JP4574387B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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前記一方向と直交する対向方向に互いに対向する対向面を有する一対の平行平板型の電極と、厚さ方向を前記対向方向に向けて前記一方向及び前記対向方向と直交する幅方向に延び、かつ上記一方向に延びるスリット状をなして前記一対の電極どうしの間に挟まれたスリット通路を形成するスリット通路画成部とを備え、前記スリット通路の前記一方向の一側部に前記処理ガスの導入部が接続され前記一方向の他側部に前記吹出し口が設けられており、前記導入部が前記スリット通路の前記幅方向の全長にわたって処理ガスを均一に導入し、前記吹出し口が前記スリット通路の前記幅方向の全長に連なり、前記一対の電極どうし間にプラズマ放電が発生して前記スリット通路の内部に前記放電部が形成され、前記スリット通路画成部が、前記一対の電極の対向面にそれぞれ固体誘電体層となるべく設けられた一対の誘電部材と、一対の内端面構成部材を含み、前記一対の誘電部材が、前記対向方向に対向して互いの間に前記スリット通路を画成し、これら誘電部材の前記幅方向の両端部の各々が、前記各電極の対向面より前記幅方向の外側へ延出されて延出端部を形成し、これら誘電部材の前記幅方向の互いに同じ側の延出端部どうし間に前記内端面構成部材が設けられ、前記内端面構成部材の前記幅方向の内側を向く端面が、前記スリット通路の前記幅方向の内端面を構成しており、前記スリット通路の前記幅方向の寸法が、前記各電極の前記幅方向の寸法ひいては前記放電部の前記幅方向の寸法より大きく、前記幅方向の両端の各前記内端面が、前記各電極の対向面より前記幅方向(前記電極どうしの対向方向及びスリット通路内での処理ガスの流通方向の何れとも直交する方向)の外側に前記スリット通路の前記対向方向に沿う厚さ以上離れて配置されていることを特徴とする。
これによって、スリット通路が放電部より幅広になり、プラズマがスリット通路の内端面と接触するのを防止できるとともに、前記内端面の周辺での電界集中を緩和できる。これにより、パーティクルを防止できるとともに、内端面構成部材や固体誘電体層の損傷劣化を抑制して寿命を延ばすことができる。
これによって、前記スペーサが、電極対向面の幅方向端部より前記幅方向の外側に配置されることになり、スペーサ内端面での電界集中を緩和してパーティクルを防止でき、スペーサや誘電部材の損傷劣化を抑制できるとともに、誘電部材の裏面(スリット通路とは逆側の面)での異常放電を防止することができる。
これによって、前記凸部が、前記電極の対向面の幅方向端部より前記幅方向の外側に配置されることになり、凸部の側端面での電界集中を緩和してパーティクルを防止でき、誘電部材の損傷劣化を抑制できるとともに、誘電部材の裏面(スリット通路とは逆側の面)での異常放電を防止できる。
図1は、被処理物90の表面をプラズマ洗浄するプラズマ処理装置1を示したものである。被処理物90は、例えば液晶画面用のITO(インジウム酸化錫)ガラスである。このITOガラス90の表面にプラズマガスが照射されると、表面の活性状態が変化し、濡れ性が向上する。これにより、液晶の製造において次工程がスムーズに進むことになる。ここで、濡れ性が良いとは、被処理物90の表面に液滴を垂らしたときの接触角が小さいことを意味し、処理レベルが高いことを意味する。
搬送手段40は、例えばローラコンベアにて構成されている。図1の白抜き太矢印にて示すように、この搬送手段40によって被処理物90が左右に移動されるようになっている。
被処理物90が静止される一方、プラズマ生成ユニット10が移動させるようになっていてもよい。
プラズマ生成ユニット10の一対の誘電部材13,13と一対のスペーサ18,18は、「スリット通路画成部」を構成している。
プラズマ洗浄用の処理ガスとしては、例えば希ガス、窒素等を用いるのが好ましい。微量の酸素を添加すると、より好ましい。
底板17は、金属などの導電材料からなる平らな板にて構成され、電気的に接地されている。これによって、底板17は、被処理物90にアークが落ちないように避雷針(アース板)の役割を果たしている。なお、底板17は少なくともホット電極11の下側に配置されていればよく、アース電極12側についてはホルダ15の下面が露出されていてもよい。
図2に示すように、上記誘電部材13の前後両端部(幅方向両端部、図2において上下)は、電極11,12の対向面の幅方向両端部より延出されており、一対の誘電部材13,13の延出端部どうしの間に上記スペーサ18が配置されている。したがって、スペーサ18は、電極11,12の対向面の幅方向端部より幅方向の外側に配置されている。また、スリット通路14は、電極11,12の対向面の幅方向両端部より延出されている。そして、スリット通路14の幅方向両側の内端面が、電極11,12の対向面の幅方向両端部より幅方向の外側に配置されている。スリット通路14の内端面は、電極11,12の対向面の幅方向端部より幅方向の外側へ0.1〜30mm離れて配置されていることが望ましい。
第1実施形態では、スペーサ18が、誘電部材13と別体になっていたが、一体に構成してもよい。すなわち、図3に示すように、各誘電部材13の電極対向面から延出された幅方向両端部には、それぞれ他方の誘電部材へ向けて突出する凸部13aが一体に形成されている。一対の誘電部材13,13の凸部13a,13aの突出端どうしが突き合わされている。これにより、誘電部材13,13どうしの間隔ひいては電極11,12どうしの間隔が維持されている。また、凸部13a.13aによってスリット通路18の内端面が画成されている。凸部13a,13aは、第1実施形態のスペーサ18と同じ役目を果たしている。
これら凸部13a,13aは、電極11,12の対向面の端部より幅方向の外側に配置されている。
例えば、電極11,12の端部の位置は幅方向にずれていてもよい。その場合、幅方向外側に突出する側の電極端部よりもスリット通路14の内端面が幅方向外側に位置するようにするのが望ましい。或いは、電極11,12の端部の幅方向のずれに合わせてスリット通路14の内端面を斜めにしてもよい。
第2実施形態において、片方の誘電部材13にだけ凸部13aを一体に設け、この凸部13aを他方の誘電部材13に突き当てることにしてもよい。
10 プラズマ生成ユニット
11,12 電極
13 誘電部材
13a 凸部
14 スリット通路
14a 放電部
14b 非放電部
16 吹出し口
18 スペーサ
20 処理ガス源
21 処理ガス供給路
22 処理ガス導入部
30 電源
40 搬送手段
90 被処理物
Claims (4)
- 処理ガスを一方向に沿って大気圧近傍の放電部に通して吹出し口から被処理物に吹付けるプラズマ処理装置であって、
前記一方向と直交する対向方向に互いに対向する対向面を有する一対の平行平板型の電極と、厚さ方向を前記対向方向に向けて前記一方向及び前記対向方向と直交する幅方向に延び、かつ上記一方向に延びるスリット状をなして前記一対の電極どうしの間に挟まれたスリット通路を形成するスリット通路画成部とを備え、前記スリット通路の前記一方向の一側部に前記処理ガスの導入部が接続され前記一方向の他側部に前記吹出し口が設けられており、前記導入部が前記スリット通路の前記幅方向の全長にわたって処理ガスを均一に導入し、前記吹出し口が前記スリット通路の前記幅方向の全長に連なり、前記一対の電極どうし間にプラズマ放電が発生して前記スリット通路の内部に前記放電部が形成され、
前記スリット通路画成部が、前記一対の電極の対向面にそれぞれ固体誘電体層となるべく設けられた一対の誘電部材と、一対の内端面構成部材を含み、前記一対の誘電部材が、前記対向方向に対向して互いの間に前記スリット通路を画成し、これら誘電部材の前記幅方向の両端部の各々が、前記各電極の対向面より前記幅方向の外側へ延出されて延出端部を形成し、これら誘電部材の前記幅方向の互いに同じ側の延出端部どうし間に前記内端面構成部材が設けられ、前記内端面構成部材の前記幅方向の内側を向く端面が、前記スリット通路の前記幅方向の内端面を構成しており、前記スリット通路の前記幅方向の寸法が、前記各電極の前記幅方向の寸法ひいては前記放電部の前記幅方向の寸法より大きく、前記スリット通路の前記幅方向の両端の各前記内端面が、前記各電極の対向面より前記幅方向の外側に前記スリット通路の前記対向方向に沿う厚さ以上離れて配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記一対の誘電部材の前記幅方向の互いに同じ側の延出端部どうし間に互いの間隔を維持するスペーサが設けられ、このスペーサの前記幅方向の内側を向く端面が、前記各電極の対向面より前記幅方向の外側に前記スリット通路の前記厚さ以上離れて配置されて前記スリット通路の前記幅方向の当該スペーサと同じ側の内端面を画成し、前記スペーサが前記内端面構成部材を構成していることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 少なくとも一方の電極側の誘電部材の前記延出端部には他方の誘電部材側に突出して互いの間隔を維持する凸部が一体に形成され、この凸部の前記幅方向の内側を向く面が、前記各電極の対向面より前記幅方向の外側に前記スリット通路の前記厚さ以上離れて配置されて前記スリット通路の前記幅方向の当該凸部と同じ側の内端面を画成し、前記凸部が前記前記内端面構成部材を構成していることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記スリット通路の前記幅方向の両端の各内端面が、前記電極の対向面より前記幅方向の外側に30mm以下離れて配置されていることを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載のプラズマ処理装置。
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