供給量を前記第１シールド制御手段とは別個に制御する第２シールド制御手段とを、さらに備えることが好ましい。
これにより、処理済みガスの系外への漏れ、及び外部の雰囲気の処理領域への侵入を一層確実に防止することができる。

前記ノズル部が、前記プラズマ生成部のホルダに対し着脱可能であることが好ましい。前記複数のプレートが、互いに分離可能であることが好ましい。
これによって、前記複数のプレートの全部又は一部を、例えば吸引凹溝部又は吸引貫通部（吸引口を含む）の位置や大きさが異なる別のプレートに容易に変更することができる。ひいては、噴出口から吸引口までの距離を容易に変更でき、処理領域の大きさを変更することができる。

本発明は、略大気圧（大気圧近傍）下でのプラズマ処理に適用される。ここで、略大気圧（大気圧近傍）とは、１．０１３×１０⁴〜５０．６６３×１０⁴Ｐａの範囲を言い、圧力調整の容易化や装置構成の簡易化を考慮すると、１．３３３×１０⁴〜１０．６６４×１０⁴Ｐａが好ましく、９．３３１×１０⁴〜１０．３９７×１０⁴Ｐａがより好ましい。

本発明によれば、処理済みガスを処理領域の周縁部に沿って万遍なく吸引することができる。

以下、本発明の一実施形態を説明する。
図１に示すように、プラズマ処理装置Ｍは、処理ヘッド１０と、ステージ２０（被処理物配置部）とを備えている。
ステージ２０に被処理物Ｗが配置されている。被処理物Ｗは、例えばフラットパネル用のガラス等で構成されている。プラズマ処理装置Ｍによって被処理物Ｗの表面を例えば撥水化するようになっている。

処理ヘッド１０は、プラズマ生成部１１と、ノズル部１２とを有している。プラズマ生成部１１の上側部には、整流部１３が設けられている。整流部１３に処理ガス源１が接続されている。処理ガス源１から処理目的に応じた処理ガスが整流部１３に供給されるようになっている。例えば撥水化処理においては、処理ガスとしてＣＦ_４等のＰＦＣガスが用いられる。整流部１３は、処理ガスを第１方向（図１の紙面と直交する方向、図２の左右方向）に均一化するようになっている。

プラズマ生成部１１は、平行平板電極を構成する一対の電極１４，１４と、ホルダ１５，１５とを有している。電極１４は、各々長手方向を第１方向に向け、厚さ方向を第２方向（第１方向と直交する方向、図１の左右方向）に向け、幅方向を上下に向けた直方体形状をなしている。一対の電極１４，１４は、第２方向に対向している。

ホルダ１５は、耐食性の大きい樹脂等の絶縁体で構成され、電極１４を保持している。

各電極１４の対向面にアルミナセラミック等の固体誘電体からなる固体誘電板１６が設けられている。一対の電極１４，１４の固体誘電板１６，１６どうしの間に誘電板間空間１７が形成されている。誘電板間空間１７は、平面視で第１方向に延びるスリット状になっている。
図示は省略するが、一対の電極１４の一方は、電源に接続され、他方の電極１４は電気的に接地されている。電源からの電圧供給によって、電極１４，１４どうし間に大気圧グロー放電が生成される。これにより誘電板間空間１７が放電部１７ａとなる。

図１に示すように、固体誘電板１６は、プラズマ生成部１１より下側へ延出されている。一対の固体誘電板１６，１６の延出部１６ｅ，１６ｅどうし間は、噴出路１７ｂとなっている。図１及び図５に示すように、固体誘電板１６，１６の下端部は、互いに対向する側とは逆側へＬ字状に折曲され、水平部１６ｈを形成している。

図１に示すように、プラズマ生成部１１の下側にノズル部１２が設けられている。固体誘電板１６の延出部１６ｅが、ノズル部１２の内部に差し入れられている。ひいては、ノズル部１２の内部に噴出路１７ｂが配置されている。誘電板間空間１７でプラズマ化（活性化、ラジカル化、イオン化を含む）された処理ガスが、噴出路１７ｂを経て、下方へ噴出されるようになっている。

図１及び図２に示すように、ノズル部１２は、複数（例えば４つ）のプレート３１〜３３，３５で構成されている。図３〜図６に示すように、各プレート３１〜３３，３５は、長手方向を第１方向に向け、短手方向を第２方向に向けた長方形（四角形）の薄い平板状をなしている。これらプレート３１〜３３，３５が、上下（処理ガスの噴出方向）に積層されている。１層目（最上層）のプレート３１の厚さは例えば４ｍｍ程度であり、２層目のプレート３２の厚さは例えば２ｍｍ程度であり、３層目のプレート３３の厚さは例えば４ｍｍ程度であり、４層目（噴出方向の最も先端側）のプレート３５の厚さは例えば２ｍｍ程度である。したがって、ノズル部１２全体の厚さは、１２ｍｍ程度である。

これらプレート３１〜３３，３５がボルト４１（図３〜図６）で互いに連結されている。図２に示すように、１層目のプレート３１の第１方向の両端部の上面には、低い端壁３１ｗが設けられている。この端壁３１ｗが、ボルト４２（連結手段）によってホルダ１５に着脱可能に連結されている。ひいては、ノズル部１２がプラズマ生成部１１に着脱可能に連結されている。

図３〜図５に示すように、１層目から３層目（下から２層目）までのプレート３１〜３３は、短手方向の中央部で一対のハーフプレート３１ｈ，３１ｈ；３２ｈ，３２ｈ；３３ｈ，３３ｈにそれぞれ分割されている。これらハーフプレート３１ｈ〜３３ｈは、耐食性の大きい樹脂やセラミック等の絶縁体で構成されている。

ハーフプレート３１ｈ，３２ｈ，３３ｈの対向縁の中央部には、第１方向に延びる切欠凹部３１ａ，３２ａ，３３ａが形成されている。この切欠凹部３１ａ〜３３ａに固体誘電板１６の延出部１６ｅが嵌め込まれている。これにより、一対のハーフプレート３１ｈ，３１ｈ；３２ｈ，３２ｈ；３３ｈ，３３ｈどうしの間に、一対の固体誘電板１６，１６の延出部１６ｅ，１６ｅが挟まれている。ひいては、噴出路１７ｂがプレート３１〜３３の中央部を貫通するように配置されている。
図１及び図５に示すように、下から２層目のハーフプレート３３の下面には、切欠凹部３１ａ，３２ａ，３３ａに連なる浅い嵌合凹部３３ｃが形成されている。この嵌合凹部３３ｃに固体誘電板１６の下端の水平部１６ｈが嵌め込まれている。

図６に示すように、最下層のプレート３５は、ステンレス等の金属で構成されている。プレート３５は、図示しないアース線を介して電気的に接地されている。このプレート３５の下面が、ステージ２０上の被処理物Ｗと対面し、被処理物Ｗまたはステージ２０との間に処理領域１９を画成する処理領域画成面３５ｂとなっている。プレート３５の中央部には、第１方向に延びるスリット３５ａが形成されている。このスリット３５ａが、一対の固体誘電板１６，１６どうし間の噴出路１７ｂに連なり、噴出路１７ｂの下流端（噴出口）を構成している。

図１及び図２に示すように、さらに、ノズル部１２には、処理領域１９の周縁部のガスを吸引するための吸引路５０が形成されている。吸引路５０は、互いに重なり合う２つのプレートの少なくとも一方の重なり面に形成された吸引凹溝部５１，５３と、最下層のプレート３５及び他の少なくとも１つのプレートを貫通するスリット又は整列孔からなる吸引貫通部５２，５４，５５とを含んでいる。これらが、凹溝部５１、貫通部５２、凹溝部５３、貫通部５４，５５の順に連通されている。

詳述すると、図１、図２、図３に示すように、１層目のプレート３１の下面には、ザグリ加工により吸引凹溝部５１が形成されている。図１、図２、図４に示すように、２層目のプレート３２には、厚さ方向に貫通する多数の小孔５２ｃを並べた整列孔状の吸引貫通部５２が形成されている。図１、図２、図５に示すように、３層目のプレート３３の上面には吸引凹溝部５３が形成され、さらに吸引凹溝部５３の底面からプレート３３の下面に貫通するスリット状の吸引貫通部５４が形成されている。図１、図２、図６に示すように、４層目のプレート３５にはスリット状の吸引貫通部５５が厚さ方向に貫通するように形成されている。
吸引凹溝部５１，５３は、幅広で流路断面積が大きい。一方、吸引貫通部５２，５４，５５は、狭隘で流路断面積が小さい。

図３〜図６に示すように、これら吸引凹溝部及び貫通部は、それぞれ噴出路１７ｂの第２方向の両側において第１方向に延在された一対の第１部分５１ａ，５２ａ，５３ａ，５４ａ，５５ａと、噴出路１７ｂの両端より第１方向の外側において第２方向に延在された一対の第２部分５１ｂ，５２ｂ，５３ｂ，５４ｂ，５５ｂとを有し、噴出路１７ｂを囲む平面視四角環状になっている。第１部分５１ａ，５２ａ，５３ａ，５４ａ，５５ａの両端部は、噴出路１７ｂより第１方向の外側に延び出ている。凹溝部５１，５３及びスリット状貫通部５４，５５の第１部分５１ａ，５３ａ，５４ａ，５５ａの両端部と第２部分５１ｂ，５３ｂ，５４ｂ，５５ｂとは、直角に連通している。

図１に示すように、第１部分５１ａ，５２ａ，５３ａ，５４ａ，５５ａどうしが、積層順に連通され、吸引路５０の第１吸引路部分５０ａを構成している。
図２に示すように、第２部分５１ｂ，５２ｂ，５３ｂ，５４ｂ，５５ｂどうしが、積層順に連通され、吸引路５０の第２吸引路部分５０ｂを構成している。なお、後述するように、１層目の第１部分５１ａの両端部は、２層目の第２部分５２ｂの一部に連なり、第２吸引路部分５０ｂの構成要素になっている。

図３に示すように、１層目の凹溝部５１の第１部分５１ａの幅（第２方向の寸法）は、第２部分５１ｂの幅（第１方向の寸法）より十分に大きく、その噴出路１７ｂ側の縁は噴出路１７ｂの近くに及んでいる。

図４に示すように、２層目の貫通部５２の第１部分５２ａは、第１方向に２列に並んだ整列孔５２ｃで構成され、第２部分５２ｂは、第２方向に２列に並んだ整列孔５２ｃで構成されている。
図３の仮想線に示すように、第２部分５２ｂの内側の整列孔５２ｃの上端は、１層目の凹溝部５１の第２部分５１ｂに連通する一方、第２部分５２ｂの外側の整列孔５２ｃの上端は、１層目の凹溝部５１の第１部分５１ａにおける、噴出路１７ｂより第１方向の外側に延び出された延出部５１ａｅに連通されている。

