JP3413661B2 - 表面処理方法及びその装置 - Google Patents

表面処理方法及びその装置

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JP3413661B2 JP23783892A JP23783892A JP3413661B2 JP 3413661 B2 JP3413661 B2 JP 3413661B2 JP 23783892 A JP23783892 A JP 23783892A JP 23783892 A JP23783892 A JP 23783892A JP 3413661 B2 JP3413661 B2 JP 3413661B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ブロック状、球状等の
被処理物を大気圧プラズマにより表面処理する方法及び
装置に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来、
各種被処理物を表面処理する方法として、低圧グロープ
ラズマ処理法が知られている。しかし、低圧グロープラ
ズマ処理では、処理むらの少ない均一な表面処理ができ
るが、低圧グロープラズマ処理は通常10Torr以下
の低圧において行われるため、これを工業的に実施する
場合、大型の真空装置が必要となり、また、連続処理を
行うためにはバルブの寿命が大きく関与し、設備費や処
理コストが大きくなる。更に、被処理物がゴムやプラス
チックなどのように揮発性物質を多く含む場合は、これ
らが減圧雰囲気中で気化し、被処理物表面から放出さ
れ、このためプラズマ処理において目的とする性能や機
能が得られない場合もある。
【0003】このような低圧グロープラズマ処理法の問
題点を解決したものとして、大気圧グロープラズマによ
る表面処理方法も提案されている(特開平2−1517
1号、特開平2−48626号、特開平3−24173
9号、特開平3−236475号公報)が、従来の提案
に係る大気圧グロープラズマによる表面処理方法では、
被処理物が平板状であれば良好な処理を施すことができ
るが、ブロック状、球状、粉体状等の被処理物に対して
はその表面を均一に処理することが困難であった。
【0004】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
ブロック状、球状等の被処理物を簡単かつ均一に表面処
理することができる表面処理方法及び装置を提供するこ
とを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明は、上記
目的を達成するため、ブロック状、球状等の非板状、非
線状被処理物といった転動又は浮動可能な立体形状被処
理物を表面処理する方法として、絶縁体容器内に被処理
物を配置すると共に、該容器の外側と内側とにそれぞれ
電極を配置し、前記容器内に所定のガスを供給し、前記
電極に電圧を印加して前記容器内に大気圧プラズマを発
生させ、前記容器内の被処理物を前記容器内で転動又は
浮動させながらその表面を大気圧プラズマにより処理す
るようにしたことを特徴とする表面処理方法を採用した
ものである。
【0006】また、その装置として、内部に被処理物が
配置される絶縁体容器と、該容器の外側と内側にそれぞ
れ配置される2個の電極と、該電極に電圧を印加するた
めの電源と、前記容器内に所定のガスを供給するガス供
給手段とを具備し、前記電極に電圧を印加して前記容器
内に大気圧プラズマを発生させ、前記容器内に配置した
前記被処理物を大気圧プラズマにより処理する表面処理
装置において、前記被処理物を転動又は浮動させる手段
を設けたものである。
【0007】本発明によれば、被処理物を転動又は浮動
させながら大気圧プラズマにより表面処理するようにし
たので、ブロック状、球状等の被処理物に死角なく全表
面を均一に表面処理することができる。このため、例え
ばゴムやプラスチックなどを塗装したり接着するような
場合、塗膜や接着剤との密着が全表面に亘って保持され
るなど、優れた処理表面を形成し得る。
【0008】また、本発明は大気圧プラズマ放電による
処理であり、上記大気圧プラズマ放電処理は、80〜1
00℃程度かそれ以下のガス雰囲気中での処理のため、
被処理物が比較的高温に弱い素材からなる場合でも熱変
形を生じないので、成型形状を損なわずに表面処理を行
うことができ、更に、大気圧下での処理のため、ゴムや
プラスチックの処理を行った場合でも揮発性物質がガス
化して析出することがなく、プラズマ処理を効果的に行
うことができる。
【0009】更に、被処理物の表面を高温下で処理を行
う場合にもプラズマによる温度上昇が少ない分、処理物
の温度制御を厳密に行うことができる。
【0010】これに加え、本発明方法によれば、電極を
絶縁体容器の外側と内側とに設けたことにより、後述す
る実施例の結果から明らかな通り、電極を外側のみに設
けた場合と比較して、放電開始電圧が著しく低いので、
非常に有利である。
【0011】以下、本発明につき更に詳しく説明する
と、本発明に係る表面処理方法は、絶縁体容器内に被処
理物を配置すると共に、該容器の外側と内側とにそれぞ
れ電極を配置し、前記容器内に所定のガスを供給し、前
記電極に電圧を印加して前記容器内に大気圧プラズマを
発生させ、前記容器内の被処理物の表面を大気圧プラズ
マにより処理する。
【0012】この場合、被処理物の形状は、三角ブロッ
ク状、四角ブロック状、多角ブロック状(八面体、十二
面体、二十面体等)や球状、楕円球状など、転動又は浮
動可能な立体形状であればいずれの形状であってもよ
い。また、その素材も、金属、金属化合物、ゴム、プラ
スチック、セラミックスなど、いずれの材質であっても
よい。
【0013】本発明の処理方法で用いる絶縁体容器の材
料としては、特に制限されないが、プラスチック、ガラ
ス、セラミックなどが挙げられる。絶縁体容器としては
プラズマを発生させることができ、被処理物を転動又は
浮動させることができるものであれば制限はなく、大き
さ、形状等いかなるものも使用することができるが、例
えば被処理物が球状である場合、該球状物の表面処理を
均一に行うためには、球状物が転動するに十分な大きさ
でかつ円筒状であることが好ましい。また、絶縁体容器
の肉厚は10mm以下、特に3mm以下であることが好
ましい。
【0014】電圧が印加される電極は、プラズマを発生
させることができるものであれば、大きさ、形状等いか
なるものも使用することができる。
【0015】本発明に係る表面処理方法において用いる
ことができるガスとしては、大気圧プラズマを安定的に
得るために大気圧で放電しやすいガスが有効であり、具
体的にはヘリウム、アルゴン、ネオンのような不活性ガ
ス、窒素、酸素等の非重合性ガス、有機物のガスなどの
1種又は2種以上のガスの混合物を用いることができる
が、特にヘリウム、ネオン等が好ましい。また、例えば
被処理物の接着性を向上させる場合であれば、窒素、酸
素、CF4、塩素、塩化水素、臭素、臭化水素、シアン
化臭素、臭化スズ等のハロゲンガスもしくはハロゲン化
合物、硫黄や亜硫酸ガス、硫化水素等の硫化物、アンモ
ニア、CO、CO2、H2などを用いることもできるが、
大気圧プラズマを安定的に得るためには、これらのガス
を上記不活性ガス等の大気圧で放電しやすいガスで希釈
することが好ましい。
【0016】これらのガスは必ずしも常温でガス状であ
る必要はなく、供給の方法は放電領域の温度や常温での
状態(固体、液体、気体)などにより選定される。即
ち、放電領域の温度や常温下においてガス状である場合
は、これをそのまま絶縁体容器内へ流入させることがで
き、また、液状である場合には、蒸気圧が比較的高けれ
ばその蒸気をそのまま流入してもよいし、その液体を不
活性ガス等でバブリングして流入してもよい。一方、ガ
ス状でなく、しかも蒸気圧が比較的低い場合には、加熱
することによりガス状又は蒸気圧が高い状態にして用い
ることができる。
【0017】ここで、大気圧プラズマを発生させる場
合、処理圧力としては大気圧近傍が好ましく、200T
orr〜3atmの範囲内、望ましくは大気圧1atm
で処理することができる。
【0018】本発明に係るプラズマの発生方法として
は、絶縁体容器内部にプラズマ雰囲気を形成させ得る方
法であればいかなる方法も採用することができる。電圧
の印加方法は、大きく分けて直流、交流の2通りあり、
直流、交流いずれの場合も絶縁体容器の外側と内側とに
それぞれ配置された電極間に電圧を印加するが、工業的
には交流放電の方が容易である。この場合、周波数は通
常の交流放電に用いられる数百Hz以上のあらゆる周波
数を使用することができる。
【0019】電圧の印加方法の一例を図15,16を用
いて説明すると、図中1は円筒状の絶縁体容器であり、
本発明においては、該容器1の外側に電極2cを配設す
ると共に、該容器1の内側に電極2dを配置したもので
ある。この場合、図15,16に示すような電極配置態
様において、外側電極、内側電極のいずれをも印加電極
とすることができる。即ち、図15に示すように外側電
極2cに交流電源3から交流電圧を印加してもよく、こ
れとは逆に内側電極2dに電圧を印加してもよい。この
場合、印加電極ではない側の電極は接地するか又は接地
しないままにしておくことができ、いずれの場合も低電
圧で安定した放電を得ることができる。
【0020】而して、本発明はこのような大気圧プラズ
マによる表面処理において、被処理物を転動又は浮動さ
せるものである。この場合、被処理物を転動させる方法
としては、絶縁体容器を筒状とし、これを被処理物が転
動可能に傾斜させる方法、また、筒状の絶縁体容器を上
下方向に揺動させる方法などが採用される。また、被処
理物を浮動させる方法としては、処理ガスを容器内に噴
射して被処理物を浮動させる方法などが採用される。
【0021】以上の方式は、大気圧プラズマとして大気
圧グロープラズマを発生できることが特徴であり、この
時表面処理効果が最も大きく、好ましい。しかし、例え
ば処理の程度を意図的に低くおさえたいなどの目的によ
っては、コロナ放電、無声放電などの放電形態によるプ
ラズマとすることができる。
【0022】以下、本発明による表面処理方法に用いる
好適な装置の実施例を図15〜40を参照して説明する
と、図15,16は上述したように円筒状の絶縁体容器
1の外側と内側に断面円弧状の電極2c,2d(外側電
極2c、内側電極2d)を対向配置し、交流電源3から
外側電極2cに電圧を印加する例を示し、図17,18
は断面円弧状の外側電極2c,2cを絶縁体容器1を挟
んで対向配置し、断面円弧状の内側電極2d,2dを絶
縁体容器1の内側に上記外側電極2c,2cと90°偏
位して対向配置した例を示す。また、図19,20は3
つの線状乃至紐状の外側電極2cを絶縁体容器1の外側
に所定間隔離間して配置し、同様に内側電極2dを絶縁
体容器1の内側に配置した例を示す。また、図21は図
19,20に示した外側電極2c、内側電極2dをそれ
ぞれ9個配置した例を示す。更に、図22,23は絶縁
体容器1の外側に該容器1を覆うように円筒状の外側電
極2cを配設し、線状乃至紐状の内側電極2dを絶縁体
容器1の内側に1つ配置した例を示す。図24,25は
絶縁体容器1の外側に該容器1を覆うように円筒状の外
側電極2cを配設し、3つの線状乃至紐状の内側電極2
dを所定間隔離間して絶縁体容器1の内側に配置した例
を示す。図26,27は線状乃至紐状の外側電極2cを
所定の間隔で絶縁体容器1にスパイラル状に巻き付け、
線状乃至紐状の内側電極2dを絶縁体容器1の内側に配
置した例を示す。図28,29はリング状の外側電極2
cの複数個を所定間隔離間して絶縁体容器1の外側に配
置し、線状乃至紐状の内側電極2dを絶縁体容器1の内
側に配置した例を示す。図30,31は絶縁体容器1の
外側に該容器1を覆うように円筒状の外側電極2cを配
設すると共に、絶縁体容器1内に2本の線状乃至紐状の
内側電極2d,2dを互いに所定間隔離間して配置して
あるもので、この場合被処理物(球状物)4はこれら内
側電極2d,2dの上に配置され、内側電極2d,2d
は被処理物4の玉づまり防止のためのガイドの役目を果
たしている。なお、内側電極2d,2dの位置はこの上
に被処理物4を置いたときに被処理物4と絶縁体容器1
との距離が極力近付く距離とすることが好ましい。ま
た、図32,33は、図30,31の例において、5本
の線状乃至紐状の内側電極2dを互いに所定間隔離間し
て円軌跡を画くように配設し、被処理物4をこれら内側
電極2dによって囲まれる空隙に配置した例を示す。
【0023】図15〜33に示した例では、外側電極、
内側電極のいずれも印加電極とすることができるが、図
34〜37は電極の形状から外側電極を印加電極とする
例を示す。
【0024】即ち、図34,35はリング状の外側電極
2cと内側電極2dとを所定間隔離間してそれぞれ絶縁
体容器1の外側と内側に交互に配置した例を示す。この
場合、内側電極2dは接地せずそのままにしておく。ま
た、図36,37は傾斜リング状の外側電極2cと内側
電極2dとを所定間隔離間してそれぞれ絶縁体容器1の
外側と内側に交互に配置した例を示す。この場合も図3
4,35と同様に内側電極2dは接地せずそのままにし
ておく。
【0025】図15〜37の装置において、被処理物を
転動させ、また表面処理するためには図38,39に示
す装置を用いることが好適である。即ち、図38の例は
図32,33に示した電極を用いた装置であり、容器1
を傾斜させ、被処理物4を上方から下方へ転動させなが
ら大気圧プラズマによる表面処理を行うものである。こ
の場合、ガス供給手段(図示せず)から所定のガスを絶
縁体容器1内に供給するが、ガスの大気中への拡散を防
止するためにメインのガス導入口6aを絶縁体容器1の
中央に置き、両端に補助のガス導入口6b,6bを設け
ている。
【0026】図39の例は図15,16に示した電極を
用い、絶縁体容器1を傾斜させ、その一端を被処理物4
の入出口とすると共に、他端に該絶縁体容器1の他端を
上下動させるための上下動機構7を設け、絶縁体容器1
を揺動させて被処理物を絶縁体容器1内を往復させなが
ら表面処理するものである。この場合、ガス導入口6は
処理ガスの大気中への拡散を防止するため上下動機構7
側に設けてある。
【0027】なお、図38,39においては図32,3
3、図15,16に示した電極をそれぞれ用いたが、こ
れに限るものではなく、他の電極を用いてもよい。ま
た、図38に示す如き装置において、被処理物をベルト
コンベアに載置し移動させながら表面処理するようにし
てもよい。
【0028】更に、図40の例は被処理物を浮動させる
ようにした装置であり、図17,18に示した電極を用
い、絶縁体容器1を直立させると共に、その下端開口部
を開閉可能に閉塞する開閉扉8を設け、ヒンジ9を用い
て容器1に取り付け、扉8から被処理物4を絶縁体容器
1の内部に挿入し、絶縁体容器1の下部に設けられたガ
ス導入口6から処理ガスを吹き出させて被処理物4を浮
かせ、自転させながら表面処理を行うものである。なお
この場合、特に絶縁体容器1と被処理物4との隙間をコ
ントロールすることが重要である。
【0029】
【実施例】以下、参考例、実施例及び比較例を示し、本
発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制
限されるものではない。
【0030】なお、下記参考例で使用した装置を、図1
〜14を参照して説明する。図1,2は平行平板電極2
a,2b(印加電極2a、接地電極2b)間に絶縁体容
器1を配置し、交流電源3から電圧を印加し、被処理物
(球状物)4の表面のプラズマ処理を行う例を示し、図
3,4は断面円弧状の電極2a,2bを絶縁体容器1を
挟んで対向配置した例を示す。また、図5,6は線状乃
至紐状の電極2’を所定の間隔で絶縁体容器1にスパイ
ラル状に巻きつけた例を示す。この場合、電極2’の一
端から電圧を印加し、他端を接地する。5はコンデンサ
ーである。更に、図7,8は、リング状の印加電極2a
と接地電極2bとを所定間隔離間して交互に配置した例
を示す。更にまた、図9は2つの線状乃至紐状の電極2
a,2bを互いに所定間隔離間させてスパイラル状に巻
き付けた例を示す。この場合、電極2aに電圧を印加
し、電極2bを接地する。
【0031】これらの例において、球状物4は、後述す
る図10,11の態様で絶縁体容器1内を転動させるこ
とができるが、この場合、絶縁体容器1の内径と球状物
4の外径を極めて近付けることにより、球状物と球状物
の玉づまりを防ぎ、また、ヘリウムガスをはじめとする
処理ガスが大気中へ拡散するのを防止することができ
る。
【0032】図1〜9の装置において、被処理物を転動
させ、また表面処理するためには図10〜14に示す装
置を用いることができる。即ち、図10の例は図7,8
に示した電極を用いた装置であり、容器1を傾斜させ、
球状物4を上方から下方へ転動させながら大気圧プラズ
マによる表面処理を行うものである。この場合、ガス供
給手段(図示せず)から所定のガスを絶縁体容器1内に
供給するが、ガスの大気中への拡散を防止するためにメ
インのガス導入口6aを絶縁体容器1の中央に置き、両
端に補助のガス導入口6b,6bを設けている。
【0033】図11の例は図7,8に示した電極を用
い、絶縁体容器1を傾斜させ、その一端を球状物4の入
出口とすると共に、他端に該絶縁体容器1の他端を上下
動させるための上下動機構7を設け、絶縁体容器1を揺
動させて被処理物を絶縁体容器1内を往復させながら表
面処理するものである。この場合、ガス導入口6は処理
ガスの大気中への拡散を防止するため上下動機構7側に
設けてある。
【0034】更に、図12の例は被処理物を浮動させる
ようにした装置であり、図7,8に示した電極を用い、
絶縁体容器1を直立させると共に、その下端開口部を開
閉可能に閉塞する開閉扉8をヒンジ9を用いて容器1に
取り付け、扉8から球状物4を絶縁体容器1の内部に挿
入し、絶縁体容器1の下部に設けられたガス導入口6か
ら処理ガスを吹き出させて球状物4を浮かせ、自転させ
ながら表面処理を行うものである。なおこの場合、特に
絶縁体容器1と球状物4との隙間をコントロールするこ
とが重要である。
【0035】なお、図10〜12においては図7,8に
示した電極を用いたが、これに限るものではなく、他の
電極を用いてもよい。
【0036】図10に示した装置は被処理物を転動させ
ながらその表面を大気圧プラズマにより処理するための
装置であるが、図13に示すように、図10に示す如き
装置は、被処理物をベルトコンベアに載置し移動させな
がら表面処理するようにしてもよい。
【0037】即ち、図13の例は図1,2に示した電極
を用い、四角筒状の絶縁体容器1にガス導入口6,6か
ら導入された処理ガスの大気中への拡散を防止するため
に絶縁体容器1の両端にカーテン10,10を設け、駆
動機構11で駆動されるベルト12に載置された被処理
物4,4を所定の速度で移動させながら転動させて表面
処理をおこなうものである。
【0038】また、図14の例は図13に示した例と同
様の装置にゲート13を設け、ゲート13で区切られた
絶縁体容器1の真中の部分にメインのガス導入口6aを
設け、両側の部分に補助のガス導入口6b,6bを設け
たものである。
【0039】[参考例1] 図10に示す表面処理装置を用い、直径40mmのポリ
プロピレン樹脂球状物の表面処理を行った。まず、ガス
導入口6aから酸素ガスを1%含んだヘリウムガスを導
入して傾斜角度25°のガラス製絶縁体容器1(長さ1
500mm、内径45mm)内をヘリウムガスで充満さ
せ、次に両端のガス導入口6bから上記と同様のヘリウ
ム混合ガスを導入し、容器1の両端(被処理物の入出
口)にエアーカーテンを形成した。次いで、電極2a,
2b間に周波数5kHz、電圧4kVの交流電圧を印加
することにより、容器1内に大気圧グロープラズマを形
成した後、容器1の上端開口部からポリプロピレン樹脂
球状物4を容器1内に導入し、該容器1内を転がしなが
ら表面処理を行った。比較のため、容器1を傾けずに球
状物4を中央に静置させて上記と同様の処理を行った。
転動させながら表面処理した球状体、静置させたままで
表面処理した球状体、表面未処理の球状体それぞれの各
点での水に対する接触角を測定した。結果を表1に示
す。
【0040】
【表1】
【0041】表1からわかるように、転動させながら表
面処理したものは均一に処理することができるが、静置
のままで表面処理したものは部分的に不均一に処理され
る。
【0042】[参考例2] 被処理物として熱可塑性アイオノマー樹脂によるカバー
が施され、ディンプルが形成されたツーピースソリッド
ゴルフボール本体(直径43mm)を用い、ガス導入口
6a,6bから導入するガスをヘリウムガスとした以外
は参考例1と同様の処理を行った。
【0043】表面処理後、ゴルフボール本体に塗料を塗
布し、乾燥させた。このゴルフボールにつき、クロスバ
ッチテスト及び繰り返しボール打撃試験により塗膜の密
着性を評価した。結果を表2に示す。
【0044】比較のため、上記表面処理を行わず、ゴル
フボール本体に直接塗装を施した場合の塗膜の密着性を
同様に評価した。結果を表2に併記する。クロスバッチ
テスト方法ゴルフボールに切り込みを入れ、セロテープ
を貼り、はがしたときの剥離状態により目視で判定す
る。繰り返し打撃テスト方法ゴルフボールに繰返し打撃
を与え、ゴルフボール本体と塗膜の剥離状態により目視
で判定する。
【0045】
【表2】
【0046】[参考例3] 電極として図5,6に示すものを用い、電極に周波数1
3.56MHz、電力100Wの高周波を印加した以外
は参考例1と同様にしてプラズマを発生させ、ゴルフボ
ール本体の表面処理を行った後、塗装を施したところ、
表2と同じ結果が得られた。
【0047】[参考例4] 図11に示す装置を用い、容器1の最大傾斜角度が30
°となるように容器1の他端を1分間当り6回上下動さ
せるようにした以外は参考例2と同様の条件でゴルフボ
ール本体の表面処理を行った後、塗装を施したところ、
表2と同じ結果が得られた。
【0048】[参考例5] 図12に示す装置を用い、ヘリウムガスを導入口6から
の速度で噴射させ、ゴルフボール本体4を容器1内に浮
かせるようにした以外は、参考例2と同様の条件でゴル
フボールの表面処理を行った後、塗装を施したところ、
表2と同じ結果が得られた。
【0049】[実施例1] 図22,23に示す電極と図3,4に示す電極を用い、
下記に示す条件で放電を行い、放電開始電圧を比較し
た。結果を表3に併記する。図22,23の電極配置 絶縁体容器:ガラス製、長さ1500mm、外径50m
m、内径45mm 外側電極:ステンレススチール製、長さ240mm 内側電極:ステンレススチール製、長さ240mm、直
径6mm 交流周波数:5kHz図3,4の電極配置 絶縁体容器:同上 外側電極(2個):ステンレススチール製、長さ240
mm 電極間最短距離7mm 交流周波数:5kHz
【0050】
【表3】
【0051】表3に示した如く、絶縁体容器の外側と内
側とに電極をそれぞれ配置することにより放電開始電圧
を下げることができる。また、外側電極に交流電圧を印
加した場合は内側電極に印加した場合よりも放電開始電
圧が多少上昇するが、両電極を外側に配置した場合と対
比すると低く抑えることができる。また、接地側は接地
の有無にかかわらず安定した放電を得ることができる。
【0052】[実施例2] 図38に示す表面処理装置を用い、熱可塑性アイオノマ
ー樹脂によるカバーが施され、ディンプルが形成された
ツーピースソリッドゴルフボール本体(直径43mm)
の表面処理を行った。まず、ガス導入口6aからヘリウ
ムガスを導入して傾斜角度25°のガラス製絶縁体容器
1(長さ1500mm、内径45mm)内をヘリウムガ
スで充満させ、次に両端のガス導入口6bからヘリウム
ガスを導入し、容器1の両端(ゴルフボール本体の入出
口)にエアーカーテンを形成した。次いで、電極2c,
2d間に周波数5kHz、電圧4kVの交流電圧を印加
することにより、容器1内に大気圧グロープラズマを形
成した後、容器1の上端開口部からゴルフボール本体4
を容器1内に導入し、該容器1内を転がしながら5分間
表面処理を行った。
【0053】表面処理後、ゴルフボール本体にクリヤー
なウレタン系塗料を塗布し、乾燥させた。このゴルフボ
ールにつき、クロスバッチテスト及び繰り返しボール打
撃試験により塗膜の密着性を評価した。結果を表4に示
す。
【0054】比較のため、上記表面処理を行わず、ゴル
フボール本体に直接塗装を施した場合の塗膜の密着性を
同様に評価した。結果を表4に併記する。クロスバッチテスト方法 ゴルフボールに切り込みを入れ、セロテープを貼り、は
がしたときの剥離状態により目視で判定する。繰り返し打撃テスト方法 ゴルフボールに繰返し打撃を与え、ゴルフボール本体と
塗膜の剥離状態により目視で判定する。
【0055】
【表4】
【0056】[実施例3] 電極として図17,18に示すものを用い、電極に周波
数13.56MHz、電力100Wの高周波を印加した
以外は実施例6と同様にしてプラズマを発生させ、ゴル
フボール本体の表面処理を行った後、塗装を施したとこ
ろ、表4と同じ結果が得られた。
【0057】[実施例4] 図39に示す装置を用い、容器1の最大傾斜角度が30
°となるように容器1の他端を1分間当り6回上下動さ
せるようにした以外は実施例2と同様の条件でゴルフボ
ール本体の表面処理を行った後、塗装を施したところ、
表4と同じ結果が得られた。
【0058】
【発明の効果】本発明によれば、ブロック状、球状等の
被処理物の表面を簡単、確実に、しかも均一に処理でき
る。また、本発明の処理は、大気圧プラズマによる処理
であるため、処理装置内を減圧しなくてもよく、処理装
置の簡素化を図ることができると共に、立体形状物から
の揮発性成分のガス化を生じることもなく、効果的に表
面処理することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】参考例で使用した表面処理装置を示す一部省略
断面図である。
【図2】図1のA−A線に沿った断面図である。
【図3】参考例で使用した表面処理装置を示す一部省略
断面図である。
【図4】図3のB−B線に沿った断面図である。
【図5】参考例で使用した表面処理装置を示す一部省略
断面図である。
【図6】図5のC−C線に沿った断面図である。
【図7】参考例で使用した表面処理装置を示す一部省略
断面図である。
【図8】図7のD−D線に沿った断面図である。
【図9】参考例で使用した表面処理装置を示す一部省略
側面図である。
【図10】参考例で使用した表面処理装置を示す一部省
略断面図である。
【図11】参考例で使用した表面処理装置を示す一部省
略断面図である。
【図12】参考例で使用した表面処理装置を示す一部省
略断面図である。
【図13】参考例で使用した表面処理装置を示す一部省
略断面図である。
【図14】参考例で使用した表面処理装置を示す一部省
略断面図である。
【図15】本発明の表面処理装置の一例を示す一部省略
断面図である。
【図16】図15のE−E線に沿った断面図である。
【図17】本発明の表面処理装置の一例を示す一部省略
断面図である。
【図18】図17のF−F線に沿った断面図である。
【図19】本発明の表面処理装置の一例を示す一部省略
断面図である。
【図20】図19のG−G線に沿った断面図である。
【図21】本発明の表面処理装置の一例を示す一部省略
断面図である。
【図22】本発明の表面処理装置の一例を示す断面図で
ある。
【図23】図22のH−H線に沿った断面図である。
【図24】本発明の表面処理装置の一例を示す一部省略
断面図である。
【図25】図24のI−I線に沿った断面図である。
【図26】本発明の表面処理装置の一例を示す一部省略
断面図である。
【図27】図26のJ−J線に沿った断面図である。
【図28】本発明の表面処理装置の一例を示す一部省略
断面図である。
【図29】図28のK−K線に沿った断面図である。
【図30】本発明の表面処理装置の一例を示す一部省略
断面図である。
【図31】図30のL−L線に沿った断面図である。
【図32】本発明の表面処理装置の一例を示す一部省略
断面図である。
【図33】図32のM−M線に沿った断面図である。
【図34】本発明の表面処理装置の一例を示す一部省略
断面図である。
【図35】図34のN−N線に沿った断面図である。
【図36】本発明の表面処理装置の一例を示す一部省略
断面図である。
【図37】図36のO−O線に沿った断面図である。
【図38】本発明の表面処理装置の一例を示す一部省略
断面図である。
【図39】本発明の表面処理装置の一例を示す一部省略
断面図である。
【図40】本発明の表面処理装置の一例を示す一部省略
断面図である。
【符号の説明】
1 絶縁体容器 2、2a,2b,2c,2d 電極 3 交流電源 4 被処理物 6,6a,6b ガス導入口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 内藤 壽夫 神奈川県川崎市宮前区馬絹969−1 (72)発明者 岡崎 幸子 東京都杉並区高井戸東2−20−11 (72)発明者 小駒 益弘 埼玉県和光市下新倉843−15 (56)参考文献 特開 平3−115578(JP,A) 特開 平2−50968(JP,A) 特開 昭58−136701(JP,A) 特開 昭54−87683(JP,A) 特開 昭61−30663(JP,A) 特開 平2−26851(JP,A) 特開 平4−334543(JP,A) 特開 平5−202481(JP,A) 特開 平4−135638(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C23C 16/00 - 16/56 C23C 14/00 - 14/58 C08J 7/00 H05H 1/30

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 絶縁体容器内に、転動又は浮動可能な立
    体形状被処理物を配置すると共に、該容器の外側と内側
    とにそれぞれ電極を配置し、前記容器内に所定のガスを
    供給し、前記電極に電圧を印加して前記容器内に大気圧
    プラズマを発生させると共に、前記容器内の被処理物を
    前記容器内で転動又は浮動させながらその表面を大気圧
    プラズマにより処理するようにしたことを特徴とする表
    面処理方法。
  2. 【請求項2】 大気圧プラズマが大気圧グロープラズマ
    である請求項1記載の表面処理方法。
  3. 【請求項3】 大気圧プラズマの発生を1気圧近傍の大
    気圧下で行う請求項1又は2記載の表面処理方法。
  4. 【請求項4】 内部に被処理物が配置される絶縁体容器
    と、該容器の外側と内側にそれぞれ配置される2個の電
    極と、該電極に電圧を印加するための電源と、前記容器
    内に所定のガスを供給するガス供給手段とを具備し、前
    記電極に電圧を印加して前記容器内に大気圧プラズマを
    発生させ、前記容器内に配置した、転動又は浮動可能な
    立体形状被処理物を大気圧プラズマにより処理する表面
    処理装置であって、前記被処理物を転動又は浮動させる
    手段を設けたことを特徴とする表面処理装置。
  5. 【請求項5】 大気圧プラズマが大気圧グロープラズマ
    である請求項1記載の表面処理装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004049783B4 (de) * 2004-10-12 2009-03-19 Je Plasmaconsult Gmbh Vorrichtung zur Bearbeitung von Gütern unter Zuhilfenahme einer elektrischen Entladung
EP1689216A1 (en) * 2005-02-04 2006-08-09 Vlaamse Instelling Voor Technologisch Onderzoek (Vito) Atmospheric-pressure plasma jet
JP4817407B2 (ja) * 2005-03-07 2011-11-16 学校法人東海大学 プラズマ発生装置及びプラズマ発生方法
JP4854983B2 (ja) * 2005-04-19 2012-01-18 三菱商事プラスチック株式会社 プラズマcvd成膜装置及びガスバリア性を有するプラスチック容器の製造方法
JP4782529B2 (ja) * 2005-10-06 2011-09-28 エア・ウォーター株式会社 表示装置の製造方法
WO2008014607A1 (en) 2006-07-31 2008-02-07 Tekna Plasma Systems Inc. Plasma surface treatment using dielectric barrier discharges
JP4982851B2 (ja) * 2006-11-20 2012-07-25 国立大学法人京都大学 プラズマ生成装置、表面処理装置、および流体改質装置
US8232729B2 (en) 2006-12-12 2012-07-31 Osaka University Plasma producing apparatus and method of plasma production
EP2105042B1 (en) * 2006-12-28 2015-09-30 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO A surface dielectric barrier discharge plasma unit and a method of generating a surface plasma
JP5940239B2 (ja) * 2009-11-02 2016-06-29 株式会社イー・スクエア プラズマ表面処理装置およびその製造方法
JP6044032B2 (ja) * 2010-05-25 2016-12-14 国立大学法人 熊本大学 物質導入用プラズマ照射装置を用いた物質導入方法
JP5224560B2 (ja) * 2011-11-24 2013-07-03 国立大学法人京都大学 プラズマ生成装置、表面処理装置、表示装置、および流体改質装置
JP2014002936A (ja) * 2012-06-19 2014-01-09 Air Water Inc 大気圧プラズマ処理装置および大気圧プラズマ処理方法
JP6722461B2 (ja) * 2016-01-25 2020-07-15 日本ニューマチック工業株式会社 粉体処理装置及び方法
JP6628639B2 (ja) * 2016-03-01 2020-01-15 アルファ株式会社 プラズマ処理装置
US10562797B2 (en) 2017-03-08 2020-02-18 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Liquid treatment apparatus including flow channel, first and second electrodes, insulator surrounding lateral surface of first electrode, gas supply device, and power supply source
US10446375B2 (en) 2017-03-14 2019-10-15 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Liquid processing apparatus including container, first and second electrodes, insulator surrounding at least part of side face of the first electrode, gas supply device, metallic member surrounding part of side face of the first electrode, and power source
JP6888996B2 (ja) * 2017-03-22 2021-06-18 株式会社オーク製作所 大気圧プラズマ発生装置
KR102170135B1 (ko) * 2017-06-20 2020-10-27 제너럴 퓨전 아이엔씨. 진공 호환성 전기 절연체
JP7076186B2 (ja) * 2017-09-25 2022-05-27 株式会社Screenホールディングス プラズマ発生装置およびプラズマ発生用電極体

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