JP2005251719A - プラズマ処理装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
プラズマ処理装置Mは、電極31,32間のプラズマ化空間30aに通した処理ガスを下方(空間30aの外部)に配置したワークWへ吹出す。電極31の下面(ワークWへの対面側)には絶縁部材40が設けられ、絶縁部材40の下方には、間隙40bを介して導電部材42が電気的に接地された状態で設けられている。絶縁部材40の誘電率と厚さは、間隙40bにかかる電圧が火花電圧より小さくなるように設定されている。
【選択図】 図1
Description
リモート式のプラズマ処理装置として、例えば特許文献1に記載のものは、電源に接続された電圧印加電極と、この電極と対向するとともに接地された接地電極とを有し、これら電極どうし間にプラズマ化空間(プラズマ発生空間)が形成されるようになっている。このプラズマ化空間に処理ガスを導入してプラズマ化し、下方のワークへ向けて吹出す。これによって、ワークのプラズマ表面処理を行なうことができる。
図1は、本発明に係るプラズマ処理装置Mの概略構成を示したものである。
プラズマ処理装置Mは、互いに対向する一対の電極31,32を有している。一方の電圧印加電極31には、電圧印加手段としての電源3が接続され、他方の接地電極32は接地されている。これら電極31,32の間にプラズマ発生空間30aが形成されている。プラズマ発生空間30aには、電源3によって電界が印加されてグロー放電が起きる。そこに処理ガス源2からの処理ガスが導入されてプラズマ化される。このプラズマ化された処理ガスが後記吹出し口40bから下方のワークWすなわち被処理物に吹付けられる。これによって、ワークWの表面処理がなされるようになっている。なお、本実施形態の処理は、常圧下で実行されるようになっている。
なお、導電部材51は、一対の電極31,32のうち少なくとも電圧印加電極31の下側に設けられていればよい。
Vx=εAεBVppd/2(εAtB+εBtA+εAεBd) (式1)
ここで、d:間隙40bの厚さすなわち絶縁部材40と導電部材51の間の離間距離
Vpp:電極31のピーク間電圧
εA:固体誘電体33の比誘電率
εB:絶縁部材40の比誘電率
tA:固体誘電体33の電極下側部分の厚さ
tB:絶縁部材40の厚さ
なお、間隙40bすなわち空気の比誘電率は、「1」としてある。
固体誘電体33の電極下側部分の厚さtAは、プラズマ発生空間30a側部分の厚さと等しくなっている。この固体誘電体33の比誘電率εA(すなわち材質)と厚さtAは、良好なグロー放電を維持できるように設定されている。
Vxo>Vx=εAεBVppd/2(εAtB+εBtA+εAεBd) (式2)
が満たされるように設定されている。
これによって、間隙40bでアークが形成されるのを防止できる。よって、絶縁部材40が焦げてパーティクルが発生するのを防止でき、その結果、処理品質を確保することができ、歩留まりを向上させることができる。
Vxo=2.405δd(1+0.328(δd/10)−1/2) (式3)
〔文献:電気学会大学講座 電離気体論 P.116(オーム社刊)より〕
式3において、火花電圧Vxoの単位は「kV」であり、間隙40bの厚さdの単位は、「mm」である(式5において同様)。δは、相対空気密度であり、間隙40b内の温度をT〔℃〕、圧力をP〔mmHg〕とすると、
δ=0.386P/(273+T) (式4)
である。例えば、20℃、760mmHgでは、δ=1.00122867である。このときの式3すなわち間隙40bの厚さdに対する火花電圧Vxo(文献値)をグラフ化すると、図3の一点鎖線のようになる。
Vxo=8.65d/(1.52d+1) (式5)
この式5は、間隙40bの厚さdに対し、火花が起きるいわば最低レベルの火花電圧Vxoを表したものである。式5をグラフにすると、図3の破線のようになる。当然ながら、この破線は、文献式3の一点鎖線より下に位置している。
固体誘電体33の材質:アルミナ(εA=7.5) 厚さ:tA=0.5mm
絶縁部材40の材質:アルカリガラス(εB=7.0) 厚さ:tB=6.2mm
ピーク間電圧:Vpp=13kV
図4〜図6に示すように、該具体態様に係るプラズマ処理装置M1は、ワーク送り機構4と、この送り機構4上に位置するようにして架台(図示せず)に支持されたプラズマノズルヘッド1と、このノズルヘッド1に接続された処理ガス源2と、電源3を備えている。
ノズルヘッド1は、上側のガス整流部10と、下側の放電処理部20を備え、図5の紙面と直交する前後方向に長く延びている。
図5及び図6に示すように、放電処理部20は、左右一対の電極31,32からなる電極構造30と、この電極構造30を保持するホルダ21とを有している。
絶縁部材40の上面には、凸条40cが図5の紙面と直交する前後長手方向に延びるようにして形成されている。この凸条40cが、アングルホルダ24の下端面に形成された凹溝24bに嵌め込まれている。
絶縁部材40の左右幅方向の中央部に導出路40a(吹出し路)が形成されている。導出路40aは、スリット状をなして図3の紙面と直交する前後方向に細長く延び、プラズマ化空間30aの下流に連なっている。絶縁部材40において導出路40aの左右両側の内端面すなわち導出路形成面は、電極31,32の対向面すなわちプラズマ化空間形成面よりそれぞれ左右外側に僅かに引込んでいる。これによって、導出路40aは、プラズマ化空間30aより幅広すなわち流路断面積が大きくなっている。
なお、絶縁部材40を、一体モノに代えて左右一対の板部材によって構成し、これら板部材どうしの間に導出路40aを形成してもよい。同様に、導電部材51を、一体モノに代えて左右一対の板部材によって構成し、これら板部材どうしの間に吹出し口50aを形成してもよい。
導電部材51の下方に、ワークWが配置されるようになっている。これによって、ワークWへのアークを防止しつつ、ノズルヘッド10をワークWに近づけることができ、常圧下においてもプラズマをワークWに確実に到達させることができる。
図7に示すように、電極31,32と導電部材51との間には、絶縁部材40が無くてもよい。すなわち、電極31,32と導電部材51は、所定の距離dだけ離れ、両者の間に間隙40bが形成されている。詳細には、電界印加電極31の下面に、厚さ:tA、比誘電率:εBの固体誘電体33が被膜されており、この固体誘電体33の下面と導電部材51の上面とによって間隙40bが画成されている。間隙40b内は、空気で満たされている。空気は、良好な絶縁耐力を有する絶縁体となる。これにより、間隙すなわち気体層(空気層)40bは、電極31と導電部材51を絶縁する絶縁手段を構成している。なお、図7において、固体誘電体33は、電界印加電極31の対向面と下面にのみ被膜され、接地電極32には被膜されていないが、図1と同様に、両電極31,32に被膜することにしてもよい。
Vxo>Vx=εAVppd/2(tA+εAd) (式6)
式6は、上記式2において、εB=1、tB=0と置いたものである。基準となる火花電圧Vxoは、式3の文献値(図3の一点鎖線)よりも、式5の最小レベル実験値(同図の破線)を用いるのが望ましい。これによって、気体層40bでアークが発生するのを防止できる。また、図3の実線と同様に、Vxがdの値に拘わらずVxoを下回るようにすることにより、気体層40bの厚さdが何らかの原因で変動したとしても、アーク発生を確実に防止することができる。なお、dが本来の値を含む一定の範囲内において、Vxo>Vxが満たされていれば十分である。
すなわち、最小レベル実験値の式5より、
Vpp≦8.65d/(1.52d+1) (式7)
が満たされるように、使用電圧Vppに対し気体層40bの厚さdを設定する。これによって、気体層40bでアークが発生するのを防止できる。
第1面取り部40rは、第2面取り部40sより大きい。すなわち、第1面取り部40rの曲率半径Rが、第2面取り部40sのものより大きい。これによって、絶縁部材40の上面と導出路形成面とのなす角の欠損、ひいてはパーティクルの発生をより確実に防止できる。
なお、第1、第2面取り部を、R面取りに代えて、角面取りにて形成することにしてもよい。
例えば、導電部材としての導電部材51は、少なくとも電圧印加電極31に対して設けられていればよく、接地電極32に対しては設けられていなくてもよい。
絶縁部材40は、少なくとも電圧印加電極31と導電部材51の間に設けられていればよく、接地電極32と導電部材51の間には設けられていなくてもよい。
最低レベルの火花電圧Vxo(式5)に代えて、平均の火花電圧Vx(文献式3)を基準にして、絶縁部材40の比誘電率εBと厚さtBを定めることにしてもよい。
電極31,32の対向面や下面に設けられる固体誘電体33は、溶射膜に代えて、電極31,32の金属本体とは別体の誘電体の薄板にて構成してもよい。
本発明は、常圧下だけでなく、減圧下でのプラズマ処理にも適用でき、グロー放電だけでなく、コロナ放電等の他の放電を利用したプラズマ処理にも適用できる。また、洗浄、エッチング、成膜、表面改質、アッシング等の種々のプラズマ処理に遍く適用できる。
W ワーク
30a プラズマ化空間
31 電圧印加電極
32 接地電極
33 固体誘電体
40a 導出路
40b 間隙、気体層
40 絶縁部材
40r,40s 面取り部
51 導電部材
50a 吹出し口
Claims (13)
- プラズマ化空間に通した処理ガスをプラズマ化空間の外部に配置したワークへ吹出し、ワークの表面処理を行なう装置であって、
前記プラズマ化空間を形成するための電極と、
電気的に接地された状態で、前記電極のワークを向くべき側を遮るように設けられた導電部材と、
前記電極と導電部材の間に介在された絶縁体からなる絶縁部材と、を備え、
前記絶縁部材が、当該絶縁部材と導電部材との間が火花電圧に達しない程度の誘電率と厚さを有していることを特徴とするプラズマ処理装置。 - プラズマ化空間に通した処理ガスをプラズマ化空間の外部に配置したワークへ吹出し、ワークの表面処理を行なう装置であって、
前記プラズマ化空間を形成するための電極と、
電気的に接地された状態で、前記電極のワークを向くべき側を遮るように設けられた導電部材と、
前記電極と導電部材の間に介在された絶縁体からなる絶縁部材と、を備え、
前記絶縁部材と導電部材の間に間隙が形成され、前記間隙にかかる電圧が火花電圧より小さくなるように、前記絶縁部材の誘電率と厚さが設定されていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記電極のプラズマ化空間形成面とワークを向くべき側の面に固体誘電体が設けられ、ワーク側の固体誘電体に前記絶縁部材が重ねられていることを特徴とする請求項1または2に記載のプラズマ処理装置。
- プラズマ化空間に通した処理ガスをプラズマ化空間の外部に配置したワークへ吹出し、ワークの表面処理を行なう装置であって、
前記プラズマ化空間を形成するための電極と、
電気的に接地された状態で、前記電極のワークを向くべき側を遮るように設けられた導電部材と、を備え、
前記電極と導電部材の間に絶縁体として気体層が形成され、この気体層の厚さが、前記電極と導電部材の間にかかる電圧が火花電圧より小さくなるように設定されていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記電極のプラズマ化空間形成面とワークを向くべき側の面に固体誘電体が設けられ、ワーク側の固体誘電体と前記導電部材とによって前記気体層が画成され、この気体層の厚さが、前記ワーク側の固体誘電体と導電部材の間にかかる電圧が火花電圧より小さくなるように設定されていることを特徴とする請求項4に記載のプラズマ処理装置。
- 前記導電部材が、前記絶縁体を向く面と、前記プラズマ化空間に連なる吹出し口を形成する縁面と、ワークを向くべき面とを有し、前記絶縁体を向く面と吹出し口縁面とのなす角と、吹出し口縁面とワークを向くべき面とのなす角のうち、少なくとも前者が、面取りされていることを特徴とする請求項1〜5の何れかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記導電部材が、前記絶縁体を向く面と、前記プラズマ化空間に連なる吹出し口を形成する縁面と、ワークを向くべき面とを有し、前記吹出し口縁面が、絶縁体を向く面とワークを向くべき面にそれぞれ向かって丸みを付けられていることを特徴とする請求項1〜5の何れかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記絶縁部材が、前記電極を向く面と、前記プラズマ化空間に連なる処理ガス導出路を形成する面と、前記導電部材を向く面とを有し、前記電極を向く面と導出路形成面とのなす角と、導出路形成面と導電部材を向く面とのなす角のうち、少なくとも前者が、面取りされていることを特徴とする請求項請求項1〜3の何れかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記絶縁部材が、前記電極を向く面と、前記プラズマ化空間に連なる処理ガス導出路を形成する面と、前記導電部材を向く面とを有し、前記電極を向く面と導出路形成面とのなす角と、導出路形成面と導電部材を向く面とのなす角が、それぞれ面取りされ、しかも、前者が、後者より大きく面取りされていることを特徴とする請求項請求項1〜3の何れかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記絶縁部材と導電部材の間の離間距離すなわちこれら部材間の間隙の厚さに拘わらず、これら部材間にかかる電圧が火花電圧より小さくなるように、前記絶縁部材の誘電率と厚さの設定を行なうことを特徴とする請求項1〜3、8、9の何れかに記載のプラズマ処理装置の製造方法。
- 前記火花電圧の測定実験を行ない、平均より低いレベルで火花が起きた測定データに基づいて、前記絶縁部材と導電部材の間の離間距離すなわちこれら部材間の間隙の厚さに対する火花電圧の関係を求めることを特徴とする請求項1〜3、8、9の何れかに記載のプラズマ処理装置の製造方法。
- 前記電極と導電部材の間の離間距離に拘わらず、前記ワーク側の固体誘電体と導電部材間にかかる電圧が火花電圧より小さくなるように、前記気体層の厚さを設定することを特徴とする請求項5に記載のプラズマ処理装置の製造方法。
- 前記火花電圧の測定実験を行ない、平均より低いレベルで火花が起きた測定データに基づいて、前記気体層の厚さに対する火花電圧の関係を求めることを特徴とする請求項4又は5に記載のプラズマ処理装置の製造方法。
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