３層目の凹溝部５３の第１部分５３ａは、１層目の第１部分５１ａより幅が小さく、１層目の第２部分５１ｂと同程度の幅になっており、平面視で第１部分５１ａの外縁寄りの部分と重なるように配置されている。
３層目のスリット状貫通部５４は、凹溝部５３の底面の幅方向の中央部に配置されている。
図１及び図２に示すように、２層目の整列孔状貫通部５２と３層目のスリット状貫通部５４とは、互いに平面視の位置をずらして配置されている。

図３〜図５に示すように、１層目から３層目までの吸引路５０の第２方向に沿う半分は、片側のハーフプレート３１ｈ〜３３ｈに形成され、残り半分は、もう１つのハーフプレート３１ｈ〜３３ｈに形成されている。これら１層目から３層目までの第２部分５１ｂ〜５４ｂが、中央部で分断されている。

図６に示すように、４層目（最下層）のスリット状吸引貫通部５５は、吸引路５０の上流端（吸引口）を構成している。吸引口５５は、一対の第１部分５５ａ，５５ａと一対の第２部分５５ｂ，５５ｂを有して四角環状をなし、噴出口３５ａを囲んでいる。吸引口５５の第１部分５５ａは、３層目のスリット状貫通部５４の第１部分５４ａにストレートに連なっている。吸引口５５の第２部分５５ｂは、３層目のスリット状貫通部５４の第２部分５４ｂにストレートに連なっている。

吸引口５５の第２部分５５ｂは、上層のプレート３１〜３３の分割構造に対応して、中央部が分断されている。この分断部分が、プレート３５の吸引口５５より外側の部分と内側の部分とを一体に連ねる連通部３５ｃになっている。

プレート３５の吸引口５５より内側の部分と被処理物Ｗ又はステージ２０との間の空間が、処理領域１９となる。吸引口５５は、処理領域１９の外周縁を画成している。

プレート３５を上層のプレート３１〜３３と連結するボルト４１Ａは、吸引口５５より外側に配置されている。したがって、処理領域１９のガス流が、ボルト４１Ａの頭部によって乱されることはない。

図１及び図３に示すように、１層目のプレート３１の上面には複数の第１吸引ポート５６Ａが設けられている。これら第１吸引ポート５６Ａが、吸引凹溝部５１の第１部分５１ａにそれぞれ接続されている。図１に示すように、各第１吸引ポート５６Ａから第１吸引管５７Ａが延び、互いに合流して、真空ポンプや除害設備を含む吸引手段５に接続されている。合流後の第１吸引管５７Ａに第１吸引制御手段５８Ａが設けられている。第１吸引制御手段５８Ａによって、吸引路５０の第１部分５０ａの吸引量を制御できるようになっている。

図２及び図３に示すように、１層目のプレート３１の上面には、更に複数の第２吸引ポート５６Ｂが設けられている。これら第２吸引ポート５６Ｂが、吸引凹溝部５１の第２部分５１ｂにそれぞれ接続されている。図２に示すように、各第２吸引ポート５６Ｂから第２吸引管５７Ｂが延び、互いに合流して吸引手段５に接続されている。合流後の第２吸引管５７Ｂに第２吸引制御手段５８Ｂが設けられている。第２吸引制御手段５８Ｂによって、吸引路５０の第２部分５０ｂの吸引量を制御できるようになっている。
第１、第２吸引制御手段５８Ａ，５８Ｂは、例えば電磁流量制御弁やマスフローコントローラーで構成されている。

図１〜図２に示すように、更に、ノズル部１２には、処理領域の周縁部より外側にシールドガスを供給するシールドガス供給路６０が形成されている。シールドガス供給路６０は、吸引路５０を囲むようにその外側に配置されている。
詳述すると、シールドガス供給路６０は、吸引路５０と同様に、幅広のシールド凹溝部６１，６３と、狭隘なシールド貫通部６２，６４，６５とを含んでいる。１層目のプレート３１の下面にはシールド凹溝部６１が形成されている。２層目のプレート３２には、厚さ方向に貫通する多数の小孔６２ｃを２列にして並べた整列孔状のシールド貫通部６２が貫通形成されている。３層目のプレート３３の上面には、シールド凹溝部６３が形成され、さらにその底面からプレート３３の下面に貫通するスリット状のシールド貫通部６４が形成されている。４層目のプレート３５にはスリット状のシールド貫通部６５が形成されている。

図３〜図６に示すように、これらシールド凹溝部及び貫通部は、それぞれ、吸引路５０の第１部分５１ａ〜５５ａに沿って第１方向に延びる一対の第１部分６１ａ，６２ａ，６３ａ，６４ａ，６５ａと、吸引路５０の第２部分５１ｂ〜５５ｖに沿って第２方向に延びる一対の第２部分６１ｂ，６２ｂ，６３ｂ，６４ｂ，６５ｂとを有し、吸引路５０を囲む平面視四角環状をなしている。

第１部分６１ａ，６２ａ，６３ａ，６４ａ，６５ａどうしが、積層順に連通され、シールドガス供給路６０の第１供給路部分６０ａを構成している。
第２部分６１ｂ，６２ｂ，６３ｂ，６４ｂ，６５ｂどうしが、積層順に連通され、シールドガス供給路６０の第２供給路部分６０ｂを構成している。

凹溝部６１，６３及び貫通部６４，６５の各々の第１部分６１ａ，６３ａ，６４ａ，６５ａの長手方向の両端部に第２部分６１ｂ，６３ｂ，６４ｂ，６５ｂが直角に連なっている。
２層目の整列孔状貫通部５２と３層目のスリット状貫通部５４とは、互いに平面視の位置をずらして配置されている。

