JP2006219748A - 表面処理方法 - Google Patents
表面処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006219748A JP2006219748A JP2005036250A JP2005036250A JP2006219748A JP 2006219748 A JP2006219748 A JP 2006219748A JP 2005036250 A JP2005036250 A JP 2005036250A JP 2005036250 A JP2005036250 A JP 2005036250A JP 2006219748 A JP2006219748 A JP 2006219748A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- electrode
- surface treatment
- treatment method
- plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】 所定の間隔をあけて設置された互いに対向する電極間に、気体を充満させる工程と、前記対向電極間に電界を付与してプラズマを発生させる工程と、前記プラズマにより前記電極上に設置された基板表面を撥液化する工程と、を包含する表面処理方法であって、前記気体は、フッ素含有化合物ガス、ヘリウムガスおよび窒素ガスからなることを特徴とする表面処理方法を提供する。
【選択図】 図1
Description
図1,2の装置において、基材14としてカーボンブラック(以下、CB)を含有した有機膜が形成された厚さ0.7mmのガラス基板を用いた。また、プラズマ処理空間15の間隔を1.7mm、予備放電領域としての間隔16,44を1.5mmとした。電力はDCパルスの形態で電極5および31に対しそれぞれV1=3.50kV、V2=3.50kVを付与し、互いの位相差をπとした。また、繰り返し周波数を10kHz、デューティ比6%となるように与えた。また上記CB含有有機膜付ガラス基板14は1000mm/minの速度で搬送した。この時、電極間に供給するプロセスガスを4フッ化炭素/ヘリウム/窒素の混合ガスとし、その組成比を表1に示すように変化させて処理を行った。
本実施例において、上記実施例1〜7のうち、電極間に供給するプロセスガスとして4フッ化炭素/ヘリウム/窒素の混合ガスとし、その組成を表2のように設定した以外は、すべて同様に行った。
本実施例において、電極5に付与する電力V1および電極31に付与する電力V2を表3のようにし、気体の組成比を、4フッ化炭素/ヘリウム/窒素=6.7/46.7/46.7とした以外は、すべて実施例1と同様に行った。結果を表3に示す。
Claims (6)
- 所定の間隔をあけて設置された互いに対向する電極間に、気体を充満させる工程と、
前記対向電極間に電界を付与してプラズマを発生させる工程と、
前記プラズマにより前記電極上に設置された基板表面を撥液化する工程と、を包含する表面処理方法であって、
前記気体は、フッ素含有化合物ガス、ヘリウムガスおよび窒素ガスからなることを特徴とする、表面処理方法。 - 大気圧近傍の圧力下で行われることを特徴とする、請求項1に記載の表面処理方法。
- 前記電極のうち少なくとも一方に、固体誘電体が設けられていることを特徴とする、請求項1または2に記載の表面処理方法。
- 前記気体は、窒素ガスを1〜80体積%の範囲内で含み、ヘリウムガスを20〜99体積%の範囲内で含むことを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の表面処理方法。
- 前記プラズマを発生させる工程において、前記電極に付与する電力が30〜100W/cm2の範囲内であることを特徴とする、請求項1〜4のいずれかに記載の表面処理方法。
- 前記気体は、フッ素含有化合物ガスを、20体積%以下の範囲内で含有することを特徴とする、請求項1〜5のいずれかに記載の表面処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005036250A JP4651405B2 (ja) | 2005-02-14 | 2005-02-14 | 表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005036250A JP4651405B2 (ja) | 2005-02-14 | 2005-02-14 | 表面処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006219748A true JP2006219748A (ja) | 2006-08-24 |
JP4651405B2 JP4651405B2 (ja) | 2011-03-16 |
Family
ID=36982262
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005036250A Expired - Fee Related JP4651405B2 (ja) | 2005-02-14 | 2005-02-14 | 表面処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4651405B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008026712A1 (fr) * | 2006-08-29 | 2008-03-06 | Ngk Insulators, Ltd. | procédé de génération de plasma, procédé de gravure de film en matériau organique, procédé de génération ionique négatif et procédé de traitement par oxydation ou nitruration |
JP2010539694A (ja) * | 2007-09-10 | 2010-12-16 | ダウ・コーニング・アイルランド・リミテッド | 大気圧プラズマ |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04334543A (ja) * | 1991-05-07 | 1992-11-20 | Masuhiro Kokoma | 管内大気圧グロープラズマ反応方法とその装置 |
JPH10154598A (ja) * | 1996-05-24 | 1998-06-09 | Sekisui Chem Co Ltd | グロー放電プラズマ処理方法及びその装置 |
JP2000353698A (ja) * | 1999-06-10 | 2000-12-19 | Okura Ind Co Ltd | 連続プラズマ表面処理方法及び装置 |
-
2005
- 2005-02-14 JP JP2005036250A patent/JP4651405B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04334543A (ja) * | 1991-05-07 | 1992-11-20 | Masuhiro Kokoma | 管内大気圧グロープラズマ反応方法とその装置 |
