JP2003027242A - プラズマｃｖｄ装置及びそれを用いた成膜方法 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置及びそれを用いた成膜方法Info
- Publication number
- JP2003027242A JP2003027242A JP2001218351A JP2001218351A JP2003027242A JP 2003027242 A JP2003027242 A JP 2003027242A JP 2001218351 A JP2001218351 A JP 2001218351A JP 2001218351 A JP2001218351 A JP 2001218351A JP 2003027242 A JP2003027242 A JP 2003027242A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- reaction chamber
- back side
- front side
- side reaction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 成膜後の試料に反りやクラックが生じること
を防止できるプラズマＣＶＤ装置を提供する。 【解決手段】 反応室２内に配置された板状の試料１２
に成膜するためのプラズマＣＶＤ装置において、上記反
応室２のほぼ中央で上記試料１２をその表裏両面１２
ａ，１２ｂを露出させた状態で保持して試料１２の表面
側反応室２ａと裏面側反応室２ｂとを形成し、その表面
側反応室２ａに上記試料１２の表面１２ａと対向する表
面側高周波電極１４ａを設けると共に、裏面側反応室２
ｂに試料１２の裏面１２ｂと対向する表面側可動電極２
０ｂを設け、上記裏面側反応室２ｂに、上記試料１２の
裏面１２ｂと対向する裏面側高周波電極１４ｂを設ける
と共に、表面側反応室２ａに試料１２の表面１２ａと対
向する裏面側可動電極２０ａを設けたものである。
を防止できるプラズマＣＶＤ装置を提供する。 【解決手段】 反応室２内に配置された板状の試料１２
に成膜するためのプラズマＣＶＤ装置において、上記反
応室２のほぼ中央で上記試料１２をその表裏両面１２
ａ，１２ｂを露出させた状態で保持して試料１２の表面
側反応室２ａと裏面側反応室２ｂとを形成し、その表面
側反応室２ａに上記試料１２の表面１２ａと対向する表
面側高周波電極１４ａを設けると共に、裏面側反応室２
ｂに試料１２の裏面１２ｂと対向する表面側可動電極２
０ｂを設け、上記裏面側反応室２ｂに、上記試料１２の
裏面１２ｂと対向する裏面側高周波電極１４ｂを設ける
と共に、表面側反応室２ａに試料１２の表面１２ａと対
向する裏面側可動電極２０ａを設けたものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、反応ガスのプラズ
マ放電分解によって試料上に成膜するプラズマＣＶＤ装
置及びそれを用いた成膜方法に関するものである。
マ放電分解によって試料上に成膜するプラズマＣＶＤ装
置及びそれを用いた成膜方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】比較的低温でのＣＶＤ反応が成立するプ
ラズマＣＶＤ装置として、平行平板型プラズマＣＶＤ装
置が知られている。
ラズマＣＶＤ装置として、平行平板型プラズマＣＶＤ装
置が知られている。
【０００３】このプラズマＣＶＤ装置は、反応室内に平
行電極板を対向させ、一方の平行電極板を試料搭載台と
してその上に成膜すべき試料を載置し、この試料搭載台
としての平行電極板と他方の平行電極板との間に高周波
電源を印加することで、低圧反応ガスのプラズマを発生
させて試料上に膜を成膜するものである。
行電極板を対向させ、一方の平行電極板を試料搭載台と
してその上に成膜すべき試料を載置し、この試料搭載台
としての平行電極板と他方の平行電極板との間に高周波
電源を印加することで、低圧反応ガスのプラズマを発生
させて試料上に膜を成膜するものである。
【０００４】図３を用いて、この平行平板型プラズマＣ
ＶＤ装置の概略を説明する。
ＶＤ装置の概略を説明する。
【０００５】反応室３０は電気的に接地されており、そ
の下部に、図示しない真空ポンプに接続され、反応室３
０内を所定の真空度に維持するための真空排気口３１が
形成されている。また、反応室３０の上部には、図示し
ない反応ガスボンベ等に接続され、反応室３０内に反応
ガスを導入するための反応ガス導入口３２が形成されて
いる。
の下部に、図示しない真空ポンプに接続され、反応室３
０内を所定の真空度に維持するための真空排気口３１が
形成されている。また、反応室３０の上部には、図示し
ない反応ガスボンベ等に接続され、反応室３０内に反応
ガスを導入するための反応ガス導入口３２が形成されて
いる。
【０００６】反応室３０の下部には絶縁台３３が設けら
れており、その絶縁台３３上に試料搭載台としての電極
板３５が設けられている。試料３６は電極板３５上に載
置される。また、絶縁台３３内部にはヒーターユニット
３７が設けられており、電極板３５上に載置された試料
３６を加熱できるようになっている。
れており、その絶縁台３３上に試料搭載台としての電極
板３５が設けられている。試料３６は電極板３５上に載
置される。また、絶縁台３３内部にはヒーターユニット
３７が設けられており、電極板３５上に載置された試料
３６を加熱できるようになっている。