図３〜図５に示すように、１層目から３層目のシールド路６０の第２方向に沿う半分は、片側のハーフプレート３１ｈ〜３３ｈに形成され、残り半分は、もう１つのハーフプレート３１ｈ〜３３ｈに形成されている。これら１層目から３層目の第２部分６１ｂ〜６４ｂが、中央部で分断されている。

図６に示すように、４層目（最下層）のスリット状シールド貫通部６５は、シールドガス供給路６０の下流端（シールドガス供給口）を構成している。シールドガス供給口６５は、一対の第１部分６５ａ，６５ａと一対の第２部分６５ｂ，６５ｂを有して四角環状をなし、吸引口５５を囲んでいる。シールドガス供給口６５の第１部分６５ａは、３層目のスリット状貫通部６４の第１部分６４ａにストレートに連なっている。シールドガス供給口６５の第２部分６５ｂは、３層目のスリット状貫通部６４の第２部分６４ｂにストレートに連なっている。

シールドガス供給口６５の第２部分６５ｂは、上層のプレート３１〜３３の分割構造に対応して、中央部が分断されている。この分断部分が、プレート３５のシールドガス供給口６５より外側の部分と内側の部分とを一体に連ねる連通部３５ｅになっている。ひいては、プレート３５が、１枚物になっている。

図１及び図３に示すように、１層目のプレート３１には複数の第１シールドガス供給ポート６６Ａが設けられている。各第１シールドガス供給ポート６６Ａが、シールド凹溝部６１の第１部分６１ａに接続されている。シールドガス源６からの第１シールドガス供給管６７Ａが、分岐して、各第１シールドガス供給ポート６６Ａに接続されている。シールドガス源６は、シールドガスとして例えば窒素を供給するようになっている。分岐前の第１シールドガス供給管６７Ａに第１シールド制御手段６８Ａが設けられている。第１シールド制御手段６８Ａによって、シールドガス供給路６０の第１部分６０ａからのシールドガス供給量を制御できるようになっている。

図２及び図３に示すように、さらに、１層目のプレート３１には複数の第２シールドガス供給ポート６６Ｂが設けられている。各第２シールドガス供給ポート６６Ｂが、シールド凹溝部６１の第２部分６１ｂに接続されている。シールドガス源６からの第２シールドガス供給管６７Ｂが、分岐して、各第２シールドガス供給ポート６６Ｂに接続されている。分岐前の第２シールドガス供給管６７Ｂに第２シールド制御手段６８Ｂが設けられている。第２シールド制御手段６８Ｂによって、シールドガス供給路６０の第２部分６０ｂからのシールドガス供給量を制御できるようになっている。
第１、第２シールド制御手段６８Ａ，６８Ｂは、例えば電磁流量制御弁やマスフローコントローラーで構成されている。

上記のように構成されたプラズマ処理装置Ｍによれば、ＣＦ_４等のＰＦＣガスを含む処理ガスが、プラズマ生成部１１の放電部１７ａに通されてプラズマ化され、活性種が生成される。この活性種を含む処理ガスが、噴出路１７ｂを経て、噴出口３５ａから下方へ吹き出され、被処理物Ｗに接触される。これにより、被処理物Ｗの表面を撥水化することができる。ノズル部１２全体の厚さは、例えば１２ｍｍ程度であり、十分に小さい。したがって、放電部１７ａで生成された活性種が被処理物Ｗの表面に達するまでの距離を小さくでき、処理レートを高く維持することができる。
固体誘電板１６が放電部１７ａから噴出路１７ｂに跨っているため、処理ガスがプラズマ生成部１１とノズル部１２との継ぎ目に入り込むのを防止できる。また、固体誘電板１６の延出部１６ｅがノズルのプレート３１〜３３に跨っているため、処理ガスがこれらプレート３１〜３３どうしの重ね目に入り込むのを防止できる。

活性種を含む処理ガスは、処理領域画成面３５ｂと被処理物Ｗの間を噴出口３５ａから吸引口５５へ向けて流れる。これにより、活性種が被処理物Ｗと接触する面積を広くすることができ、処理レートを一層向上させることができる。この時、ステージ２０又は処理ヘッド１０を搬送手段（図示せず）にて第２方向に相対移動させることにしてもよい。これにより、被処理物Ｗの表面の全体を万遍なく処理することができる。

併行して、吸引手段５を駆動し、吸引口５５の近傍のガスを吸引路５０に吸い込む。これにより、ＰＦＣガスやその活性種を含む処理済みガスが系の外部に漏れるのを防止できるとともに、外部の雰囲気が処理領域１９に入るのを防止することができる。吸引口５５が、第１部分５５ａと第２部分５５ｂを有して噴出口３５ａを囲んでいるため、処理済みガスの系外への漏れ及び外部から処理領域１９へのガス侵入をより確実に防止できる。

吸引路５０が幅広の吸引凹溝部５１，５３と狭隘な吸引貫通部５２，５４，５５で構成されているため、吸引圧力を吸引口の長手方向に均一化することができる。これによって、処理済みガスを、吸引ポート５６Ａ，５６Ｂの位置に拘わらず、処理領域１９の周縁部に沿って万遍なく吸引することができる。さらには、処理領域１９内での処理ガスの流れを均一にでき、処理の均一化を図ることができる。
しかも、第１吸引制御手段５８Ａと第２吸引制御手段５８Ｂによって、吸引口５５の第１部分５５ａでの吸引圧力と第２部分５５ｂでの吸引圧力をそれぞれ別々に制御することができる。これにより、ガス流の制御を容易に行なうことができ、処理済みガスの系外への漏れ及び外部から処理領域１９へのガス侵入を一層確実に防止することができる。

