JP2006228658A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 一対の電極11,12の対向面に誘電部材13,13を設け、これら誘電部材の間にスリット通路14を形成する。スリット通路14の大部分は、電極11,12によって放電部14aになる。誘電部材13,13の幅方向両端部を、電極11,12の対向面より延出させ、この延出端部どうし間にスペーサ18を設ける。スペーサ18によって形成されたスリット通路14の幅方向の内端面は、放電部14aより幅方向外側に位置される。
【選択図】 図2
Description
互いの間に前記放電部を形成する一対の電極と、前記放電部を含むスリット状の通路を形成するスリット通路画成部とを備え、前記スリット通路の幅方向と直交する方向の一側部に前記処理ガスの導入部が接続され他側部に前記吹出し口が設けられており、
前記スリット通路の幅方向両端の内端面が、前記一対の電極の対向面の幅方向両端部より前記幅方向(前記電極どうしの対向方向及びスリット通路内での処理ガスの流通方向の何れとも直交する方向)の外側に配置されていることを特徴とする。
これによって、スリット通路が放電部より幅広になり、プラズマがスリット通路の内端面と接触するのを防止できるとともに、前記内端面の周辺での電界集中を緩和できる。これにより、パーティクルを防止できるとともに、内端面構成部材や固体誘電体層の損傷劣化を抑制して寿命を延ばすことができる。
これによって、前記スペーサが、電極対向面の幅方向端部より前記幅方向の外側に配置されることになり、スペーサ内端面での電界集中を緩和してパーティクルを防止でき、スペーサや誘電部材の損傷劣化を抑制できるとともに、誘電部材の裏面(スリット通路とは逆側の面)での異常放電を防止することができる。
これによって、前記凸部が、前記電極の対向面の幅方向端部より前記幅方向の外側に配置されることになり、凸部の側端面での電界集中を緩和してパーティクルを防止でき、誘電部材の損傷劣化を抑制できるとともに、誘電部材の裏面(スリット通路とは逆側の面)での異常放電を防止できる。
図1は、被処理物90の表面をプラズマ洗浄するプラズマ処理装置1を示したものである。被処理物90は、例えば液晶画面用のITO(インジウム酸化錫)ガラスである。このITOガラス90の表面にプラズマガスが照射されると、表面の活性状態が変化し、濡れ性が向上する。これにより、液晶の製造において次工程がスムーズに進むことになる。ここで、濡れ性が良いとは、被処理物90の表面に液滴を垂らしたときの接触角が小さいことを意味し、処理レベルが高いことを意味する。
搬送手段40は、例えばローラコンベアにて構成されている。図1の白抜き太矢印にて示すように、この搬送手段40によって被処理物90が左右に移動されるようになっている。
被処理物90が静止される一方、プラズマ生成ユニット10が移動させるようになっていてもよい。
プラズマ生成ユニット10の一対の誘電部材13,13と一対のスペーサ18,18は、「スリット通路画成部」を構成している。
プラズマ洗浄用の処理ガスとしては、例えば希ガス、窒素等を用いるのが好ましい。微量の酸素を添加すると、より好ましい。
底板17は、金属などの導電材料からなる平らな板にて構成され、電気的に接地されている。これによって、底板17は、被処理物90にアークが落ちないように避雷針(アース板)の役割を果たしている。なお、底板17は少なくともホット電極11の下側に配置されていればよく、アース電極12側についてはホルダ15の下面が露出されていてもよい。
図2に示すように、上記誘電部材13の前後両端部(幅方向両端部、図2において上下)は、電極11,12の対向面の幅方向両端部より延出されており、一対の誘電部材13,13の延出端部どうしの間に上記スペーサ18が配置されている。したがって、スペーサ18は、電極11,12の対向面の幅方向端部より幅方向の外側に配置されている。また、スリット通路14は、電極11,12の対向面の幅方向両端部より延出されている。そして、スリット通路14の幅方向両側の内端面が、電極11,12の対向面の幅方向両端部より幅方向の外側に配置されている。スリット通路14の内端面は、電極11,12の対向面の幅方向端部より幅方向の外側へ0.1〜30mm離れて配置されていることが望ましい。
第1実施形態では、スペーサ18が、誘電部材13と別体になっていたが、一体に構成してもよい。すなわち、図3に示すように、各誘電部材13の電極対向面から延出された幅方向両端部には、それぞれ他方の誘電部材へ向けて突出する凸部13aが一体に形成されている。一対の誘電部材13,13の凸部13a,13aの突出端どうしが突き合わされている。これにより、誘電部材13,13どうしの間隔ひいては電極11,12どうしの間隔が維持されている。また、凸部13a.13aによってスリット通路18の内端面が画成されている。凸部13a,13aは、第1実施形態のスペーサ18と同じ役目を果たしている。
これら凸部13a,13aは、電極11,12の対向面の端部より幅方向の外側に配置されている。
例えば、電極11,12の端部の位置は幅方向にずれていてもよい。その場合、幅方向外側に突出する側の電極端部よりもスリット通路14の内端面が幅方向外側に位置するようにするのが望ましい。或いは、電極11,12の端部の幅方向のずれに合わせてスリット通路14の内端面を斜めにしてもよい。
第2実施形態において、片方の誘電部材13にだけ凸部13aを一体に設け、この凸部13aを他方の誘電部材13に突き当てることにしてもよい。
10 プラズマ生成ユニット
11,12 電極
13 誘電部材
13a 凸部
14 スリット通路
14a 放電部
14b 非放電部
16 吹出し口
18 スペーサ
20 処理ガス源
21 処理ガス供給路
22 処理ガス導入部
30 電源
40 搬送手段
90 被処理物
Claims (4)
- 処理ガスを放電部に通して吹出し口から被処理物に吹付けるプラズマ処理装置であって、
互いの間に前記放電部を形成する一対の電極と、前記放電部を含むスリット状の通路を形成するスリット通路画成部とを備え、前記スリット通路の幅方向と直交する方向の一側部に前記処理ガスの導入部が接続され他側部に前記吹出し口が設けられており、
前記スリット通路の幅方向両端の内端面が、前記一対の電極の対向面の幅方向両端部より前記幅方向の外側に配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記一対の電極の対向面にはそれぞれ固体誘電体層となる誘電部材が設けられ、これら誘電部材の幅方向両端部が、前記電極の対向面より幅方向外側へ延出されるとともに、これら延出端部どうし間に互いの間隔を維持するスペーサが設けられ、このスペーサが、前記スリット通路の内端面を画成していることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記一対の電極の対向面にはそれぞれ固体誘電体層となる誘電部材が設けられ、これら誘電部材の幅方向両端部が、前記電極の対向面より幅方向外側へ延出されるとともに、少なくとも一方の電極側の誘電部材の幅方向端部には他方の誘電部材側に突出して互いの間隔を維持する凸部が一体に形成され、この凸部が、前記スリット通路の内端面を画成していることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記スリット通路の内端面が、前記電極の対向面の幅方向端部より前記幅方向の外側に0.1〜30mm離れて配置されていることを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005043637A JP4574387B2 (ja) | 2005-02-21 | 2005-02-21 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005043637A JP4574387B2 (ja) | 2005-02-21 | 2005-02-21 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006228658A true JP2006228658A (ja) | 2006-08-31 |
JP4574387B2 JP4574387B2 (ja) | 2010-11-04 |
Family
ID=36989830
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2005043637A Active JP4574387B2 (ja) | 2005-02-21 | 2005-02-21 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP4574387B2 (ja) |
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A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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