JP2012031490A - プラズマ処理装置及び前処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】大型の処理対象物の表面に対して分布が均一な処理を安価に行うことができる技術を提供する。
【解決手段】基板５に対して相対移動可能に設けられ、処理ガス供給源８から供給された処理ガスを放電させ、当該処理ガスのラジカルを基板５に向って放出するためのラジカル放出器１０を備える。ラジカル放出器１０は、処理ガス供給源８から処理ガスのプラズマがそれぞれ供給され且つ互いの雰囲気が隔離された第１〜第４の拡散室１１〜４１と、第１〜第４の拡散室１１〜４１にて拡散された処理ガスのプラズマを混合するプラズマ形成室５１とを有する。プラズマ形成室５１には、基板５の相対移動方向に対し直交するスリット状のスリット５３が設けられている。
【選択図】 図２

Description

本発明は、例えば有機ＥＬディスプレイ等や有機ＥＬ照明デバイス等を作製する際に基板を前処理する技術に関する。

有機ＥＬデバイスを製作する際には、表面に透明導電膜のパターンを有する基板を用いているが、基板の表面には有機物等の汚れがあり、そのままの状態で成膜を行うと、デバイスの性能を十分に発揮することができないという問題がある。
このため、従来より、基板上に有機膜を形成する前に、有機物等を除去する前処理を行うようにしている。

図６は、従来の前処理装置を示す概略構成図である。
図６に示すように、この前処理装置１０１は、基板１００が配置される真空槽１０２を有し、この真空槽１０２の下部にプラズマ生成部１０３が設けられている。
プラズマ生成部１０３は、例えば高周波電源１０４に接続されたコイル１０５を有し、このコイル１０５に対して高周波電力が印加されるようになっている。

プラズマ生成部１０３には、処理ガス供給源１０６が接続され、処理ガス供給源１０６から供給された酸素（Ｏ₂）ガス等の処理ガスのプラズマを発生させ、酸素ラジカル等の粒子によって基板１００表面の有機物と反応させることにより基板１００表面のクリーニングによる前処理を行うようにしている。

しかし、このような従来技術においては、一箇所でプラズマを発生させるようにしているため、基板１００上において均一な処理を行うことは困難であった。
その一方、近年、処理対象物が大型化しているため、処理対象物表面に対して均一な前処理を行おうとすると、プラズマを発生する手段を複数用いる必要があり、処理のコストが大きくなってしまうという問題もあった。

特開２００４−７９９０４号公報 特開平７−９０５７２号公報

本発明は、このような従来の技術の課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、大型の処理対象物の表面に対して分布が均一な処理を安価に行うことができる技術を提供することにある。

上記目的を達成するためになされた本発明は、処理対象物が配置される真空槽と、前記真空槽の外部に設けられた処理ガス供給源と、前記処理対象物に対して相対移動可能に設けられ、前記処理ガス供給源から供給された処理ガスを放電させ、当該処理ガスのラジカルを前記処理対象物に向って放出するためのラジカル放出器とを備え、前記ラジカル放出器は、前記処理ガス供給源から前記処理ガスがそれぞれ供給され且つ互いの雰囲気が隔離された処理ガス拡散部と、当該処理ガス拡散部において拡散された処理ガスのプラズマを形成するプラズマ形成室とを有し、前記処理ガス拡散部は、前記処理ガスの導入側から放出側に向って段階的に区分けされた複数の拡散室を有するとともに、当該複数の拡散室は、互いに隣接する拡散室が前記処理ガスが通過可能な連通口を介して接続され、さらに、当該複数の拡散室のうち最終段の拡散室が、前記処理ガスが通過可能な連通口を介してそれぞれ前記プラズマ形成室に接続され、前記プラズマ形成室には、前記処理対象物の相対移動方向に対して交差する方向に延びるスリット状のラジカル放出口が設けられているプラズマ処理装置である。
本発明では、前記ラジカル放出器における処理ガス拡散部の複数の拡散室には、互いの雰囲気を隔離するための隔壁部が設けられている場合にも効果的である。
本発明では、前記ラジカル放出器における処理ガス拡散部の連通口は、前記処理ガスの導入側から放出側に向って数が増加するように構成されている場合にも効果的である。
本発明では、前記ラジカル放出器における処理ガス拡散部の複数の連通口は、前記処理ガスの導入側から放出側に向って２^n-1個（ｎは自然数）で増加するように構成されている場合にも効果的である。
本発明では、前記ラジカル放出器における処理ガス拡散部の複数の連通口は、前記処理ガスの導入側から放出側に向ってそれぞれの連通口の面積の和が小さくなるように構成されている場合にも効果的である。
一方、本発明は、上述したいずれかのプラズマ処理装置を用い、真空中で基板表面に対して処理を行う方法であって、当該基板上に真空蒸着によって有機材料を蒸着する前に、前記プラズマ処理装置のラジカル放出器から前記処理ガスのラジカルを放出して当該基板表面のクリーニング処理を行う工程を有する前処理方法である。
本発明の場合、ラジカル放出器における処理ガス拡散部が、処理ガスの導入側から放出側に向って段階的に区分けされた複数の拡散室を有するとともに、当該複数の拡散室は、互いに隣接する拡散室が処理ガスが通過可能な連通口を介して接続され、さらに、当該複数の拡散室のうち最終段の拡散室が、処理ガスが通過可能な連通口を介してプラズマ形成室に接続されていることから、複数の拡散室において処理ガスを拡散した後に、プラズマ形成室において処理ガスのプラズマを形成して処理ガスのラジカルをラジカル放出口から処理対象物に向って放出することができ、これにより例えば大型の処理対象物に対して成膜の前処理を行う場合に当該処理対象物上の各領域において均一な処理を行うことができる。
さらに、本発明によれば、処理対象物の相対移動方向に対して交差する方向に延びるスリット状のラジカル放出口が設けられていることから、処理対象物又はラジカル放出器を移動させることにより、当該処理対象物上の各領域において均一な処理を行うことができる。
さらにまた、本発明によれば、プラズマを発生させる手段を複数設ける必要がないため、簡素な構成で低価格のプラズマ処理装置を提供することができる。

本発明によれば、大型の処理対象物の表面に対して分布が均一な処理を安価に行うことができる。

本発明に係るプラズマ処理装置である前処理装置を用いた有機ＥＬ製造装置の全体構成を示す概略構成平面図 （ａ）：同前処理装置の内部構成を示す断面図（ｂ）：同前処理装置のリニアラジカル放出器の本体部の内部構成を示す概略構成図 本発明の他の実施の形態のプラズマ処理装置の内部構成を示す断面図 本発明の他の実施の形態のプラズマ処理装置の内部構成を示す断面図 本発明に用いるリニアラジカル放出器の他の例を示す概略構成図 従来技術に係る前処理装置の内部構成を示す断面図

以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。
図１は、本発明に係るプラズマ処理装置である前処理装置を用いた有機ＥＬ製造装置の全体構成を示す概略構成平面図、図２（ａ）は、同前処理装置の内部構成を示す断面図、図２（ｂ）は、同前処理装置のリニアラジカル放出器の本体部の内部構成を示す概略構成図である。以下、上下関係については図２（ａ）（ｂ）に示す構成に基づいて説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。

図１に示すように、本実施の形態の有機ＥＬ製造装置１は、マルチチャンバー方式のものであり、図示しない真空排気系に接続された搬送室２を有している。
搬送室２内には搬送ロボット３が設けられており、搬送室２の周囲に設けられたローディング室４Ａ、基板前処理室４Ｂ、有機成膜室４Ｃ，４Ｄ、電極成膜室４Ｅ及び基板受け渡し室４Ｆとの間において基板５及びマスク（図示せず）の受け渡しを行うように構成されている。

そして、これらローディング室４Ａ、基板前処理室４Ｂ、有機成膜室４Ｃ，４Ｄ、電極成膜室４Ｅ及び基板受け渡し室４Ｆは、それぞれ図示しない真空排気系に接続され、独立して真空排気を行うようになっている。

本実施の形態の場合、基板前処理室４Ｂ内に、後述するリニアラジカル放出器（ラジカル放出器）１０を有する前処理装置（プラズマ処理装置）３０が設けられている。
また、基板受け渡し室４Ｆは、基板５を次の工程へ移送する搬送室６に接続されている。

図１又は図２（ａ）（ｂ）に示すように、本実施の形態の前処理装置３０は、真空槽４ａ内に、細長い例えば箱形形状の本体部１０Ａを有するリニアラジカル放出器１０を備えている。

リニアラジカル放出器１０は、その本体部１０Ａが、基板前処理室４Ｂ内において基板搬送方向Ｘに対して交差する方向（本実施の形態では、基板搬送方向Ｘに対して直交するＹ方向）に向けて配置されている。
リニアラジカル放出器１０の本体部１０Ａは、例えばステンレス等の導電性を有する金属材料を用いて一体的に構成されている。

リニアラジカル放出器１０の本体部１０Ａは、例えば本体部１０Ａ内の下部に処理ガス導入室１０Ｂが設けられ、この処理ガス導入室１０Ｂに対して高周波電源６から高周波電力を印加するように構成されている。
また、リニアラジカル放出器１０の下部の処理ガス導入室１０Ｂには、供給管７の一方の端部が接続され、この供給管７の他方の端部は、真空槽４ａの外部に設けられた処理ガス供給源８に接続されている。

本実施の形態の場合、供給管７の中腹部分に絶縁性材料からなる接続部７ａが設けられており、リニアラジカル放出器１０の処理ガス導入室１０Ｂが処理ガス供給源８に対して電気的に絶縁された状態になっている。
処理ガス供給源８は、反応ガス供給源８０と放電補助ガス供給源８１とを有している。
反応ガス供給源８０は、反応ガスである例えば酸素（Ｏ₂）ガスを供給する反応ガス源８ａを有し、この反応ガス源８ａが流量調整部８ｂ及びバルブ８ｃを介して供給管７に接続されている。

一方、放電補助ガス供給源８１は、例えば窒素（Ｎ₂）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス等の放電補助ガスを供給する放電補助ガス源８ｄを有し、この放電補助ガス源８ｄが流量調整部８ｅ及びバルブ８ｆを介して供給管７に接続されている。

一方、本実施の形態のリニアラジカル放出器１０は、上述した処理ガス導入室１０Ｂの基板５側の部分に、プラズマ拡散室として、複数段（本例では４段）の第１〜第４の拡散室１１、２１、３１、４１がこの順序で設けられている。

また、以下に説明するように、本実施の形態においては、処理ガスの導入側から放出側に向って２^n-1個（ｎは自然数）で増加する数の第１〜第５連通口１２、２２、３２、４２、５２が設けられている。
第１の拡散室１１は、処理ガス導入室１０Ｂより容積が大きくなるように構成され、その底部に設けられた一つの第１連通口１２を介して処理ガス導入室１０Ｂに接続されている。

この第１連通口１２は、第１の拡散室１１の天井部分と対向するように、その位置が設定されており、これにより処理ガスが第１の拡散室１１の天井部分に衝突して処理ガスの拡散が促進されるように構成されている（図２（ｂ）においては、理解を容易にするため、第１連通口１２及び第２連通口２２の位置が重なるように描かれている）。
第１の拡散室１１は、その天井部分（第２の拡散室２１の底部）に設けられた二つの第２連通口２２を介して第２の拡散室２１に接続されている。

本発明の場合、特に限定されることはないが、処理ガスの逆流れを生じさせない、即ち圧力勾配を保持する観点からは、第２連通口２２のそれぞれの面積の和が、第１連通口１２の面積の和より大きくならない（小さくなる）ように設定することが好ましい。

更には、処理ガス流を均等に分配する観点からは、同一段における連通口の面積並びに形状を同一にすること、本実施の形態では第１〜第５連通口１２〜５２の面積並びに形状を同一にすることがより好ましい。

また、第２連通口２２は、第２の拡散室２１の天井部分と対向するように、その位置が設定されており、これにより処理ガスが第２の拡散室２１の天井部分に衝突して処理ガスの拡散が促進されるように構成されている（図２（ｂ）においては、理解を容易にするため、第２連通口２２及び第３連通口３２の位置が重なるように描かれている）。

さらに、本実施の形態においては、二つの隔壁部２１ａによって第２の拡散室２１が二つの領域に仕切られ、各領域の雰囲気が違いに隔離されている。これら隔壁部２１ａは処理ガスが衝突することによってその拡散を促進するために有効となるものである。

なお、本発明の場合、隔壁部２１ａを設ける位置は特に限定されることはないが、処理ガスをより均一に拡散させる観点からは、隔壁部２１ａによって隔離される第２の拡散室２１の各領域の容積及び処理ガスの通過速度が等しくなる位置に設けることが好ましい。
第２の拡散室２１は、その天井部分（第３の拡散室３１の底部）に設けられた四つの第３連通口３２を介して第３の拡散室３１に接続されている。

本発明の場合、特に限定されることはないが、処理ガスの逆流れを生じさせない、即ち圧力勾配を保持する観点からは、第３連通口３２のそれぞれの面積の和が、上述した第２連通口２２の面積の和より大きくならない（小さくなる）ように設定することが好ましい。

また、第３連通口３２は、第３の拡散室３１の天井部分と対向するように、その位置が設定されており、これにより処理ガスが第３の拡散室３１の天井部分に衝突して処理ガスの拡散が促進されるように構成されている（図２（ｂ）においては、理解を容易にするため、第３連通口３２及び第４連通口４２の位置が重なるように描かれている）。

また、本実施の形態においては、第３の拡散室３１が例えば六つの隔壁部３１ａによって四つの領域に仕切られ、各領域の雰囲気が違いに隔離されている。これらの仕切り板は処理ガスが衝突することによってその拡散を促進するために有効となるものである。

なお、本発明の場合、隔壁部３１ａを設ける位置は特に限定されることはないが、処理ガスをより均一に拡散させる観点からは、隔壁部３１ａによって仕切られる第３の拡散室３１の各領域の容積及び処理ガスの通過速度が等しくなる位置に設けることが好ましい。

さらに、第３の拡散室３１の基板５側の部分には、第４の拡散室４１が設けられている。
ここで、第３の拡散室３１は、その天井部分（第４の拡散室４１の底部）に設けられた八つの第４連通口４２を介して第４の拡散室４１に接続されている。

本発明の場合、特に限定されることはないが、処理ガスの逆流れを生じさせない、即ち圧力勾配を保持する観点からは、第４連通口４２のそれぞれの面積の和が、上述した第３連通口３２の面積の和より大きくならない（小さくなる）ように設定することが好ましい。

また、第４連通口４２は、第４の拡散室４１の天井部分と対向するように、その位置が設定されており、これにより処理ガスのプラズマが第４の拡散室４１の天井部分に衝突して処理ガスの拡散が促進されるように構成されている。
また、本実施の形態においては、第４の拡散室４１が七つの隔壁部４１ａによって八つの領域に仕切られ、各領域の雰囲気が違いに隔離されている。これらの隔壁部４１ａは処理ガスが衝突することによってその拡散を促進するために有効となるものである。

なお、本発明の場合、隔壁部４１ａを設ける位置は特に限定されることはないが、処理ガスをより均一に拡散させる観点からは、隔壁部４１ａによって仕切られる第４の拡散室４１の各領域の容積及び処理ガスの通過速度が等しくなる位置に設けることが好ましい。

さらに、第４の拡散室４１の基板５側の部分には、シールド部材５０が設けられている。
このシールド部材５０は、第４の拡散室４１の上方の空間を覆うように構成され、これによりこの空間即ちプラズマ形成室５１において第５の連通口５２を通過した処理ガスのプラズマが形成されるようになっている。
ここで、プラズマ形成室５１は、第４の拡散室４１の天井部分（プラズマ形成室５１の底部）に設けられた１６個の第５連通口５２を介して第４の拡散室４１に接続されている。

本発明の場合、特に限定されることはないが、ガス逆流れを生じさせない、即ち圧力勾配を保持する観点からは、第５連通口５２のそれぞれの面積の和が、上述した第４連通口４２の面積の和より大きくならない（小さくなる）ように設定することが好ましい。

シールド部材５０は、例えばステンレス等の導電性の材料からなり、接地されている。そして、このシールド部材５０は、絶縁部５４を介して本体部１０Ａに取り付けられており、本体部１０Ａは電気的にフローティング状態になっている。
シールド部材５０の基板５に対向する部分には、基板搬送方向であるＸ方向と直交する方向（Ｙ方向）に延びるスリット５３が設けられている。このスリット５３は、基板５の幅と同等の長さに形成されている。

このような構成を有する本実施の形態において基板５表面の前処理を行う場合には、真空槽４ａ内を所定の圧力にした状態で、処理ガス供給源８から供給管７を介して反応ガスと放電補助ガスを、リニアラジカル放出器１０の処理ガス導入室１０Ｂ内に導入する。

そして、高周波電源６からリニアラジカル放出器１０に対して所定の電力を印加することにより、リニアラジカル放出器１０のプラズマ形成室５１内において、処理ガスを放電させて当該処理ガスをプラズマ化する。

この場合、処理ガス導入室１０Ｂの処理ガスは、上述した第１〜第４の拡散室１１〜４１の第１〜第４連通口１２〜４２を通過して拡散された後、第５の連通口５２を介してプラズマ形成室５１内に導入され、このプラズマ形成室５１内において、処理ガスの放電が行われる。

その後、時間の経過に伴い十分に混合された処理ガスのプラズマのうち特に中性の活性種（酸素ラジカル）が、プラズマ形成室５１のスリット５３から基板５に向って放出される。ここで、基板５をＸ方向に移動させることにより、酸素ラジカルの粒子が基板５表面の各領域の有機物と反応し、これにより基板５全表面のクリーニングが行われる。

以上述べたように本実施の形態においては、リニアラジカル放出器１０が、処理ガスの導入側から放出側に向って段階的に区分けされた第１〜第４の拡散室１１〜４１をそれぞれ有するとともに、第１〜第４の拡散室１１〜４１は、互いに隣接する拡散室が処理ガスが通過可能な第１〜第４連通口１２〜４２を介して接続され、さらに最終段の第４の拡散室４１が、処理ガスが第５の連通口５２を介してそれぞれプラズマ形成室５１に接続されていることから、処理ガスを確実に拡散させた後に、プラズマ形成室５１において処理ガスのプラズマを形成して基板５の幅と同等の長さのスリット５３から酸素ラジカルを基板５に向って放出することができ、これにより大型の基板５に対して成膜の前処理を行う場合に当該基板５上の各領域において均一な表面処理を行うことができる。

その結果、本実施の形態によれば、基板５上の透明導電膜表面の仕事関数を従来と比べて高く且つ均一にすることができるので、後の成膜工程によって有機ＥＬ素子による白色等のランプを作成した場合に、局部電流の流れすぎに起因する短絡や発光のばらつきを抑えることができる。また、有機ＥＬ素子によってディスプレイを作成した場合において素子間の電流のばらつきに起因する発光のばらつきや素子寿命の短期化を抑えることができる。

図３は、本発明のプラズマ処理装置の他の実施の形態の要部を示す図であり、以下、上記実施の形態と対応する部分には、同一の符号を付しその詳細な説明を省略する。
図３に示すように、本例のプラズマ処理装置３０Ａは、リニアラジカル放出器１０を移動させるようにしたものである。

本実施の形態においては、図示しない駆動手段によってリニアラジカル放出器１０を基板５に対してＸ方向に水平移動するように構成され、これにより基板の全表面に対して酸素ラジカルによるクリーニング処理を行うようになっている。

また、本実施の形態では、リニアラジカル放出器１０が移動することから、供給管７の周囲の空間を伸縮自在のベローズで覆うことによって、供給管７の周囲の空間の圧力が所定の値に保持されるように構成されている。

このような構成を有する本実施の形態によれば、リニアラジカル放出器１０を移動の時ベローズだけが形成するため、発塵が少なく、確実に均速移動ができるという効果がある。
その他の構成及び作用効果については上述の実施の形態と同一であるのでその詳細な説明を省略する。

図４は、本発明の他の実施の形態のプラズマ処理装置の内部構成を示す断面図であり、以下、上記実施の形態と対応する部分には、同一の符号を付しその詳細な説明を省略する。
図４に示すように、本実施の形態の蒸着装置３０Ｂは、所謂デポダウン方式のリニアラジカル放出器１０を有するものである。

すなわち、本実施の形態のリニアラジカル放出器１０は、上述したスリット５３が下方向に向けて設けられている。そして、リニアラジカル放出器１０の下方を基板５がＸ方向に水平移動するように構成されている。

このような構成を有する本実施の形態によれば、リニアラジカル放出器１０が固定され、基板５を移動させることができるため、インライン方式の装置においても本発明を適用することができるという効果がある。
その他の構成及び作用効果については上述の実施の形態と同一であるのでその詳細な説明を省略する。

図５は、本発明に用いるリニアラジカル放出器の他の例を示す概略構成図であり、以下、上記実施の形態と対応する部分には、同一の符号を付しその詳細な説明を省略する。
図５に示すように、本例のリニアラジカル放出器１５は、本体部１０Ａの第１〜第４の拡散室１１〜４１において、隔壁部を設けないものであり、その他の構成は上述したリニアラジカル放出器１０と同一の構成を有している。

