JP2004127853A - プラズマ表面処理装置の電極構造 - Google Patents
プラズマ表面処理装置の電極構造 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004127853A JP2004127853A JP2002294127A JP2002294127A JP2004127853A JP 2004127853 A JP2004127853 A JP 2004127853A JP 2002294127 A JP2002294127 A JP 2002294127A JP 2002294127 A JP2002294127 A JP 2002294127A JP 2004127853 A JP2004127853 A JP 2004127853A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- plasma
- surface treatment
- treatment apparatus
- dielectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】プラズマ表面処理装置M1の電界印加電極本体21と接地電極本体31には、互いの対向面に誘電板25,35がそれぞれ添わされている。双方の誘電板25,35が、合掌状態に突き合わされるとともに双方の電極本体21,31によって挟まれている。誘電板25,35の突き合わせ面には、正面視ツリー形状の凹溝25x,35xが形成され、これらが合わさってツリー状通路(プラズマ空間)10xが構成されている。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、プラズマによって被処理物のエッチング、成膜、表面改質、洗浄等の表面処理を行なうプラズマ表面処理装置におけるプラズマ発生用の電極の構造に関し、特に所謂リモート式のプラズマ表面処理装置における電極構造に関する。
【0002】
【従来の技術】
プラズマ表面処理装置では、一対の電極間(プラズマ空間)に処理ガスを導入するとともに電界を印加してプラズマを発生させ、これを被処理物に当てて所望の表面処理を行なう。一対の電極は、例えば2つの金属導体平板を平行に配置してなり、これら平板どうしの対向面には、セラミック等からなる固体誘電体が溶射等で被膜されている(例えば、特許文献1参照)。
また、一対の電極の外に被処理物を配置し、これに向けてプラズマ化した処理ガスを吹き付ける所謂リモート式のプラズマ表面処置装置も公知である(例えば、特許文献2参照)。
【0003】
【特許文献1】
特開平11−236676号公報(第5頁段落0049、第9図)
【特許文献2】
特開平11−251304号公報(第1頁、第2図)
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
従来のプラズマ表面処理装置では、一対の電極間に処理ガスを通すとともにプラズマ化させるための空間を確保するために、電極間の間隔を所定に維持するスペーサ等の間隔維持手段が別途必要であった。また、電極間のプラズマ空間ひいてはその下流端の処理ガス吹き出し口が、例えばスリット状に延びている場合には、この延び方向に処理ガスを分散、均一化させたうえでプラズマ空間に導入するための分散、均一化手段が別途必要であった。
【0005】
【課題を解決するための手段】
上記問題点を解決するために、本発明は、対向配置された一対の電極どうし間のプラズマ空間に処理ガスを導入するとともに印加電界によりプラズマ化(活性化)して被処理物(基材、ワーク)へ吹き出す所謂リモート式のプラズマ表面処理装置において、上記一対の電極の各々が、電極本体と、この電極本体の少なくとも他方の電極との対向面に設けられた固体誘電体層としての誘電板とを備え、双方の誘電板が、合掌状態に突き合わされるとともに双方の電極本体によって挟まれ、少なくとも一方の誘電板の突き合わせ面に上記プラズマ空間となる凹溝が形成されており、一対の誘電板における被処理物側を向くべき先端面どうしの境に上記凹溝が開口して、上記プラズマ空間の下流端の吹き出し口を形成していることを特徴とする。これによって、電極間の間隔を所定に維持するための別途の間隔維持手段が不要となり、部品点数を少なくでき、構造のコンパクト化を図ることができる。
【0006】
更に、上記一対の誘電板の間に、上記処理ガスを上記境に沿う方向に均一化させるガス均一化路が形成されていることが望ましい。これによって、別途のガス均一化手段も不要となり、部品点数の一層の削減を図ることができる。この場合、一対の誘電板を被処理物とは逆側を向く基端側へ電極本体より延出させ、この延出部に上記ガス均一化路を形成し、このガス均一化路に上記空間が連なるようにしてもよい。更に、上記延出部には、互いの対向面にガス均一化路を半割りにした凹部を形成し、一対の延出部どうしを突き合わせ、上記半割り凹部を合わせることによって、ガス均一化路が形成されるようにしてもよい。
【0007】
上記凹溝が、上記電極の被処理物とは逆側を向くべき基端部から被処理物側へ向くべき先端部へ近づくにしたがって上記一対の誘電板の先端面どうしの境に沿って広がるように枝分かれしていることが望ましい。これによって、処理ガスを上記空間の通過過程で分散させて吹き出すことができ、構成の一層のコンパクト化を図ることができる。
【0008】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。
図1及び図2は、本発明の第1実施形態に係るプラズマ表面処理装置M1を示したものである。装置M1は、処理ガス源1と、パルス電源2(電界印加手段)と、電極ユニット10とを備えている。処理ガス源1には、プラズマ表面処理の目的に応じた処理ガスが貯えられている。パルス電源4(電界印加手段)は、電極本体21にパルス電圧を出力するようになっている。このパルスの立上がり時間及び/又は立下り時間は、10μs以下、電界強度は1〜1000kV/cm、周波数は0.5kHz以上であることが望ましい。
【0009】
詳細な図示は省略するが、電極ユニット10は、ノズルヘッドに収容された状態で架台に支持されている。電極ユニット10の下方には、大面積の板状の基材(被処理物)Wがセットされており、、この基材Wに成膜、エッチング、表面改質等の表面処理が施されるようになっている。
【0010】
電極ユニット10は、互いに別体をなす一対の電極20,30で構成され、これら電極20,30が、前後(図1において左右)に対向するとともに、突き合されて一体化されている。電極20,30は、それぞれ導電金属製の電極本体21,31と、この電極本体31における他方の電極との対向面に設けられた固体誘電体層としての誘電板25とを備えている。後側の電界印加電極20の本体21は、断面四角形状をなして左右(図1において紙面と直交する方向)へ長く延びている。この電界印加電極本体21に、上記パルス電源2が給電線2aを介して接続されている。前側の接地電極30の本体31は、上記電界印加電極本体21と同一形状をなして左右に長く延びている。この接地電極本体31から接地線3aが延び、接地されている。
【0011】
電界印加電極20の誘電板25は、セラミック等の固体誘電体の板で構成され、長尺の電極本体21に合わせて左右に長く延びている。図2に示すように、誘電板25には、上端縁の中央部から出発して下方(被処理物側へ向くべき先端部)に向かうにしたがって左右長手方向に(誘電板25,35の先端面どうしの境に沿って)広がるように複数段階にわたって枝分かれするツリー状の溝25xと、このツリー状溝25xの末端の多数の枝に連なる凹部25yとが形成されている。凹部25yは、誘電板25の略全長にわたって延びるとともに下端面へ達している。ツリー溝25xと凹部25yとによって、「プラズマ空間となるべき凹溝」が構成されている。
【0012】
同様に、接地電極30の誘電板35は、固体誘電体の板で構成され、接地電極本体31に合わせて左右に長く延びている。詳細な図示は省略するが、誘電板32にも、電界印加電極20の誘電板25と同一形状のツリー状溝35x及び凹部35yが形成されている(図1参照)。
【0013】
そして、双方の誘電板25,35が、合掌状態に突き合されて互いに貼り合わされるとともに、双方の電極本体21,31によって前後両側から挟まれている。これにより、誘電板25,35のツリー状溝25x,35xどうしが合わさってツリー状通路(ガス均一化路、ガス分散路)10xが形成されている。ツリー状通路10xの上流端は、誘電板25,35の上面どうしの境に開口され、供給口10xINとなっている。この供給口10xINにガス供給管1aを介して上記処理ガス源1が接続されている。
また、凹部25y,35yどうしが合わさって、上記通路10xに連なるガス吹出し通路10yが形成されている。通路10yの下端は、ケース本体22,32の下面どうしの境へ開口し、吹き出し口10yOUTを構成している。
これら通路10x,10yは、略全体が電極本体21,31の間に介在され、「プラズマ空間」となっている。
【0014】
上記構成のプラズマ表面処理装置M1の動作を説明する。
処理ガス源1からの処理ガスは、ガス供給管1aを経て、供給口10xINからツリー状通路10xに導入される。そして、このツリー状通路10xによって長手方向へ順次均一に分散されながら下へ向かい、通路10yへ流れて行く。一方、パルス電源2によって電極本体21,31間に電界が印加される。これによって、通路10x、10y内でグロー放電が発生する。この結果、処理ガスが、ツリー状通路10xでの分散流通の過程で順次プラズマ化され、ガス吹き出し通路10yにおいても更にプラズマ化された後、下端の吹き出し口10yOUTから基材Wへ向けて吹出される。これによって、基材Wの長手方向に一度に、しかも均一に所望の表面処理を施すことができる。
【0015】
このように、装置M1によれば、誘電板25,35どうしを合掌状態で突き当て、更にこれを電極本体21,31で挟持したことによって、電極本体21,31間の間隔を所定に維持することができる。したがって、別途の間隔維持手段が不要であり、部品点数を削減でき、構造のコンパクト化を図ることができる。また、誘電板25,35どうしを合掌させることによって、ガス通路10x,10yを構成することができ、この通路10x、10y内において処理ガスを分散、均一化させながらプラズマ化させることができる。したがって、別途のガス分散・均一化手段が不要であり、部品点数の一層の削減を図ることができ、構成の一層のコンパクト化を図ることができる。
【0016】
次に、本発明の他の実施形態を説明する。以下の実施形態において、既述の実施形態と同様の構成に関しては、図面に同一符号を付して説明を簡略化する。
図3及び図4は、本発明の第2実施形態を示したものである。この実施形態に係るプラズマ表面処理装置M2では、上記装置M1と同様に、電極ユニット20が、互いに別体をなす一対の電界印加電極20及び接地電極30で構成され、これら電極20,30どうしが、突き合されることによって一体化されている。各電極20,30は、長尺の電極本体21,31と誘電ケース22,32を備えている。
【0017】
電界印加電極20の誘電ケース22は、長尺の電極本体21に合わせて左右に長く延びるケース本体23と蓋24を備えている。これらケース本体23及び蓋245は、セラミック等の固体誘電体で構成されている。ケース本体23には、接地電極30とは逆側の背面へ開口する内部空間23aが形成されている。この内部空間23aに、電界印加電極本体21が着脱可能に収容され、内部空間23aの背面開口が蓋24で塞がれている。ケース本体23において、内部空間23aの奥壁を構成するとともに接地電極30と対向すべき対向壁25A(誘電板)には、上記第1実施形態と同様のツリー状溝25x及び凹部25yが形成されている(図4)。
なお、誘電ケース22は、電界印加電極本体21を包む固体誘電体層としての機能を有している。したがって、対向壁25Aは、電界印加電極本体21の接地電極30との対向面に設けられるべき固体誘電体層としての機能を有している。給電線2aは、ケース本体23を通して引き出してもよく、蓋24を通して引き出してもよい。
【0018】
同様に、接地電極30の誘電ケース32は、接地電極本体31に合わせて左右に長く延びる固体誘電体製のケース本体33及び蓋34を備えている。ケース本体33には、電界印加電極20とは逆側の背面へ開口する内部空間33aが形成されている。内部空間33aには接地電極本体31が着脱可能に収容され、内部空間33aの背面開口が蓋34で塞がれている。ケース本体33において、内部空間33aの奥壁を構成するとともに電界印加電極20と対向すべき対向壁35A(誘電板)には、上記対向壁25Aと同様のツリー状溝35x及び凹部35yが形成されている(図3参照)。
なお、誘電ケース32は、接地電極本体31を包む固体誘電体層としての機能を有している。したがって、対向壁35Aは、接地電極本体31の電界印加電極20との対向面に設けられるべき固体誘電体層としての機能を有している。接地線3aは、ケース本体33を通して引き出してもよく、蓋34を通して引き出してもよい。
【0019】
そして、双方の電極20,30の対向面どうし、すなわち、対向壁25A,35Aどうしが、合掌状態に突き合されて互いに貼り合わされている。(対向壁25A,35Aが、電極本体21,31によって前後両側から挟まれた状態になっている。)これにより、対向壁25A,35Aのツリー状溝25x,35xどうしが合わさってツリー状通路(ガス均一化路、ガス分散路)10xが形成され、凹部25y,35yどうしが合わさって、上記通路10xに連なるガス吹出し通路10yが形成されている。
【0020】
この第2実施形態に係るプラズマ表面処理装置M2によれば、各電極本体21,31の全体が、固体誘電体層としての誘電ケース22,32で覆われているため、互いの対向面では勿論、背面やエッジにおいても異常放電を防止できる。また、ケース22,32に膜等の汚れが付着した場合には、電極本体21,31を取り出し、ケース22,32だけを例えば強酸等の薬液に漬ける等して洗浄することができ、メンテナンスを容易化できる。
【0021】
図5及び図6は、本発明の第3実施形態を示したものである。この実施形態に係るプラズマ表面処理装置M3では、ケース本体23,33が、それぞれ電極本体21,31より上へ延出されている。一対のケース本体23,33のこれら上側延出部どうしによってガス均一化部11が構成され、下側部どうしによって電極対向配置部12が構成されている。
【0022】
電界印加側のケース本体23の上側部(ガス均一化部11)は、水平な隔壁26によって仕切られた上下2つの半割り膨張室23b,23dを有して、大略E字状の断面をなしている。半割り膨張室23b,23dは、接地側のケース本体33へ向けて開口されている。同様に、接地側のケース本体33の上側部(ガス均一化部11)は、水平隔壁36によって仕切られるとともに電界印加側ケース本体23へ向けて開口する上下2つの半割り膨張室33b,33dを有している。
【0023】
電界印加側のケース本体23の下側部(電極対向配置部12)には、接地電極30とは逆側の背面へ開口する内部空間23aが形成されている。内部空間23aには電界印加電極本体21が着脱可能に収容され、内部空間23aの背面開口が蓋24で塞がれている。ケース本体23において、内部空間23aの奥壁を構成するとともに接地電極30と対向すべき対向壁25A(誘電板)には、電極30との対向面に凹部(凹溝)25aが形成されている。凹部25aは、ケース本体23の略全長にわたって延びるとともにケース本体23の下端面(被処理物を向くべき先端面)へ達している。
【0024】
同様に、接地側のケース本体33の下側部(電極対向配置部12)には、電界印加電極20とは逆側の背面へ開口する内部空間33aが形成されている。内部空間33aには接地電極本体31が着脱可能に収容され、内部空間33aの背面開口が蓋34で塞がれている。ケース本体33において、内部空間33aの奥壁を構成するとともに電界印加電極20と対向すべき対向壁35A(誘電板)には、電極20との対向面に凹部35aが形成されている。凹部35aは、ケース本体33の略全長にわたって延びるとともにケース本体33の下端面(被処理物を向くべき先端面)へ達している。
【0025】
そして、一対のケース本体23,33の上側及び左右両側の対向縁どうしが、突き合されている。これにより、双方のガス均一化部11において、上側の半割り膨張室23b,33bどうしが合わさって第1膨張室11bが形成され、下側の半割り膨張室23d,33dどうしが合わさって下側の第2膨張室11dが形成されている。これら膨張室11b,11dは、それぞれ左右に延びるとともに、前後幅方向にも広がり、十分に大きな容積を有している。
【0026】
一対のケース本体23,33の上板には、互いの対向縁の長手方向の中央部に供給口11aが形成されている。この供給口11aにガス供給管1aを介して上記処理ガス源1が接続されている。また、供給口11aに第1膨張室11bが連なっている。
【0027】
一対のケース本体23,33の隔壁26,36の対向縁どうし間にはスリット状の隙間11c(圧損形成路)が形成されている。この隙間11cを介して上下の膨張室11b,11dどうしが連なっている。
一対のケース本体23,33において、ガス均一化部11と電極対向配置部12との境板27,37の対向縁どうし間にはスリット状の隙間11e(プラズマ空間への導入路)が形成されている。この隙間11eを介して、第2膨張室11dが後記プラズマ空間12aに連なっている。供給口11a、膨張室11b、隙間11c、膨張室11d、隙間11eによって「ガス均一化路」が構成されている。
【0028】
更に、双方のケース本体23,33の電極対向配置部12において、凹部25a,35aどうしが合わさってプラズマ空間12aが形成されている。プラズマ空間12aは、ケース本体23,33の下面へ開口し、左右に細長い吹き出し口12aOUTを構成している。
【0029】
第3実施形態のプラズマ表面処理装置M3では、処理ガス源1からの処理ガスが、ガス供給管1aを経て供給口11aへ供給される。そして、第1膨張室11bに導入されて膨張(高コンダクタンス化)された後、隙間11cで絞られて圧損を生じ(低コンダクタンス化され)、次に第2膨張室11dに導入されて再び膨張される。更に、隙間11eで絞られて再び圧損を生じる。このように、膨張と絞りを交互に加えることにより、処理ガスを左右長手方向に十分に均一化させた後、プラズマ空間12aへ導入することができる。そして、電極本体21,31間に電界を印加することによって、処理ガスがプラズマ化される。このプラズマ化された処理ガスが、下端の吹き出し口12aOUTから基材Wへ吹き付けられる。
【0030】
装置M3によれば、ケース22,32にガス均一化部11が一体に組み込まれているので、別途のガス均一化手段が不要であり、部品点数の一層の削減を図ることができる。
なお、ガス均一化部の膨張室は、第1、第2の二段だけに限られず、3段以上設けてもよい。これら膨張室どうしを連ねる圧損形成路は、隙間11c,11eのようなスリット状に代えて、スポット(貫通小孔)状になるように構成していもよい。
【0031】
本発明は、上記実施形態に限定されず、種々の改変が可能である。
例えば、「プラズマ空間となる凹溝」は、少なくとも一方の誘電板の対向面に形成されていればよく、他方の誘電板の対向面はフラットになっていてもよい。或いは、途中までは一方の誘電板に形成され、そこから先は他方の誘電板に形成されていてもよい。
本発明は、常圧下、減圧下の何れのプラズマ表面処理にも適用できる。
【0032】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、プラズマ表面処理装置における電極間の間隔を所定に維持するための別途の間隔維持手段が不要となり、部品点数を少なくでき、構造のコンパクト化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態に係るプラズマ表面処理装置の概略構成を示す側面断面図である。
【図2】図1のII−IIに沿う上記装置の電極ユニットの電界印加電極誘電板の正面図である。
【図3】本発明の第2実施形態に係るプラズマ表面処理装置の概略構成を示す側面断面図である。
【図4】図3のIV−IVに沿う上記第2実施形態に係る装置の電極ユニットの電界印加電極誘電ケースの正面図である。
【図5】本発明の第3実施形態に係るプラズマ表面処理装置の概略構成を示す側面断面図である。
【図6】図5のVI−VIに沿う上記第3実施形態に係る装置の電極ユニットの電界印加電極誘電ケースの正面図である。
【符号の説明】
M1,M2,M3 プラズマ表面処理装置
W 基材(被処理物)
10x ツリー状通路(プラズマ空間)
10y ガス吹き出し通路(プラズマ空間)
11 ガス均一化部
12a プラズマ空間
21,31 電極本体
25,35 誘電板
25A,35A 対向壁(誘電板)
25a 凹部(凹溝)
25x ツリー状溝(凹溝)
25y 凹部(凹溝)
Claims (3)
- 対向配置された一対の電極どうし間のプラズマ空間に処理ガスを導入するとともにプラズマ化して被処理物へ吹き出すプラズマ表面処理装置において、
上記一対の電極の各々が、電極本体と、この電極本体の少なくとも他方の電極との対向面に設けられた固体誘電体層としての誘電板とを備え、双方の誘電板が、合掌状態に突き合わされるとともに双方の電極本体によって挟まれ、少なくとも一方の誘電板の突き合わせ面に上記プラズマ空間となる凹溝が形成されており、一対の誘電板における被処理物側を向くべき先端面どうしの境に上記凹溝が開口して、上記プラズマ空間の下流端の吹き出し口を形成していることを特徴とするプラズマ表面処理装置の電極構造。 - 更に、上記一対の誘電板の間に、上記処理ガスを上記境に沿う方向に均一化させるガス均一化路が形成されていることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ表面処理装置の電極構造。
- 上記凹溝が、先端部へ向かうにしたがって上記境に沿って広がるように枝分かれするツリー状溝を有していることを特徴とする請求項1又は2に記載のプラズマ表面処理装置の電極構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002294127A JP3723794B2 (ja) | 2002-10-07 | 2002-10-07 | プラズマ表面処理装置の電極構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002294127A JP3723794B2 (ja) | 2002-10-07 | 2002-10-07 | プラズマ表面処理装置の電極構造 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004127853A true JP2004127853A (ja) | 2004-04-22 |
JP2004127853A5 JP2004127853A5 (ja) | 2005-08-11 |
JP3723794B2 JP3723794B2 (ja) | 2005-12-07 |
Family
ID=32284818
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002294127A Expired - Fee Related JP3723794B2 (ja) | 2002-10-07 | 2002-10-07 | プラズマ表面処理装置の電極構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3723794B2 (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006073342A (ja) * | 2004-09-02 | 2006-03-16 | E Square:Kk | プラズマ表面処理装置 |
JP2007265932A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Ngk Insulators Ltd | リモート式プラズマ処理装置 |
JP2008277774A (ja) * | 2007-04-03 | 2008-11-13 | Sekisui Chem Co Ltd | プラズマ処理装置 |
WO2010035429A1 (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-01 | 積水化学工業株式会社 | 表面処理用ノズル装置 |
JP2010082494A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-15 | Sekisui Chem Co Ltd | 表面処理用ノズル装置 |
WO2011077641A1 (ja) * | 2009-12-24 | 2011-06-30 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャル成長装置及びエピタキシャル成長装置の製造方法 |
JP2012031490A (ja) * | 2010-08-02 | 2012-02-16 | Ulvac Japan Ltd | プラズマ処理装置及び前処理方法 |
JP2013037977A (ja) * | 2011-08-10 | 2013-02-21 | Panasonic Corp | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
KR101335120B1 (ko) * | 2004-09-10 | 2013-12-03 | 램 리써치 코포레이션 | 플라즈마 프로세싱 시스템에서 대기 플라즈마의 최적화를위한 장치 |
KR101534130B1 (ko) * | 2008-09-05 | 2015-07-07 | 주성엔지니어링(주) | 금속 산화물 증착 장치 |
WO2018042877A1 (ja) * | 2016-09-05 | 2018-03-08 | 信越半導体株式会社 | 気相成長装置、エピタキシャルウェーハの製造方法及び気相成長装置用のアタッチメント |
US11352696B2 (en) * | 2014-06-25 | 2022-06-07 | Nederlandse Organisatie Voor Toegepast—Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno | Plasma source and surface treatment method |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6421962B1 (ja) * | 2017-08-09 | 2018-11-14 | 春日電機株式会社 | 表面改質装置 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6319571U (ja) * | 1986-07-23 | 1988-02-09 | ||
JPH04358076A (ja) * | 1989-12-07 | 1992-12-11 | Res Dev Corp Of Japan | 大気圧プラズマ反応方法とその装置 |
JPH0589451U (ja) * | 1992-05-12 | 1993-12-07 | 宮城沖電気株式会社 | 半導体製造装置 |
JPH0762546A (ja) * | 1993-08-25 | 1995-03-07 | Shinko Electric Co Ltd | 大気圧プラズマ表面処理装置 |
JPH07245192A (ja) * | 1993-05-14 | 1995-09-19 | Seiko Epson Corp | 表面処理方法及びその装置、半導体装置の製造方法及びその装置、並びに液晶ディスプレイの製造方法 |
JPH0992493A (ja) * | 1995-09-22 | 1997-04-04 | Seiko Epson Corp | 表面処理装置 |
JP2002075692A (ja) * | 2000-04-26 | 2002-03-15 | Unaxis Balzer Ag | プラズマ反応器 |
JP2002176050A (ja) * | 2000-12-05 | 2002-06-21 | Sekisui Chem Co Ltd | 酸化珪素膜の形成方法及びその装置 |
-
2002
- 2002-10-07 JP JP2002294127A patent/JP3723794B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6319571U (ja) * | 1986-07-23 | 1988-02-09 | ||
JPH04358076A (ja) * | 1989-12-07 | 1992-12-11 | Res Dev Corp Of Japan | 大気圧プラズマ反応方法とその装置 |
JPH0589451U (ja) * | 1992-05-12 | 1993-12-07 | 宮城沖電気株式会社 | 半導体製造装置 |
JPH07245192A (ja) * | 1993-05-14 | 1995-09-19 | Seiko Epson Corp | 表面処理方法及びその装置、半導体装置の製造方法及びその装置、並びに液晶ディスプレイの製造方法 |
JPH0762546A (ja) * | 1993-08-25 | 1995-03-07 | Shinko Electric Co Ltd | 大気圧プラズマ表面処理装置 |
JPH0992493A (ja) * | 1995-09-22 | 1997-04-04 | Seiko Epson Corp | 表面処理装置 |
JP2002075692A (ja) * | 2000-04-26 | 2002-03-15 | Unaxis Balzer Ag | プラズマ反応器 |
JP2002176050A (ja) * | 2000-12-05 | 2002-06-21 | Sekisui Chem Co Ltd | 酸化珪素膜の形成方法及びその装置 |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006073342A (ja) * | 2004-09-02 | 2006-03-16 | E Square:Kk | プラズマ表面処理装置 |
KR101335120B1 (ko) * | 2004-09-10 | 2013-12-03 | 램 리써치 코포레이션 | 플라즈마 프로세싱 시스템에서 대기 플라즈마의 최적화를위한 장치 |
JP2007265932A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Ngk Insulators Ltd | リモート式プラズマ処理装置 |
JP2008277774A (ja) * | 2007-04-03 | 2008-11-13 | Sekisui Chem Co Ltd | プラズマ処理装置 |
KR101534130B1 (ko) * | 2008-09-05 | 2015-07-07 | 주성엔지니어링(주) | 금속 산화물 증착 장치 |
JP2010082494A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-15 | Sekisui Chem Co Ltd | 表面処理用ノズル装置 |
JP4540731B2 (ja) * | 2008-09-29 | 2010-09-08 | 積水化学工業株式会社 | 表面処理用ノズル装置 |
KR101227285B1 (ko) | 2008-09-29 | 2013-01-29 | 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 | 표면 처리용 노즐 장치 |
JP2010084161A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-15 | Sekisui Chem Co Ltd | 表面処理用ノズル装置 |
WO2010035429A1 (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-01 | 積水化学工業株式会社 | 表面処理用ノズル装置 |
WO2011077641A1 (ja) * | 2009-12-24 | 2011-06-30 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャル成長装置及びエピタキシャル成長装置の製造方法 |
JP2012031490A (ja) * | 2010-08-02 | 2012-02-16 | Ulvac Japan Ltd | プラズマ処理装置及び前処理方法 |
JP2013037977A (ja) * | 2011-08-10 | 2013-02-21 | Panasonic Corp | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
US11352696B2 (en) * | 2014-06-25 | 2022-06-07 | Nederlandse Organisatie Voor Toegepast—Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno | Plasma source and surface treatment method |
WO2018042877A1 (ja) * | 2016-09-05 | 2018-03-08 | 信越半導体株式会社 | 気相成長装置、エピタキシャルウェーハの製造方法及び気相成長装置用のアタッチメント |
JPWO2018042877A1 (ja) * | 2016-09-05 | 2019-04-04 | 信越半導体株式会社 | 気相成長装置、エピタキシャルウェーハの製造方法及び気相成長装置用のアタッチメント |
