JP4651405B2 - 表面処理方法 - Google Patents
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Description
図1,2の装置において、基材14としてカーボンブラック(以下、CB)を含有した有機膜が形成された厚さ0.7mmのガラス基板を用いた。また、プラズマ処理空間15の間隔を1.7mm、予備放電領域としての間隔16,44を1.5mmとした。電力はDCパルスの形態で電極5および31に対しそれぞれV1=3.50kV、V2=3.50kVを付与し、互いの位相差をπとした。また、繰り返し周波数を10kHz、デューティ比6%となるように与えた。また上記CB含有有機膜付ガラス基板14は1000mm/minの速度で搬送した。この時、電極間に供給するプロセスガスを4フッ化炭素/ヘリウム/窒素の混合ガスとし、その組成比を表1に示すように変化させて処理を行った。
本実施例において、上記実施例1〜7のうち、電極間に供給するプロセスガスとして4フッ化炭素/ヘリウム/窒素の混合ガスとし、その組成を表2のように設定した以外は、すべて同様に行った。
本実施例において、電極5に付与する電力V1および電極31に付与する電力V2を表3のようにし、気体の組成比を、4フッ化炭素/ヘリウム/窒素=6.7/46.7/46.7とした以外は、すべて実施例1と同様に行った。結果を表3に示す。
Claims (6)
- 所定の間隔をあけて設置された互いに対向する電極間に、気体を充満させる工程と、
前記対向電極間に電界を付与してプラズマを発生させる工程と、
前記プラズマにより前記電極上に設置された基板表面を撥液化する工程と、を包含する表面処理方法であって、
前記気体は、前記気体100体積%において、窒素ガスを80体積%以下の範囲内で含み、ヘリウムガスを99体積%以下の範囲内で含み、さらにフッ素含有化合物ガスを含むことを特徴とする、表面処理方法。 - 大気圧近傍の圧力下で行われることを特徴とする、請求項1に記載の表面処理方法。
- 前記電極のうち少なくとも一方に、固体誘電体が設けられていることを特徴とする、請求項1または2に記載の表面処理方法。
- 前記プラズマを発生させる工程において、前記電極に付与する電力が30〜100W/cm2の範囲内であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の表面処理方法
。 - 前記気体は、前記気体100体積%において、フッ素含有化合物ガスを、20体積%以下の範囲内で含有することを特徴とする、請求項1〜4のいずれかに記載の表面処理方法。
- 前記気体は、前記気体100体積%において、フッ素含有化合物ガスを3〜20体積%の範囲で含み、ヘリウムガスを50〜20体積%の範囲で含みさらに窒素ガスを含むことを特徴とする、請求項1〜5のいずれかに記載の表面処理方法。
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