JPH0967685A - プラズマエッチング用平行平板電極 - Google Patents
プラズマエッチング用平行平板電極Info
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- JPH0967685A JPH0967685A JP7254420A JP25442095A JPH0967685A JP H0967685 A JPH0967685 A JP H0967685A JP 7254420 A JP7254420 A JP 7254420A JP 25442095 A JP25442095 A JP 25442095A JP H0967685 A JPH0967685 A JP H0967685A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電極板の冷却特性に優れ、電極板と補助板が
一体となったプラズマエッチング用平行平板電極に関す
る。 【解決手段】 Ｓｉからなる電極板と、該電極板の背面
に当接して該電極板を補強する補強板の組み合わせから
なり、該電極板と補強板の板面に多数のガス噴出孔が穿
孔され、該電極板と補強板の噴射孔が連通された構造の
プラズマエッチング用平行平板電極において、該補強板
が炭素材料からなり、該電極板と補強板の当接面が冶金
的に接合されてなることを特徴とする。
一体となったプラズマエッチング用平行平板電極に関す
る。 【解決手段】 Ｓｉからなる電極板と、該電極板の背面
に当接して該電極板を補強する補強板の組み合わせから
なり、該電極板と補強板の板面に多数のガス噴出孔が穿
孔され、該電極板と補強板の噴射孔が連通された構造の
プラズマエッチング用平行平板電極において、該補強板
が炭素材料からなり、該電極板と補強板の当接面が冶金
的に接合されてなることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はプラズマエッチング用平
行平板電極に係わり、さらに詳しくは、電極板の冷却特
性に優れ、電極板と補助板が一体となったプラズマエッ
チング用平行平板電極に関するものである。
行平板電極に係わり、さらに詳しくは、電極板の冷却特
性に優れ、電極板と補助板が一体となったプラズマエッ
チング用平行平板電極に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来構造のプラズマエッチング用平行平
板電極では電極の冷却機構に問題がある。すなわち従来
構造は、Ｓｉ電極の背面にアルミニウム補強板を密着さ
せて重ね合せ、さらにアルミニウム補強板の背面に冷却
ジャケットを密着させて冷却する機構である。Ｓｉ電極
とアルミニウム補強板、アルミニウム補強板と冷却ジャ
ケットは単に物理的に接触しているだけであり、電極の
熱は接触界面を通して冷却ジャケットに伝達される機構
である。このためＳｉ電極の冷却度合いは接触界面の接
触状態に大きく左右されるので、界面に隙間が生じない
ように極めて高精度に加工する必要がある。脆弱なＳｉ
表面を高精度に加工すること自体高度な技術と熟練を必
要とする上に、なとえこれが達成できたとしても接触界
面での熱抵抗を零にすることは困難であり、冷却能力そ
のものに限界がある。また、Ｓｉ電極、アルミニウム補
強板にはエッチングガス吐出孔が穿孔されており、ジャ
ケットはこの吐出孔を塞がないようにドーナツ型をして
おり、孔のない周辺部を冷却するだけである。したがっ
てこの構造では、ジャケットから距離が離れる電極中央
部は冷却されにくい欠点がある。また、Ｓｉ電極は極め
て脆弱な材料であるために作業者が電極を取り付ける際
に、締め付けボルトを僅かに締め過ぎただけで電極が破
損するトラブルもある。
板電極では電極の冷却機構に問題がある。すなわち従来
構造は、Ｓｉ電極の背面にアルミニウム補強板を密着さ
せて重ね合せ、さらにアルミニウム補強板の背面に冷却
ジャケットを密着させて冷却する機構である。Ｓｉ電極
とアルミニウム補強板、アルミニウム補強板と冷却ジャ
ケットは単に物理的に接触しているだけであり、電極の
熱は接触界面を通して冷却ジャケットに伝達される機構
である。このためＳｉ電極の冷却度合いは接触界面の接
触状態に大きく左右されるので、界面に隙間が生じない
ように極めて高精度に加工する必要がある。脆弱なＳｉ
表面を高精度に加工すること自体高度な技術と熟練を必
要とする上に、なとえこれが達成できたとしても接触界
面での熱抵抗を零にすることは困難であり、冷却能力そ
のものに限界がある。また、Ｓｉ電極、アルミニウム補
強板にはエッチングガス吐出孔が穿孔されており、ジャ
ケットはこの吐出孔を塞がないようにドーナツ型をして
おり、孔のない周辺部を冷却するだけである。したがっ
てこの構造では、ジャケットから距離が離れる電極中央
部は冷却されにくい欠点がある。また、Ｓｉ電極は極め
て脆弱な材料であるために作業者が電極を取り付ける際
に、締め付けボルトを僅かに締め過ぎただけで電極が破
損するトラブルもある。
【０００３】
【発明が解決する課題】本発明は、かかる状況に鑑みて
なされたもので、その目的とするところは、 電極部の冷却特性に優れ、 伝熱界面の高精度な加工は必要とせず、 電極取付け時の破損トラブルを防止できる 新しい構造の平行平板電極を提供せんとするものであ
る。
なされたもので、その目的とするところは、 電極部の冷却特性に優れ、 伝熱界面の高精度な加工は必要とせず、 電極取付け時の破損トラブルを防止できる 新しい構造の平行平板電極を提供せんとするものであ
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記問題に
関して鋭意研究を行った結果、次の知見を得た。すなわ
ち、 伝熱界面の熱抵抗をなくすためにはＳｉ電極と補強板
を冶金的に接合するのが有効であること。 この際、接合界面に金属の融液があると伝熱界面を高
精度に加工することは不要になること。 この際、電極部をボルトで締め付ける必要がなくなる
ために作業者による破損事故は最早皆無になること。以
上の知見を得た。 そしてＳｉ電極とアルミニウム補強板を直接冶金的に
接合すると熱膨張係数の違いによって発生する熱応力に
よってＳｉ電極が破壊されること。したがって補強板の
材質は 炭素材料が好ましいこと。 Ｓｉ電極と同じＳｉ材料が好ましいこと。また、アル
ミニウムを補強板として使用する場合、 （３〜６）×１０−６の範囲の線膨脹係数を有する低
膨脹材料をアルミニウムとクラッドし、低膨脹材料側を
Ｓｉ電極と接合するとよいこと。そして補強板に炭素を
使用する場合、表面から発生する炭素のダストは、 溶融Ｓｉを含浸させて表面をＳｉでメタライズすると
炭素ダストの発生が防止できること。あるいは 加熱により金属酸化物、金属窒化物を生成するいわゆ
るゾルーゲル法によってセラミック薄膜を生成する溶液
を含浸させ、加熱することによって表面にセラミック薄
膜を生成させ炭素ダストの発生が防止できること。また
炭素ダスト発生防止には、▲１０▼ゾルーゲル法の溶液
のほかに無機金属ポリマー溶液も有効であること。 以上の知見を得た。本発明は以上の知見に基づいて成さ
れたものである。
関して鋭意研究を行った結果、次の知見を得た。すなわ
ち、 伝熱界面の熱抵抗をなくすためにはＳｉ電極と補強板
を冶金的に接合するのが有効であること。 この際、接合界面に金属の融液があると伝熱界面を高
精度に加工することは不要になること。 この際、電極部をボルトで締め付ける必要がなくなる
ために作業者による破損事故は最早皆無になること。以
上の知見を得た。 そしてＳｉ電極とアルミニウム補強板を直接冶金的に
接合すると熱膨張係数の違いによって発生する熱応力に
よってＳｉ電極が破壊されること。したがって補強板の
材質は 炭素材料が好ましいこと。 Ｓｉ電極と同じＳｉ材料が好ましいこと。また、アル
ミニウムを補強板として使用する場合、 （３〜６）×１０−６の範囲の線膨脹係数を有する低
膨脹材料をアルミニウムとクラッドし、低膨脹材料側を
Ｓｉ電極と接合するとよいこと。そして補強板に炭素を
使用する場合、表面から発生する炭素のダストは、 溶融Ｓｉを含浸させて表面をＳｉでメタライズすると
炭素ダストの発生が防止できること。あるいは 加熱により金属酸化物、金属窒化物を生成するいわゆ
るゾルーゲル法によってセラミック薄膜を生成する溶液
を含浸させ、加熱することによって表面にセラミック薄
膜を生成させ炭素ダストの発生が防止できること。また
炭素ダスト発生防止には、▲１０▼ゾルーゲル法の溶液
のほかに無機金属ポリマー溶液も有効であること。 以上の知見を得た。本発明は以上の知見に基づいて成さ
れたものである。
【０００５】
［Ｓｉ電極と補助板の冶金的接合］Ｓｉ電極と補助板の
接触界面の熱抵抗をなくすためにはＳｉ電極と補強板を
冶金的に接合するのが最も有効である。冶金的接合には
Ｓｉ電極と補助板の固体界面同志を重ね合わせて拡散さ
せる接合、ロー材を挟んで接合界面に融液相を生成させ
る接合、いずれも有効であるが、なかでも融液相を生成
させる接合は接合界面を高精度に加工する必要がないの
で最も好ましい。接合部の加工精度は少なくとも融液層
の厚さの１／２以下であれば実質的に隙間なく接合する
ことができる。
接触界面の熱抵抗をなくすためにはＳｉ電極と補強板を
冶金的に接合するのが最も有効である。冶金的接合には
Ｓｉ電極と補助板の固体界面同志を重ね合わせて拡散さ
せる接合、ロー材を挟んで接合界面に融液相を生成させ
る接合、いずれも有効であるが、なかでも融液相を生成
させる接合は接合界面を高精度に加工する必要がないの
で最も好ましい。接合部の加工精度は少なくとも融液層
の厚さの１／２以下であれば実質的に隙間なく接合する
ことができる。
【０００６】補助板の材料としては、（３〜６）×１０
−６の範囲の線膨脹係数を有する低膨脹材料が好まし
く、これに該当する材料としては、炭素材料、Ｍｏ，
Ｗ，４２％Ｎｉアロイ、ＷＣ−Ｃｏ超硬合金、および電
極と同材のＳｉ材料等々である。補助板としてアルミニ
ウムを使用する場合、アルミニウムの片面に上記した
（３〜６）×１０−６の範囲の線膨脹係数を有する低膨
脹材料（この場合はＳｉは除外）をクラッドし、この低
膨脹材料側をＳｉ電極と接合すればよい。膨脹係数が上
記線膨脹係数の範囲の上限を越える場合、下限値未満の
場合、Ｓｉの接合界面に割れが発生する場合があり、好
ましくない。
−６の範囲の線膨脹係数を有する低膨脹材料が好まし
く、これに該当する材料としては、炭素材料、Ｍｏ，
Ｗ，４２％Ｎｉアロイ、ＷＣ−Ｃｏ超硬合金、および電
極と同材のＳｉ材料等々である。補助板としてアルミニ
ウムを使用する場合、アルミニウムの片面に上記した
（３〜６）×１０−６の範囲の線膨脹係数を有する低膨
脹材料（この場合はＳｉは除外）をクラッドし、この低
膨脹材料側をＳｉ電極と接合すればよい。膨脹係数が上
記線膨脹係数の範囲の上限を越える場合、下限値未満の
場合、Ｓｉの接合界面に割れが発生する場合があり、好
ましくない。
【０００７】Ｓｉ電極と補助板の冶金的接合には、上記
したように界面に融液が生成される接合が最も好まし
く、このためには界面にろう材を挟んでろう材の融点以
上に加熱する接合、およびろう材とＳｉを反応させて低
融点の融液を生成させる接合を選択すればよい。ろう材
としては低融点合金およびＳｉと反応して低融点合金を
生成する材料が好ましい。前者の材料としては、Ｉｎ，
Ｓｎ，Ｉｎ−Ｓｎ合金、Ｚｎ，Ｚｎ合金、Ｐｂ，Ｐｂ合
金、Ｃｄ，Ｃｄ合金等々、後者の材料としては、Ａｕが
ある。ＡｕはＳｉと反応して融点３７０℃の共晶合金を
生成する。後者の場合は補助板にＳｉを使用する場合に
有効である。前者の材料で接合するに当たり、ろう材が
濡れやすいように接合界面をＮｉ，Ｃｏ，Ａｕ，Ａｇ等
の金属でメタライズしておくのは効果がある。メタライ
ズの手段としてはメッキ、スパッタリング等が有効であ
る。
したように界面に融液が生成される接合が最も好まし
く、このためには界面にろう材を挟んでろう材の融点以
上に加熱する接合、およびろう材とＳｉを反応させて低
融点の融液を生成させる接合を選択すればよい。ろう材
としては低融点合金およびＳｉと反応して低融点合金を
生成する材料が好ましい。前者の材料としては、Ｉｎ，
Ｓｎ，Ｉｎ−Ｓｎ合金、Ｚｎ，Ｚｎ合金、Ｐｂ，Ｐｂ合
金、Ｃｄ，Ｃｄ合金等々、後者の材料としては、Ａｕが
ある。ＡｕはＳｉと反応して融点３７０℃の共晶合金を
生成する。後者の場合は補助板にＳｉを使用する場合に
有効である。前者の材料で接合するに当たり、ろう材が
濡れやすいように接合界面をＮｉ，Ｃｏ，Ａｕ，Ａｇ等
の金属でメタライズしておくのは効果がある。メタライ
ズの手段としてはメッキ、スパッタリング等が有効であ
る。
【０００８】補助板に炭素材料を使用する場合炭素ダス
トの発生が問題になる。この場合、吐出孔内面に溶融Ｓ
ｉを含浸するとダストが発生しなくなる。また、加熱に
より金属酸化物、金属窒化物を生成するいわゆるゾルー
ゲル法によってセラミック薄膜を生成する溶液を含浸さ
せ、加熱して表面にセラミック薄膜を生成させると炭素
ダストの発生が防止できる。ゾルーゲル法の溶液のほか
に無機金属ポリマー溶液も有効である。
トの発生が問題になる。この場合、吐出孔内面に溶融Ｓ
ｉを含浸するとダストが発生しなくなる。また、加熱に
より金属酸化物、金属窒化物を生成するいわゆるゾルー
ゲル法によってセラミック薄膜を生成する溶液を含浸さ
せ、加熱して表面にセラミック薄膜を生成させると炭素
ダストの発生が防止できる。ゾルーゲル法の溶液のほか
に無機金属ポリマー溶液も有効である。
【０００９】溶融Ｓｉの含浸は、炭素表面にＳｉの粉
末、粒、板を載せ不活性、還元、あるいは真空雰囲気で
１４５０〜１５００℃に加熱溶融すると、溶融したＳｉ
が炭素表面から内部に浸透していく。Ｓｉの浸透した表
面は銀色の硬い表面になる。ほとんどは金属Ｓｉで一部
ＳｉＣが生成している。
末、粒、板を載せ不活性、還元、あるいは真空雰囲気で
１４５０〜１５００℃に加熱溶融すると、溶融したＳｉ
が炭素表面から内部に浸透していく。Ｓｉの浸透した表
面は銀色の硬い表面になる。ほとんどは金属Ｓｉで一部
ＳｉＣが生成している。
【００１０】ゾルーゲル法の溶液としてはＳｉ，Ａｌ等
のアルコキシド溶液、とりわけＳｉのアルコキシド溶液
が有効である。無機金属ポリマー溶液は、ポリシラザン
等の溶液が有効であり、これらの溶液を炭素表面に含浸
し、これを大気中で２００〜４００℃に加熱すると表面
に酸化シリコンの被膜が生成される。被膜厚さは数ミク
ロンで、表面はガラス状、平滑で炭素ダストの発生はな
くなる。ポリシラザンの場合、窒化雰囲気、６００℃以
上で加熱すると窒化膜が形成され、酸化臆同様、炭素ダ
ストの発生防止に効果がある。
のアルコキシド溶液、とりわけＳｉのアルコキシド溶液
が有効である。無機金属ポリマー溶液は、ポリシラザン
等の溶液が有効であり、これらの溶液を炭素表面に含浸
し、これを大気中で２００〜４００℃に加熱すると表面
に酸化シリコンの被膜が生成される。被膜厚さは数ミク
ロンで、表面はガラス状、平滑で炭素ダストの発生はな
くなる。ポリシラザンの場合、窒化雰囲気、６００℃以
上で加熱すると窒化膜が形成され、酸化臆同様、炭素ダ
ストの発生防止に効果がある。
【００１１】接合部に融液が形成されて接合された場
合、Ｓｉ電極、補助板の材質とは異質な材料の層が吐出
孔の内面にむき出しになる。半導体製造上汚染が懸念さ
れる場合、むき出しになった溶融金属部を上記した加熱
により金属酸化物、金属窒化物を生成するいわゆるゾル
ーゲル法および無機金属ポリマー溶液によってセラミッ
ク薄膜を生成させ、表面をセラミック薄膜で被覆すると
この問題を解決できる。
合、Ｓｉ電極、補助板の材質とは異質な材料の層が吐出
孔の内面にむき出しになる。半導体製造上汚染が懸念さ
れる場合、むき出しになった溶融金属部を上記した加熱
により金属酸化物、金属窒化物を生成するいわゆるゾル
ーゲル法および無機金属ポリマー溶液によってセラミッ
ク薄膜を生成させ、表面をセラミック薄膜で被覆すると
この問題を解決できる。
【００１２】
【実施例】図面によって本発明構造を説明する。図１〜
４は本発明電極の構造の説明図である。図１，２は補助
板が炭素材料、図３は補助板がアルミニウム板とモリブ
デン板のクラッド材、図４は補助板、電極共に単結晶Ｓ
ｉ製の場合の説明図である。図１において、１は黒鉛製
補助板、２はＳｉ電極板である。１の素材は高純度等方
性黒鉛、２は単結晶Ｓｉである。３は黒鉛補助板に穿孔
したエッチングガス吐出孔、４はＳｉ電極に穿孔したエ
ッチングガス吐出孔である。３の孔径は４の孔径より小
さく、３と４の各孔はお互い重ね合わせたとき、孔の位
置がうまく整合して連通するように加工されている。１
と２の重ね併せた面はＩｎでロー付されている。１の黒
鉛製補助板のガス吐出孔の内面には図２に示すように炭
素ダストが発生しないようにＳｉアルコキシド溶液が含
浸され、熱処理されてシリカガラス膜５が被覆されてい
る。また、シリカガラス膜５の被覆はＩｎロー付部の吐
出孔内面に露出した部分にもおよび、エッチングガスが
Ｉｎによって汚染しないような措置が高じられている。
図３において、補助板はアルミニウム板６とモリブデン
板７の積層クラッド材からなり、アルミニウム板とモリ
ブデン板、およびモリブデン板とＳｉ電極２が共にＩｎ
でロー付されている。図４は補助板８とＳｉ電極２が共
に単結晶Ｓｉ製である。電極と補助板が一体になったも
のを単一の材料から作成すると厚さの厚い高価な素材を
使用しなければならない。本例は比較的安価な薄い材料
を張り合わせることによって一体型を形成したものであ
る。
４は本発明電極の構造の説明図である。図１，２は補助
板が炭素材料、図３は補助板がアルミニウム板とモリブ
デン板のクラッド材、図４は補助板、電極共に単結晶Ｓ
ｉ製の場合の説明図である。図１において、１は黒鉛製
補助板、２はＳｉ電極板である。１の素材は高純度等方
性黒鉛、２は単結晶Ｓｉである。３は黒鉛補助板に穿孔
したエッチングガス吐出孔、４はＳｉ電極に穿孔したエ
ッチングガス吐出孔である。３の孔径は４の孔径より小
さく、３と４の各孔はお互い重ね合わせたとき、孔の位
置がうまく整合して連通するように加工されている。１
と２の重ね併せた面はＩｎでロー付されている。１の黒
鉛製補助板のガス吐出孔の内面には図２に示すように炭
素ダストが発生しないようにＳｉアルコキシド溶液が含
浸され、熱処理されてシリカガラス膜５が被覆されてい
る。また、シリカガラス膜５の被覆はＩｎロー付部の吐
出孔内面に露出した部分にもおよび、エッチングガスが
Ｉｎによって汚染しないような措置が高じられている。
図３において、補助板はアルミニウム板６とモリブデン
板７の積層クラッド材からなり、アルミニウム板とモリ
ブデン板、およびモリブデン板とＳｉ電極２が共にＩｎ
でロー付されている。図４は補助板８とＳｉ電極２が共
に単結晶Ｓｉ製である。電極と補助板が一体になったも
のを単一の材料から作成すると厚さの厚い高価な素材を
使用しなければならない。本例は比較的安価な薄い材料
を張り合わせることによって一体型を形成したものであ
る。
【００１３】
【発明の効果】以上詳記したように本発明電極は、電極
部の冷却特性に優れ、伝熱界面の高精度な加工は必要と
せず、かつ電極取付け時の破損トラブルを防止できるも
のであり、半導体のプラズマエッチング性能の向上に多
大の貢献を成すものである。
部の冷却特性に優れ、伝熱界面の高精度な加工は必要と
せず、かつ電極取付け時の破損トラブルを防止できるも
のであり、半導体のプラズマエッチング性能の向上に多
大の貢献を成すものである。
【図１】図１は補助板に炭素材料を使用した電極の説明
図。
図。
【図２】図２は補助板に炭素材料を使用した電極の説明
図。
図。
【図３】図３は補助板に炭素材料を使用した電極の説明
図。
図。
【図４】図４は補助板に炭素材料を使用した電極の説明
図。
図。
１…黒鉛製補助板 ２…Ｓｉ電極板 ３…エッチングガス吐出孔 ４…エッチングガス吐出孔 ５…シリカガラス膜 ６…アルミニウム板 ７…モリブデン板 ８…Ｓｉ製補助板
Claims (7)
- 【請求項１】Ｓｉからなる電極板と、該電極板の背面に
当接して該電極板を補強する補強板の組み合わせからな
り、該電極板と補強板の板面に多数のガス噴出孔が穿孔
され、該電極板と補強板の噴射孔が連通された構造のプ
ラズマエッチング用平行平板電極において、該補強板が
炭素材料からなり、該電極板と補強板の当接面が冶金的
に接合されてなることを特徴とするプラズマエッチング
用平行平板電極。 - 【請求項２】Ｓｉからなる電極板と、該電極板の背面に
当接して該電極板を補強する補強板の組み合わせからな
り、該電極板と補強板の板面に多数のガス噴出孔が穿孔
され、該電極板と補強板の噴射孔が連通された構造のプ
ラズマエッチング用平行平板電極において、該補強板が
炭素材料からなり、該電極板と補強板の当接面が冶金的
に接合されてなると共に、該補強板の噴射孔内面に溶融
Ｓｉを含浸被覆されてなることを特徴とするプラズマエ
ッチング用平行平板電極。 - 【請求項３】Ｓｉからなる電極板と、該電極板の背面に
当接して該電極板を補強する補強板の組み合わせからな
り、該電極板と補強板の板面に多数のガス噴出孔が穿孔
され、電極板と補強板の噴射孔が連通された構造のプラ
ズマエッチング用平行平板電極において、該補強板が炭
素材料からなり、該電極板と補強板の当接面が冶金的に
接合されてなると共に、該補強板の噴射孔内面にセラミ
ック薄膜が被覆されてなることを特徴とするプラズマエ
ッチング用平行平板電極。 - 【請求項４】上記セラミック薄膜が、ゾルーゲル法によ
る被膜である請求項３に記載の平行平板電極。 - 【請求項５】上記セラミック薄膜が、無機金属ポリマー
溶液を被覆、加熱して形成させた被臆である請求項３に
記載の平行平板電極。 - 【請求項６】Ｓｉ電極板と、該電極板の背面に当接して
該電極板を補強する補強板の組み合わせからなり、該電
極板と補強板の板面に多数のガス噴出孔が穿孔され、該
電極板と補強板の噴射孔が連通された構造のプラズマエ
ッチング用平行平板電極において、該補強板がＳｉから
なり、該電極板と補強板の当接面が冶金的に接合されて
なることを特徴とするプラズマエッチング用平行平板電
極。 - 【請求項７】Ｓｉからなる電極板と、該電極板の背面に
当接して該電極板を補強する補強板の組み合わせからな
り、該電極板と補強板の板面に多数のガス噴出孔が穿孔
され、該電極板と補強板の噴射孔が連通された構造のプ
ラズマエッチング用平行平板電極において、該補強板
が、（３〜６）×１０−６の範囲の線膨脹係数を有する
低膨脹材料とアルミニウムが冶金的に接合された構造の
積層クラッド材料からなり、該Ｓｉ電極板は該クラッド
材の低膨脹材料側と冶金的に接合されてなることを特徴
とするプラズマエッチング用平行平板電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7254420A JPH0967685A (ja) | 1995-08-25 | 1995-08-25 | プラズマエッチング用平行平板電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7254420A JPH0967685A (ja) | 1995-08-25 | 1995-08-25 | プラズマエッチング用平行平板電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0967685A true JPH0967685A (ja) | 1997-03-11 |
Family
ID=17264739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7254420A Pending JPH0967685A (ja) | 1995-08-25 | 1995-08-25 | プラズマエッチング用平行平板電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0967685A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10200279B4 (de) * | 2001-01-11 | 2006-08-17 | Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon | Gasinjektor-Anordnung mit Gasinjektoren aus einem Keramikmaterialblock mit Gasinjektorlöchern, die sich durch diesen erstrecken, und ein die Gasinjektor-Anordnung enthaltenes Ätzgerät |
| WO2008123142A1 (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-16 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | プラズマ処理装置 |
| WO2010003321A1 (zh) * | 2008-07-09 | 2010-01-14 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种进气装置及应用该进气装置的半导体处理设备 |
| JP2010507231A (ja) * | 2006-10-16 | 2010-03-04 | ラム リサーチ コーポレーション | 粒子を低減させる機能を持つ上部電極裏当て部材 |
| JP2010524205A (ja) * | 2007-03-30 | 2010-07-15 | ラム リサーチ コーポレーション | 半導体材料処理装置用の低粒子性能を有するシャワーヘッド電極及びシャワーヘッド電極アセンブリ |
| US10879053B2 (en) | 2013-06-03 | 2020-12-29 | Lam Research Corporation | Temperature controlled substrate support assembly |
-
1995
- 1995-08-25 JP JP7254420A patent/JPH0967685A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10200279B4 (de) * | 2001-01-11 | 2006-08-17 | Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon | Gasinjektor-Anordnung mit Gasinjektoren aus einem Keramikmaterialblock mit Gasinjektorlöchern, die sich durch diesen erstrecken, und ein die Gasinjektor-Anordnung enthaltenes Ätzgerät |
| JP2010507231A (ja) * | 2006-10-16 | 2010-03-04 | ラム リサーチ コーポレーション | 粒子を低減させる機能を持つ上部電極裏当て部材 |
| US8709202B2 (en) | 2006-10-16 | 2014-04-29 | Lam Research Corporation | Upper electrode backing member with particle reducing features |
| WO2008123142A1 (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-16 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | プラズマ処理装置 |
| JP2010524205A (ja) * | 2007-03-30 | 2010-07-15 | ラム リサーチ コーポレーション | 半導体材料処理装置用の低粒子性能を有するシャワーヘッド電極及びシャワーヘッド電極アセンブリ |
| US8443756B2 (en) | 2007-03-30 | 2013-05-21 | Lam Research Corporation | Showerhead electrodes and showerhead electrode assemblies having low-particle performance for semiconductor material processing apparatuses |
| KR101512524B1 (ko) * | 2007-03-30 | 2015-04-15 | 램 리써치 코포레이션 | 반도체 재료 프로세싱 장치용 저-입자 성능을 갖는 샤워헤드 전극 및 샤워헤드 전극 어셈블리 |
| WO2010003321A1 (zh) * | 2008-07-09 | 2010-01-14 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种进气装置及应用该进气装置的半导体处理设备 |
| US10879053B2 (en) | 2013-06-03 | 2020-12-29 | Lam Research Corporation | Temperature controlled substrate support assembly |
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