JP2010108665A - プラズマ処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】プラズマ処理装置において、放電空間からのプラズマ光により筐体の導入流路を画成する内壁が腐食するのを防止する。
【解決手段】放電空間５を形成する一対の電極１１，１２及び固体誘電体１３，１４を含む電極構造１０を筐体２０に収容し保持する。筐体２０の内部に、放電空間５への処理ガスの導入流路３０を設ける。導入流路３０内の放電空間５と面する箇所に被照射部材４１を設ける。被照射部材４１を、筐体２０より耐光性が高い材料で構成する。
【選択図】図１

Description

本発明は、プラズマ処理装置に関し、特に、電極構造を収容又は支持する筐体に処理ガスの導入路が形成されたプラズマ処理装置に関する。

例えば、特許文献１のプラズマ処理装置には、筐体（処理ヘッド本体）の内部に一対の電極が収容され、支持されている。これら電極のうち少なくとも一方の対向面には、放電を安定させるための固体誘電体が設けられている。筐体の内部には、処理ガスを一対の電極間の空間に導く導入流路が設けられている。電極間に電界が印加され大気圧グロー放電が生成される。この電極間の放電空間に処理ガスが導入されプラズマ化される。プラズマ化された処理ガスが被処理物に吹き付けられ、表面処理がなされる。
特開２００４−００６２１１号公報

電極間の放電空間では、放電によって紫外線等を含むプラズマ光が発生する。上記のプラズマ光の一部は、処理ガスの導入流路に入り、筐体の導入流路を画成する内壁に照射される。このプラズマ光によって筐体の内壁が腐食するおそれがある。筐体が腐食すると、例えば粉状の酸化物等からなる腐食生成物が出来、この腐食生成物が処理ガスに混入し、被処理物を汚染することがある。

上記課題を解決するため、本発明は、処理ガスを、放電空間でプラズマ化して被処理物に接触させ、前記被処理物の表面を処理する装置において、
互いに対向する一対の電極及びこれら電極のうち少なくとも一方の対向面に設けられた固体誘電体とを含み、前記放電空間を形成する電極構造と、
前記電極構造を収容又は保持し、かつ内部に前記放電空間への処理ガスの導入流路を有する筐体と、前記導入流路内の前記放電空間と面する箇所に設けられた被照射部材と、を備え、前記被照射部材が、前記筐体より耐光性が高い材料で構成されていることを特徴とする。
ここで、「耐光性」とは光による腐食を受けにくい性質を言う。「耐光性が高い」とは、光による腐食の程度が相対的に小さいことを言う。ここで言う「光」とはプラズマ生成に伴なう発光を言う。一般に、プラズマ発光の波長は、０より長く１０００ｎｍ以下程度である。
プラズマは、減圧下や大気圧近傍下の放電により生じる。放電の種類は、例えば、グロー放電、コロナ放電またはアーク放電である。

放電空間から導入流路内に入ったプラズマ光は、その光路上に配された被照射部材に照射される。被照射部材は、耐光性が高いためプラズマ光が照射されても腐食しにくい。また、被照射部材によってプラズマ光の進行を遮ることができる。したがって、筐体の内壁にプラズマ光が直接照射されるのを防止できる。これにより、筐体がプラズマ光で腐食するのを防止又は抑制できる。したがって、腐食生成物が処理ガスに混入するのを防止でき、被処理物が腐食生成物により汚染されるのを防止できる。この結果、処理品質を高めることができる。筐体を、耐光性は低いが軽量で安価な材料で構成し、耐光性が必要な箇所にだけ被照射部材を設けることで、筐体の全体を耐光性材料で構成した場合と比べ、重量を軽量化でき、材料コストを低減できる。

前記被照射部材が、前記筐体の前記導入流路を画成する内壁の前記放電空間と面する箇所に設けられていることが好ましい。
これにより、放電空間からのプラズマ光は直接には被照射部材に照射される。したがって、筐体の内壁にプラズマ光が照射されるのを確実に避けることができ、筐体の内壁が腐食するのを確実に防止又は抑制できる。

前記導入流路が、処理ガスを均一化する整流室を有し、前記整流室の内部には、整流室内を互いに連通する２つの室部分に仕切り、かつ放電空間に面する整流板が設けられ、前記整流板が、前記筐体より耐光性が高い材料で構成され、前記被照射部材として提供されていてもよい。
これにより、処理ガスを、整流板を含む整流室で均一化したうえで放電空間に導入できる。放電空間から整流室に入ったプラズマ光は、整流板に照射される。整流板は、耐光性が高いためプラズマ光が照射されても腐食しにくい。また、整流板によってプラズマ光の進行を遮ることができる。したがって、筐体の内壁にプラズマ光が直接照射されるのを避けることができ、筐体の腐食を防止又は抑制できる。

前記導入流路内の、前記被照射部材からの散乱光が照射される箇所に被間接照射部材が設けられ、前記被間接照射部材が、前記筐体より耐光性が高い材料で構成されていることが好ましい。
放電空間からのプラズマ光が被照射部材で反射して散乱した場合、その散乱光が被間接照射部材に照射されるようにできる。被間接照射部材は、耐光性が高いためプラズマ光が照射されても腐食しにくい。また、被間接照射部材によって散乱光を遮ることができる。したがって、散乱光が筐体の内壁に当たるのを防止でき、筐体の腐食を一層確実に防止又は抑制できる。

前記整流室の内壁に被間接照射部材が設けられ、前記被間接照射部材が、前記筐体より耐光性が高い材料で構成されていてもよい。
放電空間からのプラズマ光が整流板の被照射部材で反射して散乱した場合、その散乱光が被間接照射部材に照射されるようにできる。被間接照射部材は、耐光性が高いためプラズマ光が照射されても腐食しにくい。また、被間接照射部材によって散乱光を遮ることができ、散乱光が整流室の内壁に当たるのを防止できる。これにより、筐体の整流室を画成する部分が腐食するのを一層確実に防止又は抑制できる。

前記筐体が、例えばアルミニウムにて構成され、前記被照射部材が、例えばステンレス、チタン、セラミックからなる群から選択される１つにて構成されていてもよい。更に、前記被間接照射部材が、ステンレス、チタン、セラミックからなる群から選択される１つにて構成されていてもよい。
これにより、被照射部材に耐光性を確実に持たせることができる。また、被間接照射部材に耐光性を確実に持たせることができる。筐体の全体を耐光性材料で構成する場合より、重量を確実に軽量化でき、材料コストを確実に低減できる。

本発明は、大気圧近傍下でプラズマを生成して表面処理する大気圧プラズマ処理に適している。ここで、大気圧近傍とは、１．０１３×１０^４〜５０．６６３×１０^４Ｐａの範囲を言い、圧力調整の容易化や装置構成の簡便化を考慮すると、１．３３３×１０^４〜１０．６６４×１０^４Ｐａが好ましく、９．３３１×１０^４〜１０．３９７×１０^４Ｐａがより好ましい。

本発明によれば、放電空間からのプラズマ光の進行を被照射部材で遮ることができ、筐体の内壁にプラズマ光が直接照射されるのを避けることができる。したがって、筐体がプラズマ光で腐食するのを防止又は抑制できる。よって、腐食生成物が処理ガスに混入するのを防止でき、被処理物が腐食生成物により汚染されるのを防止でき、ひいては、処理品質を確保できる。耐光性が必要な箇所にだけ被照射部材を設けることで、筐体の全体を耐光性材料で構成する場合より材料コストを低減できる。

以下、本発明の実施形態を図面にしたがって説明する。
図１に示すように、プラズマ処理装置１は、配置部２と、処理ヘッド３を備えている。配置部２は、ステージやコンベアで構成されており、その上側に被処理物９が配置される。被処理物９は、例えばフラットパネルディスプレイ用のガラス基板である。被処理物９は、ガラス基板に限られず、例えば連続シート状の樹脂フィルムでもよく、半導体基板でもよい。

配置部２は、被処理物９の移動手段を兼ね、被処理物９を図１の左右方向に搬送できる。配置部２によって、被処理物９が処理ヘッド３の下方の処理空間６に配置される。
被処理物９が位置固定され、処理ヘッド３が左右方向に移動するようになっていてもよい。

処理ヘッド３は、図示しない架台に支持され、配置部２の上側に離れて位置している。処理ヘッド３は、電極構造１０と、この電極構造１０を収容又は支持する筐体２０とを備えている。電極構造１０は、一対をなす第１、第２の電極１１，１２と、各電極１１，１２に設けられた固体誘電体１３，１４とを有している。

