JP4817407B2 - プラズマ発生装置及びプラズマ発生方法 - Google Patents

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本発明は、プラズマ発生装置及びプラズマ発生方法に係り、特に、低温プラズマを発生するプラズマ発生装置及びプラズマ発生方法に関するものである。
上述した低温プラズマは、ガス温度と電子温度が大きく異なる高い非熱平衡性を有し、プラズマ中のイオンや不安定分子といった活性化学種の生成・励起・化学反応を、低温でかつ高効率で行うことが可能であり、化学、バイオ、電子分野に渡って広く用いられている。従来、上述したプラズマ発生装置の多くは、低圧の希ガス中で放電を行って、プラズマを発生している。これは、大気圧付近では放電がアーク放電に移行しやすく、均一な低温プラズマの発生が難しいからである。
従って、このようなプラズマ発生装置では、低圧を作り出すための真空排気システムを必要とし、これによって装置が大がかり、かつ、複雑なものとなり、コストが高くなる。また、使用できる条件も大きく制約されてしまうという欠点がある。
また、電子デバイスの生産技術等における多くの分野で、上述した低温プラズマによる材料プロセシング技術が用いられており、今後も益々その重要性は高まると予想されている。このような電子デバイスは、近年、益々複雑化が進んでおり、トーチ状(ジェット状)のプラズマの発生が要求されている。
そこで、従来では、特許文献1に記載されたような大気圧吹き出し型プラズマ反応装置が提案されている。この大気圧吹き出し型プラズマ反応装置は、金属筒電極内に大希釈した希ガスを導入し、吹出口により吹き出すと同時に、上記金属筒電極−この金属筒電極の吹出口直下に配置された平板電極間に高圧を印加して金属筒電極の吹出口−平板電極間に放電を発生させて、金属筒電極の吹出口からジェット状の大気圧グロープラズマを発生させる大気圧吹き出し型プラズマ反応装置が記載されている。
しかしながら、上述したプラズマ反応装置は、金属筒電極の吹出口−平板電極管に放電を発生させているため、金属筒電極の中心軸に近いほど放電が弱く、局所放電が起こりやすい電極配置である。従って、均一なプラズマを制御して安定に発生するには、高価な特殊電源を用いて、金属筒電極の吹出口で均一な放電を発生させる必要があった。
この他に、高周波(MHz以上)を発生できる電源を使って大気圧雰囲気で空間に均一なプラズマを発生させる方法も知られているが、大電力が必要であることからエネルギー効率が低く、プラズマの温度も高いという問題がある。
特開平6−108257号公報
そこで、本発明は、上記のような問題点に着目し、安価に、均一な低温プラズマを発生することができるプラズマ発生装置及びプラズマ発生方法を提供することを課題とする。
上記課題を解決するためになされた請求項1記載の発明は、軸方向の両側に開口が設けられた管状に構成され、前記軸方向の一方側の開口から気体が内部に導入され、当該導入された気体が軸方向の他方側に向かって吹き流され当該軸方向他方側の開口である吹出口からプラズマが噴出される誘電体管と、第1金属管電極であって、前記誘電体管の内側面に当該第1金属管電極の外側面が接するように設けられ、当該第1金属管電極の内部に前記気体が流れる管状の第1金属管電極と、第2金属管電極であって、前記誘電体管の外側面に当該第2金属管電極の内側面全体が接するように設けられ、かつ、前記第1金属管電極に対して軸方向に離間して配置された管状の第2金属管電極と、前記第1金属管電極−前記第2金属管電極間に電圧を印加するための電圧源とを備えたことを特徴とするプラズマ発生装置に存する。
請求項2記載の発明は、軸方向の両側に開口が設けられた管状に構成された誘電体管の内側面に管状に構成された第1金属管電極の外側面が接するように設けられ、当該第1金属管電極の内部に前記気体が流れ前記誘電体管の外側面に管状に構成された第2金属管電極の内側面全体が接するように設けられ、当該第2金属管電極は前記第1金属管電極に対して軸方向に離間して配置され、前記第1金属管電極と前記第2金属管電極間に電圧を印加し、前記誘電体管の軸方向の一方側の開口から気体を導入して、当該導入した気体を軸方向の他方側に向かって吹き流し前記軸方向他方側の開口である吹出口からプラズマを噴出させることを特徴とするプラズマ発生方法に存する。
請求項1及び2記載の発明によれば、第1金属管電極−第2金属管電極間に電圧を印加すると、誘電体管の内側面に誘電体バリア放電が発生する。同時に誘電体管内に気体を導入して、放電部分に気体を流すと、気体は誘電体バリア放電により発生した高エネルギー粒子を吹き流す。その後、気体中の原子や分子と高エネルギー粒子と衝突が起こり、気体が空間に均一な低温プラズマとなった状態で誘電体管の吹出口からトーチ状に放出される。従って、プラズマの吹出口で放電を発生させず、誘電体管の内側面で放電を発生させて、この放電により生成された高エネルギー粒子を気体で吹き流して、吹出口から放出しているため、放電自体が均一である必要はなく、高価な特殊電源を用いなくても均一な低温プラズマを吹出口から放出することができる。
以上説明したように請求項1及び2記載の発明によれば、プラズマの吹出口で放電を発生させず、誘電体管の内側面で放電を発生させて、この放電により生成された高エネルギー粒子を気体で吹き流して、吹出口から放出しているため、放電自体が均一である必要はなく、高価な特殊電源を用いなくても均一な低温プラズマを吹出口から放出することができるので、安価に、均一な低温プラズマを発生することができる。
本発明のプラズマ発生装置及びプラズマ発生方法について、図面を参照して以下説明する。図1(a)は本発明のプラズマ発生方法を実施したプラズマ発生装置の一実施の形態を示す断面図であり、図1(b)は図1に示すプラズマ発生装置のA−A線断面図である。同図に示すように、プラズマ発生装置は、内部に希ガス(=気体)が流される誘電体管11と、この誘電体管11の内側面に接するように設けられた金属管電極12(=第1金属管電極)と、この誘電体管11の外側面に接するように設けられた金属管電極13(=第2金属管電極)とを備えている。同図(a)に示すように、上述した金属管電極12、13は誘電体管11の軸方向に互いに離間するように各々配置されている。この配置により、金属管電極12全体と金属管電極13全体とが重ならないように設けられる。
また、金属管電極12は高電圧発生電源14(=電圧源)が接続されており、金属管電極13は接地されている。これにより、高電圧発生電源14が電圧を印加すると、金属管電極12−金属管電極13間に電圧が印加される。誘電体管11は、金属管電極12を介して導入された希ガス15を内部に流して、吹出口11aから吹き出すようになっている。さらに、図2に示すように、金属管電極12には、ガスボンベ16からの希ガス15が流量調整器17を介して導入されるようになっている。この流量調整器17により誘電体管11内に流れる希ガス15の流量を調整することができる。なお、図2中、引用符号18は、金属管電極12−金属管電極13間に対する印加電圧、放電電流を測定するための測定装置であり、詳しくは後述する。
上述した構成のプラズマ発生装置の動作について以下説明する。まず初めに、高電圧発生電源14を動作させて、金属管電極12−金属管電極13間に電圧を印加すると、誘電体管11の内側面で誘電体バリア放電Dが発生する。誘電体バリア放電Dは、放電空間を誘電体で囲み、放電空間に電極をさらさない構成で放電空間に発生した放電であり、このため、大気中であってもアーク放電への移行が遮断でき、大気中でプラズマを発生させるのに適した放電である。
次に、誘電体バリア放電Dが発生している状態で、希ガス15を誘電体管11内部に希ガス15を流す。これにより、誘電体バリア放電Dが発生している放電部分にも希ガス15が流れ、希ガス15は放電部分で発生した高エネルギー粒子を吹出口11aに向かって吹き流す。高エネルギー粒子は、希ガス15によって吹き流されている間に、希ガス15中に含まれる分子や原子と衝突して、希ガス15中に含まれる分子や原子を電離させる。これにより、希ガス15は空間に均一な低温プラズマPとなった状態で誘電体管11の吹出口11aから放出される。
従来のようにプラズマの吹出口11aで放電を発生させず、誘電体管11の内側面で放電を発生させて、この放電により生成された高エネルギー粒子を希ガス15で吹き流して、吹出口11aから放出しているため、空間に均一な誘電体バリア放電Dを誘電体管11の内側面で発生させる必要がなく、高価な特殊電源を用いなくても均一な低温プラズマPを吹出口11aから放出することができる。
次に、上述したプラズマ発生装置から発生されるプラズマの発光及び印加電圧波形、放電電流波形を観測し評価を行った。まず、高電圧発生電源14として、定格周波数9kHz、出力最大電圧10kV、出力最大電流30mAの交流電源を使用し、金属管電極12−金属管電極13間には、一定の電圧6kVを印加した。また、希ガス15としてはヘリウムを使用した。その結果として、気体の流量は発光状態から1分間に2リットル〜4リットル程度が最適であった。その時の最大放電電流は15mA程度であった。誘電体バリア放電Dは、電極に印加した電圧により誘電体内側面に誘起する放電である。ここで発生するプラズマ発光は局所的に高い輝度が認識され、均一でないことが認められた。
しかしながら、吹出口11aから吹き出されたプラズマ発光は、トーチ形状の空間的に均一性の高いものであった。同時に、吹出口11aより吹き出されたプラズマPの温度の測定を行った。温度の測定は、吹出口11aの開口部よりわずか下流の中心軸上に温度計の先端を置くことにより行った。その結果、プラズマの温度は34°Cであった。また、同一位置に温度計の先端を置き、金属管電極12−金属管電極13間に電圧を印加しない状態で、希ガス15を流した場合の温度は25°Cであった。従って、吹出口11aから吹き出されたプラズマPは、希ガス15の元の温度より9°C上昇したのみであり、低温プラズマであると判定された。
観測された印加電圧・放電電流波形を図3に示す。この波形は測定装置18を用いて測定した。測定装置18は、金属管電極12−金属管電極13間の電圧を分圧する分圧器18aと、金属管電圧12、金属管電極13と直列に接続された電流波形計測用抵抗18bと、分圧器18aからの分圧及び電流波形計測用抵抗18bの両端電圧が供給されるオシロスコープ18cとから構成されている。
この波形の特徴と考えられる電圧立ち上がりに掛けて出力される単一の電流パルスは、無気流He(ヘリウム)ガス雰囲気で起こした大気圧グロー放電において広く知られている電圧・電流波形と特徴とが良く一致している。この点からも、本発明により吹出口11aからでたプラズマPは空間に均一な低温プラズマであると判定された。
なお、上述した実施形態では、高電圧発生電源14として交流電源を使用していた。しかしながら、高電圧発生電源14として直流電源を使用しても良い。直流電源を使用した場合に、上述したプラズマ発生装置から発生されるプラズマの発光及び印加電圧波形、放電電流波形を観測し評価を行った。高電圧発生電源14として、最大出力電圧30kV、最大出力電流10mAである直流電源を使用した。上述した交流電源との違いは電圧脈動成分の有無である。また、希ガスとしてヘリウムを使用し、気体の流量は1分間に2リットル〜4リットルとした。そして、電極間に15kV以上の電圧を加えた場合も、同様に吹き出し口11aから空間に均一な低温プラズマが確認できた。
なお、上述した誘電体管11内部に流す気体としては、例えば、ペニング効果を期待できる2種類の気体を混合したものであってもよい。例えばHeとHeの励起エネルギーより低い電離エネルギーのガスXとの混合ガスを流した場合、Heが高エネルギー粒子と衝突して励起され準安定励起状態He*になると、次にガスXと衝突してガスX分子を電離する(ペニング効果)。このため、ガスX分子の電離を促進することができる。
(a)は本発明のプラズマ発生方法を実施したプラズマ発生装置の一実施の形態を示す断面図であり、(b)は図1に示すプラズマ発生装置のA−A線断面図である。 図1に示すプラズマ発生装置内の誘電体管11内に希ガス15を供給する装置と、金属管電極12、13間に対する印加電圧、放電電流波形を観測するための測定装置18とを示す図である。 図2に示す測定装置で測定した金属管電極12、13間に対する印加電圧、放電電流波形を示すタイムチャートである。
符号の説明
11 誘電体管
12 金属管電極(第1金属管電極)
13 金属管電極(第2金属管電極)
14 高電圧発生電源(電圧源)

Claims (2)

  1. 軸方向の両側に開口が設けられた管状に構成され、前記軸方向の一方側の開口から気体が内部に導入され、当該導入された気体が軸方向の他方側に向かって吹き流され当該軸方向他方側の開口である吹出口からプラズマが噴出される誘電体管と、
    第1金属管電極であって、前記誘電体管の内側面に当該第1金属管電極の外側面が接するように設けられ、当該第1金属管電極の内部に前記気体が流れる管状の第1金属管電極と、
    第2金属管電極であって、前記誘電体管の外側面に当該第2金属管電極の内側面全体が接するように設けられ、かつ、前記第1金属管電極に対して軸方向に離間して配置された管状の第2金属管電極と、
    前記第1金属管電極−前記第2金属管電極間に電圧を印加するための電圧源とを備えたことを特徴とするプラズマ発生装置。
  2. 軸方向の両側に開口が設けられた管状に構成された誘電体管の内側面に管状に構成された第1金属管電極の外側面が接するように設けられ、当該第1金属管電極の内部に前記気体が流れ前記誘電体管の外側面に管状に構成された第2金属管電極の内側面全体が接するように設けられ、当該第2金属管電極は前記第1金属管電極に対して軸方向に離間して配置され、前記第1金属管電極と前記第2金属管電極間に電圧を印加し、
    前記誘電体管の軸方向の一方側の開口から気体を導入して、当該導入した気体を軸方向の他方側に向かって吹き流し前記軸方向他方側の開口である吹出口からプラズマを噴出させることを特徴とするプラズマ発生方法。
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008094009A1 (en) * 2007-02-02 2008-08-07 Bang Kwon Kang Apparatus for uniformly generating atmospheric pressure plasma
US10039927B2 (en) 2007-04-23 2018-08-07 Plasmology4, Inc. Cold plasma treatment devices and associated methods
JP2009054359A (ja) * 2007-08-24 2009-03-12 Tohoku Univ プラズマ発生装置およびプラズマ発生方法
JP5581477B2 (ja) * 2009-12-28 2014-09-03 国立大学法人東京工業大学 プラズマを用いたサンプリング法およびサンプリング装置
KR20140002783A (ko) * 2011-03-29 2014-01-08 오브쉬체스트보 에스 오가니첸노이 오트베트스트벤노스트유 ?플라즈마-프로? 미생물, 유기적 및 화학적 물질로 오염된 물을 정화하기 위한 장치
CN102307426A (zh) * 2011-06-24 2012-01-04 北京大学 一种等离子体发生装置
WO2013040454A1 (en) * 2011-09-15 2013-03-21 Cold Plasma Medical Technologies, Inc. Cold plasma treatment devices and associated methods
JP6210615B2 (ja) * 2011-11-22 2017-10-11 学校法人日本大学 同軸型dbdプラズマアクチュエータを用いた噴流制御装置
CN102625557A (zh) * 2012-03-30 2012-08-01 大连理工大学 大气压裸电极冷等离子体射流发生装置
US9533909B2 (en) 2014-03-31 2017-01-03 Corning Incorporated Methods and apparatus for material processing using atmospheric thermal plasma reactor
US20160200618A1 (en) 2015-01-08 2016-07-14 Corning Incorporated Method and apparatus for adding thermal energy to a glass melt
CN105792495B (zh) * 2016-05-03 2018-11-06 河北大学 一种产生大气压均匀等离子体刷的装置和方法
CN106658931A (zh) * 2016-10-19 2017-05-10 南京航空航天大学 一种便捷式大气压常温等离子体射流产生装置
CN107105566A (zh) * 2017-05-19 2017-08-29 哈尔滨理工大学 管‑环式电极大气压沿面介质阻挡放电射流源装置
CN108844927B (zh) * 2018-04-20 2020-02-14 中国地质大学(武汉) 一种样品引入系统及其原子荧光光谱仪
JP2022550844A (ja) * 2019-10-04 2022-12-05 ライプニッツ-インスティトゥート ファー プラズマフォルシュング ウント テクノロジー イー ヴイ プラズマジェット機器構成を作動するためのシステム及びその方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3413661B2 (ja) * 1991-08-20 2003-06-03 株式会社ブリヂストン 表面処理方法及びその装置
JP2003027210A (ja) * 1994-07-04 2003-01-29 Seiko Epson Corp 表面処理方法及び表示装置の製造方法
DE29919142U1 (de) * 1999-10-30 2001-03-08 Agrodyn Hochspannungstechnik G Plasmadüse
JP2003109799A (ja) * 2001-09-27 2003-04-11 Sakamoto Fujio プラズマ処理装置
JP4098596B2 (ja) * 2002-10-18 2008-06-11 株式会社熊谷組 破砕装置用電極、破砕装置および破砕方法
JP3762375B2 (ja) * 2003-02-21 2006-04-05 ヤマト科学株式会社 プラズマ滅菌装置
JP2005276618A (ja) * 2004-03-24 2005-10-06 Japan Science & Technology Agency マイクロプラズマ生成装置および方法
JP4476685B2 (ja) * 2004-05-07 2010-06-09 株式会社東芝 ガス浄化装置

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