【０００７】反応室３０の上部には、上述した反応ガス
導入口３２を囲むように環状の絶縁台３９が固定されて
おり、その絶縁台３９の下部に、高周波電源４０に接続
された電極板４１が設けられている。この電極板４１に
は、反応ガス導入口３２から供給された反応ガスを反応
室３０内に流すための孔４２が多数形成されている。ま
た、絶縁台３９の内部にはヒーターユニット４３が設け
られている。
導入口３２を囲むように環状の絶縁台３９が固定されて
おり、その絶縁台３９の下部に、高周波電源４０に接続
された電極板４１が設けられている。この電極板４１に
は、反応ガス導入口３２から供給された反応ガスを反応
室３０内に流すための孔４２が多数形成されている。ま
た、絶縁台３９の内部にはヒーターユニット４３が設け
られている。
【０００８】ここで、このようなプラズマＣＶＤ装置に
おける試料３６のセット方法は、バッチ式と枚葉式とに
大別される。バッチ式とは、試料３６のセット毎に反応
室３０を大気開放する方法である。一方、枚葉式とは、
反応室３０にロードロック機構を設けたものであり、反
応室３０を高真空状態に維持したまま試料３６を搬送す
る方法である。枚葉式では多数枚の試料３６を連続して
処理できるため作業効率が良い。
おける試料３６のセット方法は、バッチ式と枚葉式とに
大別される。バッチ式とは、試料３６のセット毎に反応
室３０を大気開放する方法である。一方、枚葉式とは、
反応室３０にロードロック機構を設けたものであり、反
応室３０を高真空状態に維持したまま試料３６を搬送す
る方法である。枚葉式では多数枚の試料３６を連続して
処理できるため作業効率が良い。
【０００９】さて、図３に示したプラズマＣＶＤ装置を
用いて、試料３６上に一例としてＳｉＯ2 を成膜させる
場合について説明する。
用いて、試料３６上に一例としてＳｉＯ2 を成膜させる
場合について説明する。
【００１０】まず、試料搭載台としての電極板３５上に
試料３６を載置し、ヒーターユニット３７にて試料３６
を所定の温度に加熱する。反応室３０内に、反応ガス導
入口３２および孔４２を介してＴＥＯＳガス（Ｓｉ（Ｏ
Ｃ2Ｈ5）4）、酸素ガス（Ｏ2 ）からなる混合ガス（反
応ガス）を流した状態で、真空排気口３１から真空排気
して反応室３０内を所定の真空度に維持する。その状態
で、電極板４１に高周波電流を印加して電極板４１と試
料搭載台としての電極板３５との間でプラズマ放電をさ
せることでＴＥＯＳガスおよび酸素ガスを分解する。こ
の分解により、ほとんどのガスが真空排気口３１を介し
て反応室３０外へ出ていく一方で、試料３６上にＳｉＯ
2が成膜される。
試料３６を載置し、ヒーターユニット３７にて試料３６
を所定の温度に加熱する。反応室３０内に、反応ガス導
入口３２および孔４２を介してＴＥＯＳガス（Ｓｉ（Ｏ
Ｃ2Ｈ5）4）、酸素ガス（Ｏ2 ）からなる混合ガス（反
応ガス）を流した状態で、真空排気口３１から真空排気
して反応室３０内を所定の真空度に維持する。その状態
で、電極板４１に高周波電流を印加して電極板４１と試
料搭載台としての電極板３５との間でプラズマ放電をさ
せることでＴＥＯＳガスおよび酸素ガスを分解する。こ
の分解により、ほとんどのガスが真空排気口３１を介し
て反応室３０外へ出ていく一方で、試料３６上にＳｉＯ
2が成膜される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなプラズマＣＶＤ装置によって試料の表面に比較的厚
膜（一般に数ミクロン以上）で成膜した場合、試料と膜
とでは密度および線膨張係数が異なるため、成膜した試
料を室温に下げると応力が発生して反りやクラックが発
生する問題があった。
うなプラズマＣＶＤ装置によって試料の表面に比較的厚
膜（一般に数ミクロン以上）で成膜した場合、試料と膜
とでは密度および線膨張係数が異なるため、成膜した試
料を室温に下げると応力が発生して反りやクラックが発
生する問題があった。
【００１２】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、成膜後の試料に反りやクラックが生じることを防止
できるプラズマＣＶＤ装置を提供することにある。
し、成膜後の試料に反りやクラックが生じることを防止
できるプラズマＣＶＤ装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、反応室内に配置された板状の試料に成膜す
るためのプラズマＣＶＤ装置において、上記反応室の略
中央で上記試料をその表裏両面を露出させた状態で保持
して試料の表面側反応室と裏面側反応室とを形成し、そ
の表面側反応室に上記試料の表面と対向する表面側高周
波電極を設けると共に、裏面側反応室に試料の裏面と対
向する表面側可動電極を設け、上記裏面側反応室に、上
記試料の裏面と対向する裏面側高周波電極を設けると共
に、表面側反応室に試料の表面と対向する裏面側可動電
極を設けたものである。
に本発明は、反応室内に配置された板状の試料に成膜す
るためのプラズマＣＶＤ装置において、上記反応室の略
中央で上記試料をその表裏両面を露出させた状態で保持
して試料の表面側反応室と裏面側反応室とを形成し、そ
の表面側反応室に上記試料の表面と対向する表面側高周
波電極を設けると共に、裏面側反応室に試料の裏面と対
向する表面側可動電極を設け、上記裏面側反応室に、上
記試料の裏面と対向する裏面側高周波電極を設けると共
に、表面側反応室に試料の表面と対向する裏面側可動電
極を設けたものである。
【００１４】この構成によれば、試料の表裏両面に同質
の膜を成膜できるため、成膜後に試料が室温になっても
試料に対しては応力が均等に保たれ、反りやクラックの
発生を防止できる。
の膜を成膜できるため、成膜後に試料が室温になっても
試料に対しては応力が均等に保たれ、反りやクラックの
発生を防止できる。
【００１５】また、上記試料は、上記表面側反応室と裏
面側反応室とを仕切る絶縁部材のほぼ中央部に保持手段
を介して保持され、上記表面側可動電極および裏面側可
動電極が、上記絶縁部材にスライド自在に設けられるよ
うにしても良い。
面側反応室とを仕切る絶縁部材のほぼ中央部に保持手段
を介して保持され、上記表面側可動電極および裏面側可
動電極が、上記絶縁部材にスライド自在に設けられるよ
うにしても良い。
【００１６】また、上記表面側反応室および裏面側反応
室に、成膜用の反応ガスを導入するための反応ガス導入
口と、上記表面側反応室および裏面側反応室を真空排気
して所定の真空度に維持するための真空排気口を形成す
るようにしても良い。
室に、成膜用の反応ガスを導入するための反応ガス導入
口と、上記表面側反応室および裏面側反応室を真空排気
して所定の真空度に維持するための真空排気口を形成す
るようにしても良い。
【００１７】また、上記反応ガス導入口は、上記表面側
および裏面側高周波電極が位置する上記表面側及び裏面
側反応室に形成され、上記表面側および裏面側高周波電
極には、反応ガス導入口から供給された反応ガスを表面
側反応室および裏面側反応室に流すための多数の孔が形
成されるようにしても良い。
および裏面側高周波電極が位置する上記表面側及び裏面
側反応室に形成され、上記表面側および裏面側高周波電
極には、反応ガス導入口から供給された反応ガスを表面
側反応室および裏面側反応室に流すための多数の孔が形
成されるようにしても良い。
【００１８】更に本発明は、反応室の略中央で試料をそ
の表裏両面を露出させた状態で保持して試料の表面側反
応室と裏面側反応室を形成し、その表面側反応室に、上
記試料の表面と対向するように表面側高周波電極を設け
ると共に、裏面側反応室に上記試料の裏面と対向できる
ように表面側可動電極を設け、上記裏面側反応室に上記
試料の裏面と対向するように裏面側高周波電極を設ける
と共に、表面側反応室に上記試料の表面と対向できるよ
うに裏面側可動電極を設けてプラズマＣＶＤ装置を構成
し、上記試料の表面を成膜する際、上記表面側可動電極
を試料の裏面側に位置させると共に上記裏面側可動電極
を試料の表面側から移動させて成膜し、上記試料の裏面
を成膜する際、上記裏面側可動電極を試料の表面側に位
置させると共に表面側可動電極を試料の裏面側から移動
させて成膜するようにしたものである。
の表裏両面を露出させた状態で保持して試料の表面側反
応室と裏面側反応室を形成し、その表面側反応室に、上
記試料の表面と対向するように表面側高周波電極を設け
ると共に、裏面側反応室に上記試料の裏面と対向できる
ように表面側可動電極を設け、上記裏面側反応室に上記
試料の裏面と対向するように裏面側高周波電極を設ける
と共に、表面側反応室に上記試料の表面と対向できるよ
うに裏面側可動電極を設けてプラズマＣＶＤ装置を構成
し、上記試料の表面を成膜する際、上記表面側可動電極
を試料の裏面側に位置させると共に上記裏面側可動電極
を試料の表面側から移動させて成膜し、上記試料の裏面
を成膜する際、上記裏面側可動電極を試料の表面側に位
置させると共に表面側可動電極を試料の裏面側から移動
させて成膜するようにしたものである。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な一実施形態
を添付図面に基づいて詳述する。
を添付図面に基づいて詳述する。
【００２０】図１は本実施形態に係るプラズマＣＶＤ装
置の概略断面図である。
置の概略断面図である。
【００２１】反応室２は電気的に接地されている。板状
の試料１２は反応室２のほぼ中央でその表面１２ａおよ
び裏面１２ｂを露出させた状態で横向きで保持される。
なお、本実施形態では、図１において試料の上側を表面
側、下側を裏面側とする。反応室２は試料１２の上下方
向に表面側反応室２ａと裏面側反応室２ｂとに大別され
る。試料１２は、表面側反応室２ａと裏面側反応室２ｂ
とを仕切る絶縁部材８のほぼ中央部に保持手段１５を介
して保持される。保持手段１５は絶縁部材８から内側に
進退可能に設けられており、試料１２の外辺部に押し付
けることによって試料１２を保持できるようになってい
る。絶縁部材８の内部にはヒーターユニット１０が設け
られており、保持手段１５で保持された試料１２を加熱
できるようになっている。
の試料１２は反応室２のほぼ中央でその表面１２ａおよ
び裏面１２ｂを露出させた状態で横向きで保持される。
なお、本実施形態では、図１において試料の上側を表面
側、下側を裏面側とする。反応室２は試料１２の上下方
向に表面側反応室２ａと裏面側反応室２ｂとに大別され
る。試料１２は、表面側反応室２ａと裏面側反応室２ｂ
とを仕切る絶縁部材８のほぼ中央部に保持手段１５を介
して保持される。保持手段１５は絶縁部材８から内側に
進退可能に設けられており、試料１２の外辺部に押し付
けることによって試料１２を保持できるようになってい
る。絶縁部材８の内部にはヒーターユニット１０が設け
られており、保持手段１５で保持された試料１２を加熱
できるようになっている。
【００２２】絶縁部材８の上面および下面には、裏面側
可動電極２０ａおよび表面側可動電極２０ｂが設けられ
ている。これら裏面側および表面側可動電極２０ａ，２
０ｂはそれぞれ、絶縁部材８に沿って試料１２と平行な
方向（左右方向）にスライド自在に設けられており、図
中実線で示す、試料１２の表面１２ａあるいは裏面１２
ｂからずれた位置と、図中点線で示す、試料１２の表面
１２ａあるいは裏面１２ｂに対向する位置との間を移動
できるようになっている。また、裏面側可動電極２０ａ
および表面側可動電極２０ｂはそれぞれ、試料１２の表
面１２ａあるいは裏面１２ｂに対向する位置に移動した
ときに電気的に接地された状態となる。
可動電極２０ａおよび表面側可動電極２０ｂが設けられ
ている。これら裏面側および表面側可動電極２０ａ，２
０ｂはそれぞれ、絶縁部材８に沿って試料１２と平行な
方向（左右方向）にスライド自在に設けられており、図
中実線で示す、試料１２の表面１２ａあるいは裏面１２
ｂからずれた位置と、図中点線で示す、試料１２の表面
１２ａあるいは裏面１２ｂに対向する位置との間を移動
できるようになっている。また、裏面側可動電極２０ａ
および表面側可動電極２０ｂはそれぞれ、試料１２の表
面１２ａあるいは裏面１２ｂに対向する位置に移動した
ときに電気的に接地された状態となる。
【００２３】表面側および裏面側反応室２ａ，２ｂの側
部にはそれぞれ、図示しない真空ポンプに接続され、反
応室２内を所定の真空度に維持するための真空排気口４
が形成されている。
部にはそれぞれ、図示しない真空ポンプに接続され、反
応室２内を所定の真空度に維持するための真空排気口４
が形成されている。
【００２４】また、表面側反応室２ａの上部、および裏
面側反応室２ｂの下部にはそれぞれ、図示しない反応ガ
スボンベ等に接続され、表面側および裏面側反応室２
ａ，２ｂ内に反応ガスを導入するための反応ガス導入口
６ａ，６ｂが形成されている。
面側反応室２ｂの下部にはそれぞれ、図示しない反応ガ
スボンベ等に接続され、表面側および裏面側反応室２
ａ，２ｂ内に反応ガスを導入するための反応ガス導入口
６ａ，６ｂが形成されている。
【００２５】また、表面側反応室２ａおよび裏面側反応
室２ｂにはそれぞれ、反応ガス導入口６ａ，６ｂを囲む
ように、環状の絶縁台１３，１３がそれぞれ固定されて
おり、それら絶縁台１３，１３には高周波電源１８に接
続された表面側高周波電極１４ａおよび裏面側高周波電
極１４ｂがそれぞれ設けられている。表面側高周波電極
１４ａおよび裏面側高周波電極１４ｂには、反応ガス導
入口６ａ，６ｂから供給された反応ガスを表面側反応室
２ａあるいは裏面側反応室２ｂ内に流すための多数の孔
１６ａ，１６ｂがそれぞれ形成されている。また、絶縁
台１３の内部にはヒーターユニット２１が設けられてい
る。
室２ｂにはそれぞれ、反応ガス導入口６ａ，６ｂを囲む
ように、環状の絶縁台１３，１３がそれぞれ固定されて
おり、それら絶縁台１３，１３には高周波電源１８に接
続された表面側高周波電極１４ａおよび裏面側高周波電
極１４ｂがそれぞれ設けられている。表面側高周波電極
１４ａおよび裏面側高周波電極１４ｂには、反応ガス導
入口６ａ，６ｂから供給された反応ガスを表面側反応室
２ａあるいは裏面側反応室２ｂ内に流すための多数の孔
１６ａ，１６ｂがそれぞれ形成されている。また、絶縁
台１３の内部にはヒーターユニット２１が設けられてい
る。
【００２６】さて、このプラズマＣＶＤ装置による成膜
方法を説明する。
方法を説明する。
【００２７】まず、試料１２を保持手段１５によりその
表裏面１２ａ，１２ｂが露出した状態で反応室２内に保
持する。
表裏面１２ａ，１２ｂが露出した状態で反応室２内に保
持する。
【００２８】そして、試料１２の表面１２ａに成膜を行
う場合、表面側可動電極２０ｂを移動させて、図に点線
で示すように試料１２の裏面１２ｂと対向するように位
置させて電気的に接地した状態とする。また、裏面側可
動電極２０ａを、図に実線で示すように試料１２からず
れた位置に移動させる。ヒーターユニット１０、２１に
て試料１２を所定の温度に加熱する。
う場合、表面側可動電極２０ｂを移動させて、図に点線
で示すように試料１２の裏面１２ｂと対向するように位
置させて電気的に接地した状態とする。また、裏面側可
動電極２０ａを、図に実線で示すように試料１２からず
れた位置に移動させる。ヒーターユニット１０、２１に
て試料１２を所定の温度に加熱する。
【００２９】次に、ＴＥＯＳガス（Ｓｉ（ＯＣ
2Ｈ5）4）、酸素ガス（Ｏ2）からなる混合ガス等の反応
ガスを、表面側反応室２ａに形成された反応ガス導入口
６ａおよび表面側高周波電極１４ａに形成された孔１６
ａを介して表面側反応室２ａ内に流した状態で、真空排
気口４から真空排気して反応室２内を所定の真空度に維
持する。
2Ｈ5）4）、酸素ガス（Ｏ2）からなる混合ガス等の反応
ガスを、表面側反応室２ａに形成された反応ガス導入口
６ａおよび表面側高周波電極１４ａに形成された孔１６
ａを介して表面側反応室２ａ内に流した状態で、真空排
気口４から真空排気して反応室２内を所定の真空度に維
持する。
【００３０】その状態で、表面側高周波電極１４ａに高
周波電流を印加して表面側高周波電極１４ａと表面側可
動電極２０ｂとの間でプラズマ放電をさせることで反応
ガスを分解して試料１２の表面１２ａ上に成膜する。
周波電流を印加して表面側高周波電極１４ａと表面側可
動電極２０ｂとの間でプラズマ放電をさせることで反応
ガスを分解して試料１２の表面１２ａ上に成膜する。
【００３１】このとき、裏面側反応室２ｂ内に反応ガス
を導入すると共に裏面側高周波電極１４ｂにも高周波電
流を印加することによって、試料１２の裏面１２ｂのプ
リ成膜を行ったり、裏側反応炉２ｂ内のクリーニングを
行うことができる。
を導入すると共に裏面側高周波電極１４ｂにも高周波電
流を印加することによって、試料１２の裏面１２ｂのプ
リ成膜を行ったり、裏側反応炉２ｂ内のクリーニングを
行うことができる。
【００３２】次に、試料１２の裏面１２ｂに成膜する場
合、裏面側可動電極２０ａを移動させて、図に点線で示
すように試料１２の表面１２ａと対向するように位置さ
せて電気的に接地した状態とすると共に、表面側可動電
極２０ｂを、図に実線で示すように試料１２からずれた
位置に移動させる。そして、上記と同様に、反応ガス
を、裏面側反応室２ｂに形成された反応ガス導入口６ｂ
および裏面側高周波電極１４ｂに形成された孔１６ｂを
介して表面側反応室２ｂ内に流した状態で、真空排気口
４から真空排気して反応室２内を所定の真空度に維持す
る。
合、裏面側可動電極２０ａを移動させて、図に点線で示
すように試料１２の表面１２ａと対向するように位置さ
せて電気的に接地した状態とすると共に、表面側可動電
極２０ｂを、図に実線で示すように試料１２からずれた
位置に移動させる。そして、上記と同様に、反応ガス
を、裏面側反応室２ｂに形成された反応ガス導入口６ｂ
および裏面側高周波電極１４ｂに形成された孔１６ｂを
介して表面側反応室２ｂ内に流した状態で、真空排気口
４から真空排気して反応室２内を所定の真空度に維持す
る。
【００３３】その状態で、裏面側高周波電極１４ｂに高
周波電流を印加して裏面側高周波電極１４ｂと裏面側可
動電極２０ａとの間でプラズマ放電をさせることで反応
ガスを分解して試料１２の裏面１２ｂに成膜を行う。
周波電流を印加して裏面側高周波電極１４ｂと裏面側可
動電極２０ａとの間でプラズマ放電をさせることで反応
ガスを分解して試料１２の裏面１２ｂに成膜を行う。
【００３４】また、この場合においても試料１２の表面
１２ａ側のプリ成膜を行ったり、表面側反応炉２ａ内の
クリーニングを行うことができる。
１２ａ側のプリ成膜を行ったり、表面側反応炉２ａ内の
クリーニングを行うことができる。
【００３５】このように、本実施形態のプラズマＣＶＤ
装置によれば、試料の表裏両面に連続して成膜できる。
従って、試料の表裏面に、同質の膜、即ち、密度および
線膨張係数が同じ膜を成膜できる。従って、成膜後に試
料を室温に下げても試料に対しては応力が均等に保た
れ、反りやクラックの発生を防止できる。
装置によれば、試料の表裏両面に連続して成膜できる。
従って、試料の表裏面に、同質の膜、即ち、密度および
線膨張係数が同じ膜を成膜できる。従って、成膜後に試
料を室温に下げても試料に対しては応力が均等に保た
れ、反りやクラックの発生を防止できる。
【００３６】また、膜質は原料ガスの流量、高周波電
力、真空度などによって決められるが、これらの条件が
同一であっても、反応室の側壁などの堆積物の影響によ
って反応効率が変わるため、常に同一の膜質を得ること
は困難である。しかしながら、本実施形態のプラズマＣ
ＶＤ装置では、試料の表面と裏面に連続して成膜できる
ため、試料の表面側の膜質と裏面側の膜質を容易に同一
にできる。従って、試料を室温に下げたときの反りやク
ラックを確実に防止できる。
力、真空度などによって決められるが、これらの条件が
同一であっても、反応室の側壁などの堆積物の影響によ
って反応効率が変わるため、常に同一の膜質を得ること
は困難である。しかしながら、本実施形態のプラズマＣ
ＶＤ装置では、試料の表面と裏面に連続して成膜できる
ため、試料の表面側の膜質と裏面側の膜質を容易に同一
にできる。従って、試料を室温に下げたときの反りやク
ラックを確実に防止できる。
【００３７】また、試料の片面側への成膜と、反対側の
反応室のクリーニング等を同時に行うことができるため
装置の稼働率を向上できる。従って、生産効率が向上
し、コスト低減につながる。
反応室のクリーニング等を同時に行うことができるため
装置の稼働率を向上できる。従って、生産効率が向上
し、コスト低減につながる。
【００３８】図２は本発明の他の実施形態を示したもの
である。
である。
【００３９】この形態は、試料を反応室のほぼ中央部で
縦向きに保持し、反応室の左右方向に表面側反応室と裏
面側反応室を形成するようにしたものである。
縦向きに保持し、反応室の左右方向に表面側反応室と裏
面側反応室を形成するようにしたものである。
【００４０】なお、基本的な構造は図１に示した形態の
プラズマＣＶＤ装置と同一であるので、同一の要素には
同一の符号を伏す。
プラズマＣＶＤ装置と同一であるので、同一の要素には
同一の符号を伏す。
【００４１】板状の試料１２は、反応室２のほぼ中央で
縦向きで保持され、反応室２はその左右方向に表面側反
応室２ａと裏面側反応室２ｂとに大別される。なお、図
２において試料１２の左側を表面側、右側を裏面側とす
る。試料１２は、表面側反応室２ａと裏面側反応室２ｂ
とを仕切る絶縁部材８のほぼ中央部に保持手段１５を介
して保持される。
縦向きで保持され、反応室２はその左右方向に表面側反
応室２ａと裏面側反応室２ｂとに大別される。なお、図
２において試料１２の左側を表面側、右側を裏面側とす
る。試料１２は、表面側反応室２ａと裏面側反応室２ｂ
とを仕切る絶縁部材８のほぼ中央部に保持手段１５を介
して保持される。
【００４２】絶縁部材８の左面および右面には、裏面側
可動電極２０ａおよび表面側可動電極２０ｂが設けられ
ている。これら裏面側および表面側可動電極２０ａ，２
０ｂはそれぞれ、絶縁部材８に沿って試料１２と平行な
方向（上下方向）にスライド自在に設けられており、図
中実線で示す、試料１２の表面１２ａあるいは裏面１２
ｂからずれた位置と、図中点線で示す、試料１２の表面
１２ａあるいは裏面１２ｂに対向する位置との間を移動
できるようになっている。また、裏面側可動電極２０ａ
および表面側可動電極２０ｂはそれぞれ、試料１２の表
面１２ａあるいは裏面１２ｂに対向する位置に移動した
ときに電気的に接地された状態となる。
可動電極２０ａおよび表面側可動電極２０ｂが設けられ
ている。これら裏面側および表面側可動電極２０ａ，２
０ｂはそれぞれ、絶縁部材８に沿って試料１２と平行な
方向（上下方向）にスライド自在に設けられており、図
中実線で示す、試料１２の表面１２ａあるいは裏面１２
ｂからずれた位置と、図中点線で示す、試料１２の表面
１２ａあるいは裏面１２ｂに対向する位置との間を移動
できるようになっている。また、裏面側可動電極２０ａ
および表面側可動電極２０ｂはそれぞれ、試料１２の表
面１２ａあるいは裏面１２ｂに対向する位置に移動した
ときに電気的に接地された状態となる。
【００４３】真空排気口４ａ，４ｂおよび反応ガス導入
口６ａ，６ｂは、表面側反応室２ａおよび裏面側反応室
２ｂの側部にそれぞれ設けられている。
口６ａ，６ｂは、表面側反応室２ａおよび裏面側反応室
２ｂの側部にそれぞれ設けられている。
【００４４】また、表面側反応室２ａおよび裏面側反応
室２ｂにはそれぞれ、反応ガス導入口６を囲むように、
環状の絶縁台１３がそれぞれ固定されており、それら絶
縁台１３には高周波電源１８に接続された表面側高周波
電極１４ａおよび裏面側高周波電極１４ｂがそれぞれ設
けられている。表面側高周波電極１４ａおよび裏面側高
周波電極１４ｂには、反応ガス導入口６から供給された
反応ガスを表面側反応室２ａあるいは裏面側反応室２ｂ
内に流すための多数の孔１６ａ，１６ｂがそれぞれ形成
されている。
室２ｂにはそれぞれ、反応ガス導入口６を囲むように、
環状の絶縁台１３がそれぞれ固定されており、それら絶
縁台１３には高周波電源１８に接続された表面側高周波
電極１４ａおよび裏面側高周波電極１４ｂがそれぞれ設
けられている。表面側高周波電極１４ａおよび裏面側高
周波電極１４ｂには、反応ガス導入口６から供給された
反応ガスを表面側反応室２ａあるいは裏面側反応室２ｂ
内に流すための多数の孔１６ａ，１６ｂがそれぞれ形成
されている。
【００４５】この形態においても上記と同様の方法にて
試料１２の表裏両面に同質の膜を成膜することができ
る。
試料１２の表裏両面に同質の膜を成膜することができ
る。
【００４６】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、成膜後の
試料に反りやクラックが生じることを防止できるという
優れた効果を発揮するものである。
試料に反りやクラックが生じることを防止できるという
優れた効果を発揮するものである。
【図１】本発明の一実施形態に係るプラズマＣＶＤ装置
の概略断面図である。
の概略断面図である。
【図２】本発明の他の実施形態に係るプラズマＣＶＤ装
置の概略断面図である。
置の概略断面図である。
【図３】従来のプラズマＣＶＤ装置の概略断面図であ
る。
る。
２ 反応室
２ａ 表面側反応室
２ｂ 裏面側反応室
１２ 試料
１４ａ 表面側高周波電極
１４ｂ 裏面側高周波電極
２０ａ 裏面側可動電極
２０ｂ 表面側可動電極
Claims (5)
- 【請求項１】 反応室内に配置された板状の試料に成膜
するためのプラズマＣＶＤ装置において、 上記反応室の略中央で上記試料をその表裏両面を露出さ
せた状態で保持して試料の表面側反応室と裏面側反応室
とを形成し、 その表面側反応室に上記試料の表面と対向する表面側高
周波電極を設けると共に、裏面側反応室に試料の裏面と
対向する表面側可動電極を設け、 上記裏面側反応室に、上記試料の裏面と対向する裏面側
高周波電極を設けると共に、表面側反応室に試料の表面
と対向する裏面側可動電極を設けたことを特徴とするプ
ラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 上記試料は、上記表面側反応室と裏面側
反応室とを仕切る絶縁部材のほぼ中央部に保持手段を介
して保持され、上記表面側可動電極および裏面側可動電
極が、上記絶縁部材にスライド自在に設けられる請求項
１記載のプラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項３】 上記表面側反応室および裏面側反応室
に、成膜用の反応ガスを導入するための反応ガス導入口
と、上記表面側反応室および裏面側反応室を真空排気し
て所定の真空度に維持するための真空排気口が形成され
た請求項１又は２記載のプラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項４】 上記反応ガス導入口は、上記表面側およ
び裏面側高周波電極が位置する上記表面側及び裏面側反
応室に形成され、上記表面側および裏面側高周波電極に
は、反応ガス導入口から供給された反応ガスを表面側反
応室および裏面側反応室に流すための多数の孔が形成さ
れる請求項３記載のプラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項５】 反応室の略中央で試料をその表裏両面を
露出させた状態で保持して試料の表面側反応室と裏面側
反応室とを形成し、その表面側反応室に、上記試料の表
面と対向するように表面側高周波電極を設けると共に、
裏面側反応室に上記試料の裏面と対向できるように表面
側可動電極を設け、上記裏面側反応室に上記試料の裏面
と対向するように裏面側高周波電極を設けると共に、表
面側反応室に上記試料の表面と対向できるように裏面側
可動電極を設けてプラズマＣＶＤ装置を構成し、上記試
料の表面を成膜する際、上記表面側可動電極を試料の裏
面側に位置させると共に上記裏面側可動電極を試料の表
面側から移動させて成膜し、上記試料の裏面を成膜する
際、上記裏面側可動電極を試料の表面側に位置させると
共に表面側可動電極を試料の裏面側から移動させて成膜
することを特徴とする成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001218351A JP2003027242A (ja) | 2001-07-18 | 2001-07-18 | プラズマｃｖｄ装置及びそれを用いた成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001218351A JP2003027242A (ja) | 2001-07-18 | 2001-07-18 | プラズマｃｖｄ装置及びそれを用いた成膜方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003027242A true JP2003027242A (ja) | 2003-01-29 |
Family
ID=19052539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001218351A Pending JP2003027242A (ja) | 2001-07-18 | 2001-07-18 | プラズマｃｖｄ装置及びそれを用いた成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003027242A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016035428A1 (ja) * | 2014-09-03 | 2016-03-10 | 住友化学株式会社 | 半導体製造装置および半導体製造方法 |
| JP2019090108A (ja) * | 2017-11-16 | 2019-06-13 | 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 上部シャワーヘッド及び下部シャワーヘッドを含む蒸着装置 |
| JP2020532858A (ja) * | 2017-08-31 | 2020-11-12 | ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 基板の選択した側に堆積させるためのｐｅｃｖｄ堆積システム |
| KR20210035289A (ko) | 2018-08-09 | 2021-03-31 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 성막 장치 및 성막 방법 |
| KR20220041810A (ko) * | 2014-05-22 | 2022-04-01 | 램 리써치 코포레이션 | 후면 증착 장치 및 애플리케이션들 |
| US11946142B2 (en) | 2019-08-16 | 2024-04-02 | Lam Research Corporation | Spatially tunable deposition to compensate within wafer differential bow |
-
2001
- 2001-07-18 JP JP2001218351A patent/JP2003027242A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20220041810A (ko) * | 2014-05-22 | 2022-04-01 | 램 리써치 코포레이션 | 후면 증착 장치 및 애플리케이션들 |
| KR102548630B1 (ko) | 2014-05-22 | 2023-06-27 | 램 리써치 코포레이션 | 후면 증착 장치 및 애플리케이션들 |
| WO2016035428A1 (ja) * | 2014-09-03 | 2016-03-10 | 住友化学株式会社 | 半導体製造装置および半導体製造方法 |
| JP2016054217A (ja) * | 2014-09-03 | 2016-04-14 | 住友化学株式会社 | 半導体製造装置および半導体製造方法 |
| US10066292B2 (en) | 2014-09-03 | 2018-09-04 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Semiconductor manufacturing device and semiconductor manufacturing method |
| JP2020532858A (ja) * | 2017-08-31 | 2020-11-12 | ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 基板の選択した側に堆積させるためのｐｅｃｖｄ堆積システム |
| JP7303796B2 (ja) | 2017-08-31 | 2023-07-05 | ラム リサーチ コーポレーション | 基板の選択した側に堆積させるためのｐｅｃｖｄ堆積システム |
| US11725283B2 (en) | 2017-08-31 | 2023-08-15 | Lam Research Corporation | PECVD deposition system for deposition on selective side of the substrate |
| US11851760B2 (en) | 2017-08-31 | 2023-12-26 | Lam Research Corporation | PECVD deposition system for deposition on selective side of the substrate |
| JP2019090108A (ja) * | 2017-11-16 | 2019-06-13 | 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 上部シャワーヘッド及び下部シャワーヘッドを含む蒸着装置 |
| KR20210035289A (ko) | 2018-08-09 | 2021-03-31 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 성막 장치 및 성막 방법 |
| US11946142B2 (en) | 2019-08-16 | 2024-04-02 | Lam Research Corporation | Spatially tunable deposition to compensate within wafer differential bow |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4231417B2 (ja) | 基板処理装置及びそのクリーニング方法 | |
| JP4335438B2 (ja) | 非対称の流動形状を用いるプロセスチャンバ用リッドアセンブリ | |
| KR101236108B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
| KR101081628B1 (ko) | 배기 개구를 특징으로 하는 가스 분배 샤워헤드 | |
| TWI726043B (zh) | 用於產生派形加工的電漿源組件及處理腔室 | |
| KR20170006214A (ko) | 박막 증착 장치 | |
| US20090047446A1 (en) | Uniformity control for low flow process and chamber to chamber matching | |
| US20010054382A1 (en) | Chemical vapor deposition system | |
| JPH10144614A (ja) | Ｃｖｄプラズマリアクタにおける面板サーマルチョーク | |
| JPH09330884A (ja) | エピタキシャル成長装置 | |
| KR20060043636A (ko) | 진공처리 장치 | |
| JP2004072002A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| WO2008010520A1 (fr) | panneau de douche, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, appareil de traitement au plasma utilisant le panneau de douche, PROCÉDÉ de traitement au plasma, et procédé de fabrication de dispositif électronique | |
| TW201015636A (en) | Plasma processing apparatus | |
| JP2003027242A (ja) | プラズマｃｖｄ装置及びそれを用いた成膜方法 | |
| JP2004052098A (ja) | 基板処理装置およびそれに用いるサセプタ | |
| KR102224586B1 (ko) | 처리 챔버들을 위한 코팅 재료 | |
| JP4632515B2 (ja) | プラズマプロセス装置 | |
| JPH06151411A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH08209349A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| TWI809496B (zh) | 高傳導度製程套件 | |
| JPH0341722A (ja) | 薄膜製造装置 | |
| KR20030027505A (ko) | 배기 구조가 개선된 반도체 처리장치 | |
| JP2993813B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH05326453A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 |