CN101632327A - 等离子体处理装置 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 52
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims abstract 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 239000007921 spray Substances 0.000 abstract description 5
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 90
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 12
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 239000003570 air Substances 0.000 description 5
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 5
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 4
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 4
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 1
- 230000004087 circulation Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000003467 diminishing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 150000002221 fluorine Chemical class 0.000 description 1
- 238000013467 fragmentation Methods 0.000 description 1
- 238000006062 fragmentation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32366—Localised processing
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0035—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/47—Generating plasma using corona discharges
- H05H1/471—Pointed electrodes
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/2406—Generating plasma using dielectric barrier discharges, i.e. with a dielectric interposed between the electrodes
- H05H1/2418—Generating plasma using dielectric barrier discharges, i.e. with a dielectric interposed between the electrodes the electrodes being embedded in the dielectric
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Analytical Chemistry (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
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Abstract
本发明涉及一种等离子体处理装置(A)，其通过放电使等离子体生成用气体(G)激活，并将该被激活的等离子体生成用气体(G)喷射在待处理物(H)上进行处理。在由陶瓷烧结体构成的绝缘基板(1)上埋设导电层(2)而形成覆盖电极(3)。将多个覆盖电极(3、3…)相对置地配置，使覆盖电极(3、3)之间形成放电空间(4)。具有电源(5)，其用于对导电层(2)外加电压，使在放电空间(4)产生放电。因为不进行陶瓷材料的热喷涂，因此可以实现覆盖电极(3)的材料的低成本或制造工艺的简化。与陶瓷热喷涂的覆膜相比，陶瓷烧结体的空隙率小且致密，因此在放电时不容易发生绝缘破坏。
Description
技术领域
本发明涉及一种用于存在于待处理物的表面的有机物等的异物的清洗、抗蚀剂的剥离或蚀刻、有机膜的密着性的改善、金属氧化物的还原、成膜、电镀前处理、涂层前处理、涂装前处理、各种材料·部件的表面改性等的表面处理中的等离子体处理装置，特别适合应用于需要进行精密接合的电子部件的表面的清洗。
背景技术
以往，通过将一对电极相对置地配置，形成电极之间的空间作为放电空间，向放电空间提供等离子体生成用气体，并且，向电极之间外加电压，这样一来，在放电空间内产生放电生成等离子体，从放电空间喷出等离子体或等离子体的活性种子，喷射到待处理物上，由此，在待处理物上实施表面改性等的等离子体处理(参照专利文献1)。
在这种等离子体处理装置中，为了防止由于放电而造成的电极的损伤，电极的表面用通过对陶瓷材料进行热喷涂而形成的覆膜来涂层。
但是，由于这种情况下，使用了热喷涂施工性好的钛作为电极材料，并且热喷涂工艺也很复杂，所以存在制造成本高的问题。另外，由于热喷涂形成的覆膜的空隙率高，所以覆膜容易出现缺陷，并由于此缺陷而在电极之间发生短路，从而造成放电不稳定或电极受损的问题。
本发明是鉴于上述问题而完成的发明，其目的是提供一种能以低成本进行制造，而且可以防止放电不稳定或电极损伤的等离子体处理装置。
专利文献1：JP特开2004-311116号公报
发明内容
为了解决上述课题，本发明的等离子体处理装置A，用于通过放电使等离子体生成用气体G激活，并将该被激活的等离子体生成用气体G喷射在待处理物H上进行处理，其特征为：在由陶瓷烧结体构成的绝缘基板1上埋设导电层2而形成覆盖电极3，并将多个覆盖电极3、3…相对置地配置而将覆盖电极3、3之间形成为放电空间4，且具有电源5，其用于对导电层2外加电压，使在放电空间4产生放电。
附图说明
图1表示本发明的实施方式中的一个例子，(a)是立体图；(b)是剖视图；(c)是仰视图。
图2是表示同上的覆盖电极的制造的剖视图。
图3是表示同上的(a)(b)的一部分的剖视图。
图4是表示同上的一部分的剖视图。
图5表示同上的其他的实施方式中的一个例子，(a)是立体图；(b)是剖视图。
图6是表示同上的其他的实施方式中的一个例子的剖视图。
图7是表示同上的其他的实施方式中的一个例子的剖视图。
图8是表示同上的一部分的剖视图。
图9是表示雷电冲击试验的概略图。
具体实施方式
以下，对实施本发明的优选方式进行说明。
图1(a)(b)中表示了本发明的等离子体处理装置A的一个例子。该等离子体处理装置A具有多个覆盖电极3、电源5、散热器6、温度调整单元7、气体均匀化单元8等。
覆盖电极3是在大致平板状的绝缘基板(多层基板)1的内部埋入导电层2而形成的。绝缘基板1是由高熔点的绝缘材料(电介质材料)的陶瓷烧结体形成的，例如，可以由氧化铝、氧化锆、莫来石(mullite)、氮化铝等高耐热性、高强度的陶瓷烧结体形成，但是，不仅限于这些材料。特别地，即使在这些材料中，也优选由高强度的、价格低的氧化铝等形成。另外，也可以使用二氧化钛、钛酸钡等的高电介质材料。在绝缘基板1的两侧端部设置的接合部33从绝缘基板1的一个面侧突出。
导电层2是在绝缘基板1的内部形成层状的层，可以使用铜、钨、铝、黄铜、不锈钢等导电性的金属材料形成，特别优选由铜、钨等形成。
为了防止在覆盖电极3的制作时或等离子体处理时所涉及的热负荷引起的变形量的不同而导致的破损，上述绝缘基板1和导电层2的材质优选适当地选择使用线热膨胀率之差小的材料。
覆盖电极3，例如，如图2所示可以使用绝缘薄板材9和导电体10形成。绝缘薄板材9可以通过以下方式得到：在氧化铝等上述绝缘材料的粉体中混合接合剂等，根据需要再添加各种添加剂进行混合，将该混合材料形成薄板状。导电体10可以使用铜等上述导电性的金属箔或金属板等。另外，导电体10可以通过在上述绝缘薄板材9的表面上进行金属材料的印刷或电镀、蒸镀等形成膜状。
然后，将多张绝缘薄板材9、9…叠合，并且，在绝缘薄板材9之间配置导电体10进行叠合，通过烧结将其成形为一体的结构，由此，可以在形成由绝缘薄板材9中所包含的陶瓷粉体的烧结体构成的绝缘基板1，并且，在该绝缘基板1的内部，形成由导电体10构成的层状导电层2，得到覆盖电极3。另外，上述烧结条件可以根据陶瓷粉体的种类或绝缘基板1的厚度等适当地设定。
在本发明中，可以将绝缘基板1的厚度设为0.1～10mm，导电层2的厚度设为0.1μm～3mm，但也不局限于此。
然后，将如上所述形成的多个(一对)的覆盖电极3、3沿水平方向相对置配置，将覆盖电极3、3的相对置的面之间的空间形成为放电空间4。这里，如图1(c)所示，相对置的覆盖电极3、3的导电层2、2的间隔L优选设为0.1～5mm。若该间隔L超出上述范围，则会导致放电不稳定，或是不发生放电，或为了放电而需要大的电压，因此不是优选。另外，覆盖电极3、3是将各绝缘基板1、1的相对置的接合部33、33的顶端之间相接合而形成的，由此，使放电空间4的侧方的开口部分是封闭的。
在本发明中，电源5是用来生成使等离子体生成用气体G激活的电压，其电压可以设为适当的波形，例如交替波形(交流波形)、脉冲波形、或者是使这些波形重叠的波形等。另外，关于外加给导电层2、2之间的电压的大小或频率，可以考虑导电层2、2之间的距离或覆盖导电层2的部分的绝缘基板1的厚度或绝缘基板1的材质、放电的稳定性等，来进行适当的设定。
另外，在本发明中，导电层2、2优选中点接地，由此，可以在两个导电层都相对于接地浮起的状态下外加电压。因此，可以防止待处理物H和被激活的等离子体生成用气体(等离子流)G的电位差变小而发生电弧，从而可以防止电弧所造成的待处理物H的损伤。即，例如，如图3(a)所示，将一方的导电层2与电源5连接，设为13kV，将另一方的导电层2接地，设为0kV，导电层2、2之间的电位差Vp设为13kV的情况下，在被激活的等离子体生成用气体G与待处理物H之间至少产生数kV的电位差，由此可能会产生电弧Ar。另一方面，如图3(b)所示，在采用中点接地的情况下，可以将一方的导电层2的电位设为+6.5kV，将另一方的导电层2的电位设为-6.5kV，将导电层2，2之间的电位差Vp设为13kV，被激活的等离子体生成用气体G与待处理物H之间的电位差就几乎为0V。也就是说，与不采用中点接地的情况相比，采用中点接地的情况，与在导电层2、2之间是否生成相同的电位差无关，都可以减小被激活的等离子体生成用气体G与待处理物H之间的电位差，可以防止被激活的等离子体生成用气体G对待处理物H产成电弧。
在本发明中，作为散热器6可以使用多片散热片。该散热器6可以在覆盖电极3、3的绝缘基板1的外面(与放电空间4相反一侧的面)突出设置。该散热器6将放电空间4中的等离子体生成用气体G以及覆盖电极3用气冷式进行冷却。即，放电空间4在放电发生时变成高温，但是这些热量从等离子体生成用气体G传递到覆盖电极3之后，被散热器6吸收并散去。由此，可以抑制等离子体生成用气体G的温度上升，和伴随它的绝缘基板1的温度上升。并且，若通过散热器6控制绝缘基板1的温度上升，则可以防止绝缘基板1发生热变形而发生破碎等破损。另外，如果绝缘基板1的一部分被过度加热，就有可能出现在被加热的部分上，等离子体生成密度升高等的而使等离子体产生不均匀的问题，但是通过抑制绝缘基板1的温度上升，可以防止等离子体生成的不均匀化，维持均匀的等离子体处理。
上述散热器6优选用热传导性能高的材质形成，例如，可以使用铜、不锈钢、铝、氮化铝(AlN)等形成。若用氮化铝等绝缘物形成散热器6，则不容易受到外加于导电层2、2之间的高频电压的影响，因此，投入到导电层2、2之间的电功率几乎没有损失，从而可以进行有效的放电。而且，因为是高热传导，所以可以提高冷却效率。
绝缘基板1与散热器6的接合，优选采用热传导性能优良的方式，例如，可以用热传导性油脂、热传导性双面胶带、粘合树脂浸渍接合材料粘合，或将绝缘基板1和散热器6的接合面进行镜面研磨，通过压接进行接合。另外，优选将绝缘基板1和散热器6一体地形成。通过这种方式形成，可以通过散热器6更有效地吸收由放电空间4散发的热量，因此，可以实现绝缘基板1的温度分布均匀、放电稳定。并且，作为散热器6还可以设置珀耳帖(Peltier)元件。
在本发明中，作为温度调整单元7可以使用电加热器等加热装置。温度调整单元7用来将绝缘基板1的温度调整到容易释放出二次电子的温度。即，虽然被激活的等离子体生成用气体G中所含有的电子或离子作用于绝缘基板1上，由此，二次电子从绝缘基板1被释放出，但是通过温度调整单元7将绝缘基板1的温度调整到该二次电子容易被释放出的温度。虽然绝缘基板1的温度越高就越容易释放出二次电子，但是如果考虑到由于热膨胀导致的绝缘基板1的损伤，就要适当调整温度，将绝缘基板1的温度控制在100℃左右。因此，优选通过上述温度调整单元7将绝缘基板1的温度调整到40～100℃。这样，通过使绝缘基板1的温度高于室温，可以在等离子体处理装置A的使用开始时，使绝缘基板1的表面温度上升到高于室温，因此，从绝缘基板1释放二次电子变得比室温的情况容易，从而可以通过从绝缘基板1释放出的二次电子增加等离子体生成密度，容易地开始放电并提高始动性，而且，还可以提高待处理物H的清洗能力或改性能力等的等离子体处理能力。
温度调整单元7可以被内置在绝缘基板1或散热器6或后面记述的气体均匀化单元8内，或是设置在这些装置的外面，可以根据热电偶等温度测定装置对绝缘基板1的温度的测定结果等，按照需要，控制其启动/停止。
在本发明中，在覆盖电极3、3的上侧设置了气体存储室11(gasreservoir)。气体存储室11是用与散热器6相同的材料形成的箱状物，分别在其上面形成了气体流通口20、在下面形成了安装孔21。并且，通过从安装孔21将覆盖电极3、3的上部插入气体存储室11的内部进行安装，从而将放电空间4和气体存储室11的内部空间连通起来。在气体存储室11内部，设置了气体均匀化单元8，用于在放电空间4的宽度方向(与覆盖电极3的宽度方向为相同方向，与图1(b)的纸面正交的方向)上，以大致均匀的流速提供等离子体生成用气体G。该气体均匀化单元8由使多个流通孔8a、8b…在上下方向上贯通而设置的冲孔板等形成，气体存储室11被上下间隔开。
并且，上述的本发明的等离子体处理装置A在大气压或与其接近的压力下(100～300kPa)进行等离子体处理，具体地如下进行处理。
首先，提供等离子体生成用气体G，使其从气体流通口20流入到气体存储室11内。作为等离子体生成用气体G，可以单独分别使用稀有气体、氮、氧、空气，或者混合多种气体进行使用。作为空气，可以优选使用几乎不含有水分的干燥空气。作为稀有气体，可以使用氦、氩、氖、氪等，但是若考虑到放电的稳定性或经济性，则优选氩。另外，也可以在稀有气体或氮中混合氧、空气等反应气体来使用。反应气体的种类可以根据处理的内容进行任意选择。例如，在进行待处理物H的表面存在的有机物的清洗、抗蚀剂的剥离、有机膜的蚀刻、LCD的表面清洗、玻璃板的表面清洗等情况下，优选使用氧、空气、CO2、N2O等的氧化性气体。另外，作为反应气体，也可以适当使用CF4、SF6、NF3等氟系气体，在进行硅或抗蚀剂等的蚀刻、灰化的情况下，使用该氟系气体很有效。另外，在进行金属氧化物还原的情况下，可以使用氢、氨等还原性气体。
之后，提供到气体存储室11的等离子体生成用气体G在气体存储室11内向下流动，到达放电空间4的上侧开口，但是，在向下流过气体存储室11内的途中，分散流到气体均匀化单元8的多个流通孔8a、8a…，并通过流通孔8a。因此，在气体流通口20与放电空间4的上侧开口之间设置的气体均匀化单元8成为分散等离子体生成用气体G的压力的部分，在放电空间4的宽度方向上，能以大致均匀的流速将等离子生成用气体G提供给放电空间4并向下流。其结果是：可以在宽度方向上，减少从放电空间4的下面开口吹出的被激活的等离子体生成用气体G的流速分布，可以进行均匀的等离子体处理。
如上所述，在将等离子体生成用气体G提供给气体存储室11时，可以设置由气瓶、气体配管、混合器、压力阀等构成的适当的气体提供装置(图中没有显示)。例如，用气体配管将封装入了等离子体生成用气体G中所含的各气体成分的各气瓶连接到存储室11的气体流通口20，此时，用混合器按照所规定的比例混合由各气瓶提供的气体成分，通过压力阀，以所希望的压力导出到放电空间4中。另外，优选在不受压力损失的影响的情况下，利用在每单位时间内能够提供所规定流量的压力，将等离子体生成用气体G提供给放电空间4，优选使气体存储室11内的压力达到大气压或与其接近的压力(优选100～300kPa)的方式，来提供等离子体生成用气体G。
此后，到达到放电空间4的上侧开口的等离子体生成用气体G，从其上侧开口向下流到放电空间4内，但是在此，由于通过电源5向相对置配置的覆盖电极3、3的导电层2、2之间外加电压，所以，在放电空间4产生放电，并且，由于该放电，等离子体生成用气体G被激活。即，由于通过电源5向导电层2、2之间外加电压，所以在放电空间4产生电场，由于该电场的产生，在大气压或与其接近的压力下，在放电空间4发生气体放电，并且，由于该气体放电，等离子体生成用气体G被激活(等离子化)，在放电空间4内生成活性种子(离子或游离基等)。此时，如图4所示，从高电压侧的导电层2向低电压侧的导电层2大致水平地生成空间4中生成的电力线D，但是，放电空间4中的等离子体生成用气体G的流通方向R大致垂直向下。这样，将覆盖电极3、3在与等离子体生成用气体G的流通方向R正交的方向(大致水平方向)上相对配置，以使在与等离子体生成用气体G的流通方向(大致垂直向下方向)R交叉的方向上，产生放电空间4中的电力线D，并外加电压，由此，可以使放电发生，能进行等离子体生成用气体G的激活。
在放电空间4将等离子体生成用气体G激活后，将该激活的等离子体生成用气体G作为等离子体P，从放电空间4的下面开口连续地以喷射状喷出，喷到待处理物H的表面的一部分或整个部分。此时，由于放电空间4的下面开口在覆盖电极3的宽度方向上(与图1(b)的纸面正交的方向)形成细长状，所以能将激活的等离子体生成用气体G范围很广地喷出。并且，由于激活的等离子体生成用气体G中所含有的活性种子在待处理物H的表面发生作用，因此可以进行待处理物H的清洗等的表面处理。这里，在放电空间4的下面开口的下方设置待处理物H时，可以使用轧辊、传送带等的传送装置来传送待处理物H。此时，通过利用传送装置将多个待处理物H依次传送到放电空间4的下方，从而可以连续地对多个待处理物H进行等离子体处理。进一步，通过将等离子体处理装置保持在多关节机器人装置(robot)等中，可以进行复杂的立体形状的待处理物H的表面处理。另外，可以根据等离子体生成用气体G的气体流的流速、等离子体生成用气体G的种类、待处理物H或表面处理(等离子处理)的内容等，适当设定放电空间4的下面开口与待处理物H的表面之间的距离，例如可以设为1～30mm。
本发明可以适用于针对各种待处理物H的等离子体处理，特别可以适用于：液晶用玻璃材料、等离子显示用玻璃材料、有机电致发光显示装置用玻璃材料等的、各种平板显示用玻璃材料、印刷布线基板、聚酰亚胺膜等的各种树脂薄膜等的表面处理。在进行针对这种玻璃材料的表面处理时，即使在该玻璃材料上设置了由ITO(氧化铟锡)构成的透明电极或TFT(薄膜晶体管)液晶，或者设置了CF(彩色滤波器)等也可拿来进行表面处理。另外，在对树脂薄膜实施表面处理时，可以对采用所谓的连续滚动条方式(roll-to-roll)传送的树脂薄膜连续地实施表面处理。
并且，在本发明中，没有必要用钛形成导电层2，另外，也不进行陶瓷材料的热喷涂，因此由于覆盖电极3的材料的低成本或制造工艺的简化，能以更低的价格进行制造。另外，与陶瓷热喷涂的覆膜相比，陶瓷烧结体的空隙率小且致密，因此在放电时不容易发生绝缘基板1的绝缘破坏，可以防止放电的不稳定性或覆盖电极3的导电层2的损伤。进一步，将导电层2形成层状，由此可以使覆盖电极3更薄，可以实现装置的小型化。
这里，对本发明中使用的覆盖电极3和以往的等离子体处理装置中使用的电极(以下称为「以往的电极」)的耐电压数据进行表示。如图9(a)所示，覆盖电极3使用以下材料：形成厚度为2mm的氧化铝制的陶瓷烧结体作为绝缘基板1，在该厚度方向的中央部分形成了厚度为30μm的钨制的导电层2。因此，覆盖导电层2的绝缘基板1的层厚度t为1mm。另一方面，如图9(b)所示，以往的电源使用了在厚度为25mm的钛板的电极母材35的表面上，用热喷涂法形成厚度为t＝1mm的氧化铝的覆膜36的材料。并且使用了用于雷电冲击试验的脉冲试验机，对覆盖电极3和以往的电极进行了耐电压试验。即，使耐电压试验用电极37与绝缘基板1和覆膜36的各表面相接触，并且，将导电层2和电极母材35接地，通过脉冲电源38对耐电压试验用电极37外加电压。其结果是，本发明中使用的覆盖电极3的耐电压为20kV，而以往的电极的耐电压为10kV，覆盖电极3的耐电压性能提高了(参照表1)。
[表1]
图5(a)(b)中表示其他实施方式。在该等离子体处理装置A中，用冷却外罩代替散热片来形成散热器6，其他结构与上述实施方式相同。上述散热器6使用与上述相同的材料形成板状，在其内部设置了用来使水等冷却剂流通循环的多个循环路径25。并且，散热器6紧贴着覆盖电极3的外表面设置，通过在放电时使冷却剂在循环路径25中流通，采用水冷式冷却覆盖电极3的绝缘基板1，来抑制绝缘基板1的温度上升。考虑到容易产生上述效果和操作性或节省能源等，冷却剂的温度优选50～80℃的温度。
另外，与上述同样地，可以具备电加热器等温度调整单元7，但也可以利用散热器6本身作为温度调整单元。即，可通过使进行了温度调整的冷却剂在循环路径25中流通，由散热器6(温度调整单元7)，将绝缘基板1的温度调整到容易释放出二次电子的温度。这种情况下也与上述情况相同，对绝缘基板1进行温度调整并将其温度控制在100℃左右为宜，优选将绝缘基板1的温度调整在40～100℃的范围内。
图6中表示其他的实施方式。该等离子体处理装置A是使用三个覆盖电极3形成的，其他构成与上述相同。这种情况与使用2个覆膜电极3的情况相比，可以增加被激活的等离子体生成用气体G的生成量，可以提高等离子体处理能力。
图7中表示其他的实施方式。该等离子体处理装置A将2个覆盖电极3上下相对置配置。在上侧的覆盖电极3上设置了上下贯穿的气体导入孔30，在下侧的覆盖电极3上设置了与气体导入孔30相对置的上下贯穿的气体导出孔31。另外，在上侧的覆盖电极3的上面设置了与上述相同的气体存储室11。在这种情况下，使气体存储室11的下面的安装孔21与气体导入孔30的上端开口位置对齐，将上下的覆盖电极3、3之间的放电空间4与气体存储室11的内部空间连通。另外，在上侧的覆盖电极3的上面，突出设置了与上述相同的散热片的散热器6。其他的构成与上述实施方式相同。
在该等离子体处理装置A中，与上述相同，从气体流通口20向气体存储室11提供等离子体生成用气体G，一边通过气体均匀化单元8的贯通孔8a，一边使等离子体生成用气体G向下流动，然后，从气体导入孔30提供给放电空间4。接着，由于对覆盖电极3、3的导电层2、2之间外加的电压，在放电空间4产生放电，通过该放电将等离子体生成气体G激活，通过将该激活的等离子体生成用气体G从气体导出孔31吹出，吹到位于气体导出孔31下方的待处理物H上，从而可进行等离子处理。
在该等离子体处理装置A中，如图8所示，放电空间4中产生的电力线D从高电压侧的导电层2向低电压侧的导电层2大致垂直地生成，放电空间4中的等离子体生成用气体G的流通方向R也大致垂直向下。像这样，为了使放电空间4中的电力线D在与等离子体生成用气体G的流通方向R平行的方向上生成，可以在与等离子体生成用气体G的流通方向R平行的方向(大致垂直方向)上，相对置配置覆盖电极3、3，并外加电压，由此产生放电，从而可进行等离子体生成用气体G的激活。另外，在这种情况下，可以发生与等离子体生成用气体G的流通方向R大致平行的方向的高密度的流光放电，进而，放电空间4可以比气体导出口31更有效率地激活等离子体生成用气体G，因此，可以进一步提高等离子体生成用气体G的活性，进行高效率的等离子处理。
产业上的利用可能性
根据本发明，由于在形成覆盖电极3时，没有必要用钛形成导电层2，也不进行陶瓷材料的热喷涂，所以，由于降低了覆盖电极3的材料成本或使制造工艺得以简化，所以能以更低的价格进行制造。另外，由于陶瓷烧结体与陶瓷热喷涂的覆膜相比，空隙率小且致密，因此在放电时，不容易发生绝缘破坏，可以防止放电的不稳定或覆盖电极3的导电层2的损伤。进一步，由于导电层2是层状，可以将覆盖电极3制作得更薄，从而实现装置小型化。
Claims (9)
1.一种等离子体处理装置，用于通过放电使等离子体生成用气体激活，并将该被激活的等离子体生成用气体喷射在待处理物上进行处理，其特征为：
在由陶瓷烧结体构成的绝缘基板上埋设导电层而形成覆盖电极，并将多个覆盖电极相对置地配置而将覆盖电极之间形成为放电空间，且具有电源，其用于对导电层外加电压，使在放电空间产生放电。
2.如权利要求1所记载的等离子体处理装置，其特征为：
设置了多个覆盖电极，以使通过对导电层外加电压而在放电空间产生的电力线，在与放电空间中的等离子体生成用气体的流通方向交叉的方向上发生。
3.如权利要求1所记载的等离子体处理装置，其特征为：
设置了多个覆盖电极，以使通过对导电层外加电压而在放电空间产生的电力线，在与放电空间中的等离子体生成用气体的流通方向大致平行的方向上发生。
4.如权利要求1至3的任意1项所记载的等离子体处理装置，其特征为：
相邻的覆盖电极的导电层的间隔为0.1～5mm。
5.如权利要求1至4的任意1项所记载的等离子体处理装置，其特征为：
陶瓷烧结体为氧化铝烧结体。
6.如权利要求1至5的任意1项所记载的等离子体处理装置，其特征为：
在绝缘基板的外表面设置了散热器。
7.如权利要求1至6的任意1项所记载的等离子体处理装置，其特征为：
具有：温度调整单元，其用来将绝缘基板的温度调整到容易释放出二次电子的温度。
8.如权利要求1至7的任意1项所记载的等离子体处理装置，其特征为：
具有：气体均匀化单元，其用于使放电空间的等离子体生成用气体的流速大致均匀。
9.如权利要求1至8的任意1项所记载的等离子体处理装置，其特征为：
通过在多片绝缘薄板材料之间设置导电体而一体成形，从而形成了具有由绝缘薄板材料构成的绝缘基板和由导电体构成的导电层的覆盖电极。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP039847/2007 | 2007-02-20 | ||
| JP2007039847A JP2008205209A (ja) | 2007-02-20 | 2007-02-20 | プラズマ処理装置 |
| PCT/JP2008/052360 WO2008102679A1 (ja) | 2007-02-20 | 2008-02-13 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101632327A true CN101632327A (zh) | 2010-01-20 |
Family
ID=39709956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN200880005558A Pending CN101632327A (zh) | 2007-02-20 | 2008-02-13 | 等离子体处理装置 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20100147464A1 (zh) |
| JP (1) | JP2008205209A (zh) |
| KR (1) | KR101092091B1 (zh) |
| CN (1) | CN101632327A (zh) |
| GB (1) | GB2461816B (zh) |
| RU (1) | RU2420044C2 (zh) |
| TW (1) | TW200901832A (zh) |
| WO (1) | WO2008102679A1 (zh) |
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- 2007-02-20 JP JP2007039847A patent/JP2008205209A/ja active Pending
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2008
- 2008-02-13 KR KR1020097017034A patent/KR101092091B1/ko active IP Right Grant
- 2008-02-13 RU RU2009131534/06A patent/RU2420044C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2008-02-13 GB GB0914291A patent/GB2461816B/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-02-13 WO PCT/JP2008/052360 patent/WO2008102679A1/ja active Application Filing
- 2008-02-13 US US12/527,503 patent/US20100147464A1/en not_active Abandoned
- 2008-02-13 CN CN200880005558A patent/CN101632327A/zh active Pending
- 2008-02-19 TW TW097105756A patent/TW200901832A/zh unknown
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20090103941A (ko) | 2009-10-01 |
| GB2461816B (en) | 2011-06-29 |
| US20100147464A1 (en) | 2010-06-17 |
| RU2009131534A (ru) | 2011-02-27 |
| WO2008102679A1 (ja) | 2008-08-28 |
| JP2008205209A (ja) | 2008-09-04 |
| TW200901832A (en) | 2009-01-01 |
| TWI376987B (zh) | 2012-11-11 |
| RU2420044C2 (ru) | 2011-05-27 |
| GB0914291D0 (en) | 2009-09-30 |
| GB2461816A (en) | 2010-01-20 |
| KR101092091B1 (ko) | 2011-12-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| REG | Reference to a national code |
Ref country code: HK Ref legal event code: DE Ref document number: 1135836 Country of ref document: HK |
|
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: PANASONIC ELECTRIC WORKS SUNX CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: MATSUSHITA ELECTRIC WORKS LTD. Effective date: 20111014 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
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|
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
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|
| REG | Reference to a national code |
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