JP4541114B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents

プラズマ処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4541114B2
JP4541114B2 JP2004344779A JP2004344779A JP4541114B2 JP 4541114 B2 JP4541114 B2 JP 4541114B2 JP 2004344779 A JP2004344779 A JP 2004344779A JP 2004344779 A JP2004344779 A JP 2004344779A JP 4541114 B2 JP4541114 B2 JP 4541114B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
insulating
space
spacer
frame member
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2004344779A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006049262A (ja
Inventor
守 日野
治和 清水
英則 高橋
将男 井上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sekisui Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sekisui Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sekisui Chemical Co Ltd filed Critical Sekisui Chemical Co Ltd
Priority to JP2004344779A priority Critical patent/JP4541114B2/ja
Publication of JP2006049262A publication Critical patent/JP2006049262A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4541114B2 publication Critical patent/JP4541114B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Description

この発明は、プロセスガスをプラズマ化し基材へ向けて吹出す所謂リモート式のプラズマ処理装置に関し、特に長尺の電極構造を有するプラズマ処理装置に関する。
この種のプラズマ処理装置は、一対の電極どうし間に電界を印加しグロー放電を起こさせることにより電極どうし間をプラズマ化空間とし、そこにプロセスガスを導入してプラズマ化(活性化、イオン化)するとともに、プラズマ化空間の外部に配置した基材へ向けて吹出し、基材の表面処理を行なう。
例えば、特許文献1に記載のプラズマ処理装置では、電極が長尺状をなしている。これによって、電極の長さ分の表面処理を一度に行なうことができ、処理速度を向上させることができる。
特開2002−237480号公報 特開2003−100646号公報
電極は金属フレームから絶縁する必要がある。電極が長尺状である場合、これとほぼ同じ長さの絶縁スペーサを金属フレームと電極の間に埋めることが考えられるが、熱変形や沿面放電等の問題がある。
本発明は、プロセスガスをプラズマ化空間に通してプラズマ化し、基材が配置されるべき位置へ吹出すプラズマ処理装置において、前記プラズマ化空間から前記基材配置位置へ向かう吹出方向とは直交する長手方向に延び、前記吹出方向及び前記長手方向と直交する一方向の一側の面が、前記長手方向に延びる他の電極と対向して前記プラズマ化空間を形成する電極と、前記電極のプラズマ化空間を形成する側とは前記一方向の逆側(背部)に設けられた金属製のフレーム部材と、前記電極と前記フレーム部材の間に介在されるとともに、前記電極の長手方向に間欠的に(電極の全長にわたって(端寄り部分にも中央部分にも)途切れ途切れに)配置された複数の絶縁性のスペーサと、を備え、前記スペーサの隣り合うものどうしの間には、前記電極と前記フレーム部材を絶縁する絶縁空間が形成されており、前記電極と前記基材配置位置との間に介在され、電気的に接地された導電部材を、更に備え、前記複数のスペーサの少なくとも一部が、前記電極と前記フレーム部材の間に介在される第1側部と、前記電極と導電部材の間に介在される第2側部を一体に有して、前記長手方向から見て大略L形をなすL形スペーサであり、前記電極と前記フレーム部材の間だけでなく前記電極と導電部材の間にも絶縁空間が形成されていることを特徴とする。
これによって、電極とフレーム部材を確実に絶縁できる。また、沿面放電を抑えてエネルギーロスを小さくできる。さらに、熱変形による影響を小さくできる。絶縁空間を外部に連ねることにすれば、除熱性も確保できる。
前記電極は、基本的には電源(電界印加手段)に接続されたホット電極(1の電極)であるが、接地されたアース電極(他の電極)に適用してもよい。もちろん、両方の電極に適用してもよい。
前記電極と基材配置位置との間には、電気的に接地された導電部材が介在されていることによって、基材への電界漏れを防止しつつ確実にプラズマ処理できる。
前記複数のスペーサの少なくとも一部が、前記電極とフレーム部材の間に介在される第1側部と、前記電極と導電部材の間に介在される第2側部を一体に有して、前記長手方向から見て大略L形をなし、前記電極とフレーム部材の間だけでなく電極と導電部材の間にも絶縁空間が形成されていることによって、電極とフレーム部材の間だけでなく、電極と導電部材との間をも確実に絶縁することができる。
また、前記電極と導電部材の間の開口には、これを塞ぐとともに前記プラズマ化空間に連なる吹出し路を形成する吹出し路形成部材が設けられており、前記L形スペーサの第2側部が、前記吹出し路より前記一方向の前記逆側に引っ込み、前記吹出し路形成部材が、前記L形スペーサの第2側部の前記一方向の前記一側に被さっていることが望ましい。これによって、プロセスガスの絶縁空間への進入を防止することができる。この吹出し路形成部材は、絶縁性は勿論のこと耐プラズマ性をも有していることが望ましい。
前記スペーサと同じ長手方向位置には、前記フレーム部材に係着されて電極を押し又は引き可能なネジ部材が配置されていることが望ましい。これによって、電極の歪みを阻止又は矯正できるとともに絶縁空間を十分に確保できる。
前記電極を引き可能なネジ部材は、頭部が前記フレーム部材に引っ掛けられるとともに、脚部が前記スペーサを貫通して前記電極にねじ込まれている。
前記電極を押し可能なネジ部材は、前記フレーム部材にねじ込まれるとともに先端が前記スペーサに突き当たり、このスペーサを介して電極を押し可能になっている。
本発明は、プロセスガスをプラズマ化空間に通してプラズマ化し、基材が配置されるべき位置へ吹出すプラズマ処理装置において、前記プラズマ化空間から前記基材配置位置へ向かう吹出方向とは直交する長手方向に延び、前記吹出方向及び前記長手方向と直交する一方向の一側の面が、前記長手方向に延びる他の電極と対向して前記プラズマ化空間を形成する電極と、前記電極のプラズマ化空間を形成する側とは前記一方向の逆側に設けられた金属製のフレーム部材と、前記電極と前記フレーム部材の間に介在されるとともに、前記長手方向に間欠的に配置された複数の絶縁性のスペーサと、を備え、前記スペーサの隣り合うものどうしの間には、前記電極と前記フレーム部材を絶縁する絶縁空間が形成されており、前記電極の前記逆側を向く背面に、前記電極の前記長手方向の略全長にわたって延びる絶縁性の背部絶縁部材を宛がい、この背部絶縁部材と前記フレーム部材の間に前記スペーサを挟み、これら背部絶縁部材とフレーム部材とスペーサによって前記絶縁空間が画成されていることを他の特徴とする。これによって、万が一、電極とフレーム部材の間が何らかの原因で絶縁破壊した場合、背部絶縁部材がダメージを受けることはあっても電極にはダメージが及ばないようにすることができる。したがって、比較的安価な背部絶縁部材だけを交換すれば済み、高価な長尺電極を交換する必要が無い。
前記背部絶縁部材は、前記スペーサと一体に形成されていてもよく、長手方向に複数の背部絶縁部に分割されていてもよい。さらには、スペーサと一体形成かつ長手方向に分割されていてもよい。すなわち、前記電極と前記フレーム部材の間に、複数の絶縁材料からなる絶縁ピースが電極長手方向に並べられており、各絶縁ピースが、電極の背面に宛がわれる背部絶縁部と、この背部絶縁部の背面に凸設された前記スペーサとを一体に含み、複数の絶縁ピースの背部絶縁部が連なることにより前記背部絶縁部材が構成されていてもよい。これによって、長さの異なる電極に対しても絶縁ピースの数を増減することにより対応することができ、電極長にかかわらず絶縁ピースの共通化を図ることができ、コストの削減を図ることができる。また、背部絶縁部材とスペーサの接触面を無くすことができ、寸法精度を向上させることができる。
前記電極を誘電体のケースに収容し、このケースのプラズマ化空間形成側の壁を電極に被膜の固体誘電体層として提供することにしてもよい。このケースのプラズマ化空間形成側とは逆側の壁を、前記背部絶縁部材又は複数の絶縁ピースにて構成してもよい。
本発明は、例えば略常圧(大気圧近傍の圧力)の環境で行なう常圧プラズマ処理等に適用される。ここで、略常圧とは、1.013×104〜50.663×104Paの範囲を言い、圧力調整の容易化や装置構成の簡便化を考慮すると、1.333×104〜10.664×104Paが好ましく、9.331×104〜10.397×104Paがより好ましい。
本発明によれば、絶縁性のスペーサによって電極とフレーム部材の間の距離を確保して絶縁空間を形成でき、電極とフレーム部材を確実に絶縁することができる。
以下、本発明の第1実施形態を、図面を参照して説明する。
図3に示すように、常圧プラズマ処理装置は、架台(図示せず)に支持されたプラズマノズルヘッド1を備えている。プラズマノズルヘッド1の下方に、大面積の基材Wが左右に通され、成膜等のプラズマ表面処理が行なわれるようになっている。勿論、基材Wを固定する一方、プラズマノズルヘッド1が移動されるようになっていてもよい。この基材Wの通される位置が、請求の範囲の「基材の配置されるべき基材配置位置」となる。
プラズマノズルヘッド1は、上側のガス整流部10と、下側の放電処理部20を備え、前後方向(図3の紙面と直交する方向)に長く延びている。詳細な図示は省略するが、ガス整流部10には、チャンバーやスリットが設けられており、図示しないプロセスガス源からのプロセスガスを前後長手方向に均一化するようになっている。
放電処理部20は、一対の長尺電極31,32と、これら電極31,32を収容するフレーム21を有している。
図1〜図3に示すように、電極31,32は、例えばステンレス等の導電性材料によって出来、断面四角形状をなして前後方向(後記プラズマ化空間30aから基材配置位置へ向かう方向と直交する方向(図1において左右方向))へ直線状に長く延びている。図3に示すように、これら電極31,32は、互いに平行をなして左右に並べられている。左側の電極31は、図示しない電源に接続されてホット電極(電界印加電極)となり、右側の電極32は、接地されてアース電極(接地電極)となっている。これら電極31,32の対向面どうし間に、狭いスリット状の隙間が形成されている。この隙間が、プラズマ化空間30aになっている。なお、上記電源は、例えばパルス状の電圧を出力するようになっている。このパルスの立上がり時間及び/又は立下り時間は、10μs以下、電極間のプラズマ化空間30aでの電界強度は10〜1000kV/cm、周波数は0.5kHz以上であることが望ましい。パルス波に代えて、正弦波等の連続波を用いてもよい。
図示は省略するが、各電極31,32の対向面(プラズマ化空間30aを形成する面)と上面と下面には、アルミナ等からなる固体誘電体が溶射被膜されている。
なお、上記アルミナ等からなる固定誘電体を、電極の背面にも溶射被膜することにしてもよい。また、溶射被膜に代えて、電極を固体誘電体からなるケースに収容し、このケースを電極の対向面、上面、下面及び背面をそれぞれ覆う固体誘電体の層として用いることにしてもよい。
各電極31,32の背面(プラズマ化空間30aを形成する面とは逆側の面)には、絶縁樹脂からなる背部絶縁部材43が宛がわれている。背部絶縁部材43は、電極31,32の全長にわたって前後に延びている。背部絶縁部材43の下端部は、L字状に折曲されており、そこに電極31の角部が載せられている。
背部絶縁部材43は、電極背部が万が一絶縁破壊したときのダメージ受けであり、前記電極背面への溶射膜の有無に拘わらず設けるのが望ましいが、絶縁破壊が確実に防止できるのであれば省略することにしてもよい。
図3において、符号30cは、電極の内部に形成された電極温調用の温調媒体を通す温調路である。
フレーム21は、剛性金属からなる左右一対のフレーム部材22L,22Rを有している。これらフレーム部材22L,22Rは、幅方向を上下に向けて前後に延びる板状をなしている。左側のフレーム部材22Lは、ホット電極31の背部(プラズマ化空間30aを形成する側とは逆側)に配置されている。同様に、右側のフレーム部材22Rは、アース電極32の背部に配置されている。左右のフレーム部材22L,22Rの上端部どうし間に剛性金属からなるアッパープレート23が架け渡され、ボルト締めにて剛結合されている。
アッパープレート23と各電極31,32の間には、絶縁性の樹脂からなる左右一対の第1上部絶縁部材41が設けられている。これら上部絶縁部材41は、電極31,32の全長にわたる長板状をなし、アッパープレート23と電極31を絶縁している。各上部絶縁部材41の内端部(他方の上部絶縁部材41との対向端部)の下隅には、段差状の切欠きが形成され、そこに第2上部絶縁部材42が嵌め込まれている。第2上部絶縁部材42は、第1上部絶縁部材41より耐プラズマ性及び耐熱性が高い絶縁材料、例えばアルミナ等のセラミックによって構成され、細い角棒状をなして第1上部絶縁部材41の全長に及んでいる。
アッパープレート23の左右中央部および左右の上部絶縁部材41,42間に、スリット状のガス導入路20aが形成されている。ガス導入路20aの上端部は、上記ガス整流部10の下流端に連なり、下端部は、電極31,32間のプラズマ化空間30aの上端部の全長にストレートに連なっている。
放電処理部20の下端部には、左右一対の導電部材50が設けられている。導電部材50は、アルミ等からなる薄い金属板であり、放電処理部20の略全長にわたるように前後に延びている。導電部材50の外縁部は、フレーム21にボルト等にて連結固定されている。導電部材50又はフレーム21から図示しない接地線が延びており、この接地線を介して導電部材50とフレーム21の双方が電気的に接地されている。
導電部材50は、電極31との間で放電が起きないように、電極31,32より下方に十分離れて配置されている。この導電部材50が、電極31,32と基材配置位置との間に介在されることになる。左右各々の電極31,32と導電部材50の間には、吹出し路形成部材46が設けられている。吹出し路形成部材46は、耐プラズマ性及び耐熱性が高い絶縁材料、例えばパイレックス(登録商標)ガラスによって構成され、断面逆L字状をなし、電極31,32の全長にわたって前後(図3の紙面直交方向)に細長く延びている。左側の吹出し路形成部材46によって、左側の電極31と導電部材50の間の開口が塞がれ、右側の吹出し路形成部材46によって、右側の電極32と導電部材50の間の開口が塞がれている。
左右の吹出し路形成部材46の対向面どうし間に、吹出し路46aが形成されている。吹出し路46aは、電極31,32間のプラズマ化空間30aの下端部の全長に連なっている。
左右の導電部材50の対向端面間には、この吹出し路46aの全長に連なる吹出し口50bが形成されている。
図1及び図2に示すように、ホット電極31の側(左側)の導電部材50の上面には、2種類のスペーサ70,75が、前後に間欠的に設けられている。これらスペーサ70,75は、例えばガラス繊維入りポリカーボネート等の硬質絶縁材料にて構成されている。図2及び図3に示すように、1種類のスペーサ70は、垂直をなす第1側部71と、水平をなす第2側部72を一体に有して、L字状をなしている。図2及び図4に示すように、もう1種類のスペーサ75は、垂直な平板状をなしている。以下、適宜、スペーサ70を「L形スペーサ70」といい、スペーサ75を「平スペーサ75」という。
図3に示すように、L形スペーサ70の垂直な第1側部71は、ホット電極31の背部の絶縁部材43とフレーム部材22Lの間に挟まれている。これによって、背部絶縁部材43とフレーム部材22Lの間の間隔、ひいては、電極31とフレーム部材21の間の間隔が確保されている。
L形スペーサ70の水平な第2側部72は、導電部材50の上面に添って電極31の下側に差し入れられ、導電部材50と電極31の間に介在されている。これによって、電極31と導電部材50の間の間隔が確保されている。このL形スペーサ70の第2側部72に、背部絶縁部材43の下端部が当てられ、絶縁性のピン44にて止められている。
L形スペーサ70の第2側部72は、上記吹出し路形成部材46よりフレーム部材22Lの側に配置されている。L形スペーサ70の第2側部72の先端部には、浅い段差が形成されている。この段差に、逆L字状の吹出し路形成部材46が引っ掛けられるようにして被せられている。これによって、吹出し路形成部材46が、L形スペーサ70によって支持されている。
L形スペーサ70の第1側部71には、カラー収容孔71cが形成されている。また、フレーム部材22Lには、このカラー収容孔71cと対応する位置にカラー収容孔22cが形成されている。これらカラー収容孔71c,22c内に、絶縁樹脂製のボルトカラー61が収容されている。フレーム部材22Lのカラー収容孔22cの内周面には、段差が形成されており、この段差に、ボルトカラー61の外端部のフランジ61fが引っ掛けられている。ボルトカラー61の内部に、引きネジ部材60が収容されている。このネジ部材60の頭部が、ボルトカラー61の内奥底面に引っ掛けられ、ひいてはボルトカラー61を介してフレーム部材22に引っ掛けられている。ネジ部材60の脚部は、ボルトカラー61及び背部絶縁部材43を貫通し、ホット電極31の背部にねじ込まれている。
図1及び図4に示すように、平スペーサ75は、隣り合うL形スペーサ70どうしの中間に配置され、左側のフレーム部材22と背部絶縁部材43の間に挟まれるとともに、フレーム部材22にピン45にて止められている。
フレーム部材22Lの平スペーサ75に対応する位置には、ネジ孔22bが形成され、このネジ孔22bに金属製いもネジからなる押しネジ部材63が捩じ込まれている。押しネジ部材63の先端は、平スペーサ75のフレーム部材22L側の面に埋め込まれた座金64に突き当てられている。
図5に示すように、スペーサ70,75によって絶縁空間49が形成されている。絶縁空間49は、電極31の背部の第1絶縁空間部49aと、電極31の下側の第2絶縁空間部49bからなり、これら空間部分49a,49bが一体に連なっている。第1絶縁空間部49aは、フレーム部材22Lと、電極31の背部の絶縁部材43と、スペーサ70の第1側部71と、平スペーサ75の間に画成されている。第2絶縁空間部49bは、電極31の下面並びに電極31の下側の絶縁部材43及び吹出し路形成部材46と、導電部材50と、隣り合うスペーサ70,70の第2側部72,72の間に画成されている。
なお、図2及び図3に示すように、アース電極32の側(右側)の導電部材50の上面には、L形スペーサ70Xが、前後に間欠的に設けられ、これらL形スペーサ70Xどうしの間に空間部49が形成されている。平スペーサは設けられていない。また、アース側には、上記ネジ部材60,63より少し長めのネジ部材65が設けられている。ネジ部材65は、フレーム部材22R、L形スペーサ70X、及び背部絶縁部材43を貫通し、アース電極32にねじ込まれている。このネジ部材65によって電極32がL形スペーサ70と背部絶縁部材43を介してフレーム部材22Rに引き付けられ、位置固定されている。
上記のように構成された常圧プラズマ処理装置の作用を説明する。
プロセスガス源からのプロセスガスは、整流部10において前後長手方向に均一化された後、放電処理部20のガス導入路20aを経て、電極31,32間のプラズマ化空間30aに導入される。そして、電源から電極31への電圧印加によって空間30a内にパルス電界が形成されてグロー放電が起き、これによって、プロセスガスがプラズマ化される。このプラズマ化されたプロセスガスが、吹出し路46aを通って吹出し口50bから下方へ吹出され、基材Wに当てられる。これにより、洗浄等のプラズマ表面処理を行なうことができる。
プラズマ化空間30aの直近上方及び下方には、耐プラズマ性の部材42,46を配置することにより、変質や変形を防止できる。
電極31と基材Wの間には、接地された導電部材50が介在されることになるので、電極31から基材Wにアークが落ちるのを防止できるとともに、プラズマノズルヘッド1を基材Wに十分に近づけることができる。これによって、常圧下においてもプラズマを基材Wに確実に到達させることができる。ひいては、処理効率を確実に向上させることができる。また、電界が基材Wへ洩れるのを防止でき、基材Wが電界によって影響を受けることがないようにすることができる。
L形スペーサ70の第1側部71と平スペーサ75によって、ホット電極31とフレーム部材22Lを確実に離間できるとともに、電極31の背部に絶縁空間部49aを形成することができる。また、L形スペーサ70の第2側部72によって、電極31と導電部材50を確実に離間できるとともに、電極31の下部に絶縁空間部49bを形成することができる。これによって、電極31の絶縁性を高めることができる。
スペーサ70,75,70Xは、電極31,32の全長にわたる長尺状にするよりも製造が容易でコストダウンを図ることができるだけでなく、熱による変形度を十分に小さくすることができる。
電極31,32が発熱しても空間部49を介して容易に除熱するようにすることができる。
また、L形スペーサ70は、面積が小さいので、沿面放電を抑えることができ、エネルギ損失を小さくすることができる。
万が一、電極31,32とフレーム22L,22Rの間が何らかの原因で絶縁破壊した場合、ダメージを受けるのは専ら背部絶縁部材43であり、電極31,32にダメージが及ぶことはない。したがって、比較的安価な背部絶縁部材43だけを交換すれば済み、高価な長尺電極31,32を交換する必要は無く、メンテナンスコストを低廉化できる。
電極31は、引きネジ部材60によって電極32から遠ざかる方向へ引くことができ、押しネジ部材63によって電極32へ向けて押すことができる。これによって、電極31の歪みを矯正したり、プラズマ化空間30aの厚さを調節したりすることができる。また、引きネジ部材60によって、電極31がクーロン力や熱膨張差によって電極32の側へ接近するように歪むのを阻止することができ、押しネジ部材63によって、電極31が電極31から遠ざかるように歪むのを阻止することができる。これによって、プラズマ化空間30aの幅を前後全長にわたって一定にすることができ、プロセスガスを、前後長手方向に沿って確実に均一に吹出すことができる。ひいては、基材Wを確実に均一にプラズマ処理することができる。
これらネジ部材60,63の配置箇所にだけスペーサ70,75を配置することにより、ネジ部材60,63を確実に絶縁しつつ、絶縁空間49を十分確保することができる。
次に、本発明の他の実施形態を説明する。以下の実施形態において、上記第1実施形態と重複する構成に関しては、図面に同一符号を付して説明を省略する。
図6〜図8は、本発明の第2実施形態を示したものである。第2実施形態では、ホット電極31の背部絶縁部材がスペーサと一体形成されるとともに、長手方向に複数に分割されている。
詳述すると、ホット電極31とフレーム部材22L(図3等参照)の間には、図6に示すように、複数の絶縁ピース80が電極31の長手方向に並べられている。これら絶縁ピース80は、絶縁性の樹脂にて形成されている。図7及び図8に示すように、各絶縁ピース80は、短い板状の背部絶縁部81を有し、この背部絶縁部81の背面にスペーサ82が一体に凸設されている。各絶縁ピース80のスペーサ82は、前記第1実施形態のL字スペーサ70と実質的に同形状の断面L字状をなしている。絶縁ピース80のスペーサ82には、引きネジ部材60(図示省略)用のカラー収容孔82cが形成されたものと(図8(a)及び(b))、押しネジ部材63の座金64(図示省略)用の収容凹部82dが形成されたもの(図8(c)及び(d))との2種類がある。図面においては、引きネジ用の絶縁ピース80及びスペーサ82の符号の末尾に「A」を添え、押しネジ用の絶縁ピース80及びスペーサ82の符号の末尾に「B」を添えて示す。
絶縁ピース80ひいては背部絶縁部81の長さは、例えば20〜30cm程度である。この背部絶縁部81が、電極31の背面に宛がわれている。図6に示すように、隣り合う絶縁ピース80の背部絶縁部81どうしは、互いに突き当てられている。電極31の全長にわたる複数(数個〜十数個)の絶縁ピース80の背部絶縁部81が、一列に連なることによって「背部絶縁部材」が構成されている。言い換えると、背部絶縁部材が、長手方向に複数の背部絶縁部81に分割されている。
図7並びに図8(b)及び(d)に示すように、各背部絶縁部81の下端部は、前記第1実施形態の背部絶縁部材43と同様にL字状に折曲され、電極31の角部が載せられるようになっている。
また、各背部絶縁部81には、挿通孔81cが形成されている。この挿通孔81cに樹脂製のボルト(図示せず)を挿通して電極31にねじ込むようになっている。これにより、絶縁ピース80を電極31に固定するようになっている。図8(a)及び(b)に示すように、引きネジ部材用の絶縁ピース80Aの背部絶縁部81には、スペーサ82のカラー収容孔82cに連なる引きネジ部材挿通孔81dが形成されている。
なお、図示は省略するが、電極31の両端部のうち一方には、給電端子接続ポートを有する絶縁ピースが配置され、他方の端部には、電極31の温調路30c(図3参照)への温調管接続ポートを有する絶縁ピースが配置されるようになっている。
第2実施形態によれば、同一寸法の絶縁ピース80を数個〜十数個並べることにより、背部絶縁部材を電極31の背面の全長に行き渡らせることができる。長さの異なる電極31に対しても、絶縁ピース80の個数を調節することにより対応できる。これによって、電極31の長さにかかわらず絶縁ピース80の共通化を図ることができ、コストの削減を図ることができる。
また、スペーサ82が背部絶縁部81と一体になっているので、両者間に接触面が存在せず、組立精度を向上させることができる。
本発明は、上記実施形態に限定されず、種々の改変が可能である。
例えば、第1実施形態において、電極31の背部の絶縁部材43を省き、L形スペーサ70の第1側部71が、電極31に直接当たるとともに、L形スペーサ70の配置場所以外の部位では、電極31とフレーム部材22が絶縁空間49を介して対面するようになっていてもよい。
接地側については、スペーサ70Xや背部絶縁部材43や導電部材50が無くてもよく、電極32とフレーム部材22Rが直接接していたり、一体になっていたりしていてもよい。
第2実施形態において、相対的に長い(例えば80〜100cmの)絶縁ピースと、相対的に短い(例えば20〜30cm)絶縁ピース80とを用意し、主に長いほうの絶縁ピースを電極31の長手方向に数個並べ、この長いほうの絶縁ピースでは長さが余る部分を短いほうの絶縁ピースで埋めることにしてもよい。
本発明は、常圧下だけでなく、減圧下でのプラズマ処理にも適用でき、グロー放電だけでなく、コロナ放電や沿面放電によるプラズマ処理にも適用でき、洗浄、成膜、表面改質、エッチング、アッシング等の種々のプラズマ処理に遍く適用できる。
本発明の第1実施形態に係る常圧プラズマ処理装置の電極部分を示す側面図である。 上記電極部分の一部を示す斜視図である。 図1のIII-III線に沿う、上記常圧プラズマ処理装置の正面断面図である。 図1のIV-IV線に沿う、上記常圧プラズマ処理装置の正面断面図である。 図1のV-V線に沿う、上記常圧プラズマ処理装置の正面断面図である。 本発明の第2実施形態に係る常圧プラズマ処理装置の電極部分を示す側面図である。 図6の2種類の絶縁ピースを外側(フレーム部材の側)から見た斜視図である。 上記2種類の絶縁ピースを内側(電極の側)から見た斜視図である。 引きネジ部材用の絶縁ピースの平面断面図である。 図8(a)のB−B線に沿う、上記引きネジ部材用の絶縁ピースの縦断面図である。 押しネジ部材用の絶縁ピースの平面断面図である。 図8(c)のD−D線に沿う、上記押しネジ部材用の絶縁ピースの縦断面図である。
符号の説明
1 プラズマノズルヘッド
20 放電処理部
22L ホット電極の背部のフレーム部材
30a プラズマ化空間
31 ホット電極
43 背部絶縁部材
49 絶縁空間
49a 第1絶縁空間部
49b 第2絶縁空間部
50 導電部材
60 引きネジ部材
63 押しネジ部材
70 L形スペーサ
71 第1側部
72 第2側部
75 平スペーサ
80 絶縁ピース
80A 引きネジ部材用の絶縁ピース
80B 押しネジ部材用の絶縁ピース
81 背部絶縁部
82 スペーサ
82A 引きネジ用のスペーサ
82B 押しネジ用のスペーサ

Claims (5)

  1. プロセスガスをプラズマ化空間に通してプラズマ化し、基材が配置されるべき位置へ吹出すプラズマ処理装置において、
    電源に接続され、かつ前記プラズマ化空間から前記基材配置位置へ向かう吹出方向とは直交する長手方向に延び、前記吹出方向及び前記長手方向と直交する一方向の一側の面が、前記長手方向に延びかつ接地された他の電極と対向して前記プラズマ化空間を形成する1の電極と、
    前記1の電極のプラズマ化空間を形成する側とは前記一方向の逆側に設けられた金属製のフレーム部材と、
    前記1の電極と前記フレーム部材の間に介在されるとともに、前記長手方向に間欠的に配置された複数の絶縁性のスペーサと、
    を備え、前記スペーサの隣り合うものどうしの間には、前記1の電極と前記フレーム部材を絶縁する絶縁空間が形成されており、
    前記1の電極と前記基材配置位置との間に介在され、電気的に接地された導電部材を、更に備え、
    前記複数のスペーサの少なくとも一部が、前記1の電極と前記フレーム部材の間に介在される第1側部と、前記1の電極と導電部材の間に介在される第2側部を一体に有して、前記長手方向から見て大略L形をなすL形スペーサであり、
    前記1の電極と前記フレーム部材の間だけでなく前記1の電極と導電部材の間にも絶縁空間が形成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
  2. 前記1の電極と導電部材の間の開口には、これを塞ぐとともに前記プラズマ化空間に連なる吹出し路を形成する吹出し路形成部材が設けられており、前記L形スペーサの第2側部が、前記吹出し路より前記一方向の前記逆側に引っ込み、前記吹出し路形成部材が、前記L形スペーサの第2側部の前記一方向の前記一側に被さっていることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
  3. 前記スペーサと同じ長手方向位置には、前記フレーム部材に係着されて前記1の電極を押し又は引き可能なネジ部材が配置されていることを特徴とする請求項1又は2に記載のプラズマ処理装置。
  4. プロセスガスをプラズマ化空間に通してプラズマ化し、基材が配置されるべき位置へ吹出すプラズマ処理装置において、
    電源に接続され、かつ前記プラズマ化空間から前記基材配置位置へ向かう吹出方向とは直交する長手方向に延び、前記吹出方向及び前記長手方向と直交する一方向の一側の面が、前記長手方向に延びかつ接地された他の電極と対向して前記プラズマ化空間を形成する1の電極と、
    前記1の電極のプラズマ化空間を形成する側とは前記一方向の逆側に設けられた金属製のフレーム部材と、
    前記1の電極と前記フレーム部材の間に介在されるとともに、前記長手方向に間欠的に配置された複数の絶縁性のスペーサと、
    を備え、前記スペーサの隣り合うものどうしの間には、前記1の電極と前記フレーム部材を絶縁する絶縁空間が形成されており、前記1の電極の前記逆側を向く背面に、前記1の電極の前記長手方向の略全長にわたって延びる絶縁性の背部絶縁部材を宛がい、この背部絶縁部材と前記フレーム部材の間に前記スペーサを挟み、これら背部絶縁部材とフレーム部材とスペーサによって前記絶縁空間が画成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
  5. 前記1の電極と前記フレーム部材との間に、複数の絶縁材料からなる絶縁ピースが前記長手方向に並べられており、各絶縁ピースが、前記1の電極の背面に宛がわれる背部絶縁部と、この背部絶縁部の背面に凸設された前記スペーサとを一体に含み、複数の絶縁ピースの背部絶縁部が連なることにより前記背部絶縁部材が構成されていることを特徴とする請求項4に記載のプラズマ処理装置。
JP2004344779A 2004-07-06 2004-11-29 プラズマ処理装置 Expired - Fee Related JP4541114B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004344779A JP4541114B2 (ja) 2004-07-06 2004-11-29 プラズマ処理装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004198777 2004-07-06
JP2004344779A JP4541114B2 (ja) 2004-07-06 2004-11-29 プラズマ処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006049262A JP2006049262A (ja) 2006-02-16
JP4541114B2 true JP4541114B2 (ja) 2010-09-08

Family

ID=36027547

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004344779A Expired - Fee Related JP4541114B2 (ja) 2004-07-06 2004-11-29 プラズマ処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4541114B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4871028B2 (ja) * 2006-05-30 2012-02-08 積水化学工業株式会社 プラズマ処理装置
CN105208761B (zh) * 2015-09-11 2018-04-10 大连民族大学 一种自带均流系统的均匀大气压微等离子放电装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01163328U (ja) * 1988-04-30 1989-11-14
JPH0577259U (ja) * 1992-03-31 1993-10-22 株式会社島津製作所 真空成膜装置
JPH09246705A (ja) * 1996-03-12 1997-09-19 Seiko Epson Corp 電子部品、その実装方法、及び電子デバイス
JP2001237220A (ja) * 2000-02-21 2001-08-31 Seiko Epson Corp 局所処理装置
JP2003100646A (ja) * 2001-09-27 2003-04-04 Sekisui Chem Co Ltd 放電プラズマ処理装置
JP2004111385A (ja) * 2002-08-30 2004-04-08 Sekisui Chem Co Ltd プラズマ処理装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01163328U (ja) * 1988-04-30 1989-11-14
JPH0577259U (ja) * 1992-03-31 1993-10-22 株式会社島津製作所 真空成膜装置
JPH09246705A (ja) * 1996-03-12 1997-09-19 Seiko Epson Corp 電子部品、その実装方法、及び電子デバイス
JP2001237220A (ja) * 2000-02-21 2001-08-31 Seiko Epson Corp 局所処理装置
JP2003100646A (ja) * 2001-09-27 2003-04-04 Sekisui Chem Co Ltd 放電プラズマ処理装置
JP2004111385A (ja) * 2002-08-30 2004-04-08 Sekisui Chem Co Ltd プラズマ処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2006049262A (ja) 2006-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101087445B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
US20090044909A1 (en) Plasma processing apparatus
CN113179676A (zh) 活性气体生成装置
US20070002515A1 (en) Plasma processing apparatus and method for manufacturing thereof
KR20040062955A (ko) 플라즈마 처리 장치
JP5725993B2 (ja) 表面処理装置
JP4541114B2 (ja) プラズマ処理装置
KR101254342B1 (ko) 플라즈마 발생 장치
JP2005302681A (ja) プラズマ処理装置
KR101206975B1 (ko) 플라즈마를 발생시키는 샤워헤드를 구비한 반도체공정장치
JP4714557B2 (ja) プラズマ処理装置
JP4861387B2 (ja) プラズマ処理装置
JP4331117B2 (ja) プラズマ処理装置の電極構造
JP3853803B2 (ja) プラズマ処理装置およびその製造方法
JP3686662B1 (ja) プラズマ処理装置
JP2934852B1 (ja) プラズマ処理装置
JP4942360B2 (ja) プラズマ処理装置の電極構造
JP4871028B2 (ja) プラズマ処理装置
JP2008257920A (ja) プラズマ処理装置
JP4564874B2 (ja) プラズマ処理装置
JP4002958B2 (ja) ニュートラライザ
JP3984609B2 (ja) プラズマ処理装置の電極構造
JP2008235161A (ja) プラズマ処理装置
KR20070007621A (ko) 이온 주입 설비의 이온 소스부
JP2000208091A (ja) イオン注入装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070615

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20091120

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091208

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100115

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100302

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100416

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100601

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100623

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130702

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees