JP5122284B2 - コロナ放電ランプ - Google Patents
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Description
本出願は、2004年8月30日に出願された米国仮特許出願第60/605,991号の出願日の利益を主張し、同特許出願の内容全体は、参照により本明細書に組み込まれる。
本発明は、コロナ放電ランプなどのコロナ放電デバイスに関する。
Claims (44)
- チャンバ内にある第1の電極と、前記第1の電極から離れた、該チャンバ内にある対向電極との間に、自由電子が前記対向電極の方へ向かうように、約100マイクロ秒以下の持続時間のパルスを含むパルス電位を印加することによって、ガス内において電界をかけるステップを含む、チャンバ内のガス内においてエキシマを形成する方法であって、
前記パルス電位のパルス中に、(i)前記電界の領域内において、前記自由電子が、少なくとも一部の自由電子のエネルギーがエキシマを形成するのに必要な励起エネルギー以上であるような電子エネルギー分布を有し、および(ii)前記電界の領域内において、
前記自由電子が、実質的に大部分の自由電子のエネルギーがガスのイオン化エネルギー未満であるような電子エネルギー分布を有するように前記電界が構成され、前記自由電子が前記ガスを励起してアークを生じることなくエキシマを形成する、方法。 - 前記パルス電位の持続時間が、本質的に約100マイクロ秒以下のパルスからなる請求項1に記載の方法。
- 前記パルス電位のパルスの本質的にすべてが、前記パルス中に前記第1の電極が前記対向電極に対して負であるような極性のものである請求項1に記載の方法。
- 前記パルス電位が、前記第1の電極と前記対向電極との間に印加された唯一の電位である請求項3に記載の方法。
- 前記パルスの少なくとも一部の立ち上がり時間が、約10マイクロ秒以下である請求項1に記載の方法。
- 前記パルスの本質的にすべての立ち上がり時間が、約10マイクロ秒以下である請求項1に記載の方法。
- 前記パルス電位のデューティーサイクルが約75%以下である請求項1に記載の方法。
- 前記デューティーサイクルが約50%以下である請求項7に記載の方法。
- 前記第1の電極が細長いワイヤを含み、前記対向電極の少なくとも一部が前記細長いワイヤから等距離にある表面である請求項1から8のいずれかに記載の方法。
- 前記細長いワイヤが実質的に直線であり、直線の伸長軸を画定し、前記対向電極の前記少なくとも一部が前記伸長軸と同軸の管状の少なくとも一部分の形で存在する請求項9に記載の方法。
- 前記エキシマの減衰によって発生する電磁放射を利用するステップをさらに含む請求項1に記載の方法。
- 前記電磁放射が紫外線光を含む請求項11に記載の方法。
- 前記ガスが、He、Ne、Ar、Kr、Xeおよびそれらの混合物からなる群から選択される第1のガス成分を含む請求項1に記載の方法。
- 前記ガスが本質的に前記第1のガス成分からなる請求項13に記載の方法。
- 前記ガスが前記第1のガス成分の組成とは異なる組成を有する第2のガス成分を含む請求項13に記載の方法。
- 前記第2のガス成分が窒素および水素からなる群から選択される請求項15に記載の方法。
- 前記ガスが本質的にNeおよびH2からなる請求項16に記載の方法。
- 前記ガスが本質的にArおよびN2からなる請求項16に記載の方法。
- 前記ガスが約10ppm未満の水蒸気を含有する請求項1、13および14のいずれかに記載の方法。
- ガスにエキシマを形成する装置であって、
(a)エキシマ形成ガスを保持するチャンバと、
(b)前記チャンバ内に配置させた第1の電極と、
(c)前記第1の電極から離れた位置にある前記チャンバ内の対向電極と、
(d)前記第1の電極と、前記対向電極とに接続された電位印加回路とを備え、前記回路が、前記パルス中に、前記ガス内に電界をかけて自由電子を供給し加速するパルス電位を前記電極間に印加するように適応され、前記パルス中に、(i)前記電界の領域内において、前記自由電子が、少なくとも一部の自由電子のエネルギーが、エキシマを形成するのに必要な励起エネルギー以上であるような電子エネルギー分布を有し、および(ii)前記電界の領域内において、前記自由電子が、実質的に大部分の自由電子のエネルギーが、ガスのイオン化エネルギー未満であるような電子エネルギー分布を有するように前記電界が構成され、前記電位印加回路が、前記パルスの少なくとも一部の持続時間が約100マイクロ秒以下であるように、前記パルスを印加するように適応される、装置。 - 前記電位印加回路が、前記パルスの実質的にすべてのパルスの持続時間が約100マイクロ秒以下であるように、前記パルスを印加するように適応される請求項20に記載の装置。
- 前記電位印加回路が、前記パルスの少なくとも一部の立ち上がり時間が約10マイクロ秒以下であるように、前記パルスを印加するように適応される請求項21に記載の装置。
- 前記電位印加回路が、前記パルスの本質的にすべての立ち上がり時間が約10マイクロ秒以下であるように、前記パルスを印加するように適応される請求項21に記載の装置。
- 前記電位印加回路が、前記パルス電位のデューティーサイクルが約75%以下であるように、前記パルスを印加するように適応される請求項21に記載の装置。
- 前記電位印加回路が、前記デューティーサイクルが約50%以下であるように、前記パルスを印加するように適応される請求項24に記載の装置。
- 前記第1の電極が細長いワイヤを含み、前記対向電極の少なくとも一部が前記細長いワイヤから等距離にある表面である請求項20に記載の装置。
- 前記細長いワイヤが実質的に直線であり、直線の伸長軸を画定し、前記対向電極の前記少なくとも一部が前記伸長軸と同軸の管状の少なくとも一部分の形で存在する請求項26に記載の装置。
- 前記第1の電極が、複数の先の鋭い領域を画定する電極構造を含む請求項20から27のいずれかに記載の装置。
- 前記エキシマの減衰によって発生する電磁放射を利用するステップをさらに含む請求項28に記載の装置。
- 前記電磁放射が紫外線光を含む請求項29に記載の装置。
- 前記ガスが、He、Ne、Ar、Kr、Xeおよびそれらの混合物からなる群から選択される第1のガス成分を含む請求項20に記載の装置。
- 前記ガスが本質的に前記第1のガス成分からなる請求項31に記載の装置。
- 前記ガスが、前記第1のガス成分の組成とは異なる組成を有する第2のガス成分を含む請求項20に記載の装置。
- 前記第2のガス成分が窒素および水素からなる群から選択される請求項33に記載の装置。
- 前記ガスが本質的にNeおよびH2からなる請求項33に記載の装置。
- 前記チャンバが、前記エキシマの減衰によって放出された電磁放射に透過性のある壁を有する請求項20に記載の装置。
- 前記電位印加回路がアークを検出し、アークに応答して前記電位印加回路の動作を修正するように配設された制御回路を含む請求項20に記載の装置。
- 前記制御回路が、アークに応答して前記電位印加回路の動作を瞬間的に中断するように配設された請求項37に記載の装置。
- 前記エキシマが紫外線を放出し、さらに、前記エキシマから放出された紫外線を可視光又はより長い波長の紫外線に変えるために蛍光体(燐光体)を使用するステップを含む請求項1に記載の方法。
- 前記蛍光体(燐光体)は、前記エキシマから放出された紫外線をより長い波長の紫外線に変えるために採用される請求項39に記載の方法。
- 前記蛍光体(燐光体)はチャンバ内に配置される請求項39又は40のいずれかに記載の方法。
- さらに蛍光体(燐光体)を備え、該蛍光体(燐光体)は前記エキシマから放出された紫外線を可視光又はより長い波長の紫外線に変えるために採用される請求項20に記載の装置。
- 前記蛍光体(燐光体)は、前記エキシマから放出された紫外線をより長い波長の紫外線に変えるために採用される請求項42に記載の装置。
- 前記蛍光体(燐光体)は、前記チャンバ内に配置される請求項42又は43のいずれかに記載の装置。
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