さらに、シールドガス供給口６５からシールドガスを噴き出す。これにより、吸引口５５の外側に、これを囲むようにしてガスシールドを形成することができる。これによって、処理済みガスの系外への漏れ及び外部から処理領域１９へのガス侵入をより一層確実に防止することができる。
シールドガス供給路６０が幅広のシールド凹溝部６１，６３と狭隘なシールド貫通部６２，６４，６５で構成されているため、シールドガスを供給口６５の長手方向に均一化することができる。
しかも、第１吸引制御手段５８Ａと第２吸引制御手段５８Ｂによって、シールドガス供給路６０の第１部分６０ａからのシールドガスの供給量と第２部分６０ｂからのシールドガスの供給量をそれぞれ別々に制御することができる。

凹溝部及び貫通部からなる均一化構造は、所要厚さを極めて小さくでき（例えば１２ｍｍ程度）、ノズル部１２を薄くできる。ひいては、放電部１７ａから被処理物Ｗまでの間の距離を小さくでき、活性種が被処理物Ｗの表面に確実に到達するようにすることができる。これによって、処理レートを向上させることができる。
最下層のプレート３５が金属で構成され、電気的に接地されているので、電極１４と被処理物Ｗとの間の距離を小さくしても、被処理物Ｗへ異常放電が飛ぶのを防止できる。

ノズル部１２は、プラズマ生成部１１に対し容易に着脱できる。さらに、ノズル部１２のプレート３１〜３３，３５は、互いに分離可能である。したがって、複数のプレート３１〜３３，３５の全部又は一部を、例えば吸引凹溝部５１，５３又は吸引貫通部５２，５４，５５の位置や大きさが異なる別のプレート３１〜３３，３５に容易に変更することができる。ひいては、噴出口３５ａから吸引口５５までの距離を容易に変更でき、処理領域１９の大きさを変更することができる。
ノズル部１２の組み付け時には、固体誘電板１６の下端部の水平部１６ｈを嵌合凹部３３ｃに嵌め、その下側にプレート３５を宛がう。これにより、固体誘電板１６がノズル部１２より下に突出するのを確実に回避できる。

次に、本発明の他の実施形態を説明する。
図７は、吸引路５０の第２部分５０ｂの中央部の分断部分の変形例を示したものである。３層目のスリット状貫通部５４の第２部分５４ｂの各分断端面５４ｄが、下に向かうにしたがって他方の分断端面５４ｄに近づくように斜めになっている。さらに、吸引口５５の第２部分５５ｂの各分断端面５５ｄが、上記３層目の分断端面に連続するとともに下に向かうにしたがって他方の分断端面５５ｄに近づくように斜めになっている。
これによって、連通部３５ｃの周辺からもガスを確実に吸引することができる。したがって、連通部３５ｃを介して処理領域１９内のガスが外部に漏れたり、外部のガスが処理領域１９内に侵入したりするのを確実に防止することができる。
図示は省略するが、シールドガス供給路６０の第２部分６０ｂの中央部の分断端面についても上記と同様に斜めにしてもよい。これにより、連通部３５ｅの周辺にもシールドガスを確実に形成することができる。

プレート３１〜３３は、それぞれハーフプレートに分割されておらず、一体物になっていてもよい。その場合、図８に示すように、吸引路５０の凹溝部５１，５３及びシールドガス供給路６０の凹溝部６１，６３（同図では凹溝部５３，６３のみを破線で示す）を全周にわたって切れ目の無い環状になっていてもよい。

一方、スリット状貫通部については、周方向の１又は複数箇所で、分断されているのが好ましい。図８においては、例えば最下層プレート３５のスリット状吸引貫通部すなわち吸引口５５の第２部分５５ｂの中央部が分断されている。この分断部分が連通部３５ｃとなっている。また、シールド貫通部すなわちシールドガス供給口６５の中央部が分断され、この分断部分が連通部３５ｅとなっている。これにより、プレート３５を一体物にすることができる。

吸引口５５の第２部分５５ｂの互いに向き合う分断端部５５ｅ，５５ｅは、それぞれ鉤型ないしは階段状になり、互いに噛み合うような形状になっている。したがって、分断端部５５ｅ，５５ｅどうしが、噴出口３５ａから遠ざかる方向（図８では第１方向）に重なり合っている。これにより、吸引口５５の分断部分を通って処理領域内のガスが外へ漏れたり、外部のガスが処理領域内へ侵入したりするのを防止することができる。

シールドガス供給口６５の互いに向き合う分断端部６５ｅ，６５ｅについても、吸引路５０と同様の互いに噛み合うような形状になり、噴出口３５ａから遠ざかる方向に重なり合っている。

３層目のプレート３３のスリット状貫通部５４，６４は、上記最下層プレート３５の吸引口５５及びシールドガス供給口６５と同一形状をなして連通している。したがって、スリット状貫通部５４，６４の第２部分５４ｂ，６４ｂの中央部が分断され、この分断部分を連通部３３ｃ，３３ｅとしてプレート３３が一体物になっている。スリット状貫通部５４，６４の互いに向き合う分断端部６４ｅ，６４ｅは、互いに噛み合うような形状になり、噴出口３５ａから遠ざかる方向に重なり合っている。

図示は省略するが、図８の実施形態では、固体誘電板１６の下端部に水平部１６ｈが設けられていない。したがって、プレート３１〜３３が一体物でもノズル１２をプラズマ生成部１１から容易に分離できる。

図９は、吸引路５０及びシールドガス供給路６０の分断端部の形状の変形例を示したものである。
最下層プレート３５の吸引口５５の互いに向き合う分断端部の一方５５ｅは、二股になり、他方５５ｅ’は真っ直ぐになっている。二股の分断端部５５ｅの間に、真っ直ぐな分断端部５５ｅ’が挟まれている。これにより、分断端部５５ｅ，５５ｅ’どうしが、噴出口３５ａから遠ざかる方向（図９では第１方向）に重なり合っている。

同様に、シールドガス供給口６５の互いに向き合う分断端部の一方６５ｅが二股になり、その間に真っ直ぐな分断端部６５ｅ’が挟まれている。これにより、分断端部６５ｅ，６５ｅ’どうしが、噴出口３５ａから遠ざかる方向に重なり合っている。

さらに、３層目のプレート３３のスリット状貫通部５４，６４は、上記最下層プレート３５の吸引口５５及びシールドガス供給口６５と同一形状をなして連通している。したがって、スリット状貫通部５４，６４の互いに向き合う分断端部の一方５４ｅ，６４ｅが二股になり、その間に真っ直ぐな分断端部５４ｅ’，６４ｅ’が挟まれている。これにより、分断端部５４ｅ，５４ｅ’どうし及び６４ｅ，６４ｅ’どうしが、噴出口３５ａから遠ざかる方向に重なり合っている。

図１０に示すように、スリット状貫通部の第１部分と第２部分とが連なっておらず、この第１部分と第２部分との間が当該スリット状貫通部の分断部分になっていてもよい。
同図においては、吸引口５５の第１部分５５ａと第２部分５５ｂとが分断されている。第１部分５５ａと第２部分５５ｂとの間を連通部３５ｃとして、プレート３５の吸引口５５より内側の部分と外側の部分が一体に連なっている。第２部分５５ｂは、全長にわたってひと連なりになっており、途中で分断されていない。
吸引口５５の第１部分５５ａの端部５５ｆと第２部分５５ｂの端部５５ｇは、それぞれ鉤型に折曲され、互いに噛み合うような形状になっている。これにより、第１、第２部分５５ａ，５５ｂの端部５５ｆ，５５ｇどうしが、噴出口３５ａから遠ざかる方向に重なり合っている。

同様に、シールドガス供給口６５の第１部分６５ａと第２部分６５ｂとが分断され、これら第１、第２部分６５ａ，６５ｂ間を連通部３５ｅとして、プレート３５のシールドガス供給口６５より内側の部分と外側の部分が一体に連なっている。ひいては、プレート３５が一体物になっている。第２部分６５ｂは、全長にわたってひと連なりになっており、途中で分断されていない。

シールドガス供給口６５の第１部分６５ａの端部６５ｆと第２部分６５ｂの端部６５ｇは、それぞれ鉤型に折曲され、互いに噛み合うような形状になっている。これにより、第１、第２部分６５ａ，６５ｂの端部６５ｆ，６５ｇどうしが、噴出口３５ａから遠ざかる方向に重なり合っている。

図１０においても、３層目のプレート３３のスリット状貫通部５４，６４は、上記最下層プレート３５の吸引口５５及びシールドガス供給口６５と同一形状をなして連通している。したがって、スリット状貫通部５４，６４の第１部分５４ａ，６４ａと第２部分５４ｂ，６４ｂとが分断され、そこを連通部３３ｃ，３３ｅとしてプレート３３が一体物になっている。第１部分５４ａ，６４ａと第２部分５４ｂ，６４ｂの端部は、それぞれ鉤型に折曲され、互いに噛み合うような形状になり、噴出口３５ａから遠ざかる方向に重なり合っている。

本発明は、上記実施形態に限定されるものでなく、種々の改変をなすことができる。
例えば、吸引路５０（ひいては吸引凹溝部及び吸引貫通部）が、第１部分５０ａだけで構成され、第２部分５０ｂが無くてもよい。この場合、シールドガス供給路６０（ひいてはシールド凹溝部及びシールド貫通部）についても第１部分６０ａだけで構成されていてもよい。
吸引路５０の全体的な平面視形状は、実施形態の第１、第２部分５０ａ，５０ａ，５０ｂ，５０ｂからなる四角形に代えて、円形（楕円、長円等を含む）でもよく、五角形以上の多角形でもよい。
電極構造は、平行平板型に限られず、同軸環状型でもよい。
噴出口３５ａは、第１方向に延びるスリット状に限られず、第１方向に整列（延在）された複数の開口で構成されていてもよい。さらに、噴出口３５ａは、第１方向に延在されていなくてもよく、１個のスポット状の開口で構成されていてもよい。
処理ヘッド１０がステージ２０に対し第２方向の片側にだけ移動されながら表面処理が行なわれる場合、第１部分５０ａが、噴出路１７ｂに対し上記移動方向側にだけ設けられていてもよい。この場合、シールドガス供給路６０の第１部分６０ａについても、上記移動方向側にだけ設けられていてもよい。
吸引凹溝部５１の第１部分５１ａと第２部分５１ｂが互いに連通していなくてもよい。他の凹溝部５３，６１，６３についても同様である。
吸引路５０の整列孔状貫通部５２の整列孔５２ｃは、２列に限られず、１列になっていてよく、３列以上になっていてもよい。第１部分５２ａと第２部分５２ｂの列の数が互いに異なっていてもよい。整列孔５２ｃが規則的に配置されていればよく、例えば千鳥状に配置されていてもよい。シールドガス供給路６０の整列孔状貫通部６２の整列孔６２ｃについても同様である。
吸引路５０の２層目の貫通部５２を整列孔状に代えてスリット状にしてもよく、３層目の貫通部５４をスリット状に代えて整列孔状にしてもよい。シールドガス供給路６０の２層目の貫通部６２及び３層目の貫通部６４についても同様である。
ノズル部１２のプレートの枚数は、４つに限られず、３つ以下でもよく、５つ以上でもよい。 吸引路５０及びシールドガス供給路６０の凹溝部と貫通部の数は、実施形態のものに限定されない。凹溝部と１又は複数の貫通部とが交互に連通していればよい。
シールドガス供給路６０を省略してもよい。
プラズマ生成部１１のホルダ１５の外側に筐体が設けられていてもよく、ノズル部１２が、上記筐体にボルト４２等で着脱可能に連結されていてもよい。（ノズル部１２が、筐体を介してホルダ１５に着脱可能に連結されていてもよい。）

本発明は、被処理物の撥水化に限られず、親水化等の他の表面改質、エッチング、洗浄、成膜等の種々のプラズマ表面処理に適用可能である。

この発明は、例えば液晶ディスプレイ用のガラス基板や半導体基板の製造において、前記基板の表面の撥水化処理等に適用可能である。

本発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置を示し、図２のI-I線に沿う断面図である。 図１のII-II線に沿う、上記装置の断面図である。 上記装置のノズル部の１層目のプレートを示し、図２のIII-III線に沿う底面図である。 上記ノズル部の２層目のプレートを示し、図２のIV-IV線に沿う底面図である。 上記ノズル部の３層目のプレートを示し、図２のV-V線に沿う底面図である。 上記ノズル部の４層目（噴出方向の最先端側）のプレートを示し、図２のVI-VI線に沿う底面図である。 上記ノズル部の吸引路の第２部分の分断部分の変形例を示し、図６のVII-VII線に対応する断面図である。 上記ノズル部の吸引路及びシールドガス供給路の変形例を示す底面図である。 上記ノズル部の吸引路及びシールドガス供給路の変形例を示す底面図である。 上記ノズル部の吸引路及びシールドガス供給路の変形例を示す底面図である。

符号の説明

Ｍ プラズマ処理装置
Ｗ 被処理物
１１ プラズマ生成部
１２ ノズル部
１４ 電極
１５ ホルダ
１７ａ 放電部
１７ｂ 噴出路
１９ 処理領域
３１ １層目のプレート
３２ ２層目のプレート
３３ ３層目のプレート
３５ 最下層（噴出方向の最先端側）のプレート
３５ａ 噴出口
３５ｂ 処理領域画成面
３５ｃ 連通部
３５ｅ 連通部
４２ ボルト（連結手段）
５０ 吸引路
５０ａ 吸引路の第１部分（第１吸引路部分）
５０ｂ 吸引路の第２部分（第２吸引路部分）
５１ １層目の吸引凹溝部
５１ａ 吸引凹溝部の第１部分（第１吸引凹溝部分）
５１ａｅ 第１部分の延出部
５１ｂ 吸引凹溝部の第２部分（第２吸引凹溝部分）
５２ ２層目の整列孔状吸引貫通部
５２ａ 整列孔状吸引貫通部の第１部分（第１整列孔状吸引貫通部分）
５２ｂ 整列孔状吸引貫通部の第２部分（第２整列孔状吸引貫通部分）
５２ｃ 整列孔を構成する小孔
５３ ３層目の吸引凹溝部
５３ａ 吸引凹溝部の第１部分（第１吸引凹溝部分）
５３ｂ 吸引凹溝部の第２部分（第２吸引凹溝部分）
５４ ３層目のスリット状吸引貫通部
５４ａ スリット状吸引貫通部の第１部分（第１スリット状吸引貫通部分）
５４ｂ スリット状吸引貫通部の第２部分（第２スリット状吸引貫通部分）
５４ｄ スリット状吸引貫通部の分断部の斜端面
５４ｅ，５４ｅ’ スリット状吸引貫通部の分断端部
５５ 最下層のスリット状吸引貫通部（吸引口）
５５ａ スリット状吸引貫通部（吸引口）の第１部分（第１吸引口部分）
５５ｂ スリット状吸引貫通部（吸引口）の第２部分（第２吸引口部分）
５５ｄ スリット状吸引貫通部（吸引口）の分断部の斜端面
５５ｅ，５５ｅ’，５５ｆ，５５ｇ スリット状吸引貫通部（吸引口）の分断端部
５６Ａ 第１吸引ポート
５６Ｂ 第２吸引ポート
５８Ａ 第１吸引制御手段
５８Ｂ 第２吸引制御手段
６０ シールドガス供給路
６０ａ シールドガス供給路の第１部分（第１シールドガス供給路部分）
６０ｂ シールドガス供給路の第２部分（第２シールドガス供給路部分）
６１ １層目のシールド凹溝部
６１ａ シールド凹溝部の第１部分（第１シールド凹溝部分）
６１ｂ シールド凹溝部の第２部分（第２シールド凹溝部分）
６２ ２層目の整列孔状シールド貫通部
６２ａ 整列孔状シールド貫通部の第１部分（第１整列孔状シールド貫通部分）
６２ｂ 整列孔状シールド貫通部の第２部分（第２整列孔状シールド貫通部分）
６２ｃ 整列孔を構成する小孔
６３ ３層目のシールド凹溝部
６３ａ シールド凹溝部の第１部分（第１シールド凹溝部分）
６３ｂ シールド凹溝部の第２部分（第２シールド凹溝部分）
６４ ３層目のスリット状シールド貫通部
６４ａ スリット状シールド貫通部の第１部分（第１スリット状シールド貫通部分）
６４ｂ スリット状シールド貫通部の第２部分（第２スリット状シールド貫通部分）
６４ｅ，６４ｅ’ スリット状シールド貫通部の分断端部
６５ 最下層のスリット状シールド貫通部（シールドガス供給口）
６５ａ スリット状シールド貫通部の第１部分（第１シールドガス供給口部分）
６５ｂ スリット状シールド貫通部の第２部分（第２シールドガス供給口部分）
６５ｅ，６５ｅ’，６５ｆ，６５ｇ シールドガス供給口の分断端部
６８Ａ 第１シールド制御手段
６８Ｂ 第２シールド制御手段

Claims (9)

1. 処理ガスを略大気圧の放電部に通して前記放電部の外部の処理領域へ噴き出し、被処理物に接触させるプラズマ処理装置において、
   （ａ）互いの間に前記放電部を形成する一対の電極と、これら電極を保持するホルダとを含むプラズマ生成部と、
   （ｂ）前記プラズマ生成部の前記噴出方向の下流を向く先端側に設けられ、前記処理領域を画成する面と、前記放電部に連なるとともに前記処理領域画成面に開口する噴出口と、前記処理領域の周縁部のガスを吸引する吸引路とが形成されたノズル部と、を備え、
   前記ノズル部が、前記噴出方向に積層された複数のプレートを有し、前記噴出方向の最も先端側のプレートが、前記処理領域画成面を有しており、
   前記吸引路が、前記複数のプレートのうち互いに重なり合う２つのプレートの少なくとも一方の重なり面に形成された幅広の吸引凹溝部と、前記複数のプレートのうち前記最先端側のプレート及び他の少なくとも１つのプレートを貫通するスリット又は整列孔からなる狭隘な吸引貫通部とを含み、
   前記吸引凹溝部及び吸引貫通部が、それぞれ前記処理領域の周縁部に沿うように延在されるとともに互いに連通されており、
   前記最先端側のプレートの吸引貫通部が、前記噴出口から離れ、前記吸引路の上流端の吸引口を構成するとともに前記処理領域の周縁部を画成することを特徴とするプラズマ処理装置。
2. 前記吸引凹溝部及び吸引貫通部が、それぞれ前記処理領域の周縁部に沿って前記噴出口を囲む環状をなしていることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
3. 前記スリット状の吸引貫通部が、周方向の少なくとも１箇所で分断され、互いに向き合う２つの分断端部のうち一方の端面が、噴出方向の下流側に向かうにしたがって他方の分断端部に近づく斜面になっていることを特徴とする請求項２に記載のプラズマ処理装置。
4. 前記スリット状の吸引貫通部が、周方向の少なくとも１箇所で分断され、互いに向き合う２つの分断端部が、前記噴出口から遠ざかる方向に重なりを持っていることを特徴とする請求項２に記載のプラズマ処理装置。
5. 前記一対の電極が、それぞれ長手方向を前記噴出方向と交差する第１方向に向け、互いに前記第１方向と直交する第２方向に対向しており、
   前記噴出口が、前記第１方向に延在されており、
   前記吸引凹溝部及び吸引貫通部が、それぞれ前記噴出口から前記第２方向の両側に離れて前記第１方向に延在された一対の第１部分と、前記噴出口から前記第１方向の両側に離れて前記第２方向に延在された一対の第２部分と、を有していることを特徴とする請求項２〜４の何れかに記載のプラズマ処理装置。
6. 前記吸引口の第１部分からの吸引量を制御する第１吸引制御手段と、前記吸引口の第２部分からの吸引量を前記第１吸引制御手段とは別個に制御する第２吸引制御手段とを、さらに備えたことを特徴とする請求項５に記載のプラズマ処理装置。
7. 前記ノズル部には、前記処理領域の周縁部より外側にシールドガスを供給するシールドガス供給路が形成されており、
   前記シールドガス供給路が、前記複数のプレートのうち互いに重なり合う２つのプレートの少なくとも一方の重なり面に形成された幅広のシールド凹溝部と、前記複数のプレートのうち前記最先端側のプレート及び他の少なくとも１つのプレートを貫通するスリット又は整列孔からなる狭隘なシールド貫通部とを含み、
   前記シールド凹溝部及びシールド貫通部が、それぞれ前記吸引凹溝部又は吸引貫通部より外側において前記第１方向に延在された一対の第１部分と前記第２方向に延在された一対の第２部分とを有して、前記吸引路を囲む環状をなし、
   前記最先端側のプレートのシールド貫通部が、前記シールドガス供給路の下流端のシールドガス供給口を構成することを特徴とする請求項５又は６に記載のプラズマ処理装置。
8. 前記シールドガス供給口の第１部分からのシールドガスの供給量を制御する第１シールド制御手段と、前記シールドガス供給口の第２部分からのシールドガスの供給量を前記第１シールド制御手段とは別個に制御する第２シールド制御手段とを、さらに備えたことを特徴とする請求項７に記載のプラズマ処理装置。
9. 前記ノズル部が、前記ホルダに対し着脱可能であり、前記複数のプレートが、互いに分離可能であることを特徴とする請求項１〜８の何れかに記載のプラズマ処理装置。

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