第１電極１１は、ステンレスやアルミニウム等の金属で構成されている。第１電極１１は、長手方向を図１の紙面と直交する方向に向け、短手方向を図１の左右方向に向けた厚い平板状になっている。第１電極１１は、図示しない電源に接続され、電界印加電極になっている。

第１電極１１に対応する第１固体誘電体１３は、アルミナ等のセラミックからなる板で構成されている。第１固体誘電体１３は、長手方向を図１の紙面と直交する方向に向け、短手方向を図１の左右方向に向け、上面が開口された容器状（断面コ字状）になっている。第１固体誘電体１３の底部に第１電極１１が載せられて支持されている。第１固体誘電体１３が、第１電極１１の下面（第２電極１２との対向面）を覆っている。
第１固体誘電体１３は、セラミック板に限られず、アルミナ等の溶射膜でもよく、樹脂でもよい。

第２電極１２は、ステンレス、チタン等の耐熱性及び耐腐食性の高い金属で構成されている。第２電極１２は、長手方向を図１の紙面と直交する方向に向け、短手方向を図１の左右方向に向けた平板状になっている。

第２電極１２は、図示しない接地線を介して電気的に接地され、接地電極になっている。第１電極１１と第２電極１２が上下に対向している。不図示の電源からの電圧供給によって、電極１１，１２間に電界が印加される。第２電極１２の下面は、配置部２と対向し、ひいては配置部２に配置された被処理物９と対向する。第２電極１２と配置部２上の被処理物９との間に処理空間６が画成される。

第２電極１２の上面に第２固体誘電体１４が設けられている。第２固体誘電体１４は、長手方向を図１の紙面と直交する方向に向け、短手方向を図１の左右方向に向けた平板状になっている。第２固体誘電体１４は、アルミナ等のセラミックで構成されているが、これに限られず、アルミナ等の溶射膜でもよく、樹脂でもよい。

第１固体誘電体１３と第２固体誘電体１４は、僅かな厚さ（数ｍｍ程度）の隙間を介して上下に対向している。第１、第２固体誘電体１３，１４の間の隙間の左右方向の中央部分（ほぼ第１電極１１を投影した部分）が、上記の電極１１，１２間への電界印加によって大気圧近傍の放電空間５になる。放電空間５は、図１の紙面と直交する方向に長く左右に短い水平かつ扁平な空間になっている。放電空間５は、配置部２に配置された被処理物９と平行になる。放電空間５と被処理物９との間（第１電極１１と配置部２との間）に第２電極１２が介在される。

図示は省略するが、第１、第２固体誘電体１３，１４間の隙間ひいては放電空間５の長手方向（図１の紙面と直交する方向）の両端には、それぞれアルミナ等のセラミックからなるスペーサーが設けられている。スペーサーは、第１固体誘電体１３と第２固体誘電体１４とに挟まれている。スペーサーにより、放電空間５の長手方向の両端が閉塞されている。

第２電極１２及び第２固体誘電体１４の放電空間５を画成する中央部分には吹き出し路１６が形成されている。吹き出し路１６は、第２固体誘電体１４を厚さ方向（上下）に貫通し、さらに第２電極１２を厚さ方向（上下）に貫通している。吹き出し路１６の上端部は放電空間５に連なっている。吹き出し路１６の下端部は処理空間６に連なっている。

吹き出し路１６は、多数の小孔状になっており、第２電極１２及び第２固体誘電体１４の第１電極１１と対向する領域内に分散して配置されている。吹き出し路１６は、１又は複数のスリット状になっていてもよい。吹き出し路１６をスリット状にする場合、スリットの延び方向は、第２電極１２の長手方向（図１の紙面と直交する方向）でもよく、第２電極１２の短手方向（図１の左右方向）でもよく、第２電極１２の長手方向に対し斜めの方向でもよい。

次に、筐体２０について説明する。筐体２０は、底部が開口され、かつ長手方向を図１の紙面と直交する方向に向け、短手方向を左右方向に向けた箱状になっている。筐体２０の材料は、金属が好ましく、価格、重量、加工性、耐久性等の観点からは例えばアルミニウムであることが好ましい。

筐体２０の内部に第１電極１１及び第１固体誘電体１３が収容されている。筐体２０の上側部に、第１固体誘電体１３の左右の側壁１３ｗの上端部が連結されて支持されている。筐体２０の底部に第２電極１２が連結されて支持されている。第２電極１２が筐体２０の下面の開口を塞いでいる。

筐体２０の左右の両側部には、それぞれ導入流路３０が形成されている。各導入流路３０は、順次連なる流路部３１，３２，３３，３４で構成されている。

ヘッダ流路部３１は、筐体２０の左右の側壁２１に形成され、図１の紙面と直交する方向に延びている。処理ガス供給源４から延びる処理ガス供給路４ａが二手に分岐し、各ヘッダ流路部３１に連なっている。処理ガス供給源４には、処理目的に応じた処理ガスが蓄えられている。例えば、親水化処理であれば、酸素（Ｏ_２）等を主成分とする酸化性ガスを処理ガスとして用いるとよい。撥水化処理であれば、ＣＦ_４等のフッ素系化合物を主成分として含むガスを処理ガスとして用いるとよい。

分散流路部３２は、ヘッダ流路部３１より十分に小さい断面積の小孔状をなし、ヘッダ流路部３１から左右内側方向へ延び、側壁２１の内側面２１ａに達している。分散流路部３２は、図１の紙面と直交する方向に間隔を置いて複数設けられている。ヘッダ流路部３１の一端に導入された処理ガスは、ヘッダ流路部３１の他端へ向けて流れながら、各分散流路部３２を通って流出する。これにより、処理ガスの流路断面が、図１の紙面と直交する方向に分散され幅広になる。分散流路部３２が、複数の小孔に代えて、図１の紙面と直交する方向に延びる１つのスリットで構成されていてもよい。

連絡流路部３３は、筐体側壁２１と誘電体側壁１３ｗとの間に形成されている。連絡流路部３３は、図１の紙面と直交する方向に幅広をなし、垂直に下方へ延びている。連絡流路部３３の下端部は、第１固体誘電体１３の下面より下へ延長されている。

第１、第２固体誘電体１３，１４の間の隙間の放電空間５より左右外側の部分が、最終の導入流路部３４になっている。導入流路部３４は、図１の紙面と直交する方向に幅広をなし、水平に延びている。導入流路部３４の内端部が、放電空間５に直接連なっている。導入流路部３４の外端部は、連絡流路部３３と直角に交わっている。

導入流路３０内には被照射部材４１が設けられている。被照射部材４１は、筐体２０の内壁２１ａの放電空間５と面する箇所に配置されている。すなわち、被照射部材４１は、導入流路部３４を水平に真っ直ぐ左右外側に延長したとき、内壁２１ａと交差する箇所に配置されている。

被照射部材４１は、幅方向を上下に向けて図１の紙面と直交する方向に延びる薄い板状になっている。筐体２０の内壁２１ａの下側部には凹部２１ｂが形成されている。凹部２１ｂに被照射部材４１が嵌め込まれている。被照射部材４１は、連絡流路部３３の内面の一部分を画成している。凹部２１ｂより上側の内壁２１ａと、被照射部材４１の連絡流路部３３を向く面とは、面一になっている。

被照射部材４１は、筐体２０より耐光性が高い材料で構成されている。具体的には、筐体２０が例えばアルミニウムで構成されているのに対し、被照射部材４１は、例えばステンレス、チタン等の金属、又はアルミナ等のセラミックで構成されている。

上記構成のプラズマ処理装置１にて表面処理を行なう際は、被処理物９を配置部２の上にセットし、電極１１，１２間に電界を印加し、電極１１，１２間に大気圧グロー放電を生成する。また、図１の太線矢印に示すように、供給源４からの処理ガスを、供給路４ａ、ヘッダ流路部３１、分散流路部３２、連絡流路部３３、導入流路部３４を順次経て、放電空間５に供給する。これにより、処理ガスが放電空間５内でプラズマ化される。このプラズマ化された処理ガスが、吹き出し路１６から吹き出され、被処理物９に接触する。これにより、被処理物９の表面上で反応が起き、所望の表面処理が行なわれる。さらに、配置部２を処理ヘッド３に対し相対移動させることにより、被処理物９の全体を処理することができる。

放電により放電空間５から強いプラズマ発光Ｌが生じる。プラズマ光Ｌの波長域は、一般に０より長く１０００ｎｍ以下程度である。プラズマ光Ｌは、放電空間５の両側の導入流路部３４を経て左右の被照射部材４１にそれぞれ照射される。被照射部材４１は、耐光性材料（ステンレス、チタン、セラミック等）で構成されているから、プラズマ光Ｌが照射されても腐食しにくい。一方、筐体２０は耐光性が被照射部材４１ほど高くないが、プラズマ光Ｌが直接照射されることはない。したがって、筐体２０がプラズマ光Ｌで腐食するのを防止でき、筐体２０の内壁２１に粉状酸化物等の腐食生成物が生成されるのを防止できる。よって、処理ガスに腐食生成物が混入するのを防止でき、被処理物９が腐食生成物により汚染されるのを防止できる。この結果、処理品質を確保できる。
筐体２０を耐光性は低いが軽量で安価な材料（例えばアルミ）で構成し、耐光性が必要な箇所にだけ、筐体２０より十分小さな被照射部材４１を設けることで、筐体２０の全体を耐光性材料で構成した場合と比べ、重量を軽量化でき、かつ材料コストを大幅に低減できる。

次に、本発明の他の実施形態を説明する。以下の実施形態において第１実施形態と同様の構成に関しては、図面に第１実施形態と同一の符号又は第１実施形態の符号に「Ｘ」を付して説明を簡略化する。
図２は、本発明の第２実施形態に係るプラズマ処理装置１Ｘを示したものである。第１実施形態では一対の電極１１，１２が上下に対向していたが、第２実施形態では、一対の電極１１Ｘ，１２Ｘが左右に対向している。各電極１１Ｘ，１２Ｘは、長手方向を図２の紙面と直交する方向に向け、短手方向を上下に向けて配置されている。電極１１Ｘ，１２Ｘの互いの対向面は、垂直になっている。

電極１１Ｘ，１２Ｘに対する固体誘電体１３Ｘ，１４Ｘは、左右に対向している。第１電極１１Ｘに対応する第１固体誘電体１３Ｘだけでなく、第２電極１２Ｘに対応する第２固体誘電体１４Ｘも、断面がコ字状になっている。これら固体誘電体１３Ｘ，１４Ｘは、互いに対向する側とは反対側の方向に開口されている。各固体誘電体１３Ｘ，１４Ｘの内部に対応する電極１１Ｘ，１２Ｘが収容されている。

固体誘電体１３Ｘ，１４Ｘ間には垂直な隙間が形成されている。固体誘電体１３Ｘ，１４Ｘ間の隙間の上下方向の中央部分が放電空間５になっている。図示は省略するが、固体誘電体１３Ｘ，１４Ｘ間の隙間ひいては放電空間５の長手方向（図２の紙面と直交する方向）の両端には、アルミナ等のセラミックからなるスペーサーがそれぞれ設けられている。スペーサーは、固体誘電体１３Ｘ，１４Ｘとに挟まれている。スペーサーにより、固体誘電体１３Ｘ，１４Ｘ間の隙間ひいては放電空間５の長手方向の両端が閉塞されている。

電極構造１０Ｘが筐体２０Ｘに収容され、支持されている。筐体２０Ｘの内部の電極構造１０Ｘより上側の部分には、整流室３５が形成されている。整流室３５は、例えば四角形の断面を有し、図２の紙面と直交する方向に延びている。筐体２０Ｘの上端部にはヘッダ流路部３１が設けられている。分散流路部３２がヘッダ流路部３１から下方へ延びて整流室３５の上端部に連なっている。整流室３５の下端部に最終の導入流路部３７が連なっている。導入流路部３７は、整流室３５から垂直に下方へ延び、放電空間５に直接連なっている。導入流路部３７の上半部は、整流室３５と電極構造１０との間の筐体２０Ｘに形成されている。導入流路３０の下半部は、固体誘電体１３Ｘ，１４Ｘ間の隙間の放電空間５より上側部分によって提供されている。固体誘電体１３Ｘ，１４Ｘ間の隙間の放電空間５より下側部分は、吹き出し路１６になっている。

整流室３５の内部に整流板３６が設けられている。整流板３６は、長手方向を図２の紙面と直交する方向に向け、幅方向を左右に向けた水平な板で構成されている。整流板３６によって、整流室３５の内部が上側の狭い整流室部分３５ａと下側の広い整流室部分３５ｂとに仕切られている。整流板３６の幅方向の両端部と整流室３５の左右の内壁との間の連通隙間３５ｃを介して、上下の整流室部分３５ａ，３５ｂが連なっている。