本例のリニアラジカル放出器１５によれば、より構成が簡素でコストを抑えることができる。
ただし、処理ガスのプラズマをより均一に拡散及び混合を行う観点からは、上述したリニアラジカル放出器１０のように、本体部１０Ａの第１〜第４の拡散室１１〜４１に隔壁部を設けることが好ましい。その他の構成及び作用効果については上述の実施の形態と同一であるのでその詳細な説明を省略する。

なお、本発明は上述の実施の形態に限られることなく、種々の変更を行うことができる。
例えば、上記実施の形態においては、ラジカル放出器の拡散室を四段設ける場合を例にとって説明したが、本発明はこれに限られず、複数であれば、拡散室の段数は任意に設定することができる。

また、拡散室及びプラズマ形成室に設ける連通口の数は上記実施の形態のものには限られず、適宜変更することができる。
ただし、処理ガスのプラズマを確実に拡散する観点からは、プラズマ形成室の底部に８個以上の連通口を設けることが好ましい。

さらに、上記実施の形態ではリニアラジカル放出器の本体部に隔壁部を設けることによって複数の領域を設けるようにしたが、本発明はこれに限られず、ボックス状の部材を用いて各領域を個別に設けることも可能である。
さらにまた、上記実施の形態では、所謂マルチチャンバー方式の装置を例にとって説明したが、本発明はこれに限られず、所謂インライン方式の装置に適用することもできる。

１…有機ＥＬ製造装置
４ａ…真空槽
４Ｂ…基板前処理室
１０…リニアラジカル放出器（ラジカル放出器）
１０Ａ…本体部
１０Ｂ…処理ガス導入室
１１…第１の拡散室
１２…第１連通口
２１…第２の拡散室
２１ａ…隔壁部
２２…第２連通口
３０…前処理装置（プラズマ処理装置）
３１…第３の拡散室
３１ａ…隔壁部
３２…第３連通口
４１…第４の拡散室
４１ａ…隔壁部
４２…第４連通口
５０…シールド部材
５１…プラズマ形成室
５２…第５連通口
５３…スリット

Claims (6)

1. 処理対象物が配置される真空槽と、
   前記真空槽の外部に設けられた処理ガス供給源と、
   前記処理対象物に対して相対移動可能に設けられ、前記処理ガス供給源から供給された処理ガスを放電させ、当該処理ガスのラジカルを前記処理対象物に向って放出するためのラジカル放出器とを備え、
   前記ラジカル放出器は、前記処理ガス供給源から前記処理ガスがそれぞれ供給され且つ互いの雰囲気が隔離された処理ガス拡散部と、当該処理ガス拡散部において拡散された処理ガスのプラズマを形成するプラズマ形成室とを有し、
   前記処理ガス拡散部は、前記処理ガスの導入側から放出側に向って段階的に区分けされた複数の拡散室を有するとともに、当該複数の拡散室は、互いに隣接する拡散室が前記処理ガスが通過可能な連通口を介して接続され、さらに、当該複数の拡散室のうち最終段の拡散室が、前記処理ガスが通過可能な連通口を介してそれぞれ前記プラズマ形成室に接続され、
   前記プラズマ形成室には、前記処理対象物の相対移動方向に対して交差する方向に延びるスリット状のラジカル放出口が設けられているプラズマ処理装置。
2. 前記ラジカル放出器における処理ガス拡散部の複数の拡散室には、互いの雰囲気を隔離するための隔壁部が設けられている請求項１記載のプラズマ処理装置。
3. 前記ラジカル放出器における処理ガス拡散部の連通口は、前記処理ガスの導入側から放出側に向って数が増加するように構成されている請求項１又は２のいずれか１項記載のプラズマ処理装置。
4. 前記ラジカル放出器における処理ガス拡散部の複数の連通口は、前記処理ガスの導入側から放出側に向って２^n-1個（ｎは自然数）で増加するように構成されている請求項１乃至３のいずれか１項記載のプラズマ処理装置。
5. 前記ラジカル放出器における処理ガス拡散部の複数の連通口は、前記処理ガスの導入側から放出側に向ってそれぞれの連通口の面積の和が小さくなるように構成されている請求項１乃至４のいずれか１項記載のプラズマ処理装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載のプラズマ処理装置を用い、真空中で基板表面に対して処理を行う方法であって、
   当該基板上に真空蒸着によって有機材料を蒸着する前に、前記プラズマ処理装置のラジカル放出器から前記処理ガスのラジカルを放出して当該基板表面のクリーニング処理を行う工程を有する前処理方法。

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