JPH10154598A (ja) * | 1996-05-24 | 1998-06-09 | Sekisui Chem Co Ltd | グロー放電プラズマ処理方法及びその装置 |
JP2000353698A (ja) * | 1999-06-10 | 2000-12-19 | Okura Ind Co Ltd | 連続プラズマ表面処理方法及び装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008026712A1 (fr) * | 2006-08-29 | 2008-03-06 | Ngk Insulators, Ltd. | procédé de génération de plasma, procédé de gravure de film en matériau organique, procédé de génération ionique négatif et procédé de traitement par oxydation ou nitruration |
JPWO2008026712A1 (ja) * | 2006-08-29 | 2010-01-21 | 日本碍子株式会社 | プラズマ発生方法、有機材料膜のエッチング方法、負イオン生成方法および酸化または窒化処理方法 |
US7914692B2 (en) | 2006-08-29 | 2011-03-29 | Ngk Insulators, Ltd. | Methods of generating plasma, of etching an organic material film, of generating minus ions, of oxidation and nitriding |
JP2010539694A (ja) * | 2007-09-10 | 2010-12-16 | ダウ・コーニング・アイルランド・リミテッド | 大気圧プラズマ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4651405B2 (ja) | 2011-03-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7892611B2 (en) | Plasma generating electrode assembly | |
Kogelschatz et al. | Fundamentals and applications of dielectric-barrier discharges | |
US8591660B2 (en) | Method for the plasma cleaning of the surface of a material coated with an organic substance | |
Belkind et al. | Plasma cleaning of surfaces | |
JP2005095744A (ja) | 絶縁部材の表面処理方法及び絶縁部材の表面処理装置 | |
KR101891438B1 (ko) | 수처리용 글로우 플라즈마 반응장치 및 그 작동방법 | |
Chen et al. | Multi-effects of atmospheric He/CF4 plasma jet treatment on the surface properties of epoxy resin | |
JP2002151478A (ja) | ドライエッチング方法及びその装置 | |
US7754994B2 (en) | Cleaning device using atmospheric gas discharge plasma | |
JP4651405B2 (ja) | 表面処理方法 | |
JP2002110397A (ja) | 常圧パルスプラズマ発生方法 | |
JP2002151494A (ja) | 常圧プラズマ処理方法及びその装置 | |
JP2002008895A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP2003049276A (ja) | 放電プラズマ処理装置及びそれを用いた処理方法 | |
JP2007087804A (ja) | 表面処理方法および装置 | |
TWI428983B (zh) | Etching method and device | |
JP2003100733A (ja) | 放電プラズマ処理装置 | |
JP2006127925A (ja) | プラズマプロセス装置 | |
JP6076667B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2009189948A (ja) | バイモデル仕事のプラズマ反応器装置 | |
JP2004055301A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
JP2004235105A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP2001049443A (ja) | 放電プラズマを利用したSiO2薄膜形成方法 | |
Baars-Hibbe | Characterization and Applications of High Frequency Discharges in the near-Atmospheric Pressure Range Using Micro-Structured Electrode Arrays | |
JP2005332783A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070302 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091023 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091027 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091222 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100706 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100830 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101207 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101214 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131224 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |