JPWO2008123142A1 - プラズマ処理装置 - Google Patents

プラズマ処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2008123142A1
JPWO2008123142A1 JP2009509075A JP2009509075A JPWO2008123142A1 JP WO2008123142 A1 JPWO2008123142 A1 JP WO2008123142A1 JP 2009509075 A JP2009509075 A JP 2009509075A JP 2009509075 A JP2009509075 A JP 2009509075A JP WO2008123142 A1 JPWO2008123142 A1 JP WO2008123142A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ejection
dielectric member
guide hole
discharge
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009509075A
Other languages
English (en)
Inventor
竹内 裕人
裕人 竹内
中森 勇一
勇一 中森
俊介 功刀
俊介 功刀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sekisui Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sekisui Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sekisui Chemical Co Ltd filed Critical Sekisui Chemical Co Ltd
Publication of JPWO2008123142A1 publication Critical patent/JPWO2008123142A1/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
    • H05H1/2406Generating plasma using dielectric barrier discharges, i.e. with a dielectric interposed between the electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065Plasma etching; Reactive-ion etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

【課題】プラズマ処理装置の接地電極における噴出口の内面に異常放電が落ちるのを防止する。【解決手段】プラズマ処理装置の接地電極40における電界印加電極30を向く放電面42上に誘電部材60を配置する。誘電部材60には電極間の放電空間1pに連なる噴出導孔62を形成し、接地電極40には噴出導孔62に連なる噴出口41を形成する。誘電部材60における噴出導孔62の内面を、接地電極40における噴出口41の内面より突出させる。誘電部材60には、接地電極40との当接面63から面一に延長された段差面64を設ける。【選択図】図4

Description

この発明は、プラズマ処理装置に関する。
例えば、特許文献1には、一対の電極が上下に対向して配置されたプラズマ処理装置が記載されている。上側の電極は電源が接続されて電界印加電極となっている。下側の電極は電気的に接地され、接地電極となっている。これら電極の間に電界が印加され大気圧グロー放電が生成されるとともに処理ガスが導入されプラズマ化されるようになっている。下側の接地電極には、スリット状の噴出口が形成されている。この噴出口から上記処理ガスが下方へ吹き出される。接地電極の下方には被処理物が配置されている。この被処理物に上記噴出口からの処理ガスが吹き付けられ、表面処理がなされるようになっている。
接地電極の上面(電界印加電極との対向面)には、アルミナの溶射膜からなる固体誘電体層が形成されている。
特開2004−006211号公報
上記構造のプラズマ処理装置では、金属からなる接地電極の噴出口の内面が露出していると、そこにアークが落ちるおそれがあった。特に、噴出口の電極印加電極側の端縁に電界が集中し、その端縁に発光強度がより強い放電が起きたり、そこにアークが落ちたりした。そうすると、メタルコンタミネーションやパーティクルが発生し、被処理物に付着するという問題があった。
上記課題を解決するために、本発明は、処理ガスを放電空間でプラズマ化して噴出し、前記放電空間の外部の被処理物配置部に配置された被処理物に接触させ、プラズマ表面処理を行なう装置において、
電源に接続された電界印加電極(ホット電極)と、
前記電界印加電極を向く放電面と、前記被処理物配置部を向く処理面とを有し、電気的に接地された接地電極(アース電極)と、
前記接地電極の放電面に当接されるとともに前記電界印加電極に面して前記放電空間を画成する固体誘電体からなるアース側の誘電部材と、
を備え、前記誘電部材には、前記放電空間に連なる噴出導孔が形成され、
前記接地電極には、前記噴出導孔に連なるとともに前記放電面から前記処理面に貫通する噴出口が形成され、
前記誘電部材における前記噴出導孔の内面が、前記接地電極における前記噴出口の内面の前記放電面側の端縁より噴出口の径方向内側に突出し、
前記誘電部材が、前記接地電極の放電面と当接する当接面と、この当接面から面一に延長されて前記噴出導孔の内面と前記噴出口の内面との間の段差を形成する段差面とを有していることを特徴とする。
これにより、接地電極における噴出口の内面の放電面側の端縁にアークなどの異常放電が落ちるのを防止でき、メタルコンタミネーション及びパーティクルの発生を阻止でき、これらメタルコンタミネーションやパーティクルが被処理物に付着するのを防止できる。
前記噴出口の大きさ及び形状が、該噴出口の貫通方向(接地電極の厚さ方向)に一定であってもよい。これにより、噴出口を容易に形成できるだけでなく、噴出口の内面の放電側の端縁だけでなく内面のどの箇所にもアークなどの異常放電が落ちないようにすることができる。
前記噴出導孔の大きさ及び形状が、該噴出導孔の貫通方向(誘電部材の厚さ方向)に一定であってもよい。これにより、噴出導孔を容易に形成することができる。
前記噴出口の前記処理面側の端部における大きさが、前記放電面側の端部における大きさより小さくなっていてもよい。これによって、接地電極における噴出口の内面の放電面側の端縁にアークなどの異常放電が落ちるのを防止できるとともに、噴出口内への外部雰囲気の巻き込みを防止でき、さらには処理ガスの噴き出しの勢いを確保でき、処理効率を向上させることができる。
前記噴出口の大きさが、前記処理面に近づくにしたがって滑らかに小さくなっていてもよい。これによって、噴出口の内面に電界集中が起きるのを防止でき、異常放電が落ちるのを確実に防止することができる。
前記噴出口の前記処理面側の端部における大きさ及び形状が、前記噴出導孔の大きさ及び形状と略一致していてもよい。これによって、外部雰囲気の巻き込みを十分防止でき、処理ガスの勢いを十分に確保できるとともに、噴出口の内面に異常放電が落ちるのを確実に防止することができる。
前記誘電部材を、前記接地電極に対し前記放電面と平行な面内において誤差を許容しつつ位置規制する位置規制手段を、更に備えるのが好ましい。これによって、誘電部材と接地電極を互いに独立して熱膨張可能にすることができ、両者の膨張差により誘電部材が破損するのを防止することができる。
前記誘電部材を正規の位置に位置させた状態における前記段差面の前記突出方向に沿う幅が、前記誤差の許容量より大きいことが好ましい。これによって、誘電部材の位置決め誤差があっても異常放電が落ちるのを確実に防止することができる。
前記誘電部材とは別体の絶縁体からなり、前記接地電極の噴出口の内面を覆うように設けられた被覆部材を、更に備えていてもよい。これによって、噴出口の内面に異常放電が落ちるのをより確実に防止することができる。
前記被覆部材の厚さが、前記段差面の前記突出方向に沿う幅と略同じであるのが好ましい。これによって、誘電体の噴出導孔の内面と被覆部材の内壁とを面一にでき、被覆部材の角部などの欠けを確実に防止でき、パーティクルの発生を防止することができる。
本発明は、ほぼ大気圧近傍下(常圧下)でのプラズマ処理に好適である。ここで、ほぼ大気圧近傍下(ほぼ常圧)とは、1.013×104〜50.663×104Paの範囲を言い、圧力調整の容易化や装置構成の簡易化を考慮すると、1.333×104〜10.664×104Paが好ましく、9.331×104〜10.397×104Paがより好ましい。
本発明によれば、接地電極における噴出口の内面の放電面側の端縁にアークなどの異常放電が落ちるのを防止でき、パーティクルの発生を阻止することができる。
本発明の第1実施形態に係る大気圧プラズマ処理装置を、図2のI-I線に沿って示す側面断面図である。 図1のII-II線に沿う、上記大気圧プラズマ処理装置の処理ヘッドの正面断面図である。 上記処理ヘッドの分解斜視図である。 (a)は、上記処理ヘッドの電極部を拡大して示す正面断面図であり、(b)は、(a)のIVb−IVb線に沿う平面図である。 図4において接地側誘電部材が位置ずれして配置された場合を実線で示し、正規の位置を仮想線で示したものであり、(a)は、上記電極部の拡大断面図であり、(b)は、(a)のVb−Vb線に沿う平面図である。 上記処理ヘッドの噴出口及び噴出導孔の配列構造の一例を示す底面図である。 上記処理ヘッドの噴出口及び噴出導孔の配列構造の一例を示す底面図である。 上記電極部の噴出口の変形例を示し、(a)は、拡大断面図であり、(b)は、(a)のVIb−VIb線に沿う平面図である。 上記電極部の噴出口の変形例を示す拡大断面図である。 上記電極部の噴出口の変形例を示す拡大断面図である。 上記処理ヘッドの噴出構造の変形例を示す断面図である。 上記処理ヘッドの噴出口及び噴出導孔の形状の変形例を示す底面図である。 上記処理ヘッドの噴出口及び噴出導孔の変形例を示す底面図である。 上記処理ヘッドの噴出口及び噴出導孔の変形例を示す底面図である。 上記処理ヘッドの噴出口及び噴出導孔の変形例を示す底面図である。
符号の説明
W 被処理物
1 処理ヘッド
1a 処理空間
1p 放電空間
2 被処理物配置部
3 電源
20 フレーム(位置規制手段)
30 電界印加電極
40 底板(接地電極)
41 噴出口
41a 噴出口の放電面側の端縁
41b 噴出口の処理面側の端縁
42 放電面
43 処理面
60 接地側誘電部材
62 噴出導孔
63 当接面
64 段差面
70 被覆部材
以下、本発明の実施形態を図面にしたがって説明する。
図1〜図3は、本発明の第1実施形態を示したものである。大気圧プラズマ処理装置は、処理ヘッド1と、被処理物配置部2とを備えている。被処理物配置部2は、ステージやコンベアで構成されており、その上側に被処理物Wが配置されるようになっている。被処理物Wは、例えばガラス基板や半導体基板である。
被処理物配置部2は、被処理物Wを図1の紙面直交方向に搬送できるようになっている。被処理物Wが位置固定されていてもよく、処理ヘッド1が図1の紙面直交方向に移動するようになっていてもよい。
処理ヘッド1は、図示しない架台に支持され、被処理物配置部2の上側に離れて位置している。処理ヘッド1は、上蓋部材10と、フレーム20と、電界印加電極30と、底板40と、を備え、一方向(図1の左右方向、図2の紙面直交方向)に延びている。
上蓋部材10は、耐腐食性の高い樹脂(絶縁体)で構成され、処理ヘッド1の長手方向に延びている。
図3に示すように、フレーム20は、一対の長辺フレーム部21と、一対の短辺フレーム部22とを有し、内部が開口された平面視長方形になっている。長辺フレーム部21は、処理ヘッド1の長辺を構成している。短辺フレーム部22は、処理ヘッド1の短辺を構成している。フレーム20の上面に上蓋部材10の周縁部が載せられている。図2に示すように、短いボルト91が、上蓋部材10を垂直に貫通してフレーム20にねじ込まれている。ボルト91によって、上蓋部材10とフレーム20とが連結されている。上蓋部材10が、フレーム20の内部空間を上側から塞いでいる。
一対の長辺フレーム部21には、それぞれガス導入路20aが形成されている。ガス導入路20aは、処理ヘッド1の長手方向に延びている。処理ガス源4からのガス供給路4aが、ガス導入路20aの一端部に連なっている。ガス導入路20aの側部からガス導入口20bが分岐されている。ガス導入口20bは、ガス導入路20aの延び方向(図2の紙面直交方向)に間隔を置いて複数設けられている。各ガス導入口20bは、長辺フレーム部21の内側面に達して開口されている。
なお、上記処理ガス源4には、処理目的に応じた処理ガスが蓄えられている。
フレーム20の内部のガス導入路20aより下側には、接地側冷却路20cが形成されている。接地側冷却路20cには、冷却媒体供給手段(図示省略)からの冷却媒体が通されるようになっている。冷却媒体として例えば水が用いられている。
処理ヘッド1の内部には、電界印加側誘電部材50が設けられている。誘電部材50は、底板部51と、一対の側壁部52,52とを一体に有している。底板部51は、処理ヘッド1の長手方向に延びている。一対の側壁部52,52は、底板部51の短手方向の両側の縁から上に突出されている。これら底板部51と側壁部52,52が組み合わさり、誘電部材50の断面が、略U字状になっている。
底板部51は、電極30の放電生成面に配置され放電を安定化させる誘電体層としての役目を担っており、電極30とは別体で分離可能になっている。
図2に示すように、一対の側壁部52と長辺フレーム部21との間には、一対の側部隙間1cが形成されている。各側部隙間1cの上端部にガス導入口20bが連なっている。
ボルト93(図2)が、上蓋部材10を垂直に貫通し、側壁部52にねじ込まれている。ボルト93によって、上蓋部材10と誘電部材50とが連結されている。
誘電部材50の内部に電界印加電極30が収容されている。電極30は、ステンレスやアルミニウム等の金属で構成されている。電極30は、長手方向を図1の左右方向(処理ヘッド1の長手方向と同方向)に向け、短手方向を図1の紙面直交方向に向けた平板状をなしている。図2に示すように、電極30は、給電線3aを介して電源3に接続されている。この電極30が、誘電部材50の底板部51の上面に載置されている。これにより、電極30の下面(電界印加側放電面)が、固体誘電体層としての板部51で覆われている。
電極30の内部には、電界印加側冷却路32cが形成されている。冷却路32cは、電極30の長手方向に延びている。冷却路32cには、図示しない冷却媒体供給手段からの冷却媒体が通されるようになっている。冷却媒体として例えば水が用いられている。
図1に示すように、電極30の長手方向の両端面と、短辺フレーム部22との間には、エンドピース35が設けられている。エンドピース35は、アルミナ等のセラミック(絶縁体)で構成されている。エンドピース35によって、電極30とフレーム20とが絶縁されている。
電極30の長手方向の両端面とエンドピース35との間には、電極30の伸び変形を許容する若干のクリアランスが設けられている。エンドピース35と電界印加側誘電部材50との継ぎ目は、接着剤などで完全にコーキングされている。
図2に示すように、電極30の短手方向の両側面は、誘電部材50の側壁部52と対向している。これら電極30と側壁部52との間には、側部絶縁隙間1dが形成されている。
電極30の上方に上蓋部材10が被せられている。電極30と上蓋部材10との間には、上部絶縁隙間1eが形成されている。上部絶縁隙間1eと側部絶縁隙間1dとは互いに連なっている。
図1〜図3に示すように、処理ヘッド1の底部には底板40が設けられている。底板40は、長手方向を図1の左右方向(処理ヘッド1の長手方向と同方向)に向け、短手方向を図1の紙面直交方向に向けた平板状をなしている。底板40の周縁部が、フレーム20の下面に当接されるとともに、長めのボルト92(図2)が、上蓋部材10及びフレーム20を垂直に貫通し、底板40の周縁部にねじ込まれている。ボルト92によって、底板40がフレーム20に連結されている。底板40が、フレーム20の内部空間を下側から塞いでいる。
底板40は、ステンレス等の耐熱性及び耐腐食性の高い金属で構成されている。底板40は、接地線3b(図2)を介して電気的に接地されている。これにより、底板40は、電界印加電極30に対する接地電極となっている。以下、底板40を適宜「接地電極40」と称す。
接地電極40の上面は、電界印加電極30を向く接地側放電面42(電界印加電極30との間に放電を生成すべき面)となっている。
接地電極40は、被処理物配置部2ひいては被処理物Wと対向し、被処理物Wとの間に処理空間1aを形成するようになっている。接地電極40の下面(放電面42とは反対側の面)は、被処理物Wを向く処理面43(被処理物Wとの間に処理空間1aを画成すべき面)となっている。
接地電極40の放電面(上面)42には、接地側誘電部材60が設けられている。誘電部材60は、アルミナ等のセラミック(固体誘電体)で構成されている。誘電部材60は、接地電極40と同方向に延びる平板状をなしている。誘電部材60は、接地電極40の放電面42を覆い、放電を安定化させる誘電体層としての役目を担っている。
誘電部材60は、フレーム20の内部に収容されている。誘電部材60の外周縁とフレーム20の内周面との間には、誘電部材60の膨張を許容したり、誘電部材60をフレーム20に納めたりするのに十分なクリアランスが形成されている。クリアランスの大きさd1は、誘電部材60の収容操作を可能にする程度であり、例えばd1=1mm未満である。フレーム20は、接地電極40の上面42に対する誘電部材60の位置を規制する位置規制手段となっている。誘電部材60の位置は、上記クリアランスの大きさd1(<1mm)に対応する分の誤差が許容されている(図5参照)。
図1に示すように、誘電部材60の長手方向の両端縁には、それぞれ上に突出する凸部61が形成されている。凸部61は、誘電部材60の長手方向の端縁に沿って延びている。これら凸部61に上記電界印加側誘電部材50の底板部51の長手方向の両端部が載置されている。
電界印加側誘電部材50の底板部51と接地側誘電部材60との間には、狭い下部隙間1bが形成されている。後述するように、この下部隙間1bの中央部が放電空間1pとなる。接地側誘電部材60の上面は、電界印加側誘電部材50ひいては電界印加電極30に面している。接地側誘電部材60の上面は、放電空間1pを画成する画成面となっている。図2に示すように、下部隙間1bの短手方向の両端部は側部隙間1cの下端部にそれぞれ連なっている。
処理ヘッド1の噴出構造について説明する。
接地側誘電部材60には、多数の噴出導孔62が形成されている。噴出導孔62は、誘電部材60の上面(放電空間1pの画成面)から下面(接地電極40に被さる面)へ厚さ方向に貫通している。噴出導孔62は、放電空間1pに連なっている。噴出導孔62の大きさ及び形状は、貫通方向(上下方向)に一定になっている。例えば、噴出導孔62は、直径1mm程度の一定の大きさの円形断面になっている。
接地電極40には、多数の噴出口41が形成されている。噴出口41は、接地電極40の上面(放電面42)から下面(処理面43)へ厚さ方向に貫通している。噴出口41の大きさ及び形状は、貫通方向(上下方向)に一定になっている。例えば、噴出口41は、直径3mm程度の一定の大きさの円形断面になっている。噴出口41は、接地側誘電部材60の噴出導孔62と一対一に対応するように配列され、それぞれ対応する噴出導孔62に連なるとともに、処理空間1aに連なっている。
噴出口41及び噴出導孔62は、規則的に配列されている。例えば図6(a)に示すように、噴出口41及び噴出導孔62は、四角格子状に配列されていてもよい。或いは、図6(b)に示すように、噴出口41及び噴出導孔62は、三角格子状等に配列されていてもよい。
図4(a)に拡大して示すように、各噴出口41は、噴出導孔62より大きい。噴出導孔62の内面は、噴出口41の内面より噴出口41の径方向の内側に突出している。誘電部材60の下面は、当接面63と、段差面64とを含んでいる。当接面63は、誘電部材60の下面のうち、接地電極40の放電面42に当たって接する部分である。段差面64は、当接面63と同一の平面を構成し、当接面63から噴出口41の径方向内側へ面一に延長されている。段差面64が、噴出導孔62の内面と噴出口41の内面との間の段差を形成している。段差面64は、噴出口41及び噴出導孔62の周縁に沿う環状になっている。図4(b)に示すように、上方(電界印加電極30の側)から見ると、誘電部材60の噴出導孔62の周縁部分が、接地電極40の噴出口41の上端縁41a(放電面42側の端縁)を全周にわたって覆っている。
噴出口41の直径は、噴出導孔62の直径より好ましくは0.5〜4mm程度大きく、より好ましくは2mm程度大きい。
段差面64の幅w1(噴出口41の端縁からの突出量)は、w1=1mm程度である。段差面64の幅w1は、誘電部材60の位置決め誤差の許容量d1(<1mm)より大きい(w1>d1)。
処理ヘッド1の組み立て手順を説明する。
底板すなわち接地電極40の上にフレーム20を配置する。フレーム20の内側に接地側誘電部材60を収容する。この誘電部材60を接地電極40の上面42に載置する。これにより、誘電部材60の噴出導孔62と接地電極40の噴出口41とが連通する。噴出導孔62の内面は、噴出口41の内面より内側に突出し、これら噴出導孔62の内面及び噴出口41の内面どうし間に段差64が形成される。誘電部材60とフレーム20の間にはクリアランスが設定されており、誘電部材60を容易に収容することができる。このクリアランスは極めて小さいため(d1<1mm)、誘電部材60を接地電極40に対しほぼ正確に位置決めすることができる。図5(a)に示すように、たとえ、誘電部材60の位置決め誤差があっても、誤差の許容量d1が正規の位置決め状態での段差面64の幅w1(図4(a))より小さいため(d1<w1)、噴出導孔62の内面の全周が、必ず噴出口41の内面より内側に突出する。したがって、図5(b)に示すように、上側から見て、噴出口41の上端縁41aの全周が、誘電部材60の噴出導孔62の周縁部で必ず覆われることになる。
さらに、フレーム20の内部に電界印加側誘電部材50を挿入する。この電界印加側誘電部材50の長手方向の両端部を凸部61の上に載せる。電界印加側誘電部材50の底板部51の上には、電界印加電極30を載置する。電界印加電極30の長手方向の両端部には、エンドピース35を配置する。エンドピース35と電界印加側誘電部材50との継ぎ目は、接着剤などで完全にコーキングする。
次いで、上蓋部材10を部材20,30,50の上に被せ、短いボルト91でフレーム20を上蓋部材10に固定し、長いボルト92で接地電極40をフレーム20に固定し、中間の長さのボルト93で電界印加側誘電部材50を上蓋部材10に固定する。これらボルト91,92,93は、すべて同方向(垂直)に向けられているので、同時並行して締めていく必要がなく、任意の順番で容易にボルト締めすることができる。
上記構成のプラズマ処理装置にて表面処理を行なう際は、被処理物Wを被処理物配置部2の上にセットする。
そして、処理ガス源4からの処理ガスを、ガス供給路4aを経て処理ヘッド1のガス導入路20aに供給する。この処理ガスは、複数のガス導入口20bから側部隙間1cに均一に流入し、さらに下部隙間1bへ導入される。
併行して、電源3から電界印加電極30に電圧を供給する。これにより、電界印加電極30と接地電極40との間に大気圧グロー放電が生成され、下部隙間1bの中央部が放電空間1pとなり、該空間1pの処理ガスがプラズマ化(分解、励起、活性化、ラジカル化、イオン化を含む)される。
プラズマ化された処理ガスが、噴出導孔62を経て、噴出口41から下方の処理空間1aへ噴き出され、被処理物Wに接触される。これによって、被処理物Wの表面上で反応が起き、所望の表面処理が行なわれる。さらに、被処理物配置部2を左右にスキャンすることにより、被処理物Wの全体を処理することができる。
接地側誘電部材60の噴出導孔62の内面が、接地電極40の噴出口41の内面より内側に突出しているため、電界印加電極30の側から見ると、誘電部材60の噴出導孔62の周縁部が、噴出口41の内面を覆うことになる。そのため、アークなどの異常放電が、噴出口41の内面の特に上端縁41aに落ちるのを防止できる。図5に示すように、たとえ、誘電部材60の位置決め誤差があっても、噴出口41の上端縁41aの全周が必ず誘電部材60で覆われるようにできる。よって、異常放電を確実に防止することができる。これにより、メタルコンタミネーション及びパーティクルの発生を阻止することができ、これらメタルコンタミネーションやパーティクルが被処理物Wに付着するのを防止できる。
次に、本発明の他の実施形態を説明する。以下の実施形態において既述した構成に関しては、図面に同一符号を付して説明を適宜省略する。
図7は、噴出口41の形状の変形例を示したものである。同図(a)に示すように、この変形例においては、接地電極40における噴出口41の上端縁41aの内径が、噴出導孔62の内径より大きくなり、かつ噴出口41が、下に向かって縮径するテーパ状になっている。したがって、噴出口41の大きさが、接地電極40の下面(処理面43)に近づくにしたがって滑らかに小さくなっている。噴出口41の下端縁41bの内径(処理面43側の端部の大きさ)は、上端縁41aの内径(放電面42側の端部の大きさ)より小さくなっている。
さらに、図7(b)に示すように、噴出口41の下端縁41bの内径は、噴出導孔62の内径と同じになっている。すなわち、噴出口41の処理面側の端部41bの大きさ及び形状が、噴出導孔62の大きさ及び形状と略一致している。
これによって、噴出口41の内面の特に上下の端縁41a,41bにアークなどの異常放電が落ちるのを防止できるとともに、噴出口41内への外部雰囲気の巻き込みを防止できる。さらには、放電空間1pでプラズマ化された処理ガスが、噴出導孔62を経て噴出口41を通過する際、次第に絞られ、噴出口41から勢いよく噴き出されるようにすることができる。この結果、処理効率を向上させることができる。
図8に示すように、噴出口41をテーパ孔にするのに代えて、噴出口41の上側(放電面側)の部分44を大径にし、噴出口41の下側(処理面側)の部分45を小径にし、上側部分44と下側部分45の間に段差46を形成し、噴出口41を階段状にしてもよい。上側部分44は、噴出導孔62より大径になっている。下側部分45は、噴出導孔62とほぼ同径になっている。
図9に示す変形例では、第1実施形態(図1〜図5)と同様の噴出口41の内面に被覆部材70(ブッシュ)が設けられている。被覆部材70は、接地側誘電部材60とは別体の絶縁体で構成されている。被覆部材70となる絶縁体は、耐プラズマ性及び耐熱性の高い材質であることが好ましく、例えば、フッ素系樹脂、石英、ガラス等が好適である。
被覆部材70は、筒形状をなしている。被覆部材70の外周面が、噴出口41の内面に密着されている。
被覆部材70の厚さは、段差面64の幅w1と同じになっている。したがって、被覆部材70の内周面が、噴出導孔62の内面と面一になっている。噴出口41のうち被覆部材70の内部空間が、噴出導孔62に連なっている。放電空間1pでプラズマ化された処理ガスは、噴出導孔62を経て、被覆部材70の内部空間を通り、噴き出されるようになっている。
この態様によれば、接地電極40の噴出口41の金属からなる内面が被覆部材70で覆われているため、異常放電をより確実に防止することができる。被覆部材70の内周面が、噴出導孔62の内面と面一になっているため、被覆部材70の内周面の上端縁などからパーティクルが発生するのを防止することができる。
図10に示すように、噴出口41及び噴出導孔62を、それぞれ接地電極40及び誘電部材60の幅方向の中央部にだけ設けることにしてもよい。
噴出口41の断面形状は、加工性などを考慮すると真円が好ましいが、これに限定されるものではなく、楕円形や長円形でもよく、四角形などの多角形状でもよく、スリット状でもよい。
図11に示す実施形態では、噴出口41及び噴出導孔62が、長穴状になっている。噴出口41及び噴出導孔62の長径どうしは、互いに同一方向(ここでは処理ヘッド1の長手方向)を向いている。噴出口41の長径は、噴出導孔62の長径より大きい。噴出口41の短径は、噴出導孔62の短径より大きい。噴出導孔62の内部空間の全体が噴出口41に連なっている。噴出口41の内面と噴出導孔62の内面との間には、段差面64が形成されている。段差面64は、噴出口41及び噴出導孔62の周縁に沿って長い環状になっている。複数の長穴状の噴出口41及び噴出導孔62が、処理ヘッド1の長手方向に一列に並べられている。処理ヘッド1の短手方向に隣り合う噴出口41及び噴出導孔62の列どうしは、処理ヘッド1の長手方向にずれているが、これら列どうしが、処理ヘッド1の長手方向に揃っていてもよい。
図12に示す実施形態では、噴出口41及び噴出導孔62が、図11の長穴状噴出口41及び噴出導孔62よりも処理ヘッド1の長手方向に十分に長く延びるスリット状になっている。スリット状噴出口41の長さは、スリット状噴出導孔62の長さより大きい。スリット状噴出口41の幅は、スリット状噴出導孔62の幅より大きい。スリット状噴出導孔62の内部空間の全体がスリット状噴出口41に連なっている。スリット状噴出口41の内面とスリット状噴出導孔62の内面との間には、段差面64が形成されている。段差面64は、スリット状の噴出口41及び噴出導孔62の周縁に沿って長い環状になっている。
スリット状の噴出口41及び噴出導孔62は、処理ヘッド1の短手方向の中央に一組だけ配置されているが、複数のスリット状の噴出口41及び噴出導孔62が、処理ヘッド1の短手方向に間隔を置いて配置されていてもよい。
図13に示すように、長穴状ないしはスリット状の噴出口41及び噴出導孔62が、処理ヘッド1の短手方向に延びていてもよい。図13では、複数の噴出口41及び噴出導孔62が、それぞれ処理ヘッド1の短手方向に延び、かつ互いに処理ヘッド1の長手方向に間隔を置いて配置されている。
図14に示すように、長穴状ないしはスリット状の噴出口41及び噴出導孔62が、処理ヘッド1の長手方向及び短手方向に対し斜めに延びていてもよい。図14では、斜めをなす噴出口41及び噴出導孔62が、処理ヘッド1の長手方向に間隔を置いて複数配置されている。
本発明は、上記実施形態に限定されるものでなく、当業者に自明の範囲内で種々の改変をなすことができる。
例えば、噴出導孔62の断面形状は、噴出口41の断面形状と相似形にするのが好ましいが、平面視で噴出導孔62の内側に接地電極40が露出しない限り、噴出導孔62が噴出口41とは異なる形状になっていてもよい。
フレーム20を誘電部材60の位置規制手段として用いるのに代えて、接地電極40や誘電部材50に凸部等を設け、この凸部を誘電部材60の位置を規制する位置規制手段として用いてもよく、処理ヘッド1に誘電部材60の位置を規制するための専用の部材を位置規制手段として組み込んでもよい。
複数の実施形態を互いに組み合わせてもよい。例えば、図11〜図14の長穴状又はスリット状の噴出口41を、図7の実施形態のように、下に向かって幅が狭くなるようにしてもよい。上記長穴状又はスリット状の噴出口41の内面に、図8の実施形態のように段差を形成してもよい。上記長穴状又はスリット状の噴出口41に、長い環状の絶縁性の被覆部材(図9参照)を嵌め込んでもよく、この長い環状の被覆部材の内周面の全周が、長穴状又はスリット状の噴出導孔62の内周面と面一になっていてもよい。
本発明は、洗浄、表面改質(親水化、撥水化等)、エッチング、成膜などの種々の表面処理に適用可能である。大気圧近傍下でのプラズマ処理に限られず、真空下でのプラズマ処理にも適用可能である。
この発明は、例えばフラットパネルディスプレイ用のガラス基板や半導体基板の製造工程における表面処理に適用可能である。

Claims (8)

  1. 処理ガスを放電空間でプラズマ化して噴出し、前記放電空間の外部の被処理物配置部に配置された被処理物に接触させ、プラズマ表面処理を行なう装置において、
    電源に接続された電界印加電極と、
    前記電界印加電極を向く放電面と、前記被処理物配置部を向く処理面とを有し、電気的に接地された接地電極と、
    前記接地電極の放電面に当接されるとともに前記電界印加電極に面して前記放電空間を画成する固体誘電体からなる誘電部材と、
    を備え、前記誘電部材には、前記放電空間に連なる噴出導孔が形成され、
    前記接地電極には、前記噴出導孔に連なるとともに前記放電面から前記処理面に貫通する噴出口が形成され、
    前記誘電部材における前記噴出導孔の内面が、前記接地電極における前記噴出口の内面の前記放電面側の端縁より噴出口の径方向内側に突出し、
    前記誘電部材が、前記接地電極の放電面と当接する当接面と、この当接面から面一に延長されて前記噴出導孔の内面と前記噴出口の内面との間の段差を形成する段差面とを有していることを特徴とするプラズマ処理装置。
  2. 前記噴出口の大きさ及び形状が、該噴出口の貫通方向に一定であることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
  3. 前記噴出口の前記処理面の端部における大きさが、前記放電面側の端部における大きさより小さいことを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
  4. 前記噴出口の大きさが、前記処理面に近づくにしたがって滑らかに小さくなっていることを特徴とする請求項3に記載のプラズマ処理装置。
  5. 前記噴出口の前記処理面側の端部における大きさ及び形状が、前記噴出導孔の大きさ及び形状と略一致していることを特徴とする請求項3又は4に記載のプラズマ処理装置。
  6. 前記誘電部材を、前記接地電極に対し前記放電面と平行な面内において誤差を許容しつつ位置規制する位置規制手段を、更に備え、
    前記誘電部材を正規の位置に位置させた状態における前記段差面の前記突出方向に沿う幅が、前記誤差の許容量より大きいことを特徴とする請求項1〜5の何れかに記載のプラズマ処理装置。
  7. 前記誘電部材とは別体の絶縁体からなり、前記接地電極の噴出口の内面を覆うように設けられた被覆部材を、更に備えたことを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
  8. 前記被覆部材の厚さが、前記段差面の前記突出方向に沿う幅と略同じであることを特徴とする請求項7に記載のプラズマ処理装置。
JP2009509075A 2007-03-27 2008-03-21 プラズマ処理装置 Pending JPWO2008123142A1 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007082049 2007-03-27
JP2007082049 2007-03-27
PCT/JP2008/055278 WO2008123142A1 (ja) 2007-03-27 2008-03-21 プラズマ処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPWO2008123142A1 true JPWO2008123142A1 (ja) 2010-07-15

Family

ID=39830639

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009509075A Pending JPWO2008123142A1 (ja) 2007-03-27 2008-03-21 プラズマ処理装置

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JPWO2008123142A1 (ja)
KR (1) KR101087445B1 (ja)
CN (1) CN101658076A (ja)
TW (1) TW200904262A (ja)
WO (1) WO2008123142A1 (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009044932A1 (de) * 2009-09-24 2011-04-07 Fachhochschule Hildesheim/Holzminden/Göttingen - Körperschaft des öffentlichen Rechts - Vorrichtung zum Behandeln von Objekten mit einem physikalischen Plasma bei Atmosphärendruck
JP5328685B2 (ja) * 2010-01-28 2013-10-30 三菱電機株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP6026079B2 (ja) * 2011-03-01 2016-11-16 マイクロプラズマ株式会社 プラズマ電極
EP2756739B1 (en) 2011-09-15 2018-11-28 Cold Plasma Medical Technologies, Inc. Cold plasma sterilization devices and associated methods
JP5534359B2 (ja) * 2011-09-21 2014-06-25 日新イオン機器株式会社 スリット電極及びこれを備えた荷電粒子ビーム発生装置
WO2017044754A1 (en) * 2015-09-11 2017-03-16 Applied Materials, Inc. Plasma module with slotted ground plate
KR102127084B1 (ko) * 2016-12-05 2020-06-25 도시바 미쓰비시덴키 산교시스템 가부시키가이샤 활성 가스 생성 장치
JP6719856B2 (ja) * 2018-01-10 2020-07-08 東芝三菱電機産業システム株式会社 活性ガス生成装置及び成膜処理装置
US11239059B2 (en) * 2018-01-10 2022-02-01 Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation Active gas generation apparatus
JP7328500B2 (ja) * 2019-03-27 2023-08-17 株式会社ニデック 大気圧プラズマ処理装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08227874A (ja) * 1995-02-21 1996-09-03 Mitsubishi Electric Corp 真空処理装置および真空処理方法
JPH0967685A (ja) * 1995-08-25 1997-03-11 Souzou Kagaku:Kk プラズマエッチング用平行平板電極
EP1008674B1 (en) * 1997-04-11 2013-05-29 Tokyo Electron Limited Elecrode unit and processor
JPH1154296A (ja) * 1997-08-05 1999-02-26 Sony Corp プラズマ発生装置およびプラズマ装置
JP3050498U (ja) * 1998-01-12 1998-07-14 信越化学工業株式会社 プラズマ装置用電極板
JP4145457B2 (ja) * 2000-02-08 2008-09-03 信越化学工業株式会社 プラズマエッチング装置用電極板
JP5021877B2 (ja) 2001-09-27 2012-09-12 積水化学工業株式会社 放電プラズマ処理装置
JP4579522B2 (ja) * 2003-09-29 2010-11-10 株式会社イー・スクエア プラズマ表面処理装置
US20050223986A1 (en) * 2004-04-12 2005-10-13 Choi Soo Y Gas diffusion shower head design for large area plasma enhanced chemical vapor deposition

Also Published As

Publication number Publication date
KR101087445B1 (ko) 2011-11-25
TW200904262A (en) 2009-01-16
KR20090108738A (ko) 2009-10-16
CN101658076A (zh) 2010-02-24
WO2008123142A1 (ja) 2008-10-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPWO2008123142A1 (ja) プラズマ処理装置
US8518284B2 (en) Plasma treatment apparatus and method for plasma-assisted treatment of substrates
JP5248370B2 (ja) シャワーヘッド及びプラズマ処理装置
WO2018104988A1 (ja) 活性ガス生成装置
US20200260565A1 (en) Active gas generation apparatus
JP6678232B2 (ja) プラズマ発生装置
JP4861387B2 (ja) プラズマ処理装置
JP2005302681A (ja) プラズマ処理装置
JP2008269907A (ja) プラズマ処理装置
WO2004103035A1 (ja) プラズマ処理装置およびその製造方法
JP4331117B2 (ja) プラズマ処理装置の電極構造
JP4714557B2 (ja) プラズマ処理装置
JP2003007497A (ja) 大気圧プラズマ処理装置
JP4647705B2 (ja) プラズマ処理装置
JP3686662B1 (ja) プラズマ処理装置
JP2009205896A (ja) プラズマ処理装置
JP2010108665A (ja) プラズマ処理装置
JP4522984B2 (ja) プラズマ処理装置
JP2008226634A (ja) プラズマ処理装置
JP2008235161A (ja) プラズマ処理装置
JP2005251719A (ja) プラズマ処理装置およびその製造方法
JP4541114B2 (ja) プラズマ処理装置
JP3686663B1 (ja) プラズマ処理装置の電極構造
JP2005116901A (ja) プラズマ成膜装置
JP4914275B2 (ja) プラズマ処理装置