整流板３６の下面は、整流室部分３５ｂ及び導入流路部３７を介して放電空間５に面している。整流板３６は、筐体２０より耐光性が高い材料（ステンレス、チタン、セラミック等）で構成され、被照射部材４１として提供されている。すなわち、整流板３６は、ステンレス、チタン等の耐光性金属で構成されている。整流板３６の材料として、ステンレス、チタン等の耐光性金属に代えて、アルミナ等のセラミックを用いてもよい。

第２実施形態によれば、図２の太線矢印に示すように、処理ガスが、供給路４ａからヘッダ流路部３１、分散流路部３２を順次経て整流室３５に流入する。整流室３５内において、処理ガスは、室部分３５ａ、隙間３５ｃ、室部分３５ｂの順に流れ、この流通過程で図２の紙面と直交する方向に均一化される。その後、処理ガスは、導入流路部３７を通り、放電空間５に導入されてプラズマ化され、更に吹き出し路１６を通って吹き出され、被処理物９の表面処理に供される。

放電空間５からのプラズマ光Ｌが、導入流路部３７を通り、更に整流室部分３５ｂを経て整流板３６に照射される。整流板３６は、耐光性材料（ステンレス、チタン、セラミック等）で構成されているから、プラズマ光Ｌが照射されても腐食しにくい。また、プラズマ光Ｌは、整流板３６によって進行を遮られ、整流板３６より上側の筐体２０Ｘの内壁に照射されることはない。具体的には、プラズマ光Ｌが、整流室３５の上側面に照射されることはなく、更に分散流路部３２を介してヘッダ流路部３１の上側の内壁に照射されることはない。これによって、筐体２０Ｘがプラズマ光Ｌで腐食するのを防止できる。よって、処理ガスに腐食生成物が混入するのを防止でき、ひいては、処理品質を確保できる。

図３は、第２実施形態の変形例を示したものである。この変形例が第２実施形態と異なるところは、整流室３５の左右の内壁に被間接照射部材４２が設けられている点である。被間接照射部材４２は、筐体２０より耐光性が高い材料（ステンレス、チタン、セラミック等）で構成されている。整流板３６と被間接照射部材４２とは、互いに同じ耐光性材料で構成されていてもよく、互いに異なる耐光性材料で構成されていてもよい。

放電空間５からのプラズマ光Ｌは、整流板３６で反射して散乱する場合がある。この散乱光Ｌｓの殆どは、左右の被間接照射部材４２に照射される。被間接照射部材４２は、耐光性材料（ステンレス、チタン、セラミック等）で構成されているから、散乱光Ｌｓが照射されても腐食しにくい。また、散乱光Ｌｓが筐体２０Ｘの内壁に照射されるのを被間接照射部材４２によって遮ることができる。これにより、筐体２０Ｘの腐食を確実に防止でき、筐体２０Ｘの内壁に粉状酸化物等の腐食生成物が生成されるのをより確実に防止できる。よって、処理ガスに腐食生成物が混入するのを一層確実に防止できる。この結果、処理品質を確実に良好に維持できる。

本発明は、上記実施形態に限られず、種々の改変をなすことができる。
例えば、被照射部材４１は、板状に限られず、膜状であってもよい。被間接照射部材４２は、板状に限られず、膜状であってもよい。
固体誘電体１３，１４（１３Ｘ，１４Ｘ）は、一対の電極１１，１２（１１Ｘ，１２Ｘ）のうち少なくとも何れか一方に設けられていればよい。
第２実施形態（図２）又はその変形例（図３）において、整流板３６の必ずしも全体がステンレス、チタン等の耐光性金属で構成されている必要はなく、整流板３６の少なくとも放電空間５に面する箇所が耐光性材料で構成されていればよい。整流板３６の放電空間５に面する箇所を除く部分はアルミニウム等の耐光性が低い材料で構成し、整流板３６の放電空間５に面する箇所だけをステンレス又はチタン等の耐光性の材料で構成してもよい。
第２実施形態の変形例（図３）において、整流室３５の底面や整流室３５の図３の紙面と直交する方向の両端の内壁にも、左右の内壁と同様の被間接照射部材４２を設けてもよい。
複数の実施形態を互いに組み合わせてもよい。例えば、第１実施形態（図１）において、導入流路３０内の、被照射部材４１からの散乱光が照射される箇所に、第２実施形態の変形例（図３）と同様の被間接照射部材４２を設けてもよい。被照射部材４１と被間接照射部材４２とは、互いに同じ耐光性材料で構成されていてもよく、互いに異なる耐光性材料で構成されていてもよい。

本発明は、被処理物９を放電空間５の外部の処理空間６に配置して処理する所謂リモート式のプラズマ処理に限られず、被処理物を放電空間の内部に配置して放電空間内で生成したプラズマを被処理物に直接的に当てる所謂ダイレクト式のプラズマ処理にも適用できる。
本発明は、表面改質（親水化、撥水化等）、アッシング、洗浄、エッチング、成膜などの種々の表面処理に適用可能である。大気圧近傍下でのプラズマ処理に限られず、真空下でのプラズマ処理にも適用可能である。

この発明は、例えばフラットパネルディスプレイ用のガラス基板や半導体基板の製造工程における表面処理に適用可能である。

本発明の第１実施形態に係るプラズマ処理装置の概略構成を示す断面図である。 本発明の第２実施形態に係るプラズマ処理装置の概略構成を示す断面図である。 第２実施形態の変形例に係るプラズマ処理装置の概略構成を示す断面図である。

符号の説明

１ プラズマ処理装置
２ 配置部
３，３Ｘ 処理ヘッド
４ 処理ガス供給源
４ａ 処理ガス供給路
５ 放電空間
６ 処理空間
９ 被処理物
１０，１０Ｘ 電極構造
１１，１１Ｘ 第１電極
１２，１２Ｘ 第２電極
１３，１３Ｘ 第１固体誘電体
１３ｗ 壁
１４，１４Ｘ 第２固体誘電体
１６ 吹き出し路
２０，２０Ｘ 筐体
２１ 側壁
２１ａ 内壁
２１ｂ 被照射部材収容凹部
３０ 導入流路
３１ ヘッダ流路部
３２ 分散流路部
３３ 連絡流路部
３４ 導入流路部
３５ 整流室
３５ａ 上側整流室部分
３５ｂ 下側整流室部分
３５ｃ 連通隙間
３６ 整流板（被照射部材）
３７ 導入流路部
４１ 被照射部材
４２ 被間接照射部材
Ｌ プラズマ光
Ｌｓ 散乱光

Claims (7)

1. 処理ガスを、放電空間でプラズマ化して被処理物に接触させ、前記被処理物の表面を処理する装置において、
   互いに対向する一対の電極及びこれら電極のうち少なくとも一方の対向面に設けられた固体誘電体とを含み、前記放電空間を形成する電極構造と、
   前記電極構造を収容又は保持し、かつ内部に前記放電空間への処理ガスの導入流路を有する筐体と、前記導入流路内の前記放電空間と面する箇所に設けられた被照射部材と、を備え、前記被照射部材が、前記筐体より耐光性が高い材料で構成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
2. 前記被照射部材が、前記筐体の前記導入流路を画成する内壁の前記放電空間と面する箇所に設けられていることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
3. 前記導入流路が、処理ガスを均一化する整流室を有し、前記整流室の内部には、整流室内を互いに連通する２つの室部分に仕切り、かつ放電空間に面する整流板が設けられ、前記整流板が、前記筐体より耐光性が高い材料で構成され、前記被照射部材として提供されていることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
4. 前記導入流路内の、前記被照射部材からの散乱光が照射される箇所に被間接照射部材が設けられ、前記被間接照射部材が、前記筐体より耐光性が高い材料で構成されていることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載のプラズマ処理装置。
5. 前記整流室の内壁に被間接照射部材が設けられ、前記被間接照射部材が、前記筐体より耐光性が高い材料で構成されていることを特徴とする請求項３に記載のプラズマ処理装置。
6. 前記筐体が、アルミニウムにて構成され、前記被照射部材が、ステンレス、チタン、セラミックからなる群から選択される１つにて構成されていることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載のプラズマ処理装置。
7. 前記筐体が、アルミニウムにて構成され、前記被照射部材が、ステンレス、チタン、セラミックからなる群から選択される１つにて構成され、前記被間接照射部材が、ステンレス、チタン、セラミックからなる群から選択される１つにて構成されていることを特徴とする請求項４又は５に記載のプラズマ処理装置。

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