JPH0589451U - 半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造装置

Info

Publication number
JPH0589451U
JPH0589451U JP3100592U JP3100592U JPH0589451U JP H0589451 U JPH0589451 U JP H0589451U JP 3100592 U JP3100592 U JP 3100592U JP 3100592 U JP3100592 U JP 3100592U JP H0589451 U JPH0589451 U JP H0589451U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
nozzles
semiconductor manufacturing
reaction gas
manufacturing apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP3100592U
Other languages
English (en)
Other versions
JP2595744Y2 (ja
Inventor
浩章 藤本
隆志 宇佐見
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
Priority to JP1992031005U priority Critical patent/JP2595744Y2/ja
Publication of JPH0589451U publication Critical patent/JPH0589451U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2595744Y2 publication Critical patent/JP2595744Y2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Nozzles (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本考案は、ＣＶＤ法による処理をするよう
な、反応ガスを導入する半導体製造装置におけるガス吹
出し部の構造に関するもので、ガスの吹出しをより均一
化することを目的とするものである。 【構成】 本考案は前記目的のため、前記ガス吹出し部
をノズル１の集合体としたものであり、処理方法によっ
ては、そのノズル１に交互に異なるガス１ａ、１ｂを導
入する。また、ノズル１の隙間に冷却ガス２を導入す
る。

Description

【考案の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本考案は、常圧ＣＶＤ（化学的気相成長）法によって半導体装置の層間絶縁膜 を形成するような、反応ガスを導入して処理する半導体製造装置におけるそのガ ス吹出し部の構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図３は、常圧ＣＶＤ（化学気相成長）法を用いて層間絶縁膜を形成する従来の 半導体製造装置における一般的な反応ガス吹出し部である。この反応ガス吹出し 部は、図３（ｂ）に示すようにスリット形状のガス吹出し溝２１を有した金属板 を多数枚重ね合せることによって、多数のガス吹出し口１１を形成している。
【０００３】 ガス吹出し部の側壁には、ガス吹出し部の温度の過上昇を抑制することを目的 として、前記金属板に直交して冷却水を流すための冷却板１２が両側に取り付け られている。反応ガスは反応ガスを貯蔵しているボンベからガス配管を通し、前 記金属板（ガス吹出し口）の下部のガス取入れ口２２からガス吹出し部に導かれ る。ガス吹出し部内に導かれた反応ガスは前記金属板下部にある滞溜槽２３を通 して、均一な反応ガスとなって吹出し口から放出される。
【０００４】
【考案が解決しようとする課題】
しかしながら、上記構成のガス吹出し部ではガス吹出し口がスリット形状にな っているため、ガス吹出し口での位置によって、反応ガス流量が異なり、また、 冷却板が取り付けられているため、ガス吹出し口の中央と冷却板が取り付けられ ているガス吹出し口の両側とで、反応ガスの温度が異なることによって、ウエハ 面内での膜厚、膜質が異なるといった問題点があった。
【０００５】 本考案は以上述べたガス吹出し口での位置によって反応ガス流量が異なるとい った問題点を除去し、また冷却板を取り付けることによって反応ガス温度に違い が生じるといった問題点を除去するため、ガス吹出し部のノズルの集合体として ガス吹出しをより均一化し、ウエハ面内の膜厚、膜質の均一性を向上させる装置 を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本考案は前記目的のため、常圧ＣＶＤ法（気相成長法）によって層間絶縁膜を 形成する半導体製造装置の反応ガス吹出し部において、ガス吹出し部にノズルの 集合体を用い、ガス吹出し部の冷却方法としてノズルの周囲にドライＮ2 を流す ことによって、ガス吹出し部の冷却効率が向上するようにしたものである。
【０００７】
【作用】
本考案は前述したように、反応ガス吹出し部をノズルの集合体とし、またＳｉ Ｈ4 又はＴＥＯＳとＯ2 又はＯ3 とを反応ガス吹出し口、つまりノズルに交互に 独立して導くようにしたので、ウエハ面内での成膜均一性の向上が期待できる。 さらにノズル間のすきまにドライＮ2 を流すことによって、反応ガス吹出し部の 位置にかかわらず均一な冷却ができる。
【０００８】
【実施例】
図１は、本考案の実施例の常圧ＣＶＤ法によって層間絶縁膜を形成する半導体 製造装置の反応ガス吹出し部であり、（ａ）図は斜図、（ｂ）図は上面図である 。図に示すようにガス吹出し口１はノズル形状を有する金属管（あるいは同等の 材料の管）であり、このノズル１を多数束ねることによってガス吹出し部を構成 している。このノズル１の径は小さいほど生成膜の均一性が向上することは明ら かである。
【０００９】 半導体装置に用いられている層間絶縁膜としては、一般にＳｉＨ4 （シラン） 又はＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）をＯ2 （酸素）又はＯ3 （オゾン）によ って酸化させた酸化膜が用いられ、反応ガス吹出し部で混合されるのが一般的で あるが、本実施例では多数あるガス吹出し口（ノズル）１を、ＳｉＨ4 又はＴＥ ＯＳ（１ａ）とＯ2 又はＯ3 （１ｂ）とを図１（ｂ）に示すように、交互に配置 することによってウエハ表面上まで独立して導くことができる。
【００１０】 さらに、反応ガス吹出し部の冷却方法は、ノズル１間のすきま２にドライＮ2 を流すことによって反応ガス部での位置によらず均一な冷却が可能である。
【００１１】 図２は反応ガス吹出し部の断面図である。ここではＳｉＨ4 又はＴＥＯＳ（１ ａ）とＯ2 又はＯ3 （１ｂ）を独立して吹き出すため、またノズル１間のすきま に冷却ガスとしてドライＮ2 （３）を流すため、同図に示すように、それぞれ前 記ガスを導く配管を接続した滞溜槽１ａ，１ｂ，３を組合せた多槽構造としてい る。
【００１２】
【考案の効果】
以上説明したように本考案によれば、反応ガス吹出し部をノズルの集合体とし て、またＳｉＨ4 又はＴＥＯＳとＯ2 又はＯ3 とを反応ガス吹出し口、つまりノ ズルに交互に独立して導くようにしたので、ウエハ面内での成膜均一性の向上が 期待できる。さらに、ノズル間のすきまにドライＮ2 を流すことによって、反応 ガス吹出し部の位置にかかわらず均一な冷却効果が期待できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本考案の実施例
【図２】反応ガス吹出し部断面図
【図３】従来例
【符号の説明】
１ ガス吹出し口 ２ ドライＮ2 吹出し口

Claims (2)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ガスを導入して処理を行なう半導体製造
    装置における該ガスの吹出し部の構造を、ノズルの集合
    体とすることを特徴とする半導体製造装置。
  2. 【請求項２】 前記各ノズルに導入するガスが異なって
    いることを特徴とする請求項１記載の半導体製造装置。
JP1992031005U 1992-05-12 1992-05-12 半導体製造装置 Expired - Lifetime JP2595744Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1992031005U JP2595744Y2 (ja) 1992-05-12 1992-05-12 半導体製造装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1992031005U JP2595744Y2 (ja) 1992-05-12 1992-05-12 半導体製造装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0589451U true JPH0589451U (ja) 1993-12-07
JP2595744Y2 JP2595744Y2 (ja) 1999-06-02

Family

ID=12319455

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1992031005U Expired - Lifetime JP2595744Y2 (ja) 1992-05-12 1992-05-12 半導体製造装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2595744Y2 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004127853A (ja) * 2002-10-07 2004-04-22 Sekisui Chem Co Ltd プラズマ表面処理装置の電極構造
JP2010028056A (ja) * 2008-07-24 2010-02-04 Nuflare Technology Inc 成膜装置および成膜方法
JP2012021209A (ja) * 2010-07-16 2012-02-02 Ulvac Japan Ltd 蒸着装置及び蒸着方法
JP2012031490A (ja) * 2010-08-02 2012-02-16 Ulvac Japan Ltd プラズマ処理装置及び前処理方法
JP2012036484A (ja) * 2010-08-11 2012-02-23 Ulvac Japan Ltd 薄膜形成装置及び薄膜形成方法
JP2012084238A (ja) * 2010-10-06 2012-04-26 Ulvac Japan Ltd プラズマ処理装置及び前処理方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008072744A1 (ja) * 2006-12-15 2008-06-19 Akira Tomono 気体放出装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004127853A (ja) * 2002-10-07 2004-04-22 Sekisui Chem Co Ltd プラズマ表面処理装置の電極構造
JP2010028056A (ja) * 2008-07-24 2010-02-04 Nuflare Technology Inc 成膜装置および成膜方法
JP2012021209A (ja) * 2010-07-16 2012-02-02 Ulvac Japan Ltd 蒸着装置及び蒸着方法
JP2012031490A (ja) * 2010-08-02 2012-02-16 Ulvac Japan Ltd プラズマ処理装置及び前処理方法
JP2012036484A (ja) * 2010-08-11 2012-02-23 Ulvac Japan Ltd 薄膜形成装置及び薄膜形成方法
JP2012084238A (ja) * 2010-10-06 2012-04-26 Ulvac Japan Ltd プラズマ処理装置及び前処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2595744Y2 (ja) 1999-06-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100481441B1 (ko) 반도체 장치의 제조방법 및 반도체 제조장치
KR101122833B1 (ko) 반도체 처리용의 열처리 장치
KR100974848B1 (ko) 혼합기, 박막 제조 장치 및 박막 제조 방법
KR950012910B1 (ko) 기상성장장치
KR101038405B1 (ko) 막형성장치 및 막형성방법
JP6435967B2 (ja) 縦型熱処理装置
KR20080028963A (ko) 실리콘 함유 필름의 증착 방법
KR102269479B1 (ko) 시간적 원자 층 증착 프로세싱 챔버
JP2969596B2 (ja) Ｃｖｄ装置
JPH0589451U (ja) 半導体製造装置
JPH021116A (ja) 熱処理装置
US20060121746A1 (en) Semiconductor device manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus
US11725281B2 (en) Gas introduction structure, thermal processing apparatus and gas supply method
JP2000311862A (ja) 基板処理装置
JPH0758030A (ja) 半導体製造装置
JP4464364B2 (ja) 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
JPH04154117A (ja) 減圧ｃｖｄ装置
US5766785A (en) Method and apparatus for manufacturing a semiconductor device
JP4040505B2 (ja) 半導体製造装置
JPH07249585A (ja) 半導体製造装置及びそのクリーニング方法
JPH0722319A (ja) 減圧ｃｖｄ装置
JPH0441174Y2 (ja)
KR100244040B1 (ko) 반도체 제조장치 및 기판처리방법
JPH06299356A (ja) 常圧ｃｖｄ装置およびそのクリーニング方法
JPH01166526A (ja) 半導体製造装置