US10665460B2 (en) | 2016-09-05 | 2020-05-26 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Vapor phase growth apparatus, method of manufacturing epitaxial wafer, and attachment for vapor phase growth apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3723794B2 (ja) | 2005-12-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2004127853A (ja) | プラズマ表面処理装置の電極構造 | |
KR100552378B1 (ko) | 플라즈마 표면 처리 장치의 전극 구조 | |
WO2020021831A1 (ja) | プラズマ発生装置 | |
JP2010212424A (ja) | シャワーヘッド及びプラズマ処理装置 | |
EP1638377A4 (en) | PLASMA GENERATING ELECTRODE, PLASMA PRODUCTION DEVICE AND CLEANING DEVICE FOR EXHAUST GASES | |
JP2005268170A (ja) | プラズマ処理装置 | |
TWI619842B (zh) | 活性氣體產生裝置及成膜處理裝置 | |
JP2004127853A5 (ja) | ||
JP3686647B2 (ja) | プラズマ表面処理装置の電極構造 | |
JP2005302681A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2008103323A (ja) | プラズマ発生装置、基板洗浄方法、及びこれを含むディスプレイ基板の製造方法 | |
JP4540731B2 (ja) | 表面処理用ノズル装置 | |
JP4283520B2 (ja) | プラズマ成膜装置 | |
US20100258247A1 (en) | Atmospheric pressure plasma generator | |
JP4364494B2 (ja) | プラズマ表面処理装置 | |
JP2005019150A (ja) | 常圧プラズマ処理装置 | |
TWI670304B (zh) | 表面改質裝置 | |
JP6944066B2 (ja) | プラズマ発生装置 | |
JP5911178B2 (ja) | プラズマ表面処理装置 | |
JP4052965B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
TWI655232B (zh) | Surface modification device | |
JP4410666B2 (ja) | チューブ内処理装置及び処理用部材並びに処理方法 | |
JPH10101308A (ja) | オゾン発生装置 | |
JP3686662B1 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2005116901A (ja) | プラズマ成膜装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050117 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050117 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20050117 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20050117 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20050217 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050411 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050419 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050530 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050913 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050916 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3723794 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080922 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080922 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090922 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090922 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100922 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110922 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120922 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130922 Year of fee payment: 8 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |