JP4977864B2 - 同軸型真空アーク蒸着源及びこれを用いた蒸着装置 - Google Patents
同軸型真空アーク蒸着源及びこれを用いた蒸着装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4977864B2 JP4977864B2 JP2006118143A JP2006118143A JP4977864B2 JP 4977864 B2 JP4977864 B2 JP 4977864B2 JP 2006118143 A JP2006118143 A JP 2006118143A JP 2006118143 A JP2006118143 A JP 2006118143A JP 4977864 B2 JP4977864 B2 JP 4977864B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vapor deposition
- insulating member
- slit portion
- trigger electrode
- vacuum arc
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title claims description 73
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 45
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 claims description 12
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 9
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 9
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 9
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
これらの薄膜形成方法のうち、膜厚制御性に優れ、高品質の薄膜を形成できることから、近年では同軸型真空アーク蒸着源を用いた蒸着装置が注目されている(例えば、特許文献1参照)。
図6に示すように、この蒸着装置101は、図示しない真空排気系に接続された真空槽102を有している。
この真空槽102内の底壁には、同軸型真空アーク蒸着源103が配置され、さらに真空槽102内の天井側には、基板ホルダ104によって保持された基板105が配置されている。
この蒸着材料107は、金属やカーボン等の薄膜材料を用いて円柱形状に形成されたもので、金属製の基台110に電気的に接続された状態で、その中心軸線がアノード電極106の中心軸線と一致するように配設されている。
ここで、トリガ電源111とアーク電源112の負電位側の端子は、それぞれ基台110に共通に接続されている。
請求項2記載の発明は、請求項1記載の発明において、前記絶縁部材に二つのスリット部を設けることにより当該絶縁部材が二つに分割された部材から構成されているものである。
請求項3記載の発明は、請求項1又は2のいずれか1項記載の発明において、前記絶縁部材の直径方向に対する前記スリット部の角度が、0°以上60°以下であることを特徴とする。
請求項4記載の発明は、請求項1乃至3のいずれか1項記載の発明において、前記絶縁部材の直径方向に対する前記スリット部の角度が、20°以上60°以下であることを特徴とする。
請求項5記載の発明は、請求項1乃至4のいずれか1項記載の発明において、前記トリガ電極に、前記スリット部の幅を狭めるように当該トリガ電極を締め付ける締付機構が設けられているものである。
請求項6記載の発明は、真空槽内に請求項1乃至5のいずれか1項記載の同軸型真空アーク蒸着源が設けられている蒸着装置である。
そして、上述した同軸型真空アーク蒸着源を真空槽内に設けた蒸着装置によれば、安定してトリガ放電を生じさせ、基板上に蒸着を行うことができる。
図1は、本発明に係る蒸着装置の実施の形態の構成を示す断面図である。
図1に示すように、本実施の形態の蒸着装置1は、図示しない真空排気系に接続された真空槽2を有している。
同軸型真空アーク蒸着源3は、開放口側が基板ホルダ4に向けられた円筒形形状のアノード電極6を有しており、このアノード電極6の内部の空間には、カソード電極となる蒸着材料7が設けられている。
ここで、蒸着材料7は、その中心軸線がアノード電極6の中心軸線と一致するように配置されている。
ここでは、絶縁部材8の端部から蒸着材料7の先端部が突出する状態で挿入固定され、これにより蒸着材料7の絶縁部材8から突出する部分の外周面が、アノード電極6の内周面と対向するように構成されている。
他方、トリガ電源11の正電位側の端子は、トリガ電極9に接続され、またアーク電源12の正電位側の端子は、アノード電極6に接続されている。
図2及び図3(a)(b)に示すように、絶縁部材8には、その円筒の軸線方向に延び当該絶縁部材8を部分的に切断するように形成されたスリット部20が設けられている。
また、本発明の場合、スリット部20の幅W1は、特に限定されることはないが、蒸着材料7及びトリガ電極9との間の密着性を向上させる観点からは、0.1〜5.0mmとすることが好ましい。
図2及び図4(a)(b)に示すように、トリガ電極9には、その円筒の軸線方向に延び当該トリガ電極9を部分的に切断するように形成されたスリット部30が設けられている。
なお、本発明は、トリガ電極9として、円筒の肉厚が1.0〜9.0mmのものを用いた場合に特に好適となるものである。
本実施の形態の場合、トリガ電極9のスリット部30の両側の部位に取付凹部9a、9bが形成され、この取付凹部9a、9b間を貫通するように設けられた孔部(図示せず)に例えばボルトとナットからなる締付機構40が装着される。そして、この締付機構40を締め付けることにより、スリット部30の幅W2を狭めてトリガ電極9の内径を小さくするように構成されている。
なお、本発明は上述の実施の形態に限られることなく、種々の変更を行うことができる。
また、トリガ電極にスリット部を一つ設けるようにしたが、本発明はこれに限られず、二つ以上設けることも可能である。
さらに、トリガ電極を締め付ける締付機構としては、ボルトとナットの組み合わせの他、例えば、ばね等の付勢手段を用いることも可能である。
図5(a)〜(c)は、実施例及び比較例に用いた蒸着材料、絶縁部材及びトリガ電極の寸法関係を示す説明図である。
ここでは、蒸着材料の直径D1=10mm、絶縁部材の内径D2=10mm、絶縁部材の外径D3=12mm、トリガ電極の内径D4=12mm、トリガ電極の外径D5=15mm、絶縁部材のスリット部の幅W1=0.8mm、トリガ電極のスリット部の幅W2=2mmとした。
絶縁部材として、スリット部を一つ設けるとともに、直径方向に対するスリット部の角度θを0°としたものを用いた。
絶縁部材として、スリット部を二つ設けるとともに、直径方向に対するスリット部の角度θを0°としたものを用いた。
絶縁部材として、スリット部を一つ設けるとともに、直径方向に対するスリット部の角度θを20°としたものを用いた。
絶縁部材として、スリット部を二つ設けるとともに、直径方向に対するスリット部の角度θを20°としたものを用いた。
絶縁部材として、スリット部を一つ設けるとともに、直径方向に対するスリット部の角度θを30°としたものを用いた。
絶縁部材として、スリット部を二つ設けるとともに、直径方向に対するスリット部の角度θを30°としたものを用いた。
絶縁部材として、スリット部を一つ設けるとともに、直径方向に対するスリット部の角度θを60°としたものを用いた。
絶縁部材として、スリット部を二つ設けるとともに、直径方向に対するスリット部の角度θを60°としたものを用いた。
絶縁部材として、スリット部を設けない従来の構成のものを用いた。
絶縁部材として、スリット部を一つ設けるとともに、直径方向に対するスリット部の角度θを70°としたものを用いた。
絶縁部材として、スリット部を二つ設けるとともに、直径方向に対するスリット部の角度θを70°としたものを用いた。
さらに、絶縁部材として、スリット部を一つ又は二つ設けるとともに、直径方向に対するスリット部の角度θを70°としたものを用いた比較例2及び比較例3は、異常放電により成膜ができず、また絶縁部材に割れが発生した。
Claims (6)
- 筒状のアノード電極と、
中心軸線を前記アノード電極の中心軸線と略一致させ、当該アノード電極内部に配置された柱状の蒸着材料と、
前記蒸着材料の周囲に密着配置された筒状の絶縁部材と、
前記絶縁部材の周囲に密着配置された筒状のトリガ電極とを有し、
前記トリガ電極と前記蒸着材料の間で発生したトリガ放電によって、前記アノード電極内壁面と前記蒸着材料側面との間にアーク放電を誘起させ、
前記蒸着材料側面から放出された微小粒子を前記アノード電極の開放口から放出させる同軸型真空アーク蒸着源であって、
前記絶縁部材に、その軸線方向に延び当該絶縁部材を部分的に切断するように形成されたスリット部が設けられるとともに、
前記トリガ電極に、その軸線方向に延び当該トリガ電極を部分的に切断するように形成されたスリット部が設けられている同軸型真空アーク蒸着源。 - 前記絶縁部材に二つのスリット部を設けることにより当該絶縁部材が二つに分割された部材から構成されている請求項1記載の同軸型真空アーク蒸着源。
- 前記絶縁部材の直径方向に対する前記スリット部の角度が、0°以上60°以下である請求項1又は2のいずれか1項記載の同軸型真空アーク蒸着源。
- 前記絶縁部材の直径方向に対する前記スリット部の角度が、20°以上60°以下である請求項1乃至3のいずれか1項記載の同軸型真空アーク蒸着源。
- 前記トリガ電極に、前記スリット部の幅を狭めるように当該トリガ電極を締め付ける締付機構が設けられている請求項1乃至4のいずれか1項記載の同軸型真空アーク蒸着源。
- 真空槽内に請求項1乃至5のいずれか1項記載の同軸型真空アーク蒸着源が設けられている蒸着装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006118143A JP4977864B2 (ja) | 2006-04-21 | 2006-04-21 | 同軸型真空アーク蒸着源及びこれを用いた蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006118143A JP4977864B2 (ja) | 2006-04-21 | 2006-04-21 | 同軸型真空アーク蒸着源及びこれを用いた蒸着装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007291425A JP2007291425A (ja) | 2007-11-08 |
JP4977864B2 true JP4977864B2 (ja) | 2012-07-18 |
Family
ID=38762327
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006118143A Active JP4977864B2 (ja) | 2006-04-21 | 2006-04-21 | 同軸型真空アーク蒸着源及びこれを用いた蒸着装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4977864B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5013331B2 (ja) * | 2007-05-25 | 2012-08-29 | 株式会社アルバック | 同軸型真空アーク蒸着源 |
JP2009179863A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Ulvac Japan Ltd | 同軸型真空アーク蒸着源及び蒸着装置 |
JP5250887B2 (ja) * | 2008-07-14 | 2013-07-31 | 株式会社アルバック | 同軸型真空アーク蒸着源及び真空蒸着装置 |
JP5124725B2 (ja) * | 2008-07-14 | 2013-01-23 | 株式会社アルバック | 同軸型真空アーク蒸着源及び真空蒸着装置 |
DE202018100363U1 (de) * | 2018-01-23 | 2019-04-24 | Aixtron Se | Vorrichtung zum Verbinden eines Suszeptors mit einer Antriebswelle |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000008159A (ja) * | 1998-06-19 | 2000-01-11 | Ulvac Corp | 同軸型真空アーク蒸着源を用いた蒸着装置 |
JP2001011606A (ja) * | 1999-06-24 | 2001-01-16 | Ulvac Japan Ltd | 同軸型真空アーク蒸着源を有する蒸着装置 |
-
2006
- 2006-04-21 JP JP2006118143A patent/JP4977864B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007291425A (ja) | 2007-11-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8702920B2 (en) | Repeller structure and ion source | |
JP4977864B2 (ja) | 同軸型真空アーク蒸着源及びこれを用いた蒸着装置 | |
US7365339B2 (en) | Ion source | |
US9153406B2 (en) | Supporting structure and ion generator using the same | |
US20100259273A1 (en) | Cold cathode ionization vacuum gauge, vacuum processing apparatus including same and discharge starting auxiliary electrode | |
US9117630B2 (en) | Insulation structure of high voltage electrodes for ion implantation apparatus | |
WO2011130929A1 (zh) | 激光触发真空开关 | |
US20140368210A1 (en) | Cold cathode ionization vacuum gauge and inner wall protection member | |
KR102524433B1 (ko) | 활성 가스 생성 장치 | |
JP2006351374A (ja) | イオン源 | |
JP4725969B2 (ja) | 同軸型真空アーク蒸着源及びこれを用いた蒸着装置 | |
JP4204695B2 (ja) | 蒸着源、蒸着装置 | |
KR100449524B1 (ko) | 플라즈마 처리방법 및 장치 | |
US10914649B1 (en) | Ionization gauge and cartridge | |
US10910795B2 (en) | Arrester for surge protection | |
JP5048538B2 (ja) | 同軸型真空アーク蒸着源及び真空蒸着装置 | |
CN111584334A (zh) | 用于离子注入装置的绝缘结构 | |
JP2020149780A (ja) | 真空遮断器 | |
JP2008059759A (ja) | 真空装置及び真空装置に用いられる高電圧印加ユニット | |
JP2005149899A (ja) | 真空バルブ | |
JP2000208091A (ja) | イオン注入装置 | |
JP5636931B2 (ja) | 電子ビーム照射装置、これを用いる電子ビーム照射処理装置、及びこれらに用いるコレクター電極 | |
JP4739384B2 (ja) | 蒸着方法 | |
JP2010248548A (ja) | ホローカソード型放電管 | |
JP2009256740A (ja) | スパッタリング装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081224 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100922 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120306 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120326 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150427 